专利名称：非挥发性存储器及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体元件及其制造方法，特别是涉及一种非挥发性存储器及其制造方法。
背景技术：
在各种非挥发性存储器产品中，具有可进行多次数据的存入、读取、抹除等动作，且存入的数据在断电后也不会消失的优点的可电抹除且可编程只读存储器(EEPROM)，已成为个人计算机和电子设备所广泛采用的一种存储器元件。
典型的可电抹除且可编程只读存储器是以掺杂多晶硅(polysilicon)制作浮置栅极(floating gate)与控制栅极(control gate)。而且，为了避免典型的可电抹除且可程序只读存储器在抹除时，因过度抹除现象太过严重，而导致数据的误判的问题。而在控制栅极与浮置栅极侧壁、基底上方另设一个以掺杂多晶硅制作的选择栅极(select gate)，亦即在记忆单元的一侧设置一个选择晶体管。
然而，当将上述具有选择栅极结构的非挥发性存储器制作成与非门(NAND)型阵列时，选择栅极的宽度是由两相邻控制栅极之间的间隙减去间隙壁(约200～300埃)的厚度来决定的。因此，在相同线/间隙(line/space)的间距下，选择栅极的宽度会小于控制栅极的宽度。于是，在半导体元件的集成度持续提高的趋势下，就会造成选择栅极的电阻太高及因反窄宽度效应(reverse narrow width effect)(硼外扩散更为严重)及短通道效应而难以使选择栅极晶体管具有高启始值电压的问题。亦即，只使用注入配置无法得到具有高启始值电压的选择晶体管。于是，存储器的操作速度会变慢、而无法提升元件效能。
另一方面，由于选择栅极及控制栅极的材料通常是选用掺杂多晶硅或多晶硅化金属(polycide)，因此随着元件集成度增加，对于栅极而言，掺杂多晶硅及硅化钨的串联电阻太大。虽然，业界亦有选用低电阻材料如钨/氮化钨、钨/氮化钛等取代掺杂多晶硅或多晶硅化金属，然而其会大大的改变元件的特性及元件的制造工艺。
发明内容
有鉴于此，本发明的一个目的为提供一种非挥发性存储器及其制造方法，可以降低选择栅极的电阻，并提高选择晶体管的启始值电压。
本发明的另一目的为提供一种非挥发性存储器及其制造方法，可以提高元件集成度及元件效能。
本发明提供一种非挥发性存储器的制造方法，此方法为先提供基底，并于此基底上形成多个堆栈栅极结构，各个堆栈栅极结构由基底起依序为穿隧介电层、浮置栅极、第一栅间介电层、控制栅极、顶盖层与第一间隙壁。于基底中形成源极区，此源极区位于最外侧的堆栈栅极结构一侧的基底中。然后，于基底上形成第二栅间介电层，并于堆栈栅极结构的一侧形成多个选择栅极，且这些选择栅极将各堆栈栅极结构串接在一起，形成一存储单元列，这些选择栅极的材料包括多晶硅。接着，于基底上形成绝缘层，并移除部分绝缘层以于存储单元列的侧壁形成第二间隙壁。于基底中形成漏极区，此漏极区位于存储单元列中最外侧的选择栅极一侧的基底中。然后，进行一金属硅化物制造工艺，以使整个选择栅极的材料由掺杂多晶硅转变成金属硅化物。
在上述之非挥发性存储器的制造方法中，栅极堆栈结构的形成步骤依序于基底上形成第一介电层、第一导体层、第二介电层、第二导体层与第三介电层。然后，图案化第三介电层及第二导体层，以形成顶盖层及控制栅极，并于顶盖层及控制栅极的侧壁形成第一间隙壁。之后，图案化第二介电层、第一导体层、第一介电层以形成第一栅间介电层、浮置栅极与穿隧介电层。
