专利名称：基板处理系统的制作方法
技术领域：
本发明涉及制造例如有机EL元件等的基板处理系统。
背景技术：
近年来，开发有利用电致发光(EL :Electro Luminescence)的有机EL元件。由于有机EL元件几乎不发热，与阴极射线管等相比消耗电力小，另外，由于自发光，与液晶显示器(LCD)等相比具有视角优异等优点，期待今后的发展。这种有机EL元件的最基本的构造，是在玻璃基板上重叠形成阳极(阳极)层、发光层和阴极(阴极)层的三明治构造。为了将发光层的光导出到外部，玻璃基板上的阳极层使用由ITO (Indium Tin Oxide)构成的透明电极。这样的有机EL元件，一般是通过在表面上预先形成ITO层(阳极层)的玻璃基板上，依次形成发光层和阴极层，再形成密封膜层来制造的。如上所述的有机EL元件的制造，一般来说，由具备形成发光层、阴极层、密封膜层等的各种成膜处理装置或蚀刻装置等的基板处理系统进行。专利文献1公开了以所谓的面朝上状态进行基板处理的发光元件(有机EL元件) 的制造装置。根据该专利文献1所述的发光元件制造装置，可以以良好的生产效率，制造具有包含有机层在内的多个层的发光元件(有机EL元件)。专利文献1 日本特开2007-335203号公报
发明内容
上述专利文献1所述的处理系统，是在沿着规定的搬送路径配置的一个或两个以上传输模块的侧面连接有成膜处理装置或蚀刻处理装置等多个处理装置的构成。在该处理系统中，通常在真空中连续地进行成膜或蚀刻、密封等各工序来制造有机EL元件，以躲避大气中的水分。可是，在上述专利文献1所述的处理系统中，存在与传输模块的侧面相连接的各种处理装置之间的间隔狭窄，维护性差这样的难点。特别是在以往的处理系统中使用的五边形以上多边形传输模块中，邻接的各种处理装置之间的间隔窄。因此，本发明的目的在于提供一种能够扩展与传输模块的侧面连接的各种处理装置之间的间隔，维护性良好的基板处理系统，并且还提供一种可以避免生产能力的恶化，确保充分的生产效率的基板处理系统。根据本发明的基板处理系统，对基板进行处理，由可抽真空的一个或两个以上的传输模块构成直线状的搬送路径，上述传输模块由将基板相对于处理装置搬入搬出的多个搬入搬出区域和被配置在上述搬入搬出区域之间的一个或两个以上的贮存区域构成，在上述搬入搬出区域的侧面连接有上述处理装置。在本发明的基板处理系统中，在传输模块的内部设置有多个搬入搬出区域和配置在这些搬入搬出区域之间的贮存区域。并且，处理装置被连接在传输模块的侧面且与各搬入搬出区域对置的位置。因此，在传输模块的侧面上，并且在相互邻接的处理装置之间且与被配置在各搬入搬出区域之间的贮存区域对应的位置形成间隙。在该基板处理系统中，上述传输模块是其长度方向被沿着上述搬送路径配置的长方体形状。另外，上述传输模块也可以构成为借助闸阀连接了多个搬入搬出区域和一个或两个以上的贮存区域。另外，也可以在上述传输模块的内部，对上述各个搬入搬出区域分别设置有搬送臂，在上述贮存区域设置有基板的交换台。另外，也可以具备多个上述传输模块，在这些传输模块之间设置被抽真空的交换室。另外，也可以是在基板上面进行成膜的面朝上方式。另外，在上述传输模块的侧面上也可以连接有掩模调校器，该掩模调校器将形成为规定图形的掩模重叠在基板上。此时，也可以具备掩模清洗处理装置，其洗净基板处理中被使用的掩模。另外，上述掩模清洗处理装置，也可以具备通过等离子体的作用使清洗气体活化的清洗气体发生部。另外，上述掩模清洗处理装置也可以具备用于收纳掩模的处理容器和被与上述处理容器隔离地设置的清洗气体发生部，在上述清洗气体发生部中，通过等离子体的作用活化的清洗气体，通过远程等离子体方式输入到上述处理容器内。此时，上述清洗气体发生部，也可以用顺流等离子体使清洗气体活化。通过将由顺流等离子体活化的清洗气体输入上述处理容器内，能够在接近于常温的状态下将活性自由基导入到处理容器内，可以洗净掩模但不会对该掩模产生热损伤。另外，上述清洗气体发生部，也可以构成为利用感应耦合等离子体方式，生成高密度等离子体。另外，上述清洗气体发生部，也可以构成为由微波电力产生高密度等离子体。此外，上述清洗气体可以含有氧自由基、氟自由基、 氯自由基中的任意一种。发明效果根据本发明，在传输模块的侧面上，在相互邻接的处理装置之间且与被配置在各搬入搬出区域之间的贮存区域对应的位置形成间隙。这样，通过利用在各种处理装置之间形成的间隔，能够得到维护性优良的基板处理系统。另外，能够得到避免生产能力的恶化、 确保充分的生产效率的基板处理系统。
图1是有机EL元件制造工序的说明图。 图2是本发明的实施方式的基板处理系统的说明图。 图3是形成发光层的蒸镀处理装置的概略的说明图。 图4是形成功函数调整层的蒸镀处理装置的概略的说明图。图5是溅射处理装置的概略的说明图。 图6是蚀刻处理装置的概略的说明图。
图7是CVD处理装置的概略的说明图。图8是具备掩模清洗处理装置的本发明实施方式中的基板处理系统的说明图。 图9是掩模清洗处理装置的概略的说明图。 图10是ICP方式的清洗气体发生部的说明图。 图11是由微波电力产生高密度等离子体的清洗气体发生部的说明图。
图12是设置了两列搬送路径的本发明实施方式中的基板处理系统的说明图。
图13是构成能够在搬送路径间搬送基板的本发明实施方式中的基板处理系统的说明图。图14是沿着搬送路径设置有可移动的搬送臂的传输模块的说明图。图15是各搬入搬出区域和贮存区域之间设置有闸阀的传输模块的说明图。图中符号说明A-有机EL元件，G-基板，L-搬送路径，M-掩模，1-基板处理系统， 10-阳极层，11-发光层，12-功函数调整层，13-阴极层，14-保护层，15-导电层，16-保护层，20-装载器，21-第一传输模块，22-发光层的蒸镀处理装置，23-第二传输模块，24-第一交换室，25-第三传输模块，26-第二交换室，27-第4传输模块，28-卸载器，40,60,80-前方搬入搬出区域，41、61、81_后方搬入搬出区域，42、62、82_贮存区域，43、44、63、64、83、 84-搬送臂，45、65、85_交换台，50-功函数调整层的蒸镀处理装置，51、90_溅射处理装置， 52,72-掩模贮存室，53、73、92、93_掩模调校器，70-蚀刻处理装置，71、91_CVD处理装置
