一种半导体高粘膜注塑清洁材料的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体高粘膜注塑清洁材料。
【背景技术】
[0002]橡胶、塑料及其他复合材料在进行模压、注塑等操作时，必然在模具表面残留有注塑材料，会影响到产品的质量没同时还可能对模具产生腐蚀并影响生产效率，目前模具清理有很多方法，传统清模方法往往耗时长，同时也消耗大量的引线框架，为解决这个问题，清模胶片逐渐为封装工艺中采用。
【发明内容】
[0003]针对现有传统清模方法耗时长等问题，本发明提供一种半导体高粘膜注塑清洁材料，为了达到上述目的，本发明采用以下技术方案:一种半导体高粘膜注塑清洁材料，包括合成橡胶100份、硅微粉20-40份、溶剂3-8份、硫化剂3-5份、促进剂5_10份。
[0004]优选地，所述合成橡胶为顺丁橡胶、乙丙橡胶、丁苯橡胶和丁氰橡胶之中的至少两种以上混合物。
[0005]优选地，所述溶剂为醇类、酮类、醚类有机溶剂任一种或者至少二者混合溶剂。
[0006]优选地，所述硫化剂为有机过氧化物，为过氧化二异丙苯、过氧化苯甲酰。
[0007]优选地，所述有机过氧化物为过氧化二异丙苯、过氧化苯甲酰。
[0008]优选地，所述促进剂为2-巯基苯并噻唑、二苯基硫脲和N、N- 二正丁基硫脲。
[0009]优选地，一种半导体高粘膜注塑清洁材料的制备工艺包括以下步骤:第一步:将合成橡胶、硅微粉混合搅拌均匀置入炼胶机，80°C _90°C温度中中混炼0.8-1小时，获得胶体；第二步:将溶剂、硫化剂、促进剂混合均匀与第一步所得的胶体混炼，获得混炼胶体；第三步:将第二步所得的混炼胶体胶体用压延机压平后切割，塑封包装。
[0010]本发明的有益效果:本发明具有良好的粘结作用，达到从模具表面拉出清理污垢的效果，且成本降低，提高了产品的竞争力。
【具体实施方式】
[0011]本发明本发明一种半导体高粘膜注塑清洁材料，包括合成橡胶100份、硅微粉20-40份、溶剂3-8份、硫化剂3-5份、促进剂5_10份。
[0012]优选地，所述合成橡胶为顺丁橡胶、乙丙橡胶、丁苯橡胶和丁氰橡胶之中的至少两种以上混合物。
[0013]优选地，所述溶剂为醇类、酮类、醚类有机溶剂任一种或者至少二者混合溶剂。
[0014]优选地，所述硫化剂为有机过氧化物，为过氧化二异丙苯、过氧化苯甲酰。
[0015]优选地，所述有机过氧化物为过氧化二异丙苯、过氧化苯甲酰。
[0016]优选地，所述促进剂为2-巯基苯并噻唑、二苯基硫脲和N、N- 二正丁基硫脲。
[0017]优选地，一种半导体高粘膜注塑清洁材料的制备工艺包括以下步骤:第一步:将合成橡胶、硅微粉混合搅拌均匀置入炼胶机，80°C温度中中混炼0.8小时，获得胶体；第二步:将溶剂、硫化剂、促进剂混合均匀与第一步所得的胶体混炼，获得混炼胶体；第三步:将第二步所得的混炼胶体胶体用压延机压平后切割，塑封包装。
【主权项】
1.一种半导体高粘膜注塑清洁材料，其特征在于:包括合成橡胶100份、娃微粉20-40份、溶剂3-8份、硫化剂3-5份、促进剂5-10份。
2.根据权利要求1所述的一种半导体高粘膜注塑清洁材料，其特征在于:所述合成橡胶为顺丁橡胶、乙丙橡胶、丁苯橡胶和丁氰橡胶之中的至少两种以上混合物。
3.根据权利要求1所述的一种半导体高粘膜注塑清洁材料，其特征在于:所述溶剂为醇类、酮类、醚类有机溶剂任一种或者至少二者混合溶剂。
4.根据权利要求1所述的一种半导体高粘膜注塑清洁材料，其特征在于:所述硫化剂为有机过氧化物。
5.根据权利要求4所述的一种半导体高粘膜注塑清洁材料，其特征在于:所述有机过氧化物为过氧化二异丙苯、过氧化苯甲酰。
6.根据权利要求1所述的一种半导体高粘膜注塑清洁材料，其特征在于:所述促进剂为2-巯基苯并噻唑、二苯基硫脲和N、N- 二正丁基硫脲。
7.根据权利要求1至5任一权利要求，其特征在于:一种半导体高粘膜注塑清洁材料的制备工艺包括以下步骤:第一步:将合成橡胶、硅微粉混合搅拌均匀置入炼胶机，800C _90°C温度中中混炼0.8-1小时，获得胶体；第二步:将溶剂、硫化剂、促进剂混合均匀与第一步所得的胶体混炼，获得混炼胶体；第三步:将第二步所得的混炼胶体胶体用压延机压平后切割，塑封包装。
【专利摘要】本发明提供一种半导体高粘膜注塑清洁材料，将合成橡胶100份、硅微粉20-40份混合均匀置入炼胶机，80℃-90℃温度中混炼0.8-1小时，获得胶体；将溶剂3-8份、硫化剂3-5份、促进剂5-10份混合均匀，加入合成橡胶与硅粉的混合胶体再进行混炼；将第二步所得的混炼胶体用压延机压平后切割，塑封包装，本发明获得的注塑清洁材料具有良好的粘结作用，达到从模具表面拉出清理污垢的效果，且成本降低，提高了产品的竞争力。
【IPC分类】C08K3-36, C09J123-16, C08K5-14, C08K5-47, C08K13-02, C09J109-02, C09J11-06, C09J109-06, C08L23-16, C09J11-04, C08K5-405, C08L9-02, C08L9-00, C08L9-06, C09J109-00
【公开号】CN104804241
【申请号】CN201510208914
【发明人】包增利
【申请人】海太半导体（无锡）有限公司
【公开日】2015年7月29日
【申请日】2015年4月29日