在上述的非挥发性存储器的制造方法中，进行金属硅化物制造工艺，以使选择栅极的材料由掺杂多晶硅转变成金属硅化物的步骤先于基底上形成盖层。然后，图案化此盖层以暴露出选择栅极。接着，于基底上形成金属层，并进行退火制造工艺，使金属层与选择栅极的材料反应形成金属硅化物。之后，移除未参与硅化反应的剩余金属层。
本发明藉由使选择栅极的材料由多晶硅转变成金属硅化物(硅化镍)，因此可以降低选择栅极的片电阻。而且，还可以在使选择栅极的材料由掺杂多晶硅变成金属硅化物(硅化镍)之前，藉由调整掺杂多晶硅中掺杂剂的浓度，而使选择晶体管具有较高的启始值电压。此外，上述的非挥发性存储器的制造方法可以与互补式金氧半导体(CMOS)制造工艺相配合，而不需要对制造工艺作很大的变更。
本发明提供一种非挥发性存储器的制造方法，此方法为先提供基底，并于此基底上形成多个堆栈栅极结构，各个堆栈栅极结构由基底起依序为穿隧介电层、浮置栅极、第一栅间介电层、控制栅极、顶盖层，控制栅极的材料包括掺杂多晶硅。于基底中形成源极区，此源极区位于最外侧的堆栈栅极结构一侧的基底中。然后，于基底上形成第二栅间介电层，并于堆栈栅极结构的一侧形成多个选择栅极，且这些选择栅极将各堆栈栅极结构串接在一起，形成一存储单元列，这些选择栅极的材料包括多晶硅。接着，于基底上形成一绝缘层，并移除部分绝缘层以于该存储单元列的侧壁形成一间隙壁。于此基底上形成盖层后，图案化此盖层以暴露出选择栅极、部分第二栅间介电层。接着，移除部分第二栅间介电层及顶盖层以形成分别暴露控制栅极的开口。之后，进行金属硅化物制造工艺，以使选择栅极、控制栅极的材料由多晶硅转变成金属硅化物。
本发明藉由使控制栅极及选择栅极的材料由多晶硅转变成金属硅化物(硅化镍)，因此可以降低控制栅极及选择栅极的片电阻。而且，还可以在使控制栅极及选择栅极的材料由掺杂多晶硅变成金属硅化物(硅化镍)之前，藉由调整掺杂多晶硅中掺杂剂的浓度，而使选择晶体管具有较高的启始值电压。此外，本发明的非挥发性存储器的制造方法可以互补式金氧半导体(CMOS)制造工艺相配合，而不需要对制造工艺作很大的变更。
本发明提供一种非挥发性存储器，此非挥发性存储器包括基底、多个堆栈栅极结构、多个选择栅极、第二栅间介电层。多个堆栈栅极结构，设置于基底上，各个堆栈栅极结构从基底起依序为穿隧介电层、浮置栅极、第一栅间介电层与控制栅极。多个选择栅极，分别设置于各个堆栈栅极结构的一侧壁，而将各个堆栈栅极结构串接在一起成一存储单元列。第二栅间介电层，设置于堆栈栅极结构与选择栅极之间。其中选择栅极的材料包括金属硅化物。
本发明采用金属硅化物制作选择栅极及/或控制栅极，因此可以降低选择栅极及/或控制栅极的片电阻，进而提高元件效能。而且，还可以在使控制栅极及选择栅极的材料由掺杂多晶硅变成金属硅化物之前，藉由调整掺杂多晶硅中掺杂剂的浓度，而使选择晶体管具有较高的启始值电压。
为让本发明的上述目的、特征、和优点能更明显易懂，以下配合附图以及优选实施例，以更详细地说明本发明。
图1A至图1I为绘示本发明的一优选实施例的非挥发性存储器的制造流程剖面图。
图2A至图2C为绘示本发明的另一优选实施例的非挥发性存储器的制造流程剖面图。
简单符号说明100基底102、106、110介电层102a穿隧介电层104、108、104a、108a、118e导体层116栅间介电层108b掺杂多晶硅层108c金属硅化物层110a顶盖层112、120a、122间隙壁114a～114d堆栈栅极结构115源极区118a～118d选择栅极117掩模层119存储单元列120绝缘层124开口126漏极区128盖层130金属层132层间介电层
