稳定化含氟聚合物的制造方法

专利名称：：稳定化含氟聚合物的制造方法
技术领域：
：本发明涉及稳定化含氟聚合物的制造方法。
背景技术：
：含氟聚合物，特别是四氟乙烯(TFE)与全氟(烷基乙烯基醚)(PAVE)的共聚物(以下称为PFA)、TFE与六氟丙烯(HFP)的共聚物(以下称为FEP)等TFE共聚物作为能够熔融成型的氟树脂是为人们所知的，含氟聚合物作为用于制造管、软管、接头、容器、电线外皮等成型品或者涂层、衬层、中空成型品的旋转成型用材料正被广泛应用。含氟聚合物根据其聚合时使用的聚合引发剂、链转移剂等的种类的不同，在其聚合结构上一般具有-COF、-COOH、-CH2OH、-COOCH3等-CF3以外的热不稳定末端基团。在含氟聚合物中，这些末端基团的存在能够导致成型时发泡或产生氢氟酸，这是成型失败和金属模腐蚀的原因。此外，在伴随着器件的高集成化而对清洁化的要求日趋严格的半导体领域中，强烈希望将这些不稳定末端基团稳定化。为了克服该问題，在专利文献1中记载了使由特定的TFE和PAVE构成的共聚物在用于除去全部的不稳定末端基团的充分的温度、时间和压力下与含氟气体接触进而喷射惰性气体以将不稳定末端基团从该共聚物中提出的方法。但是，该方法中需要在高温下长时间与氟气相接触，因此人们担心装置的腐蚀导致的共聚物的污染加重，以及共聚物的分解产生的对共聚物的物理性能的影响。相对于此，专利文献2中记载了通过使由特定的TFE与特定的PAVE构成的共聚物与氟气接触以使每l(^个碳原子中的-COF和-COOH的合计数为740个，并进一步与氨气接触将-COF完全转化为-CONH2的方法。另一方面，专利文献3中记载了通过使具有-COF和-COOH的共聚物与有机胺或叔醇相接触来生成中间体，干燥后进行氟化，由此在低于现有的对-COF进行氟化的温度下进行氟化的含氟聚合物的稳定化方法。但是，所述方法中具有中间体的氟化时也会产生-COF副产物的问题，以及在具有-CH20H、-(300(:113等与有机胺或叔醇的反应性低的末端基团的共聚物的情况下其未变为中间体而残留有未反应的末端基团的问题。此外，专利文献4中记载了利用气相氧化法、液相氧化法或电解氧化法等各种方法对包含碳材料的成型体的表面进行预氧化后在由包含氟原子的化合物构成的反应气体中进行氟化的方法。特别是可通过对-COF进行水蒸气处理将其容易地转变成-COOH，并且与其他氧化法相比较，可以说该方法是有效且经济的方法，但是在具有除-COOH、-COF以外的不稳定末端基团的共聚物的情况中，该方法未必有效。此外，该方法只不过仅为成型体表面的处理方法，而且其对于不含碳材料的含氟聚合物并未提及。此外，在具有难以氟化的末端基团的共聚物的情况中，由于未进行有效的氧化处理而使得未反应的末端基团有所残留，因此存在稳定化不充分的问题。专利文献l:日本特开昭62-104822号公报专利文献2:日本特开平4-20507号公报专利文献3:日本特表平3-500547号公报专利文献4:日本特开平6-279603号公报
发明内容鉴于上述现状，本发明的目的在于提供一种能够在温和条件下进行不稳定的末端基团的充分稳定化的新颖的含氟聚合物的制造方法。本发明涉及一种稳定化含氟聚合物的制造方法，该方法的特征在于，其对不具有含-S02X(X表示F或Cl)的单体单元的待处理含氟聚合物实施依序进行如下工序A、工序B和工序C的处理(以下有时将该发明称为"稳定化含氟聚合物的制造方法(i:r)。A为使卤化剂发挥作用的工序，B为使分解处理剂发挥作用的工序，C为使氟化剂发挥作用的工序。本发明涉及一种稳定化含氟聚合物的制造方法，该方法通过对不具有含-S02X(X表示F或Cl)的单体单元的待处理含氟聚合物进行稳定化处理来构成，该方法的特征在于，所述稳定化处理包括下述工序P和Q(以下有时将该发明称为"稳定化含氟聚合物的制造方法(2)")。其中，工序P为得到上述不稳定的末端基团的90%以上为-CFTCOOZ(T表示F、全氟烷基或全氟垸氧基，上述全氟垸基和全氟烷氧基各自可以包含醚性氧(-O-)。Z表示H、NI^I^RSR"或碱金属元素。R1、R2、R和W相同或不同，表示H或碳原子数为14的垸基)的含氟聚合物的工序；工序Q为通过使氟化剂发挥作用来将上述-CFTCOOZ转化为-CF2T(T和Z与上述定义相同)的工序。本发明涉及一种管状成型体，其为使用含氟聚合物而形成的管状成型体，该管状成型体的特征在于，所述含氟聚合物是通过上述本发明的稳定化含氟聚合物的制造方法制造出的稳定化含氟聚合物。本发明涉及一种被覆电线，其为包含芯线和被覆该芯线的被覆材料的被覆电线，该被覆电线的特征在于，所述被覆材料是使用通过上述本发明的稳定化含氟聚合物的制造方法制造出的稳定化含氟聚合物而形成的。本发明涉及一种光学功能材料，其特征在于，所述光学功能材料是使用通过上述本发明的稳定化含氟聚合物的制造方法制造出的稳定化含氟聚合物而形成的。本发明涉及一种光导波路，其为包含芯部和外皮部的光导波路，该光导波路的特征在于，至少所述芯部和所述外皮部之一是使用通过上述本发明的稳定化含氟聚合物的制造方法制造出的稳定化含氟聚合物而形成的。本发明涉及一种防反射膜材料，其特征在于，所述防反射膜材料是使用通过上述本发明的稳定化含氟聚合物的制造方法制造出的稳定化含氟聚合物而形成的。本发明涉及一种注射成型体，该注射成型体为使用含氟聚合物而形成的注射成型体，其特征在于，所述含氟聚合物为通过上述本发明的稳定化含氟聚合物的制造方法制造出的稳定化含氟聚合物。下面详细说明本发明。如上所述，本发明的稳定化含氟聚合物的制造方法(l)中，对待处理含氟聚合物所实施的处理包括工序A、工序B和工序C;本发明的稳定化含氟聚合物的制造方法(2)中，对具有不稳定末端基团的待处理含氟聚合物所实施的处理为包括工序P和工序Q的稳定化处理，在这两点上两种制造方法的要件是不同的，下面对于本发明的稳定化含氟聚合物的制造方法中的这两种制造方法所共通的事项进行说明。在本说明书中，只要未附带(1)或(2)等其他记载，本发明的"稳定化含氟聚合物的制造方法"就是包含稳定化含氟聚合物的制造方法(l)和稳定化含氟聚合物的制造方法(2)的概念。本发明的稳定化含氟聚合物的制造方法为通过对待处理含氟聚合物实施后述的包括特定工序的处理而制造稳定化含氟聚合物的方法。作为上述待处理含氟聚合物，通常使用具有不稳定末端基团的含氟聚合物。上述处理为将上述不稳定末端基团稳定化的处理，在本说明书中，有时称为"不稳定末端基团稳定化处理"或者简称为"稳定化处理"。