本申请是中国专利申请号为201380024196.1，发明名称为“表面处理铜箔及使用其的积层板、铜箔、印刷配线板、电子机器、以及印刷配线板的制造方法”，申请日为2013年04月30日的中国发明专利申请的分案申请。
本发明涉及一种表面处理铜箔及使用其的积层板、铜箔、印刷配线板、电子机器、以及印刷配线板的制造方法，特别涉及一种对蚀刻后铜箔的残余部分的树脂要求透明性方面较佳的表面处理铜箔及使用其的积层板、铜箔、印刷配线板、电子机器、以及印刷配线板的制造方法。
背景技术：
就配线的容易度或轻量性而言，智能手机或平板pc之类的小型电子机器系采用挠性印刷配线板(以下称为fpc(flexibleprintcircuit))。近年来，由于所述电子机器的高功能化，信号传输速度的高速化得以发展，即便在fpc中阻抗匹配亦成为重要的要素。作为针对信号容量增加的阻抗匹配的方法，成为fpc基础的树脂绝缘层(例如聚酰亚胺)的厚层化得以发展。另一方面，fpc实施有在液晶基材的接合或ic晶片的搭载等加工，但此时的对位是介隔通过将铜箔与树脂绝缘层的积层板中的铜箔蚀刻后残留的树脂绝缘层而视认的定位图案进行，故树脂绝缘层的视认性变得重要。
另外，铜箔与树脂绝缘层的积层板即铜箔积层板亦可使用表面实施有粗化镀敷的压延铜箔来制造。该压延铜箔通常是使用精铜(含氧量100～500重量ppm)或无氧铜(含氧量10重量ppm以下)作为原料，将所述的锭热压延后，反复进行冷压延与退火直至规定的厚度而制造。
作为此种技术，例如，专利文献1中揭示有一种铜箔积层板的发明，是将聚酰亚胺膜与低粗糙度铜箔积层而成，铜箔蚀刻后的膜在波长600nm的透光率为40％以上，雾值(haze)为30％以下，且接着强度为500n/m以上。
另外，专利文献2中揭示有一种cof(chip-on-flex)用挠性印刷配线板的发明，其具有积层有利用电解铜箔的导体层的绝缘层，且在蚀刻该导体层而形成电路时蚀刻区域中的绝缘层的透光性为50％以上，其特征在于：上述电解铜箔于绝缘层所接着的接着面具备利用镍-锌合金的防锈处理层，该接着面的表面粗糙度(rz)为0.05～1.5μm，且入射角60°时的镜面光泽度为250以上。
另外，专利文献3中揭示有一种印刷电路用铜箔的处理方法的发明，其特征在于：在印刷电路用铜箔的处理方法中，在铜箔的表面镀敷铜-钴-镍合金而进行粗化处理后，形成钴-镍合金镀层，进而形成锌-镍合金镀层。
[专利文献1]：日本特开2004-98659号公报
[专利文献2]：wo2003/096776
[专利文献3]：日本第2849059号公报。
技术实现要素：
[发明所欲解决的问题]
专利文献1中，黑化处理或镀敷处理后的通过有机处理剂来将接着性进行改进处理而得的低粗糙度铜箔于要求铜箔积层板的可挠性的用途方面，存在因疲劳而断线的情况，且存在树脂透视性差的情形。
另外，专利文献2中，在未进行粗化处理、cof用挠性印刷配线板以外的用途方面，铜箔与树脂的密合强度低而不足。
进而，专利文献3所记载的处理方法中，虽可对铜箔进行利用cu-co-ni的微细处理，但使该铜箔与树脂接着并经蚀刻除去后的树脂无法实现优异的透明性。
本发明提供一种与树脂良好地接着、且经蚀刻除去铜箔后的树脂的透明性优异的表面处理铜箔及使用其的积层板。
[解决问题的技术手段]
本发明人等反复进行锐意研究，结果发现，表面通过粗化处理而形成有粗化粒子的铜箔中，与树脂基板接着一侧的表面平均粗糙度rz、光泽度、及粗化粒子的表面积与自铜箔表面侧俯视粗化粒子时所得面积之比会对经蚀刻除去铜箔后的树脂透明性造成影响。
基于以上的见解而完成的本发明一种形式为一种表面处理铜箔，其铜箔表面通过粗化处理而形成粗化粒子，粗化处理表面的td的平均粗糙度rz为0.20～0.80μm，粗化处理表面的md的60度光泽度为76～350％，上述粗化粒子的表面积a与自上述铜箔表面侧俯视上述粗化粒子时所得面积b之比a/b为1.90～2.40。
在本发明的表面处理铜箔的一实施形式中，上述md的60度光泽度为90～250％。
在本发明的表面处理铜箔的另一实施形式中，上述td的平均粗糙度rz为0.30～0.60μm。
在本发明的表面处理铜箔的又一实施形式中，上述a/b为2.00～2.20。
在本发明的表面处理铜箔的又一实施形式中，粗化处理表面的md的60度光泽度与td的60度光泽度之比c(c＝(md的60度光泽度)/(td的60度光泽度))为0.80～1.40。