134插塞136导线具体实施方式
首先，说明本发明的一优选实施例的非挥发性存储器的制造方法。图1A至图1I为绘示本发明的一优选实施例的非挥发性存储器的制造流程剖面图。而且，图1A至图1I只针对有源区上的制造工艺剖面做说明。
首先请参照图1A，提供基底100，此基底100例如是硅基底。然后，于此基底100表面形成一层介电层102，此介电层102的材料例如是氧化硅，介电层102的形成方法例如是热氧化法。
接着，于介电层102上形成一层导体层104，其材料例如是掺杂的多晶硅，此导体层104的形成方法例如是利用化学气相沉积法形成一层未掺杂多晶硅层后，进行离子注入步骤以形成之。
然后，于导体层104上形成一层介电层106。介电层106的材料例如是氧化硅/氮化硅/氧化硅等。此介电层106的形成步骤例如是先以热氧化法形成一层氧化硅层后，利用化学气相沉积法形成氮化硅层，接着再用湿氢/氧气(H2/O2gas)去氧化部分氮化硅层而形成另一层氧化硅层。当然，介电层106的材料也可以是氧化硅层、氧化硅/氮化硅等。
接着，于基底100上形成另一层导体层108。导体层108的材料例如是掺杂的多晶硅，导体层108的形成方法例如利用化学气相沉积法形成一层未掺杂多晶硅后，进行离子注入步骤以形成之，或者是以临场(In-Situ)掺杂离子的方式，利用化学气相沉积法以形成之。然后，于导体层108上形成一层介电层110，介电层110的材料例如是氮化硅，介电层110的形成方法例如是化学气相沉积法。当然，介电层110的材料也可以是氧化硅，或者其它的介电材料。
接着，请参照图1B，图案化介电层110与导体层108，以形成顶盖层110a与导体层108a。图案化介电层110与导体层108的方法例如是光刻及蚀刻技术。其中，导体层108a作为存储器的控制栅极。之后，于顶盖层110a与导体层108a的侧壁形成间隙壁112。间隙壁112的材料例如是氧化硅。而且，间隙壁112的形成方法例如是先沉积一层绝缘材料层后，进行一蚀刻步骤，而只留下位于顶盖层110a与导体层108a侧壁的绝缘材料层。当然，间隙壁112的材料也可以是氮化硅或其它绝缘材料等。
接着，请参照图1C，以具有间隙壁112的顶盖层110a及导体层108a为掩模，图案化介电层106、导体层104与介电层102，使其分别形成栅间介电层106a、导体层104a与穿隧介电层102a。其中，导体层104a作为存储器的浮置栅极。亦即，图示的导体层(控制栅极)108a、栅间介电层106a、导体层(浮置栅极)104a与穿隧介电层102a构成堆栈栅极结构114a～114d。
之后，于基底100上形成一图案化掩模层117，此图案化掩模层117暴露出欲形成源极区115的区域，然后以此图案化掩模层117为掩模，进行一掺杂剂注入步骤，以于栅极结构114d一侧的基底100中形成源极区115。于基底100中注入掺杂剂的方法例如是离子注入法。
接着，请参照图1D，移除图案化掩模层117后，于基底100上形成另一层栅间介电层116，此栅间介电层116例如是高温氧化硅(High TemperatureOxide)层。
接着，于基底100上形成一层导体层(未绘示)，此导体层填满堆栈栅极结构114a～114d之间的间隙。此导体层的材料例如是掺杂的多晶硅，导体层108的形成方法例如利用化学气相沉积法形成一层未掺杂多晶硅后，进行离子注入步骤以形成之，或者是以临场(In-Situ)掺杂离子的方式，利用化学气相沉积法以形成之。之后，移除部分导体层，而于堆栈栅极结构114a～114d之间形成选择栅极118b～118d及于堆栈栅极结构114a与堆栈栅极结构114d的侧壁分别形成选择栅极118a与导体层118e。在选择栅极118a～118d与基底100之间的栅间介电层116作为选择栅极介电层之用。堆栈栅极结构114a～114d分别与选择栅极118a～118d构成存储单元结构，且各存储单元串联构成存储单元列119。