本发明中，待处理含氟聚合物是作为实施不稳定末端基团稳定化处理的对象的含氟聚合物。上述含氟聚合物为通过对含氟单体进行聚合而得到的聚合物，根据目的，也可以为与非含氟单体进行共聚而得到的聚合物。作为上述含氟单体，只要是含有氟原子的能够聚合的化合物就没有特别限定，可举出例如氟代烯烃、氟代烷基乙烯基醚、环状的氟化单体等作为上述氟代烯烃，可举出后述的烯键式含氟单体。作为上述氟代烷基乙烯基醚，没有特别限定，可以举出例如，通式CF^CF-0-Rf乂式中，Rf'表示碳原子数为19的氟代垸基或碳原子数为19的氟代聚醚基)表示的氟代乙烯基醚、通式CHY^CF-0-Rf、式中，V表示H或F，Rf表示碳原子数为19的可以具有醚性氧的直链状或支链状的氟代烷基)表示的含氢的氟代垸基乙烯基醚等。上述待处理含氟聚合物也可以是对一种或两种以上的上述氟代烷基乙烯基醚进行共聚而得到的聚合物。作为上述环状的氟化单体，可以举出由下式表示的全氟-l，3-间二氧杂环戊烯衍生物等全氟间二氧杂环戊烯类等。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage8</formula>上述式中，R和R，相同或不同，表示F、H、碳原子数为110的烷基或碳原子数为110的氟代烷基。作为上述非含氟单体，可以举出与上述含氟单体具有反应性的烃类单体等。作为上述烃类单体，可以举出例如烯烃类、垸基乙烯基醚类、乙烯基酯类、烷基烯丙基醚类、烷基烯丙基酯类等。上述含氟聚合物优选为具有来自烯键式含氟单体的烯键式含氟单体单元的聚合物。上述烯键式含氟单体为不具有醚性氧(-O-)而具有乙烯基的含氟单体，上述乙烯基是一部分或全部氢原子可以被氟原子取代的乙烯基。在本说明书中，"醚性氧"是指构成单体分子的-O-结构。作为上述烯键式含氟单体，可以举出例如，通式CF^CF-Rf(式中，Rf表示F、Cl或碳原子数为19的直链状或支链状的氟代烷基)表示的卤代烯键式含氟单体、通式CHY、CFY、式中，yZ表示H或F，f表示H、F、Cl或碳原子数为19的直链状或支链状的氟代垸基)表示的含氢氟代烯键式含氟单体等。作为上述烯键式含氟单体，可以举出例如四氟乙烯(TFE)、六氟丙烯(HFP)、三氟氯乙烯(CTFE)、氟乙烯、偏二氟乙烯(VDF)、三氟乙烯、六氟异丁烯和全氟丁基乙烯等。作为上述烯键式含氟单体，优选为以选自由CF2=CF2、CH2=CF2、CF2=CFC1、CF2=CFH、CH2=CFH以及CF2=CFCF3表示的烯键式含氟单体组成的组中的至少一种，其中更优选全卤烯键式含氟单体，进一步优选全氟烯键式含氟单体，特别优选TFE。上述待处理含氟聚合物也可以是将一种或两种以上的上述烯键式含氟单体共聚而得到的聚合物。作为上述待处理含氟聚合物，优选将至少一种烯键式含氟单体和至少一种上述氟代烷基乙烯基醚共聚而成的二元以上的共聚物，更优选将上述烯键式含氟单体和上述氟代烷基乙烯基醚共聚而成的二元共聚物。作为本发明中的待处理含氟聚合物，优选具有来自于选自由CF2=CF2、CF^CFCF2Rf4、CFfCF-OCFzRf4、CF^CF-ORfSCFfCF^Rf4表示碳原子数为110的氟代烷基；RfS表示可以含有醚性氧的碳原子数为18的氟代亚烷基)和全氟-l,3-间二氧杂环戊烯衍生物组成的组中的至少一种单体的重复单元的聚合物，其中更优选具有来自于CF^CF2的重复单元的TFE系共聚物。作为上述TFE系共聚物，优选为由CF2K:F2、以及全氟(垸基乙烯基醚)(PAVE)和/或HFP构成的共聚物，更优选为TFE/PAVE共聚物(PFA)或者TFE/HFP共聚物，进一步优选为TFE/全氟(丙基乙烯基醚)共聚物。上述TFE系共聚物优选为全氟弹性体。本发明中的待处理含氟聚合物优选为将上述烯键式含氟单体和能够与该烯键式含氟单体共聚的单体共聚而成的二元以上的共聚物。作为能够与上述烯键式含氟单体共聚的单体，可以举出氟代烷基乙烯基醚等。本发明中的待处理含氟聚合物优选为由50摩尔％100摩尔％上述烯键式含氟单体单元和0摩尔％50摩尔％上述氟代垸基乙烯基醚单元构成的聚合物。上述烯键式含氟单体单元的更优选的下限为65摩尔％，进一步优选的下限为70摩尔％，更优选的上限为90摩尔％，进一步优选的上限为87摩尔％。上述氟代垸基乙烯基醚单元的更优选的上限为20摩尔％，进一步优选的上限为10摩尔％。上述氟代烷基乙烯基醚单元、烯键式含氟单体单元等单体单元是指上述待处理含氟聚合物的分子结构上的来自于单体的分子结构的部分。例如，TFE单元表示来自于TFE(CF^CF2)的部分(-CF2-CF2-)。本发明中的待处理含氟聚合物是不具有含-S02X(X表示F或Cl)的单体单元的聚合物。由于上述待处理含氟聚合物是不具有含-S02X(X与上述定义相同)的单体单元的聚合物，因此能够与氟化对象物中的含水量无关地进行高效氟化。本发明中的待处理含氟聚合物可以具有的不稳定末端基团是指后述的各工序(工序A和工序B)中反应生成的基团。上述不稳定末端基团通过进一步进行工序C而能够成为稳定末端基团。作为上述不稳定末端基团，可以举出例如下式(1)(7)所示的各基团(1)—CFTR5(OH)(2)—CFT—(R6)—OR7(3)—CFT—(R8)—COR9(4)—CFT—(R0)—OCOOR11(5)—CFTCONR12R13(6)—CFTCOOR14上述式(1)(7)中，T表示F、全氟烷基或全氟烷氧基，Rs表示部分或全部氢原子可以被取代为卤元素的碳原子数为110的烃基，R6、R8和R^表示部分或全部氢原子可以被取代为卣元素的碳原子数为110的亚烷基，R7、R9、R11、R12、R"和R"表示部分氢原子而非全部氢原子可以被取代为卤元素的碳原子数为110的烷基(其中，在上述(5)中R'z和R"相同或不同)，R"表示H或表示部分氢原子而非全部氢原子可以被取代为卤元素的碳原子数为110的烷基，nl表示13的整数，n2、n3和n4表示整数0或1。上述全氟烷基和全氟烷氧基可以各自含有醚性氧。X与上述定义相同。作为上述T的全氟烷基优选碳原子数为110，作为上述T的全氟烷氧基，优选碳原子数为115。作为上述R5的烃基可以是非环状的脂肪族烃基，也可以是脂环状'JS基，还可以是苯基等芳香族烃基。作为上述不稳定末端基团，可以举出例如-CF2C02CH3、-CF2CH2OH、-CF2CONH2等。