在本发明的表面处理铜箔的又一实施形式中，粗化处理表面的md的60度光泽度与td的60度光泽度之比c(c＝(md的60度光泽度)/(td的60度光泽度))为0.90～1.35。
在本发明的表面处理铜箔的又一实施形式中，将上述铜箔自粗化处理表面侧贴合于厚度50μm的树脂基板的两面后，经蚀刻除去上述两面的铜箔时，上述树脂基板的雾值成为20～70％。
本发明另一形式为一种表面处理铜箔，其铜箔表面通过粗化处理而形成粗化粒子，将上述铜箔自粗化处理表面侧贴合于厚度50μm的树脂基板的两面后，经蚀刻除去上述两面的铜箔时，上述树脂基板的雾值为20～70％。
本发明于又一形式为一种积层板，为积层本发明的表面处理铜箔与树脂基板而构成。
本发明于又一形式为一种粗化处理前的铜箔，是用于本发明的表面处理铜箔。
本发明的粗化处理前的铜箔在一实施形式中，md的60度光泽度为500～800％。
本发明于又一形式为一种铜箔，其中，md的60度光泽度为501～800％。
本发明于又一形式为一种印刷配线板，其使用本发明的表面处理铜箔。
本发明于又一形式为一种电子机器，其使用本发明的印刷配线板。
本发明于又一形式为一种连接有2件以上印刷配线板的印刷配线板的制造方法，其连接2件以上本发明的印刷配线板。
本发明于又一形式为一种连接有2件以上印刷配线板的印刷配线板的制造方法，其包含如下步骤：将至少1件本发明的印刷配线板与另一件本发明的印刷配线板或不相当于本发明的印刷配线板的印刷配线板加以连接的步骤。
本发明于又一形式为一种电子机器，其使用1件以上连接有至少1件本发明的印刷配线板的印刷配线板。
本发明于又一形式为一种印刷配线板的制造方法，其至少包含连接本发明的印刷配线板与零件的步骤。
本发明于又一形式为一种连接有2件以上印刷配线板的印刷配线板的制造方法，其至少包含如下步骤：将至少1件本发明的印刷配线板与另一件本发明的印刷配线板或不相当于本发明的印刷配线板的印刷配线板加以连接的步骤；及将本发明的印刷配线板或本发明的连接有2件以上印刷配线板的印刷配线板与零件加以连接的步骤。
[发明的效果]
根据本发明，可提供一种与树脂良好地接着、且经蚀刻除去铜箔后的树脂的透明性优异的表面处理铜箔及使用其的积层板。
附图说明
图1a为rz评价时(a)比较例1的铜箔表面的sem观察照片。
图1b为rz评价时(b)比较例2的铜箔表面的sem观察照片。
图1c为rz评价时(c)比较例3的铜箔表面的sem观察照片。
图1d为rz评价时(d)比较例4的铜箔表面的sem观察照片。
图1e为rz评价时(e)实施例1的铜箔表面的sem观察照片。
图1f为rz评价时(f)实施例2的铜箔表面的sem观察照片。
具体实施方式
[表面处理铜箔的形式及制造方法]
本发明所使用的铜箔对使用通过与树脂基板接着而制作积层体并经蚀刻除去的铜箔而言有用。
本发明所使用的铜箔可为电解铜箔或压延铜箔中任一种。通常，以提高于铜箔的与树脂基板接着的面、即粗化面的积层后铜箔的剥离强度为目的，而实施对脱脂后的铜箔表面进行鼓包状的电镀的粗化处理。电解铜箔在制造时具有凹凸，但通过粗化处理会增强电解铜箔的凸部并进一步增大凹凸。本发明中，该粗化处理可通过镀敷铜-钴-镍合金或镀敷铜-镍-磷合金等进行。会有进行普遍的镀铜等作为粗化前的预处理的情况，亦会有为防止电镀物的脱落而进行普遍的镀铜等作为粗化后的加工处理的情况。亦会有对于压延铜箔与电解铜箔的处理内容稍微不同的情况。本发明中亦包含如上所述的预处理及加工处理、并且视需要而包含与铜箔粗化相关的公知处理，这些总称为粗化处理。
再者，本发明的压延铜箔中亦包含含有ag、sn、in、ti、zn、zr、fe、p、ni、si、te、cr、nb、v等元素的一种以上的铜合金箔。若上述元素的浓度升高(例如合计为10质量％以上)，则存在导电率降低的情况。压延铜箔的导电率较佳为50％iacs以上，更佳为60％iacs以上，进而较佳为80％iacs以上。
