用于电子器件的材料的制作方法
【专利摘要】本发明涉及包含一种或多种式(I)或(II)的化合物的电子器件。此外，本发明包括式(I)或(II)的化合物在电子器件中的用途，并且提供了某些式(I)或(II)的化合物。
【专利说明】用于电子器件的材料
【技术领域】
[0001] 本发明涉及包含一种或多种下文所限定式(I)或(II)化合物的电子器件。此外，本发明包括式(I)或(II)的化合物在电子器件中的用途，并且提供了某些下文所限定的式
[1]或(II)的化合物。
【背景技术】
[0002]开发用于电子器件中的新型功能化合物，是当前大力研究的主题。在此处的目的是开发和考察迄今尚未用于电子器件中的化合物，并开发利于改进器件性能分布的化合物。
[0003]根据本发明的术语电子器件特别是被认为是指有机集成电路(0IC)、有机场效应晶体管(OFET )、有机薄膜晶体管(OTFT )、有机发光晶体管(OLET )、有机太阳能电池(0SC)、有机光学检测器、有机光感受器、有机场猝熄器件(OFQD )、有机发光电化学电池(0LEC)、有机激光二极管(O-1aser)和有机电致发光器件(OLED)。
[0004]其中式(I)或(II)的化合物可优选用作功能材料的有机电致发光器件(OLED)的结构是本领域普通技术人员所已知的，并且特别是描述于US4539507、US5151629、EP0676461 和 W01998/27136 中。
[0005]特别是考虑到广泛的商业用途，在有机电致发光器件的性能数据方面仍需要进一步改进。在这点上，特别重要的是有机电致发光器件的寿命、效率和工作电压以及达到的色值。特别是在发蓝色光的电致发光器件的情况中，有可能在所述器件的寿命方面进行改进。
[0006]此外，希望用作有机半导体材料的化合物具有高的热稳定性和高的玻璃化转变温度，以在未分解的情况下升华。
[0007]在这点上，尤其是需要用于电子器件中的可选的基质材料。特别是，需要用于磷光发光体的同时导致良好效率、长寿命和低工作电压的基质材料。正是基质材料的性质通常局限有机电致发光器件的寿命和效率。
[0008]根据现有技术，咔唑衍生物例如双(咔唑基)联苯通常用作基质材料。此处仍可进行改进，特别是在材料的寿命和玻璃化转变温度方面进行改进。此外，需要在包含所讨论材料的电子器件的工作电压方面进行改进。
[0009]此外，酮(W02004/093207)，氧化膦，砜(W02005/003253)和三嗪化合物，例如三嗪基螺二芴(参见申请W02005/053055和W02010/015306)，被用作磷光发光体的基质材料。在此处仍可能进行改进，特别是在效率和与如下金属络合物的相容性方面进行改进，所述金属络合物含有酮基酮化物配体，例如乙酰丙酮化物配体。
[0010]此外，金属络合物例如BAlq或双[2-(2-苯并噻唑)酚]锌(II)被用作磷光发光体的基质材料。在此处仍需要进行改进，特别是在工作电压和化学稳定性方面进行改进。纯有机的化合物通常比这些金属络合物更稳定。因此，这些金属络合物中的一些对水解敏感，这使得所述络合物更难以处理。
[0011]同样令人特别感兴趣的是提供可选的材料作为混合基质体系的基质组分。在本申请意义上的混合基质体系被认为是指如下的体系:其中两种或更多种不同的基质化合物与一种(或多种)掺杂剂化合物混合在一起而用作发光层。这些体系特别是在磷光有机电致发光器件的情况下是令人感兴趣的。对于更详细的信息，请参考专利申请W02010/108579。可以提及的在现有技术中已知在混合基质体系中用作基质组分的化合物特别是CBP (双咔唑基联苯)和TCTA (三咔唑基三苯胺)。然而，仍需要在混合基质基体中用作基质组分的可选的化合物。特别地，需要如下的化合物，其实现了电子器件的工作电压、功率效率和寿命的改进。
[0012]此外，需要在电子器件中使用的可选的空穴传输材料。在根据现有技术的空穴传输材料的情况下，电压通常随空穴传输层的层厚度的增加而升高。在实践中，空穴传输层的较大的层厚度通常是合乎需要的，但这经常导致较高的工作电压和较差的性能数据。在这点上，需要载荷子迁移率高的新型空穴传输材料，从而在工作电压仅轻微升高的情况下实现较厚的空穴传输层。