对于本发明中所用的待处理含氟聚合物，只要其具有上述不稳定末端基团，也可以是还具有该不稳定末端基团以外的-CF2COOH、-CF2COF、《？21116(11]6表示碳原子数为110的垸基)、-CF=CF2、-CF2H等不稳定末端基团的聚合物。作为上述不稳定末端基团和不稳定的其他末端基团，没有特别的限制，例如可以是来自于在用于得到待处理含氟聚合物的聚合反应中所添加的聚合引发剂、链转移剂和/或聚合终止剂的基团(i);由单分子终止反应(乙烯基醚的(3-开裂等)生成的基团(ii);在实施本发明的处理前这些末端基团通过可存在于周围环境中的水、醇、胺等进一步变化而得到的基团(iii)。作为上述来自于聚合引发剂、链转移剂和/或聚合终止剂的基团(i)，可以举出例如下述的相当于上述式(1)(4)、(6)或(7)的基团(i-a)在使用过氧化二碳酸二正丙酯作为聚合引发剂时可生成的-CF2OCOOCH2CH2CH3;(i-b)在使用甲醇作为链转移剂时以相对于全部聚合物末端为约10W50。/。的比例生成的-CF2CH2OH;(i-c)在使用二甲醚作为链转移剂时可生成的-CF2CH20CH3;(i-d)在使用丙酮作为链转移剂时可生成的-CF2CH2COCH3;(i-e)在使用乙烷作为链转移剂时能够以相对于全部聚合物末端为约10。/。50。/。的比例生成的-CF2CH2CH3;(i-f)在使用甲醇作为聚合终止剂时能够以相对于全部聚合物末端为约10%80%的比例生成的-CF2CONH2;等。作为上述由单分子终止反应生成的基团(ii)，可以举出-CF2COF等。作为上述聚合时先暂时生成的末端基团通过周围介质的作用进一步变化而成的末端基团(iii)，可以举出例如上述-CF2COF通过可共存的水变化为羧基而得到的基团(-CF2C02H等)、上述-CF2COF通过可共存的醇形成酯键而得到的基团(-CF2C02CH3、-CF2C02C2H5等)、使用胺或者氨时上述-CF2COF变化为酰胺键而得到的基团(-CF2C02NH2、-CF2C02N(CH3)2等)，等等。在该进一步变化而得到的基团(iii)之中，上述(5)或(6)的末端基团可相当于本发明中的不稳定末端基团。上述待处理含氟聚合物中的不稳定末端基团为以上述(1)(7)表示的各基团中的至少一种基团时，后述的工序A中，能够将该不稳定末端基团转化为易分解性末端基团，而且即使在温和条件下也能够进行该转化，因此能够高效地制造出稳定化含氟聚合物，特别是所述不稳定末端基团为以选自由上述(l)、(3)、(5)和(6)组成的组中的化学式表示的基团时，能够更容易地进行末端稳定化。此外，上述不稳定末端基团为以选自由(2)、(4)和(7)组成的组中的化学式表示的基团时，后述的工序A中使氧等氧化性气体共存的方法是有效的。上述待处理含氟聚合物通常为2个以上待处理含氟聚合物分子的聚集体。该2个以上待处理含氟聚合物分子的聚集体也可以是具有不稳定末端基团的待处理含氟聚合物分子与不具有不稳定末端基团的待处理含氟聚合物分子的聚集体。在该2个以上待处理含氟聚合物分子的聚集体中，上述不稳定末端基团可以存在至少l个，但通常存在2个以上。在上述2个以上待处理含氟聚合物分子的聚集体中，该2个以上的不稳定末端基团可以仅为一种，也可以为两种以上。该两种以上的不稳定末端基团可以在每一待处理含氟聚合物分子中为两种以上，根据待处理含氟聚合物分子的不同，不稳定末端基团的种类也可以部分不同或全部不同。关于上述2个以上的不稳定末端基团，在本发明中的处理过程中，该2个以上不稳定末端基团可以全部转化为同一种类的基团，也可以t艮据该2个以上不稳定末端基团中的基团的不同而转化为不同种类的基团，还可以在该2个以上不稳定末端基团中包含部分未转化的基团。在本发明中，对于不稳定末端基团来说，若按其通常字义解释，则可认为其也可以包括在后述的处理过程中生成的易分解性末端基团、易氟化性末端基团和-CFTCOOZ(T与上述定义相同；Z表示H、NR1112113114或碱金属元素；R1、R2、RS和RA相同或不同，表示H或碳原子数为14的垸基)；但在本发明的稳定化含氟聚合物的制造方法(l)中，不稳定末端基团通常为实施处理前待处理含氟聚合物所具有的基团，易分解性末端基团为对该不稳定末端基团实施后述的工序A而得到的基团，易氟化性末端基团为对该易分解性末端基团实施后述的工序B而得到的基团，此外，在本发明的稳定化含氟聚合物的制造方法(2)中，-CFTCOOZ(T和Z与上述定义相同)为包含在上述不稳定末端基团中的种类，从这些方面考虑，不稳定末端基团、易分解性末端基团、易氟化性末端基团和上述-CFTCOOZ是相互区别的概念。本发明中的待处理含氟聚合物能够通过例如溶液聚合、悬浮聚合、乳液聚合等现有公知的方法制备，但是从本发明的稳定化含氟聚合物的制造方法显示出最佳效果的方面出发，优选乳液聚合或者悬浮聚合。上述待处理含氟聚合物可以为树脂粉末状、粒状、成型得到的膜状中的任意一种形状。从充分地进行后述各工序的角度出发，上述待处理含氟聚合物优选为树脂粉末状，从处理性方面考虑，在工业上优选粒状。本发明的稳定化含氟聚合物的制造方法(l)为对上述待处理含氟聚合物实施依序进行如下工序A、工序B和工序C的处理的方法。工序A为使卤化剂发挥作用的工序，工序B为使分解处理剂发挥作用的工序，工序C为使氟化剂发挥作用的工序。上述工序A通常为通过使卤化剂发挥作用而将不稳定末端基团转l七为易分解性末端基团的工序A1。作为上述卤化剂，优选为选自由F2、NF3、SF4、PF5、IF5、IF7、Br2、BrF3、BrF5、AgF2、CoF3、K3NiF7、Cl2、SC12、SC14、PC13、POCl3、PC15、C1F和C1F3组成的组中的至少一种卤化剂。上述卤化剂从处理容易的方面考虑更优选F2或SF4。此外，根据需要可以与氧等氧化性气体混合来使用。上述卤化剂为气态化合物时，可以以氮等惰性气体稀释成595质量％来使用。使上述卤化剂发挥作用的工序优选在0'C18(TC进行。通过在该范围内的温度下进行卤化剂的作用，能够将向易分解性末端基团的转化率维持在较高水平，同时能够抑制碳-碳双键的形成、抑制主链切断等待处理含氟聚合物的损伤。上述温度更优选的下限为20。C，进一步优选的下限为5(TC，更优选的上限为14(TC，进一步优选的上限为130°C。工序A根据所使用的卤化剂、待处理含氟聚合物的种类等的不同而不同，但是优选在表压为-0.083MPa的压力下进行。