接着，请参照图1E，于基底100上形成一层绝缘层120，此绝缘层120的材料包括与顶盖层110a具有相同蚀刻选择性者，其例如是氮化硅。此绝缘层120的形成方法例如是化学气相沉积法。
接着，请参照图1F，移除部分绝缘层120以于存储单元列119的一侧壁及导体层118e的侧壁形成间隙壁120a。然后，于整个存储单元列119一侧的基底100中(选择栅极118a一侧的基底100中)形成漏极区126。然后，于基底100上形成一层盖层128，此盖层128的材料例如是与栅间介电层116的材料具有不同蚀刻选择者，例如是氮化硅，其形成方法例如是化学气相沉积法。且此盖层128的厚度例如是300埃至500埃。
接着，请参照图1G，图案化此盖层128，此暴露出后续欲形成金属硅化物的区域。然后，此盖层128为掩模，移除部分栅间介电层116与部分顶盖层110a而形成暴露出导体层108a的开口124。开口124的形成方法，亦可先于顶盖层128上形成一层图案化光致抗蚀剂层，暴露出欲形成金属硅化物的区域，再一起蚀刻盖层128、栅间介电层116与顶盖层110a。移除部分绝缘层120、部分栅间介电层116a与部分顶盖层110a的方法例如是非等向性蚀刻法。由于利用非等向性蚀刻法移除部分绝缘层120、部分栅间介电层116a与部分顶盖层110a，因此在间隙壁112的侧壁亦会形成间隙壁122。
接着，请参照图1H，于基底100上形成一层金属层130。此金属层130的材料例如是镍。金属层130的形成方法例如是物理气相沉积法。且此金属层130的厚度需要能够在后续制造工艺中，使整个导体层108a(控制栅极)、选择栅极118a～118d及导体层118e的材料由多晶硅转变成金属硅化物。然后，进行一退火制造工艺，使硅与金属反应，而使整个导体层108a(控制栅极)、选择栅极118a～118d及导体层118e的材料由多晶硅转变成金属硅化物。亦即，使整个导体层108a(控制栅极)、选择栅极118a～118d及导体层118e的材料变成硅化镍。由于硅化镍的片电阻与线宽无关、功函数与多晶硅的掺杂浓度有关(亦即，硅与硅化镍之间的功函数(work function)的差可以在镍金属硅化之前，利用掺杂多晶硅中掺杂剂的浓度来调整)。因此，选择晶体管的启始值电压不但可以由注入配置来调整，也可以由硅与硅化镍之间的功函数的差来调整。
接着，请参照图1I，移除未参与硅化反应的金属层后，于基底100上形成层间介电层132，于层间介电层132中形成与漏极区126电连接的插塞134，并于层间介电层132上形成与插塞134电连接的导线136。后续完成非挥发性存储器的制造工艺为本领域技术人员所周知，在此不再赘述。
在上述实施例中，本发明藉由使导体层108a(控制栅极)及选择栅极118a～118d的材料由多晶硅转变成硅化镍，因此可以降低导体层108a(控制栅极)及选择栅极118a～118d的片电阻。而且，还可以在使导体层108a(控制栅极)及选择栅极118a～118d的材料由掺杂多晶硅变成硅化镍之前，藉由调整掺杂多晶硅中掺杂剂的浓度，而使选择晶体管具有较高的启始值电压。此外，本发明的非挥发性存储器的制造方法可以互补式金氧半导体(CMOS)制造工艺相配合，而不需要对制造工艺作很大的变更。
