一种新的有机电致发光材料及其制备方法和应用
【技术领域】
[0001] 本发明涉及有机电致发光材料领域，尤其涉及一种含蒽有机化合物及其制备方法 和应用。
【背景技术】
[0002] 有机电致发光器件，一般由两个对置的电极和插入在该两个电极之间的至少一层 有机发光化合物组成。电荷被注入到在阳极和阴极之间形成的有机层中，以形成电子和空 穴对，使具有荧光或磷光特性的有机化合物产生了光发射。
[0003] 有机电致发光器件（OLED )是一种新型的平面显示器件，具有节能、响应速度快、颜 色稳定、环境适应性强、无辐射、寿命长、质量轻、厚度薄等特点。由于近几年光电通讯和多 媒体领域的迅速发展，有机光电子材料已成为现代社会信息和电子产业的核心。
[0004] 自1987年Tang等制备成功低压驱动的小分子发光器件以来，有机发光技术已取 得了巨大的进展，并开始进入产业化进程；其中，有机电致发光材料对有机发光器件的性能 起着非常重要的作用。
[0005] 根据有机电致发光材料分子量的大小，可以分为小分子有机电致发光材料和高分 子有机电致发光材料。目前公开的发光材料中，由于小分子电致发光材料的荧光量子效率 高，容易提纯，发光亮度和色纯度也优于高分子材料，所以，小分子电致发光材料应用于发 光器件以开始实现商业化。
【发明内容】
[0006] 本发明提出一种含蒽类有机化合物，是在蒽化合物中引进醚结构，并提供了该蒽 类化合物及其制备方法和应用，本发明提供的含蒽类化合物不仅发光效率高，而且使用寿 命长。
[0007] 本发明的技术方案如下，所述新的含蒽类化合物的结构通式为，
[0008] R1为取代或非取代的CfrC6。的芳基、取代或非取代的C5~C 6。稠环基、取代或非取代 的QrC6。芳香族胺。
[0009] R2是氛、??素 、C ^C6q的烷基、C ^C6q烷氧基、C ^C6q的烧胺基、C 6~C6。的芳胺基、C ^C60 的烧疏基、C6~C6。的芳疏基、C 2~C6。的稀经基、C 2~C6。的块经基、C 3~C6。的环烷基、C 6~C6。的芳 基、QrC6。的芳烯基、取代或非取代的硅基及取代或非取代的C5~C 6。的杂环基，包括上述任意 一个以上与芳基取代形成的取代或非取代的QrC6。的芳基；取代或非取代的C5~C 6。稠环基、 取代或非取代的QrC6。芳香族胺。
[0010] Y1独立地选自甲基、C 6~C5。的亚芳基或C 5~C6。的稠环基。
[0011] Ar1为取代或非取代的C 6~C6。芳基，取代或非取代的C5~C6。杂环基，L 2X)时候Ari 是2价以上的化合物。
[0012] ArjP Ar 3是相同或非相同的取代或非取代的C 6~C6。芳基，取代或非取代的C 5~C6。 稠环基。
[0013] 所述的蒽类衍生物，是下述化学式2_1~化学式2~12中任意一个特定的新的含蒽 类化合物：
化学式2-1~化学式2-12中，M5P L 2是0~2的整数。
[0014] R1为取代或非取代的CfrC6。的芳基、取代或非取代的C5~C 6。稠环基、取代或非取代 的QrC6。芳香族胺。
[0015] R2是氛、??素 、C ^C6q的烷基、C ^C6q烷氧基、C ^C6q的烧胺基、C 6~C6。的芳胺基、C ^C60 的烧疏基、C6~C6。的芳疏基、C 2~C6。的稀经基、C 2~C6。的块经基、C 3~C6。的环烷基、C 6~C6。的芳 基、QrC6。的芳烯基、取代或非取代的硅基及取代或非取代的C 5~C6。的杂环基，包括上述任意 一个以上与芳基取代形成的取代或非取代的QrC 6。的芳基；取代或非取代的C5~C6。稠环基、 取代或非取代的Q rC6。芳香族胺。
[0016] Ar1为取代或非取代的C 6~C6。芳基，取代或非取代的C 5~C6。杂环基，L2X)时候Ari 是2价以上的化合物。
[0017] ArJP Ar 3是相同或非相同，为取代或非取代的C 6~C6。芳基，取代或非取代的C 5~C60 稠环基。
[0018] 上述化学式1、化学式2-1~2_10中&和1?2选自下述化学式中任意一个组成特定 的新的蒽类化合物：
其中X和Y独立的选自氢原子、??素原子、氰基、取代或未取代的碳原子数为1~30的烷 基、取代或未取代的碳原子数为1~30的烷氧基、取代或未取代的碳原子数为2~30的烯基、 取代或未取代的碳原子数为7~30的烷芳基、取代或未取代的碳原子数为7~30的烷芳氧基、 取代或未取代的碳原子数为6~30的芳香基、取代或未取代的碳原子数为6~30的芳氧基、取 代或未取代的碳原子数为5~30的稠环基和取代或未取代的碳原子数为6~30的芳香族胺中 的一种。
[0019] 更具体的，所述具有式（I)结构的化合物为G-l~G-75 :
本发明的另一方面是提供上述含蒽类化合物的制备方法，包括取代反应，脱甲基反应 等，第一项和第二项中任意一项中记载的新的含蒽类化合物的制备方法。
[0020] 当(式1)中A结构为
时，制备方法包括： 将结构式（1-1)
通过取代反应得到化合物（1-2)
其中结构式
：中X1是硼化合物[B(OH) 2及硼酸酯 等]; 将结构式（1-2)
水解反应得到结构式（1-3)
将结构式（1-3)
与结构式
反应得到结构 式（1-4)
其中，结构式
中X2是卤素 (Cl、Br、I 等）。
[0021 ] 当(式1)中A结构为
时，制备方法包括： 将结构式（1-1)