具体实施例方式以下，参照附图，对本发明的实施方式进行说明。在以下的实施方式中，以在基板 G的上面进行成膜等各种处理来制造有机EL元件A的所谓的面朝上方式的基板处理系统1 为例，具体地进行说明。另外，在本说明书和附图中，对于本质上具有相同的功能结构的构成要素，通过赋予相同的符号，省略重复说明。图1是本发明实施方式的基板处理系统1中制造的有机EL元件A的制造工序的说明图。如图1(a)所示，准备上面形成有阳极(阳极)层10的基板G。基板G由例如玻璃等构成的透明材料构成。另外，阳极层10由ITOandium Tin Oxide)等透明的导电性材料构成。并且，阳极层10通过例如溅射法等形成于基板G的上面。首先，如图1(b)所示，在阳极层10的上面，通过蒸镀法形成发光层(有机层)11。 并且，发光层11由层叠例如空穴输送层、非发光层(电子阻挡层)、蓝色发光层、红色发光层、绿色发光层和电子输送层这样的多层结构等构成。接着，如图1(c)所示，通过蒸镀法在发光层11的上面，形成由Li等构成的功函数调整层12。接着，如图1 (d)所示，在功函数调整层12的上面，例如由Ag、Al等构成的阴极(阴极)层13根据使用例如掩模的溅射法图形化为规定的形状。接着，如图1(e)所示，将阴极层13作为掩模，通过例如等离子体蚀刻发光层11和功函数调整层12，使发光层11和功函数调整层12图形化。接着，如图1 (f)所示，形成例如由氮化硅(SiN)构成的绝缘性保护层14，以覆盖发光层11、功函数调整层12与阴极层13的周围以及阳极层10的一部分。该保护层14的形成，根据例如使用掩模的CVD法进行。接着，如图1(g)所示，与阴极层13电连接的例如由Ag、Al等构成的导电层15被形成为规定的图形。该导电层15的形成，是根据例如使用掩模的溅射法进行的。接着，如图1 (h)所示，由例如氮化硅(SiN)构成的绝缘性保护层16被形成为规定的图形，以覆盖导电层15的一部分。该保护层16的形成，使根据例如使用掩模的CVD法进行的。这样，制造出的有机EL元件A，通过在阳极层10和阴极层13之间施加电压，能够使发光层11发光。这样的有机EL元件A，能够应用于显示装置或面发光元件(照明、光源等)，另外，也可以用于各种电子设备。图2是用于制造有机EL元件A的本发明的实施方式的基板处理系统1的说明图。 在该基板处理系统1中，沿着基板G的搬送方向(图2中向右侧)，通过依次串联排列装载器20、第一传输模块21、发光层11的蒸镀处理装置22、第二传输模块23、第一交换室24、第三传输模块25、第二交换室26、第4传输模块27以及卸载器28，构成直线状搬送路径L。在装载器20的前方(图2中左侧)、装载器20和第一传输模块21之间、第一传输模块21和蒸镀处理装置22之间、蒸镀处理装置22和第二传输模块23之间、第二传输模块 23和第一交换室24之间、第一交换室24和第三传输模块25之间、第三传输模块25和第二交换室26之间、第二交换室26和第4传输模块27之间、第4传输模块27和卸载器28之间，以及卸载器28的后方(图2中右侧)配置闸阀30，以使装载器20、第一传输模块21、蒸镀处理装置22、第二传输模块23、第一交换室24、第三传输模块25、第二交换室26、第4传输模块27和卸载器28的内部，分别被密闭。另外，装载器20、第一传输模块21、蒸镀处理装置22、第二传输模块23、第一交换室24、第三传输模块25、第二交换室26、第4传输模块 27和卸载器28的内部，通过图中没有表示的真空泵，抽成真空。第一传输模块21的侧面上借助闸阀36连接有基板G的清洗处理装置35。第一传输模块21的内部设置有搬送臂37。装载在该搬送臂37上的基板G，沿着搬送路径L从装载器20搬送到蒸镀处理装置22，且能够在第一传输模块21的内部和清洗处理装置35之间，将基板G搬送到垂直于搬送路径L的方向。在第二传输模块23的内部设置有前方搬入搬出区域40、后方搬入搬出区域41以及配置在该前方搬入搬出区域40和后方搬入搬出区域41之间的一个贮存区域42。第二传输模块23是其长度方向沿着搬送路径L配置的长方体形状。在第二传输模块23的内部， 沿着搬送路径L向基板G的搬送方向(图2中右侧向)，依次串联配置有前方搬入搬出区域 40、贮存区域42、后方搬入搬出区域41。在第二传输模块23的内部，在前方搬入搬出区域40中设置有搬送臂43，在后方搬入搬出区域41中设置有搬送臂44。另外，在贮存区域42中设置有交换台45。功函数调整层12的蒸镀处理装置50、溅射处理装置51、掩模贮存室52和掩模调校器53分别借助间阀54被连接在第二传输模块23的侧面上。蒸镀处理装置50和掩模贮存室52被配置在第二传输模块23的相互相反的侧面上。另外，蒸镀处理装置50和掩模贮存室52被配置在与前方搬入搬出区域40对置的位置。用于形成规定的成膜图形的掩模M 在掩模贮存室52待机。在第二传输模块23内部，被设置在前方搬入搬出区域40中的搬送臂43，能够将基板G沿着搬送路径L从蒸镀处理装置22搬送到贮存区域42，而且能够在第二传输模块23 的内部和蒸镀处理装置50之间，将基板G搬送到垂直于搬送路径L的方向。另外，设置在前方搬入搬出区域40中的搬送臂43，能够在掩模贮存室52和贮存区域42之间搬送掩模 M0溅射处理装置51和掩模调校器53被配置在第二传输模块23的相互相反的侧面上。另外，溅射处理装置51和掩模调校器53被配置在与后方搬入搬出区域41对置的位置。在第二传输模块23的内部，被设置在后方搬入搬出区域41中的搬送臂44，能够将基板G沿着搬送路径L从贮存区域42搬送第一交换室24，且能够在第二传输模块23的内部与溅射处理装置51以及掩模调校器53之间，将基板G搬送到垂直于搬送路径L的方向。 另外，被设置在后方搬入搬出区域41中的搬送臂44，能够在贮存区域42和掩模调校器53 之间搬送掩模M。另外，在第二传输模块23的内部，被设置在贮存区域42的交换台45，能够预先使基板G和掩模M待机。另外，在与贮存区域42对置的位置且第二传输模块23的侧面上未连接有各处处理装置等。