[0013]专利申请W02010/136109和W02011/000455公开了具有不同连接形状的茚或吲哚和咔唑单元的茚并咔唑和吲哚并咔唑衍生物。所述化合物适合用作有机电致发光器件中的功能材料，特别是用作磷光发光体的基质材料和用作电子传输材料。然而，仍需要可选的化合物，特别是借助于它们可达到工作电压降低、功率效率提高和寿命提高的那些化合物。
【发明内容】
[0014] 在本发明的过程中已经发现，下文所示的式⑴或(II)的化合物非常适合用于电子器件中。
[0015]因此，本发明涉及如下的电子器件，其包括阳极、阴极和至少一个有机层，其中所述有机层包含至少一种式(I)或(II)的化合物
[0016]
【权利要求】
1.一种电子器件，其包括阳极、阴极和至少一个有机层，其中所述有机层包含至少一种式⑴或(II)的化合物
2.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于P等于2。
3.根据权利要求1或2所述的电子器件，其特征在于，在式(I)中η的值的和，和式(II)中在具有标记P的方括号中每个单元的η的值的和，等于O。
4.根据权利要求1至3中的一项或多项所述的电子器件，其特征在于，每个芳族环O或I个基团Z等于N。
5.根据权利要求1至4中的一项或多项所述的电子器件，其特征在于所述基团Q等于CR1。
6.根据权利要求1至5中的一项或多项所述的电子器件，其特征在于，所述基团Y在每次出现时相同或不同地选自C(R1)^NR'O和S。
7.根据权利要求1至6中的一项或多项所述的电子器件，其特征在于，L选自单键，其中在这种情况下ρ=2,或者选自C=CKNR^O或S,其中在这些情况下ρ=2,或者选自具有I至10个C原子的亚烷基基团、具有2至10个C原子的亚烯基基团，其中一个或多个在所述基团中的CH2基团可以被C=0、NR1、P (=0) (R1)、O或S代替，和具有5至20个芳族环原子的亚芳基或亚杂芳基基团，其可以被一个或多个基团R1取代，或者选自式(L-1)的二价的芳族或杂芳族环系
8.根 据权利要求1至7中的一项或多项所述的电子器件，其特征在于，所述式(I)化合物选自下式
9.根据权利要求1至8中的一项或多项所述的电子器件，其特征在于，所述式(II)化合物选自下式
10.根据权利要求1至9中的一项或多项所述的电子器件，其特征在于，所述器件选自有机集成电路(0-1C)、有机场效应晶体管(O-FET)、有机薄膜晶体管(O-TFT)、有机发光晶体管(0-LET)、有机太阳能电池(Ο-SC)、有机光学检测器、有机光感受器、有机场猝熄器件(O-FQD)、发光电化学电池(LEC)、有机激光二极管(O-1aser)和有机电致发光器件(OLED)。
11.根据权利要求1至10中的一项或多项所述的电子器件，其选自有机电致发光器件，其特征在于，所述式(I)或(II)的化合物在空穴传输层或空穴注入层中作为空穴传输材料存在，和/或在发光层中作为基质材料存在，和/或在电子传输层中作为电子传输材料存在。
12.根据权利要求1所述的式(I)或(II)的化合物，其中存在的符号和标记如权利要求I中所限定的，所述基团Q被选择为等于CR1，并且排除如下的化合物:
13.含有一种或多种根据权利要求12所述的化合物的低聚物、聚合物或树枝状大分子，其中一个或多个构成所述聚合物、低聚物或树枝状大分子的键可以位于在式(I)或(II)中被Rci或R1取代的任何希望的位置处。
14.一种制剂，其包含至少一种根据权利要求12所述的化合物或至少一种根据权利要求13所述的聚合物、低聚物或树枝 状大分子和至少一种溶剂。
【文档编号】C07D498/04GK103476774SQ201280017973
【公开日】2013年12月25日 申请日期:2012年3月15日 优先权日:2011年4月13日
【发明者】特雷莎·穆希卡-费尔瑙德, 克里斯托夫·普夫卢姆, 伊里娜·马丁诺娃 申请人:默克专利有限公司