有机电致发光元件的制作方法

文档序号:3731190阅读:147来源:国知局
专利名称:有机电致发光元件的制作方法
技术领域
本发明涉及含有吲哚并咔唑化合物的有机电致发光元件,详细而言,涉及对由有机化合物形成的发光层施加电场而释放出光的薄膜型设备。
背景技术
通常,有机电致发光元件(以下称为有机EL元件)中,作为其最简单的结构,由发光层以及夹持有该层的一对对向电极构成。即,有机EL元件中,利用如下现象在两电极之间施加电场时,从阴极注入电子,从阳极注入空穴,它们在发光层中再结合,释放出光。近年来,不断进行使用了有机薄膜的有机EL元件的开发。特别是为了提高发光效率,以提高从电极注入载体的效率作为目的对电极的种类进行优化,通过开发在电极之间 以薄膜的形式设置有由芳香族二胺形成的空穴传输层和由8-羟基喹啉铝络合物(以下称为Alq3)形成的发光层的元件,与使用了现有的蒽等的单晶的元件比较,实现大幅的发光效率的改善,因此,以在具有自发光、高速响应性这样的特征的高性能平板中实用化为目标来进行。另外,作为提高元件的发光效率的尝试,还正在研究不使用荧光而使用磷光。以设置有上述由芳香族二胺形成的空穴传输层和由Alq3形成的发光层的元件为首的多个元件利用荧光发光,但通过使用磷光发光、即利用来自三重态激发状态的发光,与现有的使用荧光(单重态)的元件相比,可以期待约3 4倍的效率提高。为了该目的,正在研究以香豆素(coumarin)衍生物和二苯甲酮衍生物作为发光层,但仅能得到极低的亮度。另外,作为利用三重态的尝试,正在研究使用铕络合物,但是其没有实现高效率的发光。近年来,如专利文献I所列举的那样,为了发光的高效率化和长寿命化,进行了多种以铱络合物等有机金属络合物为中心的磷光发光掺杂物材料的研究。现有技术文献专利文献专利文献I :日本特表2003-515897号公报专利文献2 :日本特开2001-313178号公报专利文献3 :日本特开平11-162650号公报专利文献4 :日本特开平11-176578号公报
专利文献5 W02008-056746号公报为了得到高发光效率,与上述掺杂物材料同时使用的主体材料很重要。作为主体材料提出的代表物,可以列举专利文献2中介绍的作为咔唑化合物的4,4’ -双(9-咔唑基)联苯(以下称为CBP)。在CBP作为以三(2-苯基吡啶)铱络合物(以下称为Ir(ppy)3)为代表的绿色磷光发光材料的主体材料使用的情况下,在容易使CBP的空穴流动而难以使电子流动的特性方面,电荷平衡崩溃,过量的空穴向电子传输层一侧流出,作为结果,来自Ir(PPy)3的发光效率降低。有机EL元件中为了得到高发光效率,需要具有高的三重态激发能、并且在两电荷(空穴、电子)注入传输特性中获得平衡的主体材料。另外,期待在电化学方面稳定、且具备高耐热性的同时具备优良的非晶稳定性的化合物,从而要求进一步改良。专利文献3中,作为空穴传输材料,公开了以下所示的吲哚并咔唑化合物。
权利要求
1.一种有机电致发光元件,在基板上层叠阳极、包含磷光发光层的有机层以及阴极而成,其特征在于,在选自由发光层、电子传输层以及空穴阻挡层组成的组中的至少一个有机层中,含有由通式(I)表示的吲哚并咔唑化合物,
2.根据权利要求I所述的有机电致发光元件,其特征在于,由通式(I)表示的吲哚并咔唑化合物为通式(2广(5)中的任意一种,
3.根据权利要求2所述的有机电致发光元件,其特征在于,由通式(2广(5)中的任意一种表示的吲哚并咔唑化合物为由通式(6广(9)中的任意一种表示的吲哚并咔唑化合物,
4.根据权利要求广3中任一项所述的有机电致发光元件,其特征在于,包含吲哚并咔唑化合物的有机层为含有磷光发光掺杂物的发光层。
5.根据权利要求2所述的有机电致发光元件,其特征在于,包含吲哚并咔唑化合物的有机层是含有在440nnT510nm处具有最大发光波长的磷光发光掺杂物、并且含有由通式(4)或者(5)表示的吲哚并咔唑化合物的发光层。
全文摘要
本发明提供改善元件的发光效率、充分确保驱动稳定性、并且具有简单的构成的有机电致发光元件(有机EL元件)。该有机电致发光元件在基板上层叠阳极、包含磷光发光层的有机层以及阴极而成,在选自由发光层、电子传输层以及空穴阻挡层组成的组中的至少一个有机层中,含有由通式(1)表示的吲哚并咔唑化合物。在含有磷光发光性掺杂物和主体材料的发光层中含有该吲哚并咔唑化合物的情况下,作为主体材料含有。作为吲哚并咔唑化合物,具有由下述式(2)表示的化合物。A1以及A2表示芳香族烃基,B1以及B2表示芳香族杂环基,R1~R3表示氢、烷基、环烷基、芳香族烃基或者芳香族杂环基,m表示1~3的整数,n表示0~3的整数。
文档编号C09K11/06GK102754237SQ20118000899
公开日2012年10月24日 申请日期2011年1月27日 优先权日2010年2月12日
发明者古森正树, 山本敏浩, 松本惠, 甲斐孝弘 申请人:新日铁化学株式会社
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