在上述实施例中，以使四个存储单元结构串接在一起为实例做说明。当然，在本发明中串接的存储单元结构的数目，可以视实际需要串接适当的数目，举例来说，可以串接32至64个存储单元结构。另外，在上述实施例中，控制栅极及选择栅极的材料以硅化镍为例作说明，当然控制栅极及选择栅极的材料也可以是硅化钛、硅化钽、硅化钼或硅化钴，同样可以达成本发明的优点。
图2A至图2B为绘示本发明的另一优选实施例的非挥发性存储器的制造流程剖面图。在图2A至图2B中，构件与图1A～图1G相同者，给予相同的标号，并省略其详细说明。
接着，请参照图2A，其接续于图1E。在图2A中，导体层108a的材料例如是多晶硅化金属，其由掺杂多晶硅层108b与金属硅化物层108c所构成；且顶盖层110a的材料例如是氧化硅。在形成选择栅极118a～118d及导体层118e之后，于存储单元列119的一侧壁及导体层118e的侧壁形成间隙壁120a。间隙壁120a的形成方法例如是先于基底100上形成一层绝缘层(未图示)，然后进行非等向性蚀刻制造工艺以形成之。其中，绝缘层的材料包括与顶盖层110a、栅间介电层116具有不同蚀刻选择性者，其例如是氮化硅。由于绝缘层与顶盖层110a、栅间介电层116具有不同蚀刻选择性，因此在形成间隙壁120a时，顶盖层110a、栅间介电层116不会被移除而暴露出导体层108a表面。然后，于整个存储单元列119一侧的基底100中(选择栅极118a一侧的基底100中)形成漏极区126。
接着，请参照图2B，然后，于基底100上形成一层盖层128，此盖层128的形成方法例如是化学气相沉积法。且此盖层128的厚度例如是300埃至500埃。接着，图案化此盖层128，以暴露出后续欲形成金属硅化物的区域。
接着，请参照图2C，进行一金属硅化物制造工艺，使选择栅极118a～118d的材料由多晶硅转变成金属硅化物。此金属硅化物制造工艺例如是先于基底100上形成一层金属层(未图示)。然后，进行一退火制造工艺，使硅与金属反应，而使选择栅极118a～118d及导体层118e的材料由多晶硅转变成金属硅化物。然后，再移除未参与硅化反应的金属层。后续完成非挥发性存储器的制造工艺为本领域技术人员所周知，在此不再赘述。其中，选择栅极118a～118d及导体层118e的材料包括硅化钛、硅化钽、硅化钼、硅化钴与硅化镍的其中之一。
在上述实施例中，本发明藉由使选择栅极118a～118d的材料由多晶硅转变成金属硅化物，因此可以降低选择栅极118a～118d的片电阻。而且，还可以在使选择栅极118a～118d的材料由掺杂多晶硅变成金属硅化物之前，藉由调整掺杂多晶硅中掺杂剂的浓度，而使选择晶体管具有较高的启始值电压。此外，本发明的非挥发性存储器的制造方法可以互补式金氧半导体(CMOS)制造工艺相配合，而不需要对制造工艺作很大的变更。
接着说明本发明的非挥发性存储器的结构。
请参照图1I，其用以说明本发明的非挥发性存储器的结构。本发明的非挥发性存储器例如是由基底100、多个堆栈栅极结构114a～114d、多个选择栅极118a～118d、栅间介电层116、间隙壁120a、源极区115及漏极区126所构成。
多个堆栈栅极结构114a～114d，设置于基底100上，各个堆栈栅极结构114a～114d从基底100起依序为穿隧介电层102a、浮置栅极(导体层104a)、栅间介电层106a与控制栅极(导体层106a)。