因此，在第二传输模块23的侧面上，且在蒸镀处理装置50和溅射处理装置51之间以及掩模贮存室52和掩模调校器53之间且在与贮存区域42对置的位置形成与交换台45同等程度间隔间隙。在第三传输模块25的内部设置有前方搬入搬出区域60、后方搬入搬出区域61 以及配置在这些前方搬入搬出区域60和后方搬入搬出区域61之间的一个贮存区域62。第三传输模块25是其长度方向被沿着搬送路径L配置的长方体形状。在第三传输模块25的内部，沿着搬送路径L，向基板G的搬送方向(图2中向右侧向)，依次串联地配置有前方搬入搬出区域60、贮存区域62、后方搬入搬出区域61。在第三传输模块25的内部，在前方搬入搬出区域60中设置有搬送臂63，在后方搬入搬出区域61中设置有搬送臂64。另外，在贮存区域62设置有交换台65。蚀刻处理装置70、CVD处理装置71、掩模贮存室72以及掩模调校器73分别借助闸阀74被连接在第三传输模块25的侧面上。蚀刻处理装置70和掩模贮存室72被配置在第三传输模块25的相互相反的侧面。另外，蚀刻处理装置70和掩模贮存室72，被配置在与前方搬入搬出区域60对置的位置。使用于形成规定的成膜图形的掩模M在掩模贮存室72 中待机。在第三传输模块25的内部，设置在前方搬入搬出区域60中的搬送臂63，能够将基板G沿着搬送路径L从第一交换室24搬送到贮存区域62，且能够在第三传输模块25的内部和蚀刻处理装置70之间，将基板G搬送到与垂直于搬送路径L的方向。另外，设置在前方搬入搬出区域60的搬送臂63能够在掩模贮存室72和贮存区域62之间搬送掩模M。CVD处理装置71和掩模调校器73被配置在第三传输模块25的相互相反的侧面上。另外，CVD处理装置71和掩模调校器73被配置在与后方搬入搬出区域61对置的位置。在第三传输模块25的内部，被设置在后方搬入搬出区域61中的搬送臂64能够在将基板G沿着搬送路径L从贮存区域62搬送到第二交换室26，并且能够在第三传输模块 25的内部以及CVD处理装置71和掩模调校器73之间，将基板G搬送到垂直于搬送路径L 的方向。另外，被设置在后方搬入搬出区域61的搬送臂64能够在贮存区域62和掩模调校器73之间搬送掩模M。另外，在第三传输模块25的内部，设置在贮存区域62的交换台65，能够使基板G 和掩模M待机。另外，在与贮存区域62对置的位置且在第三传输模块25的侧面上未连接有各处处理装置等。因此，在第三传输模块25的侧面上，且在蚀刻处理装置70和CVD处理装置71之间以及掩模贮存室72和掩模调校器73之间且在与贮存区域62对置的位置形成与交换台65同等程度间隔间隙。第4传输模块27的内部设置有前方搬入搬出区域80、后方搬入搬出区域81以及配置在该前方搬入搬出区域80和后方搬入搬出区域81之间的一个贮存区域82。第4传输模块27是其长度方向被沿着搬送路径L配置的长方体形状。在第4传输模块27的内部， 沿着搬送路径L向基板G的搬送方向(图2中右侧向)，依次串联配置有前方搬入搬出区域 80、贮存区域82、后方搬入搬出区域81。在第4传输模块27的内部，前方搬入搬出区域80中设置有搬送臂83，在后方搬入搬出区域81中设置有搬送臂84。另外，在贮存区域82设置有交换台85。溅射处理装置90、CVD处理装置91、掩模调校器92和掩模调校器93，分别借助闸阀94被连接在第4传输模块27的侧面上。溅射处理装置90和掩模调校器92被配置在第 4传输模块27的相互相反的侧面上。另外，溅射处理装置90和掩模调校器92被配置在与前方搬入搬出区域80对置的位置。在第4传输模块27内部，被设置在前方搬入搬出区域80中的搬送臂83能够将基板G沿着搬送路径L从第二交换室26搬送到贮存区域82，且能够在第4传输模块27的内部以及溅射处理装置90和掩模调校器92之间，将基板G搬送到垂直于搬送路径L的方向。CVD处理装置91和掩模调校器93被配置在第4传输模块27的相互相反的侧面上。另外，CVD处理装置91和掩模调校器93被配置在与后方搬入搬出区域81对置的位置。在第4传输模块27的内部，被设置在后方搬入搬出区域81的搬送臂84能够将基板G沿着搬送路径L从贮存区域82搬送到卸载器28，且能够在第4传输模块27的内部与 CVD处理装置91及掩模调校器93之间，将基板G搬送到垂直于搬送路径L的方向。另外，在第4传输模块27内部，被设置在贮存区域82的交换台85能够使基板G 预先待机。另外，在与贮存区域82对置的位置且在第4传输模块27的侧面未连接有各处处理装置等。因此，在第4传输模块27的侧面上且在溅射处理装置90和CVD处理装置91 之间以及掩模调校器92和掩模调校器93之间并在与贮存区域82对置的位置形成与交换台85同等程度的间隔间隙。图3是蒸镀处理装置22的概略的说明图。图3所示的蒸镀处理装置22是通过蒸镀形成图1(b)所示的发光层11的装置。蒸镀处理装置22具有被密闭的处理容器100。处理容器100是其长度方向被沿着搬送路径L配置的长方体形状，在处理容器100的前后面，借助间阀30分别与第一传输模块21和第二传输模块23相连接。处理容器100的底面连接有具有真空泵(图中没有表示)的排气管线101，以使处理容器100的内部减压。处理容器100的内部具有使基板G保持为水平的保持台102。基板G以形成了阳极层10的上面向上的面朝上的状态被载置在保持台102上。保持台102 在沿着搬送路径配置的轨道103上，沿着搬送路径L搬送基板G。在处理容器100的顶板面沿着基板G的搬送方向(搬送路径L)配置有多个蒸镀头105。各蒸镀头105上分别通过配管107连接有多个蒸气供给源106，以提供形成发光层 11的成膜材料蒸气。通过将上述由蒸气供给源106提供的成膜材料的蒸气从各蒸镀头105 中喷出，同时沿着搬送路径L搬送保持在保持台102上的基板G，在基板G的上面依次形成空穴输送层、非发光层、蓝色发光层、红色发光层、绿色发光层、电子输送层等，在基板G的上面形成发光层11。图4是蒸镀处理装置50的概略的说明图。图4所示的蒸镀处理装置50是通过蒸镀形成图1(c)所示的功函数调整层12的装置。