粗化处理的镀敷铜-钴-镍合金可通过电解镀敷，以形成如附着量为15～40mg/dm2的铜-100～3000μg/dm2的钴-100～1500μg/dm2的镍的3元系合金层的方式来进行。若co附着量未达100μg/dm2，则存在耐热性变差、蚀刻性变差的情况。若co附着量超过3000μg/dm2，则在必须考虑磁性的影响时会不佳，并且产生蚀刻斑，另外，存在耐酸性及耐化学品性变差的情况。若ni附着量未达100μg/dm2，则存在耐热性变差的情况。另一方面，若ni附着量超过1500μg/dm2，则存在蚀刻残留变多的情况。较佳的co附着量为1000～2500μg/dm2，较佳的镍附着量为500～1200μg/dm2。此处，所谓蚀刻斑，意指在以氯化铜进行蚀刻的情形时，co未溶解而残留的情况，并且，所谓蚀刻残留，意指在以氯化铵进行碱蚀刻的情形时，ni未溶解而残留的情况。
用于形成此种镀敷3元系铜-钴-镍合金的一般的浴及镀敷条件之一例如下所述：
镀浴组成：cu10～20g/l、co1～10g/l、ni1～10g/l
ph：1～4
温度：30～50℃
电流密度dk：20～30a/dm2
镀敷时间：1～5秒
粗化处理后，可在粗化面上形成附着量为钴200～3000μg/dm2-镍100～700μg/dm2的钴-镍合金镀层。广义而言，该处理可视为一种防锈处理。该钴-镍合金镀层需进行到实质上不降低铜箔与基板的接着强度的程度。若钴附着量未达200μg/dm2，则存在耐热剥离强度降低、耐氧化性及耐化学品性变差的情况。另外，作为另一理由，若钴量较少，则处理表面会泛红，故而欠佳。若钴附着量超过3000μg/dm2，则在必须考虑磁性的影响时会不佳，并且存在产生蚀刻斑的情况，另外，存在耐酸性及耐化学品性变差的情况。较佳的钴附着量为500～2500μg/dm2。另一方面，若镍附着量未达100μg/dm2，则存在耐热剥离强度降低、耐氧化性及耐化学品性变差的情况。若镍超过1300μg/dm2，则碱蚀刻性变差。较佳的镍附着量为200～1200μg/dm2。
另外，镀敷钴-镍合金的条件的一例如下所述：
镀浴组成：co1～20g/l、ni1～20g/l
ph：1.5～3.5
温度：30～80℃
电流密度dk：1.0～20.0a/dm2
镀敷时间：0.5～4秒
根据本发明，可在镀钴-镍合金上进而形成附着量为30～250μg/dm2的镀锌层。若锌附着量未达30μg/dm2，则存在耐热劣化率改善效果消失的情况。另一方面，若锌附着量超过250μg/dm2，则存在耐盐酸劣化率变得极差的情况。锌附着量较佳为30～240μg/dm2，更佳为80～220μg/dm2。
上述镀锌的条件的一例如下所述：
镀浴组成：zn100～300g/l
ph：3～4
温度：50～60℃
电流密度dk：0.1～0.5a/dm2
镀敷时间：1～3秒
再者，亦可形成镀锌-镍合金等锌合金镀层来代替镀锌层，进而在最表面亦可通过铬酸盐处理或硅烷偶联剂的涂布等形成防锈层。
[表面粗糙度rz]
本发明的表面处理铜箔在铜箔表面通过粗化处理而形成粗化粒子，且粗化处理表面的td的平均粗糙度rz为0.20～0.80μm。通过此种构成，剥离强度升高而与树脂良好地接着，且经蚀刻除去铜箔后的树脂的浑浊程度(雾值)会减小，透明性升高。结果介隔通过该树脂而视认的定位图案进行的ic晶片搭载时的对位等会变得容易。若td的平均粗糙度rz未达0.20μm，则对用以制造超平滑的铜箔的制造成本产生担心。另一方面，若td的平均粗糙度rz超过0.80μm，则经蚀刻除去铜箔后的树脂表面的凹凸增大，其结果，树脂的雾值增大。粗化处理表面的td的平均粗糙度rz较佳为0.30～0.70μm，更佳为0.35～0.60μm，进而更佳为0.35～0.55μm，进而更佳为0.35～0.50μm。
再者，在将本发明的表面处理铜箔用于需减小rz的用途时，粗化处理表面的td的平均粗糙度rz较佳为0.20～0.70μm，更佳为0.25～0.60μm，进而更佳为0.30～0.55μm，进而更佳为0.30～0.50μm。
[光泽度]
表面处理铜箔的粗化面在压延方向(md)的入射角60度的光泽度会对上述树脂的雾值造成较大影响。即，粗化面的光泽度越大的铜箔，上述树脂的雾值越小。因此，本发明的表面处理铜箔的粗化面的光泽度为76～350％，较佳为80～350％，更佳为90～300％，更佳为90～250％，更佳为100～250％。