通过取代反应得到结构式（1-2)'
其中，结构式
中X/二胺类化合物的氢； 将结构式（1-2) '
水解反应得到结构式（1-3) '
将结构式（1-3)'
与结构式
反应得到结构式 (1-4)'
其中结构式
中X2是卤素（C1、 8!'、1等），上述化学式中41'1、41'2和41'3及1^ 1并1?1和1?2的定义与前述式1相同。
[0022] 本发明另外一方面是提供包括上面化学式1的新的含蒽类衍生物制备的有机电致发 光器件。
[0023] 本发明的另外方面是一种有机发光器件，包括第一电极、第二电极和置于所述两 电极之间的一个或多个有机化合物层，其特征在于，提供至少一个有机化合物层包含至少 一种本发明所述化学式1的有机发光器件。
[0024] 上述新含蒽类衍生物是单一形态或跟其他物质混合形式包括上述有机层中。
[0025] 上述有机物层其中至少包括空穴注入层、空穴传输层、既具备空穴注入又具备空 穴传输技能层，电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层及既具备电子传 输又具备电子注入技能层中的任意一层。
[0026] 上述空穴注入层、上述空穴传输层、上述既具备空穴注入又具备空穴传输技能层 中至少一个是常规的空穴注入物质、空穴传输物质及既具备空穴注入又具备空穴传输技能 物质，也有可能是电子传输物质生成的物质。
[0027] 本专利中"有机物层"指的是有机电子器件第一电极和第二电极之间部署的全部 层的术语。
[0028] 比如，上述有机层中包括发光层，上述有机层包括磷光主体、荧光主体、磷光掺杂 及荧光掺杂中一个以上，其中上述发光层中包括上述新蒽类衍生物，i)上述荧光主体可以 是上述新蒽类衍生物ii)上述荧光掺杂可以是上述蒽类衍生物iii)上述荧光主体及荧光 掺杂可以是上述新蒽类衍生物。
[0029] 上述发光层是也可以红色、黄色或青色发光层。比如，上述发光层青色时上述新蒽 类衍生物使用在青色主体或青色掺杂用途，提供高效率、高亮度、高分辨率及长寿命的有机 发光器件。
[0030] 并且上述有机层中包括电子传输层，上述电子传输层包括上述新蒽类衍生物。其 中上述电子传输层是上述新蒽类衍生物以外再包括含有金属的化合物。
[0031 ] 上述有机层都包括发光层及电子传输层，上述发光层及电子传输层各自包括上述 蒽类衍生物(上述发光层及电子传输层中包括上述新胺类衍生物也可以相同也可以不同）。
[0032] 上述有机电子器件使用化学式1的所述的新蒽类衍生物以及常规材料及制备有 机电子器件的方法制备。
[0033] 本发明的另一方面是上述器件可以用在有机发光器件（0LED)、有机太阳电池 (OSC)、电子纸（e-Paper )、有机感光体（OPC)或有机薄膜晶体管（OTFT )。有机发光器件是利 用薄膜蒸镀、电子束蒸发、物理气相沉积等方法基板上蒸镀金属及具有导电性的氧化物及 他们的合金形成阳极，其上述空穴注入层、空穴传达层、发光层、空穴阻挡层及电子传输层 以后它上述蒸镀阴极的方法制备。以上方法以外基板上阴极物质开始有机物层、阳极物质 按顺序蒸镀制作有机发光器件。
[0034] 上述有机物层是也可以包括空穴注入层、空穴传达层、发光层、空穴阻挡层及电子 传输层等多层结构，并且上述有机物层是使用多样的高分子材料溶剂工程替代蒸镀方法， 比如，旋转涂膜（spin-coating)、薄带成型（tape-casting)、刮片法（doctor-blading)、丝 网印刷（Screen-Printing)、喷墨印刷或热成像（Thermal-Imaging)等方法减少层数制 造。
[0035] 根据本发明的有机器件是按使用的材料也可以前面发光、背面发光或两面发光。
[0036] 本发明的新的蒽衍生物是有机太阳电池、照明用0LED、柔性0LED、有机感光体、有 机晶体管等有机器件中也可以适用有机发光器件适用类似的原理。
[0037] 下面提示本发明的另一方面是提供上述新蒽类衍生物的制备方法，但下面实施例 是理解本发明的内容提供而已，
【发明内容】
不限定在这个范围。
[0038] 以外本发明没有具体介绍的制造方法是本行业常用的合成方法及参考其他实施 例记载。
[0039] 有益效果 本发明提供了一种新的蒽衍生物，是在蒽化合物中引进醚结构链接YJP Ar i、ArjP R i 基团改善化合物的立体技能以及调剂配体R1分子量，按配体种类性能改善及技能改善等优 点，使用本发明的新的蒽衍生物制备的器件具备高的亮度、优秀的耐热性、长寿命及高效率 等特点。
[0040]
【具体实施方式】： 下面将结合本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅 仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术 人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0041] 中间体的制备 中间体9-溴-10-甲氧基蒽（A-I)的制备：
在氮气条件下，9, 10-二溴蒽（6. 72g，20mmol)，甲醇钠的甲醇溶液（30%，0. 8g，3eq)溶 解在100mL的DMF溶液中，放入氯化亚铜溶液（0. 99g，IOmmol)，加热到100°C，反应12小时， 生成中间体A-I (2. 87