蒸镀处理装置50具有被密闭的处理容器110。处理容器110是其长度方向被沿着与垂直于搬送路径L的方向配置的长方体形状，处理容器110的前面借助闸阀54与第二传输模块23的侧面相连接。处理容器110的底面连接有具有真空泵(图中没有表示)的排气管线111，以使处理容器110的内部减压。处理容器110的内部具有将基板G保持为水平的保持台112。基板G以形成了发光层11的上面向上的面朝上状态，载置在保持台112上。保持台112在沿着垂直于搬送路径L的方向配置的轨道113上行驶，沿着垂直于搬送路径L的方向搬送基板G。在处理容器110的顶板面配置有蒸镀头115。蒸镀头115上通过配管117连接有蒸气供给源116，该蒸气供给源116提供形成功函数调整层12的Li等成膜材料的蒸气。由蒸气供给源116提供的成膜材料的蒸气从蒸镀头115喷出，同时沿着垂直于搬送路径L的方向搬送保持台112上保持的基板G，在基板G的上面形成功函数调整层12。图5是溅射处理装置51、90概略的说明图。并且，溅射处理装置51、90任意一个都具有相同的构成。图5所示的溅射处理装置51、90，是通过溅射形成图1(d)所示的阴极 (阴极)层13或者图1 (g)所示的导电层15的装置。溅射处理装置51、90具有被密闭的处理容器120。处理容器120是其长度方向被沿着与垂直于搬送路径L的方向配置的长方体形状，溅射处理装置51的处理容器120的前面借助间阀54与第二传输模块23的侧面相连接，溅射处理装置90的处理容器120的前面借助闸阀94与第4传输模块27的侧面相连接。处理容器120的底面连接有具有真空泵(图中没有表示)的排气管线121，以使处理容器120的内部减压。处理容器120的内部具有将基板G保持为水平的保持台122。基板G以形成了发光层11上面向上的面朝上状态，载置在保持台122上。保持台122在沿着垂直于搬送路径L的方向配置的轨道123上行驶，沿着垂直于搬送路径L的方向搬送基板 G0该溅射处理装置51、90是将一对平板形状的靶125隔开规定的间隔使其对置配置的対置靶溅射装置(FTS)。靶125是例如Ag、Al等。靶125的上下面配置有接地电极126， 在靶125和接地电极126之间由电源127施加电压。另外，靶125的外侧配置有使靶125 之间产生磁场的磁铁128。另外，在处理容器120的壁面上进行开口，形成向处理容器120 内提供Ar等溅射气体的气体供给部129。在这样的溅射处理装置51、90中，沿着垂直于搬送路径L的方向搬送被保持在保持台122上的基板G，同时以在靶125之间产生磁场的状态下，在靶125和接地电极126之间产生辉光放电，在靶125间产生等离子体。可以由连续地溅射法，通过由该等离子体产生溅射现象，使靶125的材料粘付在基板G的上面，形成阴极层13或者导电层15。图6是蚀刻处理装置70的概略的说明图。图6所示的蚀刻处理装置70，是通过等离子体蚀刻法如图1(e)所示对发光层11和功函数调整层12进行图形化的装置。蚀刻处理装置70具有被密闭的处理容器130。蚀刻处理装置70的处理容器130 的前面借助闸阀74与第三传输模块25的侧面相连接。在处理容器130的底面连接有具有真空泵(图中没有表示)的排气管线131，以使处理容器130的内部的减压。处理容器130的内部具有将基板G保持为水平的保持台132。基板G以形成发光层11的上面向上的面朝上状态，被载置在保持台132上。在处理容器130的顶板面设置有接地电极133，该接地电极133与保持台132的上面对置。处理容器130的外侧设置有由高频电源134施加高频电力的线圈135。成为由高频电源136对保持台132施加高频电力的构造。在处理容器130的内部，由气体供给单元 137提供例如N2/Ar等蚀刻气体。在这样的蚀刻处理装置70中，能够由对线圈135施加的高频电力使向处理容器130内提供的蚀刻气体等离子体激发，蚀刻发光层11和功函数调整层12，图形化为规定的形状。图7是CVD处理装置71、91的概略的说明图。并且，CVD处理装置71、91任意一个都具有相同的构成。图7所示的CVD处理装置71、91是通过CVD法形成图1(f)所示的保护层14或图1 (h)所示的保护层16的装置。CVD处理装置71、91具有被密闭的处理容器140。CVD处理装置71的处理容器140 的前面借助闸阀74与第三传输模块25的侧面相连接，CVD处理装置91的处理容器140的前面借助闸阀94与第4传输模块27的侧面相连接。在处理容器140的底面连接有具有真空泵(图中没有表示)的排气管线141，以使处理容器140的内部减压。处理容器140的内部具有将基板G保持为水平的保持台142。 基板G以形成发光层11的上面向上的面朝上状态被载置在保持台142上。在处理容器120的顶板面设置有天线145，由电源146对天线145施加微波。另外，在天线145和保持台142之间设置有向处理容器140内提供用于成膜的成膜原料气体的气体供给部147。气体供给部147被形成为例如网格状，能够使微波通过。在这样的CVD 处理装置71、91中，可以在保持于保持台142上的基板G的上面，通过由天线145提供的微波使由气体供给部147提供的成膜原料气体等离子体激发，形成例如由氮化硅(SiN)构成的绝缘性保护层14、16。接着，对如上所述构成的基板处理系统1中，有机EL元件A的制造工序进行说明。 首先，通过装载器20搬入到基板处理系统1中的基板G，由第一传输模块21的搬送臂37， 搬入到清洗处理装置35中。此时，基板G的表面，由规定的图形预先形成例如由ITO构成的阳极层10。基板G以形成了阳极层10的表面向上的状态(面朝上状态)被搬入到清洗处理装置35中。并且，在清洗处理装置35中，对基板G进行清洗处理，清洗完成后的基板 G，由第一传输模块21的搬送臂37，从清洗处理装置35搬入蒸镀处理装置22。并且，在蒸镀处理装置22中，在减压后的处理容器100内，基板以表面(成膜面) 向上的状态(面朝上状态)保持在保持台102上，沿着搬送路径L搬送。另一方面，处理容器100内，成膜材料的蒸气从各蒸镀头105喷出。由此，在基板G的上面依次形成空穴输送层、非发光层、蓝色发光层、红色发光层、绿色发光层、电子输送层等，如图1(b)所示，在基板G的上面形成发光层11。