上述压力更优选的下限为-0.05MPa，更优选的上限为lMPa。在本发明中，"易分解性末端基团"为通过使卤化剂发挥作用而由上述不稳定末端基团转化得到的基团，其是通过使工序B中的分解处理剂发挥作用而能够转化为易氟化性末端基团的基团。作为上述易分解性末端基团，可以举出例如-CFTCOX乂T与上述定义相同；X表示F或Cl)、-CFTCOORx(T与上述定义相同；Rx表示卤代烷基)等。上述Rx中的囟元素数一般多于上述R"所具有的卤元素数。作为上述易分解性末端基团，优选为选自由上述-CFTCOX1和上述-CFTCOORx(各式中，T、《和Rx与上述定义相同)组成的组中的至少一种基团。作为上述-CFTCOX1，优选为-CFTCOF，作为上述-CFTCOORx，优选为Rx是碳原子数为13的卤代烷基的基团，更优选为Rx是碳原子数为13的全卤烷基的基团，进一步优选为-CFTCOOCX、等，特别优选为-CFTCOOCF3(在各式中，T、X'和Rx与上述定义相同)。在上述工序A中，通过使卤化剂发挥作用，例如上述式(l)、(2)、(3)、(4)、(5)或(7)所示的不稳定末端基团能够转化为易分解性末端基团-CFTCOF(T与上述定义相同)，上述式(6)所示的不稳定末端基团能够转化为烷基-R"的氢原子被卤元素所取代的易分解性末端基团-CFTCOOCXn5H3-n5(式中，T与上述定义相同；X为F或C1，n5为l、2或3的整数)。其中，上述式(7)所示的基团中，烷基-R"的氢原子通过卤化剂处理被取代成氟，但为了在较低温度下且以尽可能短的时间进行充分的-CF2T(T与上述定义相同)化，优选通过使卤化剂与氧等氧化剂共存而转化为-CFTCOX乂式中，T和X'与上述定义相同)的方法。工序B优选为通过使分解处理剂发挥作用而将上述易分解性末端基团转化为易氟化性末端基团的工序。上述分解处理剂优选水。上述分解处理剂可以是液态分解处理剂和气态分解处理剂中的任意一种处理剂，优选为气态分解处理剂。使用水作为上述分解处理剂时，易分解性末端基团对水的反应性非常大，因此仅使其与潮湿的空气接触，也能够转化为易氟化性末端基团，能够使工序简便。上述工序B中的分解处理剂的用量可以根据所使用的分解处理剂的种类来适宜选择，在使用液态分解处理剂时，所述用量相对于100质量份经历了工序A的待处理含氟聚合物为110000质量份。上述工序B优选在0'C18(TC的温度下进行。上述温度更优选的下限为2(TC，进一步优选的下限为50°C，更优选的上限为140°C，进一步优选的上限为130°C。使用气态分解处理剂时，上述工序B优选在表压为-0.083MPa的压力下进行。上述压力更优选的下限为-0.05MPa，更优选的上限为lMPa。在本发明中，"易氟化性末端基团"是通过上述易分解性末端基团发生分解而得到的比较容易氟化的基团。上述易氟化性末端基团通常比易分解性末端基团更容易被氟化，因此通过将易分解性末端基团先暂时转化为易氟化性末端基团后使氟化剂发挥作用，其结果能够提高末端基团上的处理后的氟化率。作为上述易氟化性末端基团，可以举出-CFTCOOZ(T与上述定义相同；Z表示H、NR'r2r3r4或減金属元素；R1、R2、r3和r4相同或不同，表示H或碳原子数为14的烷基)等。该-CFTCOOZ能够在工序C中容易地转化为-CF2T(T与上述定义相同)。在反应介质中存在上述ni^i^rSr4、碱金属元素等时，上述Z—般受该存在的NR^Wr3114、碱金属元素等的影响；从工序C中的氟化效率的角度考虑，上述Z优选为H。从工序C中的氟化容易进行的角度考虑，上述工序B优选为通过使上述的分解处理剂发挥作用而将上述易分解性末端基团转化为上述-CFTCOOZ(T和Z分别与上述定义相同)的工序Bl。工序C优选为通过使氟化剂发挥作用而将上述易氟化性末端基团转化为-CF2T(T与上述定义相同)的工序。上述工序C中的氟化剂一般优选为含有选自由F2、NF3、SF4、PF5、IF5、IF7、BrF3、BrF5、CIF、C1F3、AgF2、CoF3和K3NiF7组成的组中的至少一种氟源的氟化剂，上述氟源更优选为F2。作为上述氟化剂，优选气态氟化剂。上述气态氟化剂是由上述氟源和对氟化反应呈惰性的气体组成的。作为上述对氟化反应呈惰性的气体，没有特别限定，可以举出例如氮气、氩气等。上述氟化剂为气态氟化剂时，上述氟源优选为上述气态氟化剂的1质量％以上，更优选为10质量％以上，只要在上述范围内，所述氟源可以为50质量％以下。上述工序C使用气态分解处理剂时，优选在表压为-0.083MPa的压力下进行所述工序C。上述压力更优选的下限是表压为-0.05MPa，更优选的上限是表压为lMPa。在工序C中，使氟化剂发挥作用的工序优选于0"C18(TC进行。上述温度更优选为2(TC以上，进一步优选为5(TC以上，并且更优选为14(TC以下，进一步优选为13(TC以下。通过在该范围内的温度下进行氟化剂的作用，能够将向-CF2T的转化率维持在较高水平，同时能够抑制碳-碳双键的形成、抑制主链切断等f寺处理含氟聚合物的损伤。上述工序C可以是连续式、分批式中的任意一种操作。此外，在上述氟化处理中使用的装置可以从以下反应器中适宜选择塔板型反应器、筒型反应器等静置式反应器；备有搅拌桨的反应器；回转炉、W锥型反应器、V型混合机等容器旋转(倒转)式反应器；振动式反应器；搅拌流动床等各种流动床反应器，等等。此外，处理对象物为树脂粉末状、粒状的情况中，从易于均质地保持反应温度的角度出发，优选在容器旋转式反应器或振动式反应器中进行氟化处理。在本发明的稳定化含氟聚合物的制造方法(l)中，工序A优选为上述的工序A1，工序B优选为上述的工序B1，并且工序C优选为通过使氟化剂发挥作用而将上述的-CFTCOOZ转化为-CF2T(前面的T和Z与上述定义相同)的工序C1。本发明的稳定化含氟聚合物的制造方法(2)为由对上述的待处理含氟聚合物进行包括下述工序P和Q的稳定化处理而构成的方法。如上所述，上述待处理含氟聚合物为不具有含-S02X(X表示F或Cl)的单体单元的聚合物。工序P为得到不稳定的末端基团的90。/。以上为-CFTCOOZ(T表示F、全氟垸基或全氟烷氧基，Z表示H、NR'ieRSl^或碱金属元素；R1、R2、RS和R"相同或不同，表示H或碳原子数为14的垸基。上述全氟烷基和全氟垸氧基各自可以含有醚性氧)的含氟聚合物的工序；工序Q为通过使氟化剂发挥作用来将上述-CFTCOOZ转化为-CF2T(T和Z与上述定义相同)的工序。