专利名称：脂环族单体，包含该单体的聚合物以及包含所述聚合物的光致抗蚀剂组合物的制作方法
脂环族单体，包含该单体的聚合物以及包含所述聚合物的光致抗蚀剂组合物
背景技术：
基于短波辐射(例如在193nm处运行ArF准分子激光器产生)或其它类似的短波源的改进的光刻技术能用于通过增加集成电路的器件密度得到更快且更高效的半导体器件。可用于这种短波应用的光致抗蚀剂材料包括化学扩增型辐射敏感树脂组合物，它依赖于包含酸不稳定官能团的树脂组分和通过辐照产生酸的光致生酸剂的有效相互作用。用于ArF准分子激光器光刻技术的光致抗蚀剂材料的必需性质包括在193nm处的透明度(即低光学密度)，以及高抗蚀性，具有高碳密度和多环结构。可用的光致抗蚀剂平台树脂包括基于聚(甲基)丙烯 酸酯骨架和由大的叔烷基保护的羧酸部分的树脂，它在193nm处是高度透明的。对羧酸脱保护(本文中也称为“解封闭”)的效率与对比度和分辨率直接相关。已知多种不同的基于(甲基)丙烯酸酯的单体，具有对酸敏感的叔酯基团。例如，美国专利申请公开第2007/0275324A1号公开了基于包含叔中心的环烷基部分的(甲基)丙烯酸酯，其中酯氧与叔烷基环碳原子相连，所述叔烷基环碳原子在同一中心处具有另一烷基或环烷基取代基(即得到季中心)。使用这些单体制备的聚合物可以在光致抗蚀剂中提供对比度。但是，随着半导体器件临界尺寸(CD)的缩小，制备器件设计结点等于或小于45nm的器件仍需要能提供窄CD控制的较高分辨率光致抗蚀剂。
发明内容
现有技术的上述或其它问题可以通过具有式I结构的单体来克服:
权利要求
1.一种单体，具有式I的结构:
2.如权利要求1所述的单体，其中R4是H、F、甲基或三氟甲基。
3.如权利要求1或2所述的单体，其中R1，R2和R3各自独立地是C1,烷基，C1,氟代烧基，C1^0烧氧基，C1^0氣代烧氧基，C1^0链烧醇基，或者包括至少一种上述基团的组合。
4.如权利要求1或2所述的单体，其中R1，R2和R3各自独立地是H、甲基、乙基、三氟甲基、2，2，2-三氟乙基、2-羟乙基或包括至少一种上述基团的组合。
5.如权利要求1-3中任一项所述的单体，其中m和η独立地是3或4，χ和y独立地是0-2的整数。
6.如权利要求1-5中任一项所述的单体，其中R1是甲基或乙基，m和η各自是3，χ和y各自是O。
7.如权利要求1-6中任一项所述的单体，其中A是-O-CH2(C=O) _。
8.一种聚合物,其包含权利要求1-7中任一项所述的单体。
9.一种光致抗蚀剂组合物，其包含权利要求8所述的聚合物和光致生酸剂。
10.一种涂覆的基材，其包括:(a)基材，其包括位于其表面上的将被图案化的一个层或多个层；和(b)权利要求9所述的光致抗蚀剂组合物层，其位于所述将被图案化的一个层或多个层上。
11.一种图案化的层，所述层通过使用193nm的光化辐照对权利要求10所述的涂覆的基材以图案化方式成像形成。
全文摘要
具有式I结构的单体式中，R1,R2和R3各自独立地是C1-30单价有机基团，R1,R2和R3各自独立地是未取代的，或包括卤素、腈、醚、酯、酮、醇，或者是包括至少一种上述官能团的组合；R4包括H,F,C1-4烷基，或C1-4氟代烷基；A是单键或二价连接基团，其中是A未取代的，或被取代而包括卤素、腈、醚、酯、酮、醇，或者包括至少一种上述官能团的组合；m和n各自独立地是1-8的整数；以及x是0至2n+2，y是0至2m+2。
文档编号C08F220/28GK103183613SQ20121058556
公开日2013年7月3日 申请日期2012年12月28日 优先权日2011年12月31日
发明者刘聪, 李明琦, C-B·徐 申请人:罗门哈斯电子材料有限公司