此处，为了进一步提高本发明的视认性效果，预先控制表面处理前铜箔的处理侧表面的td的粗糙度(rz)及光泽度方面亦为重要。具体而言，表面处理前铜箔的td的表面粗糙度(rz)为0.30～0.80μm，较佳为0.30～0.50μm，在压延方向(md)的入射角60度的光泽度为350～800％，较佳为500～800％，进而若使电流密度高于先前的粗化处理而缩短粗化处理时间，则进行表面处理后的表面处理铜箔在压延方向(md)的入射角60度的光泽度成为76～350％。作为此种铜箔，可通过调整压延油的油膜当量来进行压延(高光泽压延)、或通过如化学蚀刻的化学研磨或磷酸溶液中的电解研磨来制作。如上所述，通过将处理前铜箔的td的表面粗糙度(rz)与光泽度设于上述范围内，可容易控制处理后的铜箔的表面粗糙度(rz)及表面积。
再者，在欲进一步减小表面处理后的表面粗糙度(rz)、(例如rz＝0.20μm)的情形时，使表面处理前铜箔的处理侧表面的td的粗糙度(rz)成为0.18～0.80μm，较佳为0.25～0.50μm，在压延方向(md)的入射角60度的光泽度为350～800％，较佳为500～800％，进而使电流密度高于先前的粗化处理而缩短粗化处理时间。
另外，粗化处理前的铜箔较佳为md的60度光泽度为500～800％，更佳为501～800％，进而更佳为510～750％。若粗化处理前铜箔的md的60度光泽度未达500％，则雾值会有比500％以上时来得高的顾虑，若超过800％，则有产生难以制造的问题的顾虑。
再者，高光泽压延可通过将以下公式所规定的油膜当量设为13000以上～24000以下而进行。再者，在欲进一步减小表面处理后的表面粗糙度(rz)、(例如rz＝0.20μm)的情形时，通过将以下公式所规定的油膜当量设为12000以上～24000以下来进行高光泽压延。
油膜当量＝{(压延油粘度[cst])×(通过速度[mpm]+辊周速度[mpm])}/{(辊的咬入角[rad])×(材料的降伏应力[kg/mm2])}
压延油粘度[cst]为40℃下的动粘度。
为将油膜当量设为12000～24000，使用利用低粘度的压延油、或减慢通过速度等公知的方法即可。
化学研磨是利用硫酸-过氧化氢-水系或氨-过氧化氢-水系等蚀刻液，使浓度低于通常情况，历经长时间而进行。
粗化处理表面的md的60度光泽度与td的60度光泽度之比c(c＝(md的60度光泽度)/(td的60度光泽度))较佳为0.80～1.40。若粗化处理表面的md的60度光泽度与td的60度光泽度之比c未达0.80，则雾值会有比0.80以上时来得高的顾虑。另外，若该比c超过1.40，则雾值会有比1.40以下时来得高的顾虑。该比c更佳为0.90～1.35，进而更佳为1.00～1.30。
[雾值]
如上所述，为控制粗化处理表面的平均粗糙度rz及光泽度，将本发明的表面处理铜箔贴合于树脂基板后，减小经除去铜箔部分的树脂基板的雾值。此处，雾值(％)是通过(漫透射率)/(总透光率)×100所算出的值。具体而言，将本发明的表面处理铜箔自粗化处理表面侧贴合于厚度50μm的树脂基板两面后，在经蚀刻除去该铜箔时，树脂基板的雾值较佳为20～70％，更佳为30～55％。
[粒子的表面积]
粗化粒子的表面积a与自铜箔表面侧俯视粗化粒子时所得的面积b之比a/b会对上述的树脂的雾值造成较大影响。即，若表面粗糙度rz相同，则比a/b越小的铜箔，上述树脂的雾值越小。因此，本发明的表面处理铜箔的该比a/b为1.90～2.40，较佳为2.00～2.20。
通过控制粒子形成时的电流密度与镀敷时间，可确定粒子的形态或形成密度，并且控制上述表面粗糙度rz、光泽度及粒子的面积比a/b。
以上述方式，将本发明的表面处理铜箔的粗化粒子的表面积a与自铜箔表面侧俯视粗化粒子时所得的面积b之比a/b控制于1.90～2.40内，表面的凹凸会较大。另外，由于将粗化处理表面的td的平均粗糙度rz控制于0.20～0.80μm内，故表面不存在极粗的部分。另一方面，粗化处理表面的光泽度较高而为76～350％。若考虑这些，则会明了本发明的表面处理铜箔将粗化处理表面中的粗化粒子的粒径控制为较小。该粗化粒子的粒径会对蚀刻除去铜箔后的树脂透明性造成影响，但本发明的表面处理铜箔以上述方式将与树脂基板接着一侧的表面平均粗糙度rz、光泽度、及粗化粒子的表面积与自铜箔表面侧俯视粗化粒子时所得的面积比控制于本发明的范围，意指使粗化粒子的粒径减小而在适当的范围，因此蚀刻除去铜箔后的树脂透明性变得良好，且剥离强度亦变得良好。
[蚀刻因数]
在使用铜箔形成电路时的蚀刻因数值较大时，由于蚀刻时产生的电路底部的裙状部分变小，故可缩窄电路间的空间。因此，蚀刻因数的值较大者适于利用精细图案的电路形成，故而较佳。本发明的表面处理铜箔例如蚀刻因数的值较佳为1.8以上，更佳为2.0以上，进而更佳为2.2以上，进而更佳为2.3以上，进而更佳为2.4以上。