在上述工序P中，"不稳定的末端基团"是指在待处理含氟聚合物上可以含有上述不稳定末端基团和该不稳定末端基团以外的不稳定的-CF2COOH、-CF2COF、-0<^2等末端基团的概念。对于上述工序P来说，只要是能够得到上述不稳定的末端基团的90。/。以上为-CFTCOOZ的含氟聚合物的操作，就可以是以任意的操作来进行的工序，例如，可以进行上述的工序A和工序B，也可以使待处理含氟聚合物与氧化剂接触后，禾l」用水等将生成的-CFTCOF水解。作为所述氧化剂，可以举出臭氧等，作为所述臭氧，也可以是与水蒸气混合的臭氧。此外还有将待处理含氟聚合物以20030(TC的高温处理后利用水等对生成的-CFTCOF进行水解的方法等。此处，以20030(TC的高温对待处理含氟聚合物进行处理时，可以在0.02MPa以下的真空中处理，关于处理时间，例如可以处理O.l小时以上。作为上述工序P，优选进行上述的工序A和工序B。作为上述工序Q中的氟化剂，可以举出与上述工序C中的氟化剂相同的氟化剂，其中作为氟源，优选为F2或SF4。上述氟化剂优选与上述工序C同样地进行稀释来使用。上述工序Q中的反应条件根据所使用的氟化剂、待处理含氟聚合物的种类等的不同而不同，没有特别限制，优选在-0.083MPa的压力下进行。上述工序Q为针对经历了工序P的含氟聚合物来进行的工序，因此可以在0。C18(TC的温度下进行。上述温度的优选下限为2(TC，更优选的下限为50°C，优选上限为140°C，更优选的上限为130°C。本发明的稳定化含氟聚合物的制造方法能够使例如在所得到的稳定化含氟聚合物的每106个碳原子中的不稳定末端基团数为IO个以下，优选能够使该每106个碳原子中的不稳定末端基团数为6个以下，更优选为4个以下。如上所述，本发明的稳定化含氟聚合物的制造方法是将待处理含氟聚合物所具有的不稳定末端基团转化为稳定的-CF2T(T与上述定义相同)的方法。一直以来，该转化基本上是通过进行一次处理操作而对不稳定末端基团进行直接氟化来进行的，然而在本发明的稳定化含氟聚合物的制造方法(1)中，先暂时以高转化率将待处理含氟聚合物中的不稳定末端基团转化为易氟化性末端基团，使该易氟化性末端基团与氟化剂发生作用，由此能够极大地提高上述不稳定末端基团向-CF2T的转化率(-CF2丁化率)。此外，该-CFzT化率的提高也可以通过利用本发明的稳定化含氟聚合物的制造方法(2)在工序P中得到不稳定的末端基团的卯％以上为-CFTCOOZ(T和Z与上述定义相同)的含氟聚合物来实现。优选在上述的温度范围内进行工序A或工序P，由此可以进一步提高由上述不稳定末端基团向易氟化性末端基团的转化率。在进行本发明的稳定化含氟聚合物的制造方法时，待处理含氟聚合物中的不稳定末端基团的-CF2T化率通常为90%以上，优选为95%以上。对于上述式(1)(7)中的任意一式所示的不稳定末端基团来说，若通过传统的氟气进行处理，则存在氟化不充分的问题，作为其原因，可以认为上述各不稳定末端基团易于转化为-COF结构、酯结构等的末端基团，该转化后的末端基团在氟气中是稳定的，因此转化为-CF2T(T与上述定义相同)需要高温和较长时间。针对上述问题，本发明的意义在于在温和条件下使具有上述不稳定末端基团的含氟聚合物充分稳定化。在本发明的稳定化含氟聚合物的制造方法中，对于待处理含氟聚合物来说，即使在其具有选自由上述(1)(7)所示的基团组成的组中的至少一种不稳定末端基团的情况下，通过利用卤化剂处理而转化为-CFTCOX1或-CFTCOORx(在各式中，T、X'和Rx与上述定义相同)后进一步使分解处理剂发挥作用而转化为-CFTCOOZ以后，或者转化为不稳定的末端基团的90。/。以上为-CFTCOOZ(T和Z与上述定义相同)的含氟聚合物以后，使氟化剂发挥作用来进行稳定化处理，因此也能够在温和条件下高效地进行稳定化处理。本发明的稳定化含氟聚合物的制造方法由于经历了上述各工序，因此能够防止在高温加热下进行氟化时产生的含氟聚合物的主链切断等损伤。在本发明中，该含氟聚合物的损伤可以优选通过将卤化剂或氟化剂发挥作用的温度控制在上述范围内来充分防止。在例如待处理含氟聚合物为PFA时，本发明的稳定化含氟聚合物的带J造方法能够得到MFR优选为0.1200(g/10分钟)、更优选为l80(g/10分钟)的稳定化含氟聚合物。在本说明书中，上述MFR为按照ASTMD3307在温度372"、负荷5kg的条件下进行测定而得到的值。本发明的稳定化含氟聚合物的制造方法可以在上述温度范围内进行，不易产生所使用的装置和材料的腐蚀所致的含氟聚合物的污染、待处理含氟聚合物的聚合物链分解等问题，因此能够得到化学稳定性、透光性等光学特性、特别是高频率领域的电学特性等各种物理性能优异的含氟聚合物。由本发明的稳定化含氟聚合物的制造方法得到的稳定化含氟聚合物由于上述各种物理性能优异，因此作为各种涂布物、被覆材料、各种成型体的材料是有用的。上述稳定化含氟聚合物用作各种材料时，还可以混合填料等添加剂来使用。上述稳定化含氟聚合物可以用作例如电子照相机、打印机、复印机等定影辊中的被覆材料。此外，使用由本发明的稳定化含氟聚合物的制造方法制造的稳定化含氟聚合物而形成的管状成型体也是本发明之一。上述管状成型体在化学工业、半导体制造、汽车、信息机器等领域中是特别有用的。此外，被覆电线也是本发明之一，该被覆电线是包括芯线和被覆该芯线的被覆材料的被覆电线，其特征在于，所述被覆材料是使用通过上述制造方法制造的稳定化含氟聚合物而形成的。作为构成上述被覆电线的芯线，没有特别限定，可以使用铜线等现有公知的芯线。光学功能材料也是本发明之一，其特征在于，所述光学功能材料是使用通过上述的本发明的稳定化含氟聚合物的制造方法制造的稳定化含氟聚合物而形成的。作为本发明的光学功能材料，没有特别限定，例如，作为光导波路用材料等光器件用光学材料、光器件加工所必须的密封部件用材料、透镜用材料、发光元件等是有用的，并且作为防反射膜材料等显示装置用的光学材料也是有用的。在本发明的光学功能材料中，稳定化含氟聚合物优选为由TFE和全氟-l，3-间二氧杂环戊烯衍生物构成的共聚物。此处，作为光器件用光学材料，可以举出光放大元件、光开关、光过滤器、光分路元件、波长转化元件等任意元件。并且，组合包括N分支波导(N为2以上的整数)的光分路元件和上述元件的光电路在今后的高度信息通信社会中是极有用的。通过组合这些元件，可以用于光路由器、ONU、OADM、媒体转换器等。