并且，在蒸镀处理装置22中，形成发光层1后的基板G，经由被配置在第二传输模块23的前方搬入搬出区域40中的搬送臂43从蒸镀处理装置22中搬出，并搬入到蒸镀处理装置50中。并且，在蒸镀处理装置50中，在被减压后的处理容器110内，基板以表面(成膜面)向上的状态(面朝上状态)被保持在保持台112上，沿着垂直于搬送路径L的方向搬送。另一方面，在处理容器110内，Li等成膜材料的蒸气从蒸镀头115喷出。由此，如图1(c)所示，在基板G的上面中，在发光层11的上面形成功函数调整层12。并且，在蒸镀处理装置50中，形成功函数调整层12后的基板G，经由被配置在第二传输模块23的前方搬入搬出区域40中的搬送臂43从蒸镀处理装置50搬出，并传送到被设置在第二传输模块23内的贮存区域42的交换台45上。并且，被传送到交换台45上的基板G，在第二传输模块23的内部，由被设置在后方搬入搬出区域41中的搬送臂44从交换台45取出，搬入到掩模调校器53中。并且，在掩模调校器53中，掩模M被定位放置在基板G的上面。另外，掩模M被例如设置在前方搬入搬出区域40中的搬送臂43从掩模贮存室52中搬出，传送到被设置在第二传输模块23内的贮存区域42的交换台45上，并且，由被设置在后方搬入搬出区域41中的搬送臂44从交换台45取出，搬入掩模调校器53中。并且，掩模M被定位于上面的状态下的基板G，由被设置在第二传输模块23的后方搬入搬出区域41中的搬送臂44，从掩模调校器53中取出，搬入到溅射处理装置51。并且，在溅射处理装置51中，在减压后的处理容器120内，基板以表面(成膜面) 向上的状态(面朝上状态)，被保持在保持台122上，并沿着垂直于搬送路径L的方向搬送。 另一方面，在处理容器120内，在靶125和接地电极126之间施加电压，由气体供给部129 提供溅射气体。由此，如图1(d)所示，在基板G的上面，在功函数调整层12之上，根据使用掩模M的溅射，形成阴极层13，并图形化为规定的形状。并且，在溅射处理装置51中，形成有阴极层13后的基板G，由被设置在第二传输模块23的后方搬入搬出区域41中的搬送臂44从溅射处理装置51中搬出，并搬入到第一交换室24。并且，由被配置在第三传输模块25的前方搬入搬出区域60的搬送臂63将基板G 从第一交换室24搬出，搬入到蚀刻处理装置70中。并且，在蚀刻处理装置70中，在被减压的处理容器130内，基板以表面(成膜面) 向上的状态(面朝上状态)，被保持在保持台132上。另一方面，由高频电源136对保持台 132施加高频电力，在处理容器130内，由气体供给单元137提供例如队/Ar等蚀刻气体。由此，如图1(e)所示，在基板G的上面，将阴极层13作为掩模，等离子体蚀刻发光层11和功函数调整层12，发光层11和功函数调整层12被图形化。并且，在蚀刻处理装置70中，发光层11和功函数调整层12被图形化后的基板G， 由被配置在第三传输模块25的前方搬入搬出区域60中的搬送臂63，从蚀刻处理装置70中搬出，传送到被设置在第三传输模块25内的贮存区域62的交换台65上。并且，被传送到交换台65上的基板G，在第三传输模块25的内部，由设置在后方搬入搬出区域61的搬送臂64，从交换台65中取出，搬入掩模调校器73中。并且，在掩模调校器73中，掩模M被定位放置在基板G的上面。并且，掩模M,由例如被设置在前方搬入搬出区域60中的搬送臂63，从掩模贮存室72中搬出，传送到在第三传输模块25内的贮存区域62设置的交换台65，进而，由被设置在后方搬入搬出区域61中的搬送臂64，从交换台65中取出，搬入到掩模调校器73。并且，掩模M被定位于上面的状态下的基板G，由被设置在第三传输模块25的后方搬入搬出区域61的搬送臂64，从掩模调校器73中取出，搬入到CVD处理装置71中。并且，在CVD处理装置71中，在减压后的处理容器140内，基板以表面(成膜面)向上的状态(面朝上状态)，被保持在保持台142上。另一方面，在处理容器140内，由电源 146对天线145施加微波，由气体供给部147提供成膜原料气体。由此，如图1(f)所示，在基板G的上面，图形化绝缘性的保护层14，并形成为保护层14覆盖发光层11、功函数调整层12和阴极层13的周围以及阳极层10的一部分。并且，在CVD处理装置71中，形成保护层14后的基板G，由被设置在第三传输模块 25的后方搬入搬出区域61中的搬送臂64，从CVD处理装置71中搬出，搬入到第二交换室 26。并且，由被配置在第4传输模块27的前方搬入搬出区域80中的搬送臂83，将基板 G从第二交换室26中搬出，搬入到掩模调校器92。并且，在掩模调校器92中，掩模M被定位放置于基板G的上面。并且，掩模M被定位于上面状态的基板G，由被配置在第4传输模块27的前方搬入搬出区域80中的搬送臂 83，从掩模调校器92取出，搬入溅射处理装置90。并且，在溅射处理装置90中，在被减压的处理容器120内，基板以表面(成膜面) 向上的状态(面朝上状态)，被保持在保持台122上，沿着垂直于搬送路径L的方向搬送。 另一方面，在处理容器120内，对靶125和接地电极126之间施加电压，由气体供给部129 提供溅射气体。由此，如图1(g)所示，在基板G上面中，根据使用掩模M的溅射，形成导电层15，并图形化为规定的形状。并且，在溅射处理装置90中，导电层15被形成为规定的形状的基板G，由被配置在第4传输模块27的前方搬入搬出区域80中的搬送臂83，从溅射处理装置90中搬出，传送到被设置在第4传输模块27内的贮存区域82的交换台85上。另外，交换台85兼作第 4传输模块27中的掩模贮存室。并且，被传送到交换台85上的基板G，在第4传输模块27的内部，由被设置在后方搬入搬出区域81的搬送臂84，从交换台85中取出，搬入到掩模调校器93。并且，在掩模调校器93中，掩模M被定位放置于基板G的上面。并且，掩模M被定位于上面的状态下的基板G，由被设置在第4传输模块27的后方搬入搬出区域81中的搬送臂84，从掩模调校器93中取出，搬入到CVD处理装置91。并且，在CVD处理装置91中，在被减压的处理容器140内，基板以表面(成膜面) 向上的状态(面朝上状态)，被保持在保持台142上。