再者，印刷配线板或铜箔积层板中，通过溶解树脂而除去，关于铜电路或铜箔表面，可测定上述表面粗糙度(rz)、粒子的面积比(a/b)及光泽度。
[传输损耗]
在传输损耗小时，为抑制以高频进行信号传输时的信号的衰减，可在以高频进行信号传输的电路中进行稳定的信号传输。因此，传输损耗的值较小者适用于以高频进行信号的传输的电路用途，故而较佳。在将表面处理铜箔与市售的液晶聚合物树脂(kuraray(股)制造的vecstarctz-50μm)贴合后，通过蚀刻以特性阻抗达到50ω的方式形成微带(microstrip)线路，使用hp公司制造的网路分析仪(networkanalyzer)hp8720c测定透射系数，求出在频率20ghz及频率40ghz下的传输损耗时，频率20ghz下的传输损耗较佳为未达5.0db/10cm，更佳为未达4.1db/10cm，进而更佳为未达3.7db/10cm。
可将本发明的表面处理铜箔自粗化处理面侧贴合于树脂基板以制造积层体。树脂基板只要为具有可适用于印刷配线板等的特性，则并不受特别限制，例如刚性pwb(printedwireboard)用可使用纸基材酚树脂、纸基材环氧树脂、合成纤维布基材环氧树脂、玻璃布-纸复合基材环氧树脂、玻璃布-玻璃无纺布复合基材环氧树脂及玻璃布基材环氧树脂等，fpc用可使用聚酯膜或聚酰亚胺膜、液晶聚合物(lcp)膜、氟树脂等。再者，在使用液晶聚合物(lcp)膜或氟树脂膜的情形时，与使用聚酰亚胺膜的情形相比，有该膜与表面处理铜箔的剥离强度变小的倾向。因此，在使用液晶聚合物(lcp)膜或氟树脂膜的情形时，形成铜电路后通过以覆盖层覆盖铜电路，可使该膜与铜电路难以剥离，防止因剥离强度的降低导致的该膜与铜电路的剥离。
再者，由于液晶聚合物(lcp)膜或氟树脂膜的介电损耗正切小，故使用液晶聚合物(lcp)膜或氟树脂膜与本发明的表面处理铜箔的铜箔积层板、印刷配线板、印刷电路板适用于高频电路(以高频进行信号传输的电路)用途。另外，本发明的表面处理铜箔的表面粗糙度rz小，光泽度高，故表面较为平滑，亦适用于高频电路用途。
关于贴合的方法，在为刚性pwb用的情形时，准备使树脂含浸于玻璃布等基材中、将树脂硬化至半硬化状态而成的预浸体。可通过自被覆层相反侧的面使铜箔重叠于预浸体上并加热加压来进行。在为fpc的情形时，可经由接着剂、或不使用接着剂而于高温高压下使铜箔积层接着于聚酰亚胺膜等基材上，或涂布聚酰亚胺前驱物并将其干燥、硬化等，由此可制造积层板。
本发明的积层体可用于各种印刷配线板(pwb)，并无特别限制，例如，就导体图案的层数的观点而言，可应用于单面pwb、两面pwb、多层pwb(3层以上)，就绝缘基板材料的种类的观点而言，可应用于刚性pwb、挠性pwb(fpc)、刚性-挠性pwb。
[积层板及使用其的印刷配线板的定位方法]
对进行本发明的表面处理铜箔与树脂基板的积层板的定位方法进行说明。首先，准备表面处理铜箔与树脂基板的积层板。作为本发明的表面处理铜箔与树脂基板的积层板的具体例，可列举以如下方法制作的积层板：由本体基板、附属的电路基板以及用于将所述电性连接的聚酰亚胺等树脂基板的至少一个表面形成有铜配线的挠性印刷基板构成的电子机器中，准确地定位挠性印刷基板并将其压接于该本体基板及附属的电路基板的配线端部。即，若为该情形，则积层板成为通过压接将挠性印刷基板及本体基板的配线端部贴合而成的积层体，或通过压接将挠性印刷基板及电路基板的配线端部贴合而成的积层板。积层板具有由该铜配线的一部分或其他材料形成的标记。关于标记的位置，只要为利用ccd摄影机(charge-coupleddevicecamera，电荷耦合摄影机)等摄影手段可隔着构成该积层板的树脂而进行摄影的位置，则并无特别限定。此处，所谓标记，是指用于检测积层板或印刷配线板等的位置、或进行定位、或进行对位的记号。
在以上述方式准备的积层板中，若隔着树脂利用摄影手段对上述标记进行摄影，则可良好地检测出上述标记的位置。并且，以上述方式检测出上述标记的位置，可基于上述检测出的标记位置而良好地进行表面处理铜箔与树脂基板的积层板的定位。另外，使用印刷配线板作为积层板的情形亦相同，通过此种定位方法，摄影手段能良好地检测出标记的位置，并且更准确地进行印刷配线板的定位。