光导波路元件的形式可以适宜地采取适应于平面型、带型、脊型、埋入型等用途的形式。光导波路也是本发明之一，该光导波路是由芯部和外皮部构成的光导波路，其特征在于，至少所述芯部和所述外皮部之一是使用通过上述的本发明的稳定化含氟聚合物的制造方法制造出的稳定化含氟聚合物而形成的。上述芯部是指基板上所形成的折射率高的线路，上述外皮部是指该芯部周围所形成的折射率低的部分，由于上述稳定化含氟聚合物一般折射率较低，因此优选其在本发明的光导波路中至少形成芯部。本发明的光导波路可以利用蚀刻法、光漂白法、注射成型法等公知的方法来制成。在本发明的光导波路中，由于至少芯部和外皮部之一是通过上述的稳定化含氟聚合物而形成的，因此上述光传播速度快。作为光器件的加工所必须的密封部件用材料，可以举出例如发光二极管(LED)、EL元件、非线性光学元件等发光元件和受光元件等光功能元件的封装(封入)材料、表面安装材料等。被密封的光元件可用于各种场合，作为非限定性的示例，可以举出高位刹车灯、仪表面板、移动电话的背部照明和各种电气制品的遥控装置的光源等发光元件；照相机的自动聚焦、CD/DVD用光拾波用受光元件等，此外作为白色LED用的显色材料的基体高分子也是有用的。作为上述发光元件，可以举出例如EL元件、聚合物发光二极管、发光二极管、光纤维激光、激光元件、光纤维、液晶背部照明、光检知器等，可将其应用于大型显示器、照明、液晶、光盘、激光打印机、医疗用激光、激光加工、印刷、复印机器等。作为上述透镜用材料，可以举出取物镜、眼镜用镜片、照相机用透镜、投影仪用菲涅耳透镜、隐形眼镜等。作为上述显示装置用的光学材料，可以举出防反射材料、照明器具的罩材、显示器保护板、透明箱、显示板、汽车用部件等。此外，上述光学材料还可以用于光盘基板等。防反射膜材料也是本发明之一，该防反射膜材料是使用通过上述本发明的稳定化含氟聚合物的制造方法制造出的稳定化含氟聚合物而形成的。上述防反射膜材料通常是指构成防反射膜的抗反射层的材料。该防反射膜是指为了防止液晶显示器表面的画面对比度的降低而形成于显示器表面的膜，其是从显示器表面开始顺序形成塑料基材、丙烯酸系硬膜层、抗反射层和防污涂层的全部或者一部分而成的膜。作为防反射膜材料，从降低画面反射率的角度出发，一般优选折射率低的材料；而使用本发明的制造方法得到的稳定化含氟聚合物的折射率较低且透明性高，因此作为防反射膜材料优于现有的有机材料。注射成型体也是本发明之一，该注射成型体为使用含氟聚合物形成的注射成型体，其特征在于，该含氟聚合物是通过上述本发明的稳定化含氟聚合物的制造方法制造出的稳定化含氟聚合物。形成本发明的注射成型体时所进行的注射成型可以利用公知的方法进行，没有特别的限制，然而稳定化含氟聚合物为PFA时，优选在320°C42(TC的成型温度下进行注射成型。上述注射成型品可以优选地用作例如各种外壳、接头、瓶等。本发明的稳定化含氟聚合物的制造方法由于具有上述构成，因而能够在温和且经济的反应条件下对不稳定末端基团进行稳定化。由于上述制造方法能够在温和的反应条件下进行，因此对所使用的装置和材料的限制可以较宽，并且由于该装置和材料的腐蚀较少，因此可以降低由腐蚀物所致的含氟聚合物的污染。此外，由上述制造方法得到的稳定化含氟聚合物是在温和的反应条件下进行稳定化而得到的聚合物，因此不会被分解，并且各种物理性能优异。上述稳定化含氟聚合物作为半导体领域的材料、光学功能材料、被覆电线、光导波路、防反射膜材料、注射成型品等是特别有用的。具体实施例方式下面举出实施例和比较例，对本发明进行更详细的说明，但是本发明并不仅限于这些实施例。此外，含氟聚合物的MFR和熔点为利用下述方法进行测定而得到的值。1.MFR按照ASTMD3307进行测定。具体地说，将熔体流动指数测定仪Series4000(安田精机制作所制造)的测定温度设为372°C，投入质量为6.06.5g的试样，经过5分钟的预热时间后，禾拥5kg负荷挤出熔融线料。每隔恒定时间(约530秒)切断熔融线料并采集。将采集得到的熔融线料试样充分冷却，根据下式算出MFR(单位g/10分钟)。MFR气Mx600)/T(式中，M表示采集得到的试样的质量(单位g)，T表示采集试样的时间(单位秒))2.熔点按照ASTMD4591进行测定。具体地说，使用差示扫描热量测定装置RDC220(SII'Nanotechnology社制造)，在氮气流中将质量约3mg的试样以1(TC/分钟的升温速度从20(TC升温到35(TC，由所得到的吸热曲线的拐点求得融点。实施例11.工序A向容量为300ml的不锈钢制高压釜中投入50g包含94.3质量％四氟乙烯(TFE)和5.7质量。/。全氟(丙基乙烯基醚)(PPVE)的含氟聚合物(MFR:12.5(g/10分钟)，熔点303。C)的粒料。将该高压釜密封，并且实施气密试验，然后重复IO次利用真空泵减压到约1.3kPa后以氮气恢复到常压的操作。接着，在油浴中加热，确认内部温度达到18(TC后，再次抽真空，导入通过以氮将氟气(纯度99.7质量％)稀释到20质量％(15.4体积％)而制备的气体，直到表压达到O.OlMPa，引发反应。反应开始1.5小时后进行抽真空，快速导入氟气，直到表压达到O.OlMPa，由此向高压釜内供给足够反应的氟气。反应开始后经过3小时之后，快速进行抽真空，导入氮气，直到表压达至lj0.01MPa，进行冷却。冷却到6(TC以下，回收了约50g氟化聚合物的样品。另外单独进行两次上述工序，得到总共约150g的氟化聚合物的样品(下面，将本样品称为"样品l")。2.工序B在灭菌器(装置名IST-50型，千代田制作所制造)中使上述得到的样品l(约150g)与处于121°C、表压O.lMPa的条件下的水蒸气接触6小时后，放置冷却到室温，得到样品2。3.工序C向容量为30ml的小型管型反应器中填充20g上述得到的样品2，首先利用真空泵减压到约OkPa并以氮气恢复到常压后，以50ml/分钟的流速流通10分钟的氮气，然后在空气浴内升温到180°C。温度稳定后，以42ml/分钟使上述的通过以氮稀释氟气而制备的气体流通3小时。反应结束后，立即利用真空泵将反应器内抽真空，然后以氮气恢复到常压，接下来以50ml/分钟使氮气流通。流通10分钟后，关掉空气浴的热源，冷却到室温。从反应管中取出稳定化含氟聚合物，得到样品3。比较例1除了将工序A的反应时间设为15小时、不进行工序B和工序C以外，与实施例1同样地进行含氟聚合物的处理，得到样品4。