1.一种甲硅烷基胺化合物，由以下化学式1表示：
[化学式1]
在化学式1中，
r1至r4各自独立地为c1-c7烷基或c2-c7烯基，或r1和r2以及r3和r4各自独立地相互连接形成环。
2.根据权利要求1所述的甲硅烷基胺化合物，其中，在化学式1中，r1至r4各自独立地为c1-c5烷基或c2-c5烯基。
3.根据权利要求1所述的甲硅烷基胺化合物，其中，由化学式1表示的所述甲硅烷基胺化合物由以下化学式2或3表示：
[化学式2]
[化学式3]
在化学式2和3中，
r11至r14各自独立地为c1-c5烷基或c2-c5烯基；以及
n和m各自独立地为1至7的整数。
4.根据权利要求3所述的甲硅烷基胺化合物，其中，在化学式2或3中，r11至r14各自独立地为c1-c3烷基或c2-c3烯基；以及n和m各自独立地为1至4的整数。
5.根据权利要求1所述的甲硅烷基胺化合物，其中，由化学式1表示的所述甲硅烷基胺化合物选自以下化合物：
6.一种用于沉积含硅薄膜的组合物，所述组合物包含根据权利要求1至5中任一项所述的甲硅烷基胺化合物。
7.一种使用根据权利要求6所述的用于沉积含硅薄膜的组合物来制造含硅薄膜的方法。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，通过原子层沉积方法、化学气相沉积方法、金属有机化学气相沉积方法、低压化学气相沉积方法、等离子体增强化学气相沉积方法或等离子体增强原子层沉积方法进行沉积。
9.根据权利要求7所述的方法，其中，所述含硅薄膜是氧化硅膜、碳氧化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜、碳氮化硅膜或碳化硅膜。
10.根据权利要求7所述的方法，包括：
a)将安装在腔室中的基底的温度保持在30至500℃；
b)使根据权利要求6所述的组合物与所述基底接触，以将所述组合物吸附在所述基底中；以及
c)将反应气体注入至其中吸附了所述组合物的所述基底以形成含硅薄膜。
11.根据权利要求7所述的方法，其中，在通过产生等离子体功率为50至1000w的等离子体激活所述反应气体之后，供应所述反应气体。