因此，一般认为，在连接一件印刷配线板与另一件印刷配线板时，连接不良会降低且良率提高。再者，作为连接一件印刷配线板与另一件印刷配线板的方法，可使用经由焊接或异向性导电膜(anisotropicconductivefilm，acf)的连接、经由异向性导电糊(anisotropicconductivepaste，acp)的连接或经由具有导电性的接着剂的连接等公知的连接方法。再者，本发明中，“印刷配线板”中亦包含安装有零件的印刷配线板、印刷电路板及印刷基板。另外，可连接2件以上本发明的印刷配线板而制造连接有2件以上印刷配线板的印刷配线板，另外，可连接至少1件本发明的印刷配线板与另一件本发明的印刷配线板或不相当于本发明的印刷配线板的印刷配线板，使用此种印刷配线板亦可制造电子机器。再者，本发明中，“铜电路”中亦包含铜配线。进而，亦可将本发明的印刷配线板与零件连接而制造印刷配线板。另外，连接至少1件本发明的印刷配线板与另一件本发明的印刷配线板或不相当于本发明的印刷配线板的印刷配线板，进而，将本发明的连接有2件以上印刷配线板的印刷配线板与零件连接，由此亦可制造连接有2件以上印刷配线板的印刷配线板。此处，作为“零件”，可列举：连接器或lcd(liquidcrystaldisplay)、用于lcd的玻璃基板等电子零件，包含ic(integratedcircuit)、lsi(largescaleintegratedcircuit)、vlsi(verylargescaleintegratedcircuit)、ulsi(ultra-largescaleintegration)等半导体集成电路的电子零件(例如ic晶片、lsi晶片、vlsi晶片、ulsi晶片)，用于遮罩电子电路的零件及于印刷配线板上固定外罩等所必需的零件等。
再者，本发明的实施形式的定位方法亦可包含使积层板(包含铜箔与树脂基板的积层板或印刷配线板)移动的步骤。移动步骤中例如可通过带式输送机或链式输送机等输送机使其移动，亦可通过具备臂机构的移动装置使其移动，亦可通过使用气体使积层板悬浮而使其移动的移动装置或移动手段来使其移动，亦可通过使略呈圆筒形等物体旋转而使积层板移动的移动装置或移动手段(包含辊或轴承等)、以油压作为动力源的移动装置或移动手段、以气压作为动力源的移动装置或移动手段、以马达作为动力源的移动装置或移动手段、具有支架(gantry)移动型线性导轨载台(linearguidestage)、支架移动型空气导轨载台(airguidestage)、堆叠式(stackstyle)线性导轨载台、线性马达驱动载台等载台的移动装置或移动手段等来使其移动。另外，亦可通过公知的移动设备进行移动步骤。上述使积层板移动的步骤中，可使积层板移动而进行对位。并且认为，通过进行对位，在连接一件印刷配线板与另一件印刷配线板或零件时，连接不良得以降低并且良率得以提高。
再者，本发明的实施形式的定位方法亦可用于表面构装机或晶片贴片机(chipmounter)。
另外，本发明中所定位的表面处理铜箔与树脂基板的积层板可为具有树脂板及设置于上述树脂板之上的电路的印刷配线板。另外，在该情形时，上述标记亦可为上述电路。
本发明中所谓“定位”包含“检测标记或物体的位置”。另外，本发明中，所谓“对位”，包含“在检测出标记或物体的位置后，基于上述检测出的位置，将该标记或物体移动至规定的位置”。
[实施例]
作为实施例1～24及比较例1～13，准备各种铜箔，在表1～8所记载的条件下对其中一个表面进行作为粗化处理的镀敷处理。
进行上述粗化镀敷处理后，对实施例1～13、15～20、22～24、比较例2、4、7～10进行以下的用于形成耐热层及防锈层的镀敷处理。
耐热层1的形成条件如以下所示。
液体组成：镍5～20g/l、钴1～8g/l
ph：2～3
液温：40～60℃
电流密度：5～20a/dm2
库仑量：10～20as/dm2
在已施加上述耐热层1的铜箔上形成耐热层2。对于比较例3、5、6，不进行粗化镀敷处理，在所准备的铜箔直接形成该耐热层2。耐热层2的形成条件如以下所示。
液体组成：镍2～30g/l、锌2～30g/l
ph：3～4
液温：30～50℃
电流密度：1～2a/dm2
库仑量：1～2as/dm2
在已施加上述耐热层1及2的铜箔上进而形成防锈层。防锈层的形成条件如以下所示。
液体组成：重铬酸钾1～10g/l、锌0～5g/l
ph：3～4