此外，在工序A的反应中，每隔1.5小时进行抽真空，快速导入氟气，直到表压为0.01MPa，由此向高压釜内供给足够反应的氟气。比较例2除将工序A的反应温度设为200°C、将反应时间设为9小时以外，与比较例1同样地进行含氟聚合物的处理，得到样品5。对于实施例1、比较例1和比较例2中得到的各样品，进行以下分析。分析方法利用切割刀将所得到的各样品的粒料切断成一半，利用油压机进行压延，得到厚度为约0.25mm0.30mm的膜。利用傅利叶变换式红外吸光分光法在波数400cm"4000cm—1的范围内分析所得到的膜。得到与充分氟化到已不能在光谱上看出实质性差异的标准样品的差示光谱，读取在归属于各不稳定的末端基团的波数处的吸光度，根据下式计算出每106个碳原子中的不稳定的末端基团的个数。每10S个碳原子中的末端基团的个数^xK/t(在上述式中，I为上述吸光度，K为表l所示的校正系数，t为用于测定的膜的厚度(单位mm))此外，关于-CF2COOH，由上式对表l所示的两个表示-CF2COOH的波数进行计算，将算出的值的合计作为每1(^个碳原子的-CF2COOH末端基团的个数。此外，所述算式算出的每106个碳原子中的末端基团的个数小于1的情况在本测定法中为测定限以下，但这并非意味着对不稳定的末端基团的存在本身的否定。<table>tableseeoriginaldocumentpage25</column></row><table>作为用于上述傅利叶变换式红外吸光分光法的傅利叶变换式红外吸光分光器，使用PerkinElmer社制造的SpectrumOne型光谱仪，扫描次数设为8次。各测定结果列于表2。<table>tableseeoriginaldocumentpage26</column></row><table>(注l)使用通过以氮将氟气(纯度99.7质量％)稀释到20质量％而得到的气体来处理(注2)使用水蒸气来处理作为上述分析的结果，工序A前的含氟聚合物的-CF2CH20H、-CF2COF、-CF2COOH、-CF2COOCH3各末端基团的总数为每106个碳原子中229个，相对于此，样品1中不稳定的末端基团仅为-CF2COF，其个数为每106个碳原子中80个，与原样品的25个相比不稳定的末端基团的个数增加了。这表示-CF2COF以外的不稳定的末端基团(g卩，-CF2CH2OH、-CF2COOH、-CF2COOCH3各末端基团)通过氟化，其一部分变化为-CF2COF。在实施了水蒸气处理的样品2中，可知每106碳原子中80个的-CF2COF几乎(约98。/。以上)均变化为-CF2COOH。此外，对于在18(TC氟化了的样品3，判明了不稳定的末端基团为测定限以下。实施例1中，可以通过工序A和工序C总共6小时的氟化反应使不稳定的末端基团为测定限以下。然而，在不进行工序B的水蒸气处理和工序C的氟化剂处理而仅进行工序A的比较例1中，使不稳定的末端基团为测定限以下需要15小时的氟化反应时间。即可知，通过使用本发明的稳定化含氟聚合物的制造方法，氟化反应时间为现有技术的一半以下即可。在将工序A的反应温度设定为20(TC并且不进行工序B和工序C的比较例2中，使不稳定的末端基团为测定限以下需要9小时的氟化反应时间。此外，在比较例2的方法等在20(TC左右的高温进行氟化而不进行工序B和工序C的方法中，通常氟化反应需要较长时间，担心出现装置的腐蚀所致的使用寿命縮短、装置的腐蚀所生成的物质(例如氟化铬、氟化镍、氟化铁等装置材料的腐蚀生成物)导致的聚合物的污染、聚合物链分解从而对聚合物的各种物理性能产生影响等问题。并且，在大规模反应器中进行在20(TC左右的高温进行氟化而不进行工序B和工序C的方法时，反应器内的温度分布变宽，因此不得不需要更长的反应时间、更高的反应温度、更高的氟浓度，上述的各种影响变得更加显著。从以上观点出发，难以认为在高温下进行氟化而不进行工序B和工序C的方法是工业上有用的方法。将工序A的反应温度设为160°C、反应时间设为6.5小时，将工序C的反应温度设为160°C、反应时间设为3小时，除此以外，与实施例1同样地进行含氟聚合物的处理。此时，以工序A中得到的聚合物为样品6，以接着进行的工序B中得到的聚合物为样品7，以再接着进行的工序C中得到的聚合物为样品8。比较例3除不进行工序B的水蒸气处理以外，与实施例2同样地处理含氟聚合物，得到样品9。比较例4除将工序A的反应时间设为20小时、不进行工序B和工序C以外，与实施例2同样地处理含氟聚合物，得到样品10。对实施例2、比较例3和比较例4中的各样品进行上述分析。各分析结果列于表3。[表3]<table>tableseeoriginaldocumentpage28</column></row><table>(注l)使用通过以氮将氟气(纯度99.7质量％)稀释到20质量％而得到的气体来处理(注2)使用水蒸气来处理如实施例2所示，在本发明的稳定化含氟聚合物的制造方法中，即使将工序A的反应温度设为16(TC，以工序A和工序C总共9.5小时的氟化反应时间也能够使不稳定的末端基团为测定限以下。然而，在不进行工序B的水蒸气处理和工序C的氟化剂处理而仅进行工序A的比较例4中，使不稳定的末端基团为测定限以下需要20小时的氟化反应时间。即可知，在本发明的稳定化含氟聚合物的制造方法中，即使将工序A的反应温度设为16(TC这样比较低的温度，氟化时间也仅为现有技术的一半以下。此外，在本发明的稳定化含氟聚合物的制造方法中，如实施例1和实施例2所示，通过在经历工序B后进行工序C能够减少不稳定的末端基团，相对于此，在不进行工序B的比较例3中，工序A之后的工序C终止后，含氟聚合物(样品9)中每l()S碳原子中-CF2COF剩余53个，由此可明确工序B的水蒸气处理的效果。因此，上述实施例记载的制造方法作为保持优异的物理性能的含氟聚合物的稳定化方法是有用的。实施例3除下述方面以外与实施例1同样地实施。作为待处理含氟聚合物，使用包含96.0质量G/。TFE和4.0质量y。PAVE的含氟聚合物(MFR:25(g/10分钟)，熔点31(TC)的粉体。在工序A中，不使用以氮稀释上述氟气而制备的气体而使用SF4(纯度94质量％)作为卤化剂，于12(TC的温度反应4小时，得到样品U。在工序B中，以50g的样品量进行处理，得到样品12。在工序C中，将反应温度设为140°C，反应时间设为5小时，得到样品13。此外，对各样品进行上述试验。