穿隧介电层102a的材料例如是氧化硅。浮置栅极(导体层104a)的材料例如是掺杂多晶硅。栅间介电层106a的材料例如是氧化硅/氮化硅/氧化硅，当然栅间介电层106a的材料也可以是氧化硅/氮化硅等。控制栅极(导体层106a)的材料包括金属硅化物，例如是硅化钛、硅化钽、硅化钼、硅化钴与硅化镍的其中之一。在另一实施例中，控制栅极(导体层106a)的材料例如是多晶硅化金属。
多个选择栅极118a～118d，分别设置于各堆栈栅极结构114a～114d的一侧，并将各个堆栈栅极结构114a～114d串接在一起成一存储单元列119。选择栅极118a～118d之材料包括金属硅化物，例如是硅化钛、硅化钽、硅化钼、硅化钴与硅化镍的其中之一。
栅间介电层116，设置于堆栈栅极结构114a～114d与选择栅极118a～118d之间。其中，在选择栅极118a～118d与基底之间的栅间介电层116作为选择栅极介电层之用。
间隙壁120a设置于存储单元列119的侧壁。源极区115/漏极区126分别设置于存储单元列119两侧的基底中。
在上述实施例中，本发明采用金属硅化物制作选择栅极118a～118d及/或控制栅极，因此可以降低选择栅极118a～118d及/或控制栅极的片电阻，进而提高元件效能。而且，还可以在使导体层108a(控制栅极)及选择栅极118a～118d的材料由掺杂多晶硅变成金属硅化物之前，藉由调整掺杂多晶硅中掺杂剂的浓度，而使选择晶体管具有较高的启始值电压。
虽然本发明以优选实施例揭露如上，然而其并非用以限定本发明，本领域的技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围应当以后附的权利要求所界定者为准。
权利要求
1.一种非挥发性存储器的制造方法，包括提供一基底；于该基底上形成多个堆栈栅极结构，各该些堆栈栅极结构包括一穿隧介电层、一浮置栅极、一第一栅间介电层、一控制栅极；于该基底中形成一源极区，该源极区位于该些堆栈栅极结构中，最外侧的该堆栈栅极结构一侧的该基底中；于该基底上形成一第二栅间介电层；于该些堆栈栅极结构的一侧壁形成多个选择栅极，且该些选择栅极将各该些堆栈栅极结构串接在一起，形成一存储单元列，该些选择栅极的材料包括掺杂多晶硅；该基底中形成一漏极区，该漏极区位于该存储单元列中最外侧的该选择栅极一侧的该基底中；以及进行一金属硅化物制造工艺，以使该些选择栅极的材料由掺杂多晶硅转变成一金属硅化物。
2.如权利要求1所述的非挥发性存储器的制造方法，其中该金属硅化物制造工艺的步骤包括于该基底上形成一盖层；图案化该盖层以暴露出该些选择栅极；于该基底上形成一金属层；进行一退火制造工艺，使该金属层与该些选择栅极的材料反应形成金属硅化物；以及移除未参与硅化反应的剩余该金属层及该盖层。
3.如权利要求1所述的非挥发性存储器的制造方法，其中该金属硅化物包括硅化钛、硅化钽、硅化钼、硅化钴与硅化镍之其中之一。
4.如权利要求2所述的非挥发性存储器的制造方法，其中该金属层的材料包括镍，且该金属硅化物的材料包括硅化镍。
5.如权利要求1所述的非挥发性存储器的制造方法，其中该控制栅极的材料包括多晶硅化金属。
6.如权利要求1所述的非挥发性存储器的制造方法，其中该控制栅极的材料包括掺杂多晶硅。
7.如权利要求1所述的非挥发性存储器的制造方法，还包括于该些堆栈栅极结构上形成一顶盖层。
8.如权利要求7所述的非挥发性存储器的制造方法，其中该顶盖层及该盖层的材料包括氮化硅。
9.如权利要求8所述的非挥发性存储器的制造方法，还包括于该基底上形成一绝缘层；以及移除部分该绝缘层以于该存储单元列的侧壁形成一第一间隙壁。