液温：50～60℃
电流密度：0～2a/dm2(用于浸渍铬酸盐处理)
库仑量：0～2as/dm2(用于浸渍铬酸盐处理)
在已施加上述耐热层1、2及防锈层的铜箔上进而形成耐候性层。形成条件如以下所示。
作为具有胺基的硅烷偶联剂，使用n-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基硅烷(实施例17)、n-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基三乙氧基硅烷(实施例1～13、15、16、24)、n-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基甲基二甲氧基硅烷(实施例18)、3-胺基丙基三甲氧基硅烷(实施例19)、3-胺基丙基三乙氧基硅烷(实施例20)、3-三乙氧基硅烷基-n-(1,3-二甲基-亚丁基)丙胺(实施例22)、n-苯基-3-胺基丙基三甲氧基硅烷(实施例23)，进行涂布、干燥，从而形成耐候性层。亦可将所述硅烷偶联剂组合2种以上而使用。
再者，压延铜箔是以如下的方式制造。制造如表9所示的组成的铜锭并进行热压延后，反复进行300～800℃的连续退火系列的退火与冷压延而获得1～2mm厚的压延板。以300～800℃的连续退火系列对该压延板进行退火并使其再结晶，进行最终冷压延直至表9的厚度，从而获得铜箔。表9的“种类”一栏的“精铜”表示jish3100c1100所规定的精铜，“无氧铜”表示jish3100c1020所规定的无氧铜。另外，“精铜+ag：100ppm”是指于精铜中添加100质量ppm的ag。
电解铜箔使用jx日鉱日石金属公司制造的电解铜箔hlp箔。在进行电解研磨的情形时，记载电解研磨后的板厚。
再者，表9中记载有表面处理前的铜箔制作步骤的重点。“高光泽压延”是指以记载的油膜当量的值进行最终的冷压延(最终的再结晶退火后的冷压延)。“通常压延”是指以记载的油膜当量的值进行最终的冷压延(最终的再结晶退火后的冷压延)。“化学研磨”、“电解研磨”是指在以下的条件下进行。
“化学研磨”是使用h2so4为1～3质量％、h2o2为0.05～0.15质量％、剩余部分为水的蚀刻液，研磨时间设为1小时。
“电解研磨”是在磷酸67％+硫酸10％+水23％的条件下，以电压10v/cm2、表9所记载的时间(若进行10秒的电解研磨，则研磨量成为1～2μm)进行。
对于以上述方式制作的实施例及比较例的各样品，按以下所述进行各种评价。
(1)表面粗糙度(rz)的测定；
使用小阪研究所股份有限公司制造的接触粗糙度计surfcorderse-3c，按照jisb0601-1994，测定粗化面的十点平均粗糙度。在测定基准长度0.8mm、评价长度4mm、截断值0.25mm、进给速度0.1mm/s的条件下以与压延方向垂直的方式(沿td，在为电解铜箔的情形时为垂直于通箔方向的方式)改变测定位置进行10次，求出10次的测定而得的值。
再者，对于表面处理前的铜箔，亦以相同的方式求出表面粗糙度(rz)。
(2)粒子的面积比(a/b)；
粗化粒子的表面积是使用利用镭射显微镜的测定方法。使用keyence股份有限公司制造的镭射显微镜vk8500，测定粗化处理面的倍率2000倍时相当于100×100μm的面积b(活数据为9982.52μm2)中的三次元表面积a，通过三次元表面积a÷二次元表面积b＝面积比(a/b)的方法进行设定。
(3)光泽度；
使用依据jisz8741的日本电色工业股份有限公司制造的光泽度计手持式光泽计pg-1，在压延方向(md，为电解铜箔的情形时为通箔方向)及与压延方向呈直角的方向(td，为电解铜箔时为与通箔方向呈直角的方向)的各自的入射角60度下对粗化面进行测定。
再者，对于表面处理前的铜箔，亦以相同的方式求出光泽度。
(4)雾值；
将铜箔贴合于附有层压用热硬化性接着剂的聚酰亚胺膜(厚度50μm，宇部兴产制造的upilex)的两面，并且经蚀刻(氯化铁水溶液)除去铜箔而制成样品膜。使用依据jisk7136(2000)的村上色彩技术研究所制造的雾度计hm-150，测定样品膜的雾值。
(5)视认性(树脂透明性)；