所得到的样品的分析结果列于表4。可知由于使用SF4，即使不使用反应性高的氟气，也能够在温和条件下将-CF2COOH快速转化为-CF2COF。<table>tableseeoriginaldocumentpage29</column></row><table>(注l)使用SF"纯度94质量％)进行处理(注2)使用水蒸汽进行处理(注3)使用通过以氮将氟气(纯度99.7质量％)稀释到20质量％而得到的气体来处理实施例41.工序P向容量为300ml的不锈钢制高压釜中投入50g包含96.5质量％TFE和3.5质量％PAVE的含氟聚合物(MFR:12.5(g/10分钟)，熔点303°C)的粒料。在油浴中加热，确认内部温度达到10(TC后，利用EcoDesign株式会社制造的ED-OG-R4型臭氧发生器供给以10g/小时进行流通的经水蒸气润湿的臭氧。处理15小时后，快速抽真空，导入氮气，直到表压达到0.01MPa，进行冷却。冷却到6(TC以下，结果回收到约50g处理后的聚合物的样品，得到样品14。2.工序Q向容量为30ml的小型管型反应器中填充20g上述样品14，首先以真空泵减压到约1.3kPa并以氮气恢复到常压后，以50ml/分钟的流速流通IO分钟氮气后，在空气浴内升温至16(TC。温度稳定后，以42ml/分钟使上述通过利用氮稀释氟气而制备的气体流通3小时。反应终止后，立即利用真空泵将反应器内抽真空后，以氮气恢复到常压，接下来以50ml/分钟使氮气流通。流通10分钟后，关掉空气浴的热源，冷却到室温。从反应管中取出处理完的含氟聚合物，得到样品15。所得到的样品的分析结果列于表5。结果表明，通过臭氧处理能够将待处理含氟聚合物转化为不稳定的末端基团的99。/。以上为-CF2COOH基的含氟聚合物。并且对于通过该处理得到的含氟聚合物，判明了可与其他实施例同样地在温和条件下得到稳定化含氟聚合物。<table>tableseeoriginaldocumentpage30</column></row><table>(注l)使用臭氧进行处理(注2)使用通过以氮将氟气(纯度99.7质量％)稀释到20质量％而得到的气体来处理工业实用性本发明的稳定化含氟聚合物的制造方法由于具有上述构成，因此能够在温和且经济的反应条件下将不稳定末端基团稳定化。上述制造方法能够在温和的反应条件下进行，因此对所使用的装置和材料的限制可以较宽，并且由于该装置和材料的腐蚀较少，因而可以降低由腐蚀物所致的含氟聚合物的污染。此外，由上述制造方法得到的稳定化含氟聚合物是在温和的反应条件下进行稳定化而得到的聚合物，因此不会被分解，各种物理性能优异。由上述制造方法得到的稳定化含氟聚合物作为半导体领域的材料、光学功能材料、被覆电线、光导波路、防反射膜材料、注射成型品等是特别有用的。权利要求1.一种稳定化含氟聚合物的制造方法，该方法的特征在于，其对不具有含-SO2X的单体单元的待处理含氟聚合物实施依序进行下述工序A、工序B和工序C的处理，-SO2X中，X表示F或Cl，其中工序A为使卤化剂发挥作用的工序，工序B为使分解处理剂发挥作用的工序，工序C为使氟化剂发挥作用的工序。2.如权利要求1所述的稳定化含氟聚合物的制造方法，其中，所述工序A为通过使卤化剂发挥作用来将不稳定末端基团转化为易分解性末端基团的工序a1，所述工序B为通过使分解处理剂发挥作用来将所述易分解性末端基团转化为-CFTCOOZ的工序B1，其中，T表示F、全氟烷基或全氟烷氧基，Z表示h、NRJR2R3R4或碱金属元素，r1、r2、r3和r4相同或不同，表示h或碳原子数为14的烷基，所述全氟烷基和全氟烷氧基各自可以含有醚性氧"-O-"，所述工序C为通过使氟化剂发挥作用来将所述-CFTCOOZ转化为-CF2T的工序C1，其中T和Z与上述定义相同。3.如权利要求2所述的稳定化含氟聚合物的制造方法，其中，所述易分解性末端基团为选自由-CFTCOX1和-CFTCOORx组成的组中的至少一种基团，-CFTCOX1中，T与上述定义相同，X1表示F或Cl，-CFTCOORx中，T与上述定义相同，Rx表示卤代烷基。4.如权利要求13中任一项所述的稳定化含氟聚合物的制造方法，其中所述卤化剂为选自由F2、NF3、SF4、PF5、IF5、IF7、Br2、BrF3、BrF5、AgF2、CoF3、K3NiF7、Cl2、SC12、SC14、PC13、POCl3、PC15、C1F和C1F3组成的组中的至少一种卤化剂。5.如权利要求14中任一项所述的稳定化含氟聚合物的制造方法，其中使卤化剂发挥作用的工序是在0"C18(TC进行的。6.如权利要求15中任一项所述的稳定化含氟聚合物的制造方法，其中，所述分解处理剂为由水、含氟醇或者含有水和含氟醇的混合物构成的液态分解处理剂或气态分解处理剂。7.—种稳定化含氟聚合物的制造方法，该方法通过对不具有含-so2x的单体单元的待处理含氟聚合物进行稳定化处理来构成，-so2x中，X表示F或C1，该方法的特征在于，所述稳定化处理包含下述工序P和Q，其中，工序P为得到不稳定的末端基团的90。/。以上为-CFTCOOZ的含氟聚合物的工序，-CFTCOOZ中，T表示F、全氟垸基或全氟垸氧基，所述全氟烷基和全氟烷氧基各自可以含有醚性氧"-O-"，Z表示H、NR1112113114或碱金属元素，R1、R2、113和114相同或不同，表示H或碳原子数为14的烷基，工序Q为通过使氟化剂发挥作用来将上述-CFTCOOZ转化为-CF2T的工序，其中T和Z与上述定义相同。8.如权利要求17中任一项所述的稳定化含氟聚合物的制造方法，其中所述氟化剂为由选自由F2、NF3、SF4、PF5、IF5、IF7、BrF3、BrF5、CIF、C1F3、AgF2、CoF3和K3NiF7组成的组中的至少一种氟源构成的氟化剂。全文摘要本发明涉及稳定化含氟聚合物的制造方法，提供能够在温和条件下进行不稳定末端基团的充分稳定化的新颖的含氟聚合物的制造方法。本发明的稳定化含氟聚合物的制造方法的特征在于，其对不具有含-SO₂X(X表示F或Cl)的单体单元的待处理含氟聚合物实施依序进行下述工序A、工序B和工序C的处理。A为使卤化剂发挥作用的工序，B为使分解处理剂发挥作用的工序，C为使氟化剂发挥作用的工序。文档编号C08F8/18GK101379094SQ20078000420公开日2009年3月4日申请日期2007年2月5日优先权日2006年2月3日发明者矶贝智弘,铃木达夫申请人:大金工业株式会社