另一方面，在处理容器140内，由电源 146对天线145施加微波，由气体供给部147提供成膜原料气体。由此，如图1 (h)所示，在基板G的上面，形成绝缘性的保护层16，并被图形化为覆盖导电层15的一部分。并且，在CVD处理装置91中，形成保护层16后的基板G，由被设置在第4传输模块27的后方搬入搬出区域81中的搬送臂84，从CVD处理装置91中搬出，搬出到卸载器28 中。这样，制造出的有机EL元件A，通过卸载器28，被搬出到基板处理系统1外面。在以上的基板处理系统1中，通过连续地进行各种成膜处理工序或蚀刻处理工序，有机EL元件能够在真空中制造，可以免受大气中的水分的影响。在该基板处理系统1 中，在第二传输模块23的内部设置有两个搬入搬出区域(前方搬入搬出区域40和后方搬入搬出区域41)，以及配置在这些前方搬入搬出区域40和后方搬入搬出区域41之间的贮存区域42。并且，在第二传输模块23的侧面上，且在与前方搬入搬出区域40对置的位置连接有蒸镀处理装置50和掩模贮存室52，在与后方搬入搬出区域41对置的位置连接有溅射处理装置51和掩模调校器53。因此，在第二传输模块23的侧面上，且在蒸镀处理装置50和溅射处理装置51之间，形成与贮存区域42对应的间隙。另外，同样也在掩模贮存室52和掩模调校器53之间形成与贮存区域42对应的间隙。利用这样形成的间隙，能够进行例如蒸镀处理装置50和溅射处理装置51的清洗、修理等，另外，也能够对掩模贮存室52和掩模调校器53进行掩模M的搬入搬出、清洗、修理等。另外，同样在第三传输模块25的内部设置有两个搬入搬出区域(前方搬入搬出区域60和后方搬入搬出区域61)，以及配置在这些前方搬入搬出区域60和后方搬入搬出区域 61之间的贮存区域62。并且，在第三传输模块25的侧面上，且在与前方搬入搬出区域60 对置的位置连接有蚀刻处理装置70和掩模贮存室72，在与后方搬入搬出区域61对置的位置连接有CVD处理装置71和掩模调校器73。因此，在第三传输模块25的侧面上，且在蚀刻处理装置70和CVD处理装置71之间，形成与贮存区域62对应的间隙。另外，同样也在掩模贮存室72和掩模调校器73之间形成与贮存区域62对应的间隙。利用这样形成的间隙， 能够进行例如蚀刻处理装置70和CVD处理装置71的清洗、修理等，另外，也能够对掩模贮存室72和掩模调校器73进行掩模M的搬入搬出、清洗、修理等。另一方面，在第4传输模块27的内部设置2个搬入搬出区域(前方搬入搬出区域 80和后方搬入搬出区域81)，以及配置在这些前方搬入搬出区域80和后方搬入搬出区域81 之间的贮存区域82。并且，在第4传输模块27的侧面，溅射处理装置90和掩模调校器92 被连接在与前方搬入搬出区域80对置的位置，CVD处理装置91和掩模调校器93被连接在与后方搬入搬出区域81对置的位置。因此，在第4传输模块27的侧面且在溅射处理装置 90和CVD处理装置91之间，形成与贮存区域82对应的间隙。另一方面，在掩模调校器92 和掩模调校器93之间，也形成有与贮存区域82对应的间隙。利用这样形成的间隙，能够进行例如溅射处理装置90和CVD处理装置91的清洗、修理等，另外，也能够对掩模调校器92 和掩模调校器93进行掩模M的搬入搬出、清洗、修理等。因此，该基板处理系统1，能够扩宽被连接在各传输模块23、25、27的侧面的各种处理装置之间的间隔，维护性优良。以上，对本发明的最佳实施方式的一个例子进行了说明，但本发明不限定于图示的方式。显然只要是本领域技术人员，在权利要求范围所述的思想范畴内中，能够想到各种变更例或者修正例，对于这些当然也属于本发明的技术范围。例如，在制造上述实施方式中说明过的有机EL元件A的基板处理系统1中，不仅基板表面，连溅射中使用过的掩模M上也被形成氮化膜等密封膜。这样在掩模M上形成的堆积物，如果原封不动放置就会导致污染，有可能对成膜处理产生坏的影响。因此，必须在适当的时候清洗模M,去除沉积物。因此，在如图8所示的基板处理系统1中，与第二传输模块23的侧面相连接的掩模贮存室52，还借助间阀151连接着掩模清洗处理装置150。如图9所示，掩模清洗处理装置150具有被密闭的处理容器155，通过闸阀151，将掩模M从掩模贮存室52搬入到处理容器155内。另外，在处理容器155中连接有用于提供由清洗气体发生部156活化后的清洗气体的清洗气体供给配管157。清洗气体发生部156 被隔离地配置在处理容器155的外部，在清洗气体发生部156中，通过等离子体的作用活化的清洗气体，被输入到处理容器155内，从而构成远程等离子体方式。
如图9所示，清洗气体发生部156具备活化处理室160 ；清洗气体供给源161，其向活化处理室160提供清洗气体；和惰性气体供给源162，其向活化处理室160提供惰性气体。这里，使用图10、11对活化处理室160的具体例子进行说明。在图10所示的活化处理室160的外侧设置有由高频电源163施加高频电力的线圈164。另外，具有真空泵(图中没有表示)的排气管线165与活化处理室160相连接，以使活化处理室160的内部减压。 该图10所示的活化处理室160是，由清洗气体供给源161和惰性气体供给源162向活化处理室160内提供清洗气体和惰性气体，通过使由高频电源136施加的高频电力透过到电介质169，利用感应耦合等离子体方式(Inductively Coupled Plasma (ICP))，生成高密度等离子体的构成。通过该图10所示的活化处理室160，能够以顺流等离子体方式使清洗气体活化，由于能够将活化自由基以接近常温的状态输入到掩模清洗处理装置150内，可以洗净掩模但不会带来热损伤。在图11所示的活化处理室160中，由微波发生装置166产生的微波，通过在波导管167和喇叭状天线168设置的电介质169，被导入到活化处理室160内。活化处理室160 连接有具有真空泵(图中没有表示)的排气管线165，以使活化处理室160的内部减压。该图11所示的活化处理室160构成为在活化处理室160内通过微波电力激发由清洗气体供给源161提供的清洗气体和由惰性气体供给源162提供的惰性气体，生成高密度等离子体。 