将铜箔贴合于附有层压用热硬化性接着剂的聚酰亚胺膜(厚度50μm，宇部兴产制造的upilex)的两面，并且经蚀刻(氯化铁水溶液)除去铜箔而制成样品膜。在所得的树脂层的一面贴附印刷物(直径6cm的黑色圆)，自相反面隔着树脂层判定印刷物的视认性。印刷物的黑色圆的轮廓清晰可见圆周的90％以上的长度者评价为「◎」，黑色的圆的轮廓清晰可见圆周的80％以上且未达90％的长度者评价为「○」(以上合格)，黑色的圆的轮廓清晰可见圆周的0～未达80％的长度者及轮廓变形者评价为「×」(不合格)。
(6)剥离强度(接着强度)；
依据pc-tm-650，通过拉伸试验机autograph100测定常态剥离强度，以上述常态剥离强度为0.7n/mm以上作为可用于积层基板用途。
(7)焊料耐热评价；
将铜箔贴合于附有层压用热硬化性接着剂的聚酰亚胺膜(厚度50μm，宇部兴产制造的upilex)的两面。对于所得的两面的积层板，制成依据jisc6471的附体试片(testcoupon)。将所制成的附体试片在85℃、85％rh的高温高湿下暴露48小时后，使其漂浮于300℃的焊料槽中，对焊料耐热特性进行评价。在焊料耐热试验后，将在铜箔粗化处理面与聚酰亚胺树脂接着面的界面，附体试片中的铜箔面积的5％以上的面积因膨胀界面发生变色者评价为×(不合格)，将未达5％的面积的膨胀变色的情形评价为○，将完全未发生膨胀变色者评价为◎。
(8)由蚀刻形成的电路形状(精细图案特性)
将铜箔贴合于附有层压用热硬化性接着剂的聚酰亚胺膜(厚度50μm，宇部兴产制造的upilex)的两面。为形成精细图案电路，需使铜箔厚度变得相同，此处以12μm铜箔厚度作为基准。即，在厚度厚于12μm的情形时，通过电解研磨使厚度减少至12μm。另一方面，在厚度薄于12μm的情形时，通过镀铜处理使厚度增加至12μm。对于所得的两面的积层板的单面侧，通过在积层板的铜箔光泽面侧涂布感光性光阻剂及曝光步骤而印刷精细图案电路，在下述条件下对铜箔的不要部分进行蚀刻处理，而形成l/s＝20/20μm的精细图案电路。此处电路宽度设为电路剖面的底部宽度(bottomwidth)达到20μm。
(蚀刻条件)
装置：喷雾式小型蚀刻装置
喷雾压：0.2mpa
蚀刻液：氯化铁水溶液(比重40波美)
液温度：50℃
在形成精细图案电路后，使其浸渍于45℃的naoh水溶液1分钟而剥离感光性光阻剂膜。
(9)蚀刻因数(ef)的算出
对于以上述方式获得的精细图案电路样品，使用hitachihigh-technologies公司制造的扫描式电子显微镜照片s4700，在2000倍的倍率下自电路上部进行观察，测定电路上部的顶部宽度(topwidth，wa)与电路底部的最低宽度(wb)。铜箔厚度(t)设为12μm。蚀刻因数(ef)通过下式而算出。
蚀刻因数(ef)＝(2×t)/(wb－wa)
(10)传输损耗的测定
对于18μm厚的各样品，使其与市售的液晶聚合物树脂(kuraray(股)制造的vecstarctz-50μm)贴合后，通过蚀刻以特性阻抗达到50ω的方式形成微带线路，使用hp公司制造的网路分析仪hp8720c测定透射系数，求出在频率20ghz及频率40ghz下的传输损耗。作为频率20ghz下的传输损耗的评价，将未达3.7db/10cm者评价为◎，将3.7db/10cm以上且未达4.1db/10cm者评价为○，将4.1db/10cm以上且未达5.0db/10cm者评价为△，将5.0db/10cm以上者评价为×。
将上述各试验的条件及评价示于表1～10。
[表1]
[表2]
[表3]
[表4]
[表5]
[表6]
[表7]
[表8]
[表9]
[表10]
[评价结果]
实施例1～24的雾值、视认性及剥离强度均为良好。另外，焊料耐热评价亦良好。
比较例1～2、4、7～11、13的雾值显著较高，表面粗糙度亦较大，故视认性不良。
比较例3、5、6、12的视认性虽然优异，但剥离强度不足，基板密合性不良。另外，比较例1～13的焊料耐热评价不良。
另外，实施例5与实施例15的rz、md的60度光泽度、表面积比a/b为大致相同的值，但实施例5的粗化处理表面的md的60度光泽度与td的60度光泽度之比c的值为0.84，处于0.80～1.40的范围内，故雾值会小于c的值为0.75、处于0.80～1.40的范围外的实施例15。
基于同样的理由，实施例16的雾值会小于实施例17。
图1a-图1f分别表示上述rz评价时的(a)比较例1、(b)比较例2、(c)比较例3、(d)比较例4、(e)实施例1、(f)实施例2的铜箔表面的sem观察照片。