专利名称：信息记录介质以及信息记录介质的制造方法
技术领域：
本发明涉及能够进行高密度记录的信息记录介质以及信息记录介质的制造方法。
背景技术：
在信息记录的领域中，各种有关光信息记录的研究正在进展。作为目前的光盘， ⑶、DVD、BlU-ray (蓝光)盘等被广泛使用。随着信息记录领域的进一步发展，需要更高密度的光存储器。CD、DVD、Blu-ray盘通过将最短标记(mark)长分别减小至0. 83 μ m、0. 40 μ m、 0. 15μπι，实现了高密度化。但是，在现行的光记录方式中，由于光的衍射极限，难以实现更大幅度的记录标记(recording mark)的微小化。近年来，利用近场光(near-field light)的光记录方式作为打破该衍射极限的技术受到了较大关注。上述近场光是指在光射入尺寸在光的波长以下的开口或微粒等时，以局部存在于紧邻上述开口或微粒附近的形式产生的光。由该近场光形成的光点直径不依赖于入射光的波长，而由近场光射入的开口或微粒等的尺寸来决定。以往，多采用使光射入尖锐的光纤探测器(fiber probe)等，在设在其顶端的微小开口处产生近场光的方法，但存在入射光的光利用效率较低的问题。近年来，作为大幅提高该光利用效率的技术，提出了利用金属的表面等离子共振(surface plasmon resonance) 的近场光产生元件(例如专利文献1)。该技术是对微小的金属膜照射适当波长的光以引起表面等离子共振，在金属膜附近产生近场光来进行记录再生。另外，为了提高记录密度，提出了很多通过预先在基板上形成图案来进行稳定的记录再生的方法(例如专利文献2以及专利文献3)。通过利用上述方法记录更微小的记录标记，能够实现光存储器的更高密度化、更
大容量化。尤其是，在可擦写型的⑶、DVD、以及Blu-ray盘中，作为记录膜广泛使用相变记录材料(例如专利文献4)。在此情况下，通过由光点对相变记录材料进行加热/快速冷却使其非晶化(amorphized)、或者进行加热/逐渐冷却使其结晶化(crystallized)等，来记录标记。迄今为止广泛积极地进行该相变记录材料的研究以及开发。目前的光记录介质的高密度化的极限不是由相变记录材料造成的，而是由现行的光记录方式的衍射极限(形成的光点的大小)决定。因此，如果能够形成更小的光点，则相变记录材料作为高密度记录用材料还有很大的潜力。由此，一般认为相变记录材料在今后的更高密度光学信息记录中仍然是有前途的材料。但是，在利用上述由表面等离子共振产生的近场光、通过衍射极限以下的较小的光点对相变记录材料写入记录标记的情况下，若光点减小至30nm以下，则产生以下问题。 即，存在为了使相变记录材料结晶化而通过光点升温的相变记录材料中产生热扩散，因此导致记录标记变为30nm以上的问题。另一方面，虽然能够在不孤立的连续的相变薄膜中写入较小的标记，但存在在每平方英寸数百千兆比特(gigabit)以上的记录密度下，由于热的波动使记录标记变得不稳定、噪声变得非常大的问题。此外，如前所述，提出了通过在基板上预先设置图案来抑制热扩散的方案(例如专利文献2以及专利文献；3)。但是，在迄今为止的方法中，制作稳定的图案是非常困难的。专利文献1 日本专利公开公报特开2003-114184号专利文献2 日本专利公开公报特许第2584122号专利文献3 日本专利公开公报特许第3793040号专利文献4 日本专利公开公报特许第2574325号非专利文献1 :Proc. Roy. Soc. Lond. Α.，31823
发明内容
本发明的目的在于提供一种能够进行无热扩散的稳定的高密度记录的信息记录介质以及信息记录介质的制造方法。为了实现上述目的，本发明所提供的信息记录介质包括基板；以及在所述基板上以孤立的状态排列的含有信息记录材料的粒子部，所述粒子部的信息记录方向的宽度为 30nm以下。根据上述结构，粒子部以孤立的状态排列在基板上，各粒子部的局部的加热成为可能，从而能够进行无热扩散的稳定的记录。另外，粒子部的信息记录方向的宽度为30nm 以下，能够进行以该粒子部为最小单位的高密度的记录。由此，能够得到可靠性高的高密度的信息记录介质。另外，本发明所提供的信息记录介质的制造方法，用于制造具备基板以及在所述基板上以孤立的状态排列的含有信息记录材料的粒子部，所述粒子部的信息记录方向的宽度为30nm以下的信息记录介质，该方法包括将信息记录方向的宽度为30nm以下的支柱以孤立的状态排列在所述基板上的支柱形成步骤；以及通过将所述信息记录材料成膜在形成有所述支柱的基板上，在支柱上形成孤立状态的所述信息记录材料的成膜步骤。根据上述结构，首先，使支柱以孤立的状态形成在基板上，然后，在该支柱上形成信息记录材料，由此形成孤立的状态的信息记录材料。此处，由于支柱的信息记录方向的宽度为30nm以下，因而能够使支柱上的信息记录材料(粒子部)的信息记录方向的宽度为 30nm以下。由此，即使在通过利用例如溅镀或蒸镀等的成膜步骤，将信息记录材料均勻成膜在基板上的情况下，也能够容易地排列与支柱的图案对应的孤立的信息记录材料(粒子部)，成膜变得简便。由此，能够容易地制造可进行以支柱为最小单位的高密度记录的可靠性高的信息记录介质。本发明的其他目的、特征和优异点可以通过以下所示的记载而充分理解。另外，本发明的优点通过参照附图的以下说明显而易见。