根据该图11所示的活化处理室160，同样地能够以顺流等离子体方式使清洗气体活化，由于能够将活化自由基以接近于常温的状态导入到掩模清洗处理装置150内，可以洗净掩模但不产生热损伤。并且，也可以利用狭缝天线等替代喇叭状天线168。清洗气体供给源161，能够向活化处理室160提供含有氧气、氟气、氯气、氧气化合物、氟气体化合物、氯化合物气体(例如02、Cl、NF3、稀释F2, CF4, C2F6, C3F8, SF6和ClF3)中的任意一种的清洗气体。惰性气体供给源162向活化处理室160提供Ar、He等惰性气体。 活化处理室160，将这样提供的清洗气体和惰性气体，通过由ICP或微波电力产生的等离子体的作用活化，能够生成氧自由基、氟自由基、氯自由基等。并且，在清洗气体发生部156的活化处理室160中被活化的清洗气体，经过清洗气体供给配管157，提供到处理容器155内。 这样，清洗气体发生部156采用以与处理容器155隔离的状态设置，将在活化处理室160内活化的清洗气体，经过清洗气体供给配管157，提供到处理容器155内的所谓的远程等离子体方式。根据图8所示的基板处理系统1，能够在掩模清洗处理装置150的处理容器155 内，在任意时间，使用含有被活化的氧自由基等的蚀刻性高的清洗气体清洗例如溅射处理装置51中溅射时用过的掩模M，由此能够实现良好的成膜处理。这样，通过进行所谓的原位 (in-situ)清洗，能够缩短处理系统1的停机时间，提高制造效率。另外，作为代表，对被连接在第二传输模块23的侧面上的掩模贮存室52上连接有掩模清洗处理装置150的例子进行了说明，但溅射处理装置51、掩模调校器53、CVD处理装置71、掩模贮存室72、掩模调校器73、溅射处理装置90、CVD处理装置91、掩模调校器92、 掩模调校器93等也可以连接相同的掩模清洗处理装置150。另外，第二传输模块23、第三传输模块25和第4传输模块27的侧面也可以连接相同的掩模清洗处理装置150。另外，在掩模清洗处理装置150中清洗掩模M时，在处理容器155内，例如向清洗气体发生部 161 提供 O2Zkr = 2000 10000sccm/4000 10000sccm(例如，Q2Zkr = 2000sccm/6000sccm)，将处理容器155内的压力设为2. 5Torr 8Torr左右。另外，也可以添加少量的N2等作为添加气体。另外，在图2中，以设置一列由装载器20、第一传输模块21、发光层11的蒸镀处理装置22、第二传输模块23、第一交换室24、第三传输模块25、第二交换室26、第4传输模块 27和卸载器28构成的直线状搬送路径L的例子进行了说明，如图12所示的处理系统1，也可以设置二列搬送路径L。该图12所示的处理系统1中，在二个搬送路径L之间，在第一传输模块21彼此之间设置了新的掩模贮存室170，但在第二传输模块23彼此之间，共用掩模贮存室52和掩模调校器53，在第三传输模块25彼此之间，共用掩模贮存室72和掩模调校器73，在第4传输模块27彼此之间，共用掩模调校器92、93。这样，也可以设置多列搬送路径L。另外，设置多列搬送路径L时，也可以如图13所示，构成为在第一传输模块21、第二传输模块23、第三传输模块25和第4传输模块27中，能够在搬送路径L间搬送基板G。另外，在传输模块的内部，也可以设置沿着搬送路径L可移动的搬送臂。图14表示作为一个例子，在传输模块200的内部，沿着搬送路径L形成前方搬入搬出区域201和后方搬入搬出区域202、以及在这些前方搬入搬出区域201和方搬入搬出区域202之间的贮存区域203的情况。搬送臂205，如图14(a)所示，能够移动到前方搬入搬出区域201、中间的贮存区域203、后方搬入搬出区域202。根据该图14所示的例子，如图14(a)所示，搬送臂 205移动到前方搬入搬出区域201，使基板G相对于被连接在传输模块200的侧面的各处理装置被搬入搬出。另外，如图14(b)所示，搬送臂205移动到贮存区域203，在前方搬入搬出区域201和后方搬入搬出区域202之间，保持着基板G。另外，如图14(c)所示，搬送臂205 被移动到后方搬入搬出区域202，相对于被连接在传输模块200的侧面的各处理装置搬入搬出基板G。根据该图14所示的传输模块200，同样也可以在传输模块200的侧面且在各处理装置之间，形成与贮存区域203对应的间隙。利用这样形成的间隙，能够进行例如各处理装置的清洗、修理等，另外，能够进行掩模M的搬入搬出、清洗、修理等，提高维护性。此外，在该图14所示的传输模块200中，能够减少搬送臂205的台数，提供低廉的装置。另外，在图2中，第二传输模块23、第三传输模块25和第4传输模块27，采用分别将前方搬入搬出区域(40、60、80)、后方搬入搬出区域(41、61、81)和贮存区域42、62、82串联配置成一体的构成，但本发明中的传输模块的构成并不局限于图2所示的方式。例如，传输模块也可以由借助闸阀连接的多个搬入搬出区域和一个或两个以上贮存区域构成。进而，构成传输模块的各搬入搬出区域和各贮存区域内的压力也可以分别独立地控制。图15表示作为本发明的另一个例子，传输模块220由沿着搬送路径L依次配置的前方搬入搬出区域221、贮存区域222和后方搬入搬出区域223构成，在各搬入搬出区域 221、223和贮存区域222之间设置有闸阀225、226的情况。其中，各搬入搬出区域221、223 和贮存区域222的内压可以分别独立地控制。另外，在基板处理系统中能够配置多个传输模块，这里，以其中配置一个为例子进行图示、说明。如图15所示，前方搬入搬出区域221和贮存区域222借助闸阀225相连接，贮存区域222和后方搬入搬出区域223借助闸阀226相连接。另外，构成为分别在前方搬入搬出区域内设置有搬送臂228，在后方搬入搬出区域内设置有搬送臂229，通过闸阀225、闸阀 226，在前方搬入搬出区域221和贮存区域222间以及贮存区域222和后方搬入搬出区域 223之间搬送基板G。另外，在前方搬入搬出区域221和后方搬入搬出区域223的侧面借助闸阀连接有图中没有表示的例如蒸镀处理装置等各种处理装置，基板G在传输模块220和各种处理装置之间被搬送臂228、229搬送。