10.如权利要求1所述的非挥发性存储器的制造方法，其中该第二栅间介电层包括高温氧化硅层。
11.如权利要求1所述的非挥发性存储器的制造方法，其中该第一栅间介电层包括氧化硅/氮化硅/氧化硅层。
12.一种非挥发性存储器的制造方法，包括提供一基底；于该基底上形成多个堆栈栅极结构，各该些堆栈栅极结构包括一穿隧介电层、一浮置栅极、一第一栅间介电层、一控制栅极、一顶盖层，该些控制栅极的材料包括掺杂多晶硅；于该基底中形成一源极区，该源极区位于该些堆栈栅极结构中，最外侧的该堆栈栅极结构一侧的该基底中；于该基底上形成一第二栅间介电层；于该些堆栈栅极结构的一侧壁形成多个选择栅极，且该些选择栅极将各该些堆栈栅极结构串接在一起，形成一存储单元列，该些选择栅极的材料包括掺杂多晶硅；该基底中形成一漏极区，该漏极区位于该存储单元列中最外侧的该选择栅极一侧的该基底中；以及进行一金属硅化物制造工艺，以使该些选择栅极、该些控制栅极的材料由多晶硅转变成一金属硅化物。
13.如权利要求12所述的非挥发性存储器的制造方法，其中该金属硅化物制造工艺的步骤包括于该基底上形成暴露出该选择栅极及该控制栅极的一盖层；于该基底上形成一金属层；进行一退火制造工艺，使该金属层与多晶硅反应形成该金属硅化物；以及移除未参与硅化反应的剩余该金属层及该盖层。
14.如权利要求12所述的非挥发性存储器的制造方法，其中该金属硅化物包括硅化钛、硅化钽、硅化钼、硅化钴与硅化镍的其中之一。
15.如权利要求13所述的非挥发性存储器的制造方法，其中该金属层的材料包括镍，且该金属硅化物的材料包括硅化镍。
16.一种非挥发性存储器，包括一基底；多个堆栈栅极结构，设置于该基底上，各该些堆栈栅极结构从该基底起依序为一穿隧介电层、一浮置栅极、第一栅间介电层与一控制栅极；多个选择栅极，分别设置于各该些堆栈栅极结构的一侧壁，而将各该些堆栈栅极结构串接在一起成一存储单元列；以及一第二栅间介电层，设置于堆栈栅极结构与该些选择栅极之间；其特征在于该些选择栅极的材料包括金属硅化物。
17.如权利要求16所述的非挥发性存储器，其中该些选择栅极的材料包括硅化钛、硅化钽、硅化钼、硅化钴与硅化镍的其中之一。
18.如权利要求16所述的非挥发性存储器，其中该些控制栅极的材料包括金属硅化物。
19.如权利要求16所述的非挥发性存储器，其中该些控制栅极的材料包括硅化钛、硅化钽、硅化钼、硅化钴与硅化镍的其中之一。
20.如权利要求16所述的非挥发性存储器，其中该第一栅间介电层包括氧化硅/氮化硅/氧化硅层。
21.如权利要求16所述的非挥发性存储器，其中该第二栅间介电层包括高温氧化硅层。
22.如权利要求16所述的非挥发性存储器，其中该控制栅极的材料包括多晶硅化金属。
全文摘要
一种非挥发性存储器的制造方法，此方法先提供基底，并于此基底上形成多个堆栈栅极结构，各个堆栈栅极结构由基底起依序为穿隧介电层、浮置栅极、第一栅间介电层、控制栅极与顶盖层。于基底中形成源极区后，于基底上形成第二栅间介电层，并于堆栈栅极结构的一侧形成多个多晶硅选择栅极，且这些选择栅极将各堆栈栅极结构串接在一起，形成一存储单元列。接着，于存储单元列的侧壁形成间隙壁。然后，于存储单元列一侧的基底中形成漏极区，并进行金属硅化物制造工艺，以使整个选择栅极的材料由多晶硅转变成金属硅化物。
文档编号G11C16/02GK1770430SQ20041009222
公开日2006年5月10日 申请日期2004年11月3日 优先权日2004年11月3日
发明者陈东波 申请人:力晶半导体股份有限公司