图1是表示本发明的一个实施方式所涉及的信息记录介质的一例的概略的主要部分放大立体图。图2是表示对本发明的一个实施方式所涉及的信息记录介质的记录再生方法的一例的概略的主要部分放大立体图。图3是表示对以往的信息记录介质的记录再生方法的一例的说明图。图4(A)是表示本发明的一个实施方式所涉及的信息记录介质中的排列有支柱的基板的一例的概略的主要部分放大立体图。图4(B)是表示本发明的一个实施方式所涉及的信息记录介质的剖面的一例的概略剖面图。图5是表示本发明的一个实施方式所涉及的信息记录介质的制造方法的一例的概略剖面图。图6是表示本发明的一个实施方式所涉及的信息记录介质的制造方法的一例的概略剖面图。图7(A)是表示本发明的一个实施方式所涉及的信息记录介质的剖面的一例的概略剖面图。图7(B)是表示本发明的一个实施方式所涉及的信息记录介质的剖面的一例的概略剖面图。图8(A)是表示本发明的一个实施方式所涉及的信息记录介质的制造方法的一例的概略说明图。图8(B)是表示在本发明的一个实施方式所涉及的信息记录介质的支柱上形成的相变记录材料的一例的说明图。图8(C)是表示在本发明的一个实施方式所涉及的信息记录介质的支柱上形成的相变记录材料的另一例的说明图。图9(A)是表示本发明的一个实施方式所涉及的信息记录介质的制造方法的一例的概略说明图。图9(B)是表示本发明的一个实施方式所涉及的信息记录介质的制造方法的一例的概略说明图。图9(C)是表示本发明的一个实施方式所涉及的信息记录介质的制造方法的一例的概略说明图。图9(D)是表示本发明的一个实施方式所涉及的信息记录介质的制造方法的一例的概略说明图。图10是表示本发明的一个实施方式所涉及的信息记录介质的一例的概略的主要部分放大立体图。图11是表示以往的信息记录介质的剖面的一例的概略剖面图。图12(A)是表示在信息记录介质的支柱上形成的相变记录材料的一例的说明图。图12(B)是表示在信息记录介质的支柱上形成的相变记录材料的另一例的说明图。图 12(C)是表示在信息记录介质的支柱上形成的相变记录材料的又一例的说明图。图13(A)是表示沿着与本发明的一个实施方式所涉及的信息记录介质中的基板主面平行的面截断的支柱的剖面的一例的剖面图。图13(B)是表示沿着与本发明的一个实施方式所涉及的信息记录介质中的基板主面平行的面截断的支柱的剖面的另一例的剖面图。图14是表示沿着与本发明的一个实施方式所涉及的信息记录介质中的基板主面垂直的面截断的支柱的剖面的一例的剖面图。图15(A)是用于说明信息记录介质中的支柱的角度的说明图。图15(B)是表示信息记录介质中的支柱的角度与支柱上的相变记录材料的形状的关系的一例的概略剖面图。 图15(C)是表示信息记录介质中的支柱的角度与支柱上的相变记录材料的形状的关系的另一例的概略剖面图。
具体实施方式
以下，用实施方式进一步具体地说明本发明。(实施方式1) 以下参照附图对本发明的一个实施方式所涉及的信息记录介质进行说明。为了便于说明，附图均放大示出信息记录介质的一部分。图1示出本实施方式所涉及的信息记录介质100的一个结构例。如图1所示，信息记录介质100包括采用玻璃的基板102、以及以分别独立的状态形成在基板102上的相变微粒(phase-change fine particle)(粒子部)101。如后所述，信息记录介质100还可以具有保护相变微粒101的保护层。基板102呈圆盘形状。作为构成基板102的材料，平坦性较高、为了进行记录再生使信息记录介质100旋转时的稳定性较高的材料较为理想。在本实施方式中，使用了平坦性良好的玻璃，但并不限于此，也可以使用铝等金属或者聚碳酸酯等塑料材料。基板102上的各相变微粒101被形成为信息记录方向的大小大致在30nm以下。此处，所谓信息记录方向，是指为了在信息记录介质100上记录信息的追踪方向。 作为相变微粒101的材料(信息记录材料)，为了提高信息记录介质100的写入速度， 相变微粒101的结晶化速度较快的材料较为理想。尤其是，作为相变微粒101的材料， (Ge-Sn) Te、GeTe-Bi2Te3^ (Ge-Sn)Te-Bi2Te3^ Sb-Ge 较为理想。