根据该图15所示的传输模块220，也能与上述实施方式一样，在传输模块220的侧面，且在各种处理装置之间形成与贮存区域222对应的间隙。利用这样形成的间隙，能够进行例如各处理装置的清洗、修理等，并且，能够进行掩模M的搬入搬出、清洗、修理等，提高维护性。另外，在各搬入搬出区域221、223和贮存区域222之间设置有闸阀225、226，能够独立地进行各搬入搬出区域221、223和贮存区域222的内部压力的控制。因此，在各搬入搬出区域221、223和被连接在其侧面上的图中没有表示的各种处理装置之间进行基板 G的搬入搬出时，能够有效地进行调压(由于移动基板的装置间的内压调整)，作为基板处理系统，能够实现生产能力的提高。这是由于，基板搬送时必需调节压力的容积，对于图2 的情况是传输模块整体，在图15的情况下，根据闸阀的作用，各搬入搬出区域可以独立地控制内压，由于可以在各搬入搬出区域的容积中进行压力的调整，能大幅度缩短其调压需要的时间。特别是，近年制造面向需求日益高涨的TV等用途的大型面板(例如G6尺寸 1500mmX 1800mm以上)的情况等，由于进行搬送和调压的传输模块的容积大，其中的调压需要极长的时间，有时担忧导致生产效率的降低或生产能力的恶化，但如上所述，通过在各搬入搬出区域的容积进行调压，处理大型基板时，防止生产效率的降低或生产能力的恶化， 在合适的条件下进行基板处理。并且，前方搬入搬出区域221和后方搬入搬出区域223的内压，随与其各自的搬入搬出区域的侧面相连接的处理装置的种类而不同。在这些不同内压的前方搬入搬出区域 221和后方搬入搬出区域223之间搬送基板G时，通过进行贮存区域222中的调压，可以使各搬入搬出区域的内压变化保留到最小限度，缩短调压所需的时间，其结果减少了不能进行基板的搬送或成膜的时间，能够实现系统全体的生产能力的提高。特别是使用在大气压中进行的处理工序需要的处理装置时等，有效地进行大气压和大致真空之间的调压，这是极其有益的。即，实现了各传输模块的调压时间产生较大偏差这样的问题点的改善，防止生产效率的降低。另外，在以上说明中，根据制造有机EL元件A的例子进行了说明，本发明，也能够应用于其他各种电子装置等处理中利用的基板处理系统。成为处理对象的基板G，能够应用玻璃基板、硅基板以及方形、圆形等基板等各种基板。另外，也能够应用于基板以外的被处理体。另外，各处理装置的台数、配置可以任意地变更。产业利用的可能性本发明可以应用于制造例如有机EL元件等的基板处理系统。
权利要求
1.一种基板处理系统，对基板进行处理，由可抽真空的一个或两个以上的传输模块构成直线状的搬送路径， 上述传输模块由将基板相对于处理装置搬入搬出的多个搬入搬出区域和被配置在上述搬入搬出区域之间的一个或两个以上的贮存区域构成， 在上述搬入搬出区域的侧面连接有上述处理装置。
2.根据权利要求1所述的基板处理系统，其特征在于，上述传输模块是其长度方向被沿着上述搬送路径配置的长方体形状。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理系统，其特征在于，上述传输模块构成为借助闸阀连接了多个搬入搬出区域和一个或两个以上的贮存区域。
4.根据权利要求1 3中任意一项所述的基板处理系统，其特征在于，在上述传输模块的内部，对上述各个搬入搬出区域分别设置有搬送臂，在上述贮存区域设置有基板的交换台。
5.根据权利要求1 4中任意一项所述的基板处理系统，其特征在于，在上述传输模块的内部，设置有在上述各个搬入搬出区域和上述贮存区域中可移动的搬送臂。
6.根据权利要求1 5中任意一项所述的基板处理系统，其特征在于， 具备多个上述传输模块，在上述传输模块之间设置有被抽真空的交换室。
7.根据权利要求1 6中任意一项所述的基板处理系统，其特征在于， 是在基板的上面进行成膜的面朝上方式。
8.根据权利要求1 7中任意一项所述的基板处理系统，其特征在于，在上述传输模块的侧面连接有掩模调校器，该掩模调校器使形成为规定图形的掩模重叠在基板上。
9.根据权利要求1 8中任意一项所述的基板处理系统，其特征在于，具备掩模清洗处理装置，该掩模清洗处理装置洗净在基板处理中被使用过的掩模。
10.根据权利要求9所述的基板处理系统，其特征在于，上述掩模清洗处理装置具备清洗气体发生部，该清洗气体发生部通过等离子体的作用使清洗气体活化。
11.根据权利要求9所述的基板处理系统，其特征在于，上述掩模清洗处理装置具备用于收纳掩模的处理容器和被与上述处理容器隔离地设置的清洗气体发生部，在上述清洗气体发生部中，通过等离子体的作用活化后的清洗气体以远程等离子体方式导入到上述处理容器内。
12.根据权利要求11所述的基板处理系统，其特征在于， 上述清洗气体发生部，用顺流等离子体使清洗气体活化。
13.根据权利要求11或12所述的基板处理系统，其特征在于，上述清洗气体发生部构成为利用感应耦合等离子体方式来生成高密度等离子体。
14.根据权利要求11或12所述的基板处理系统，其特征在于， 上述清洗气体发生部构成为利用微波电力生成高密度等离子体。
15.根据权利要求10 14中任意一项所述的基板处理系统，其特征在于，上述清洗气体包括氧自由基、氟自由基、氯自由基中的任意一种。
全文摘要
本发明提供一种能够扩展与传输模块侧面相连接的各种处理装置之间的间隔，维护性优良，可以避免生产能力的恶化，确保充分的生产效率的基板处理系统。基板处理系统在基板上沉积例如包含有机层的多个层来制造有机EL元件，由可抽真空的一个或两个以上的传输模块构成直线状的搬送路径，在传输模块的内部沿着搬送路径相互串联配置有将基板相对于处理装置搬入搬出的多个搬入搬出区域，和配置在它们之间的一个或两个以上贮存区域，在传输模块的侧面且与搬入搬出区域对置的位置连接有处理装置。
文档编号B65G49/06GK102202992SQ20098014349
公开日2011年9月28日 申请日期2009年11月11日 优先权日2008年11月14日
发明者下茂文夫, 八木靖司, 小野裕司, 川上聪, 户部康弘, 松林信次, 林辉幸, 西村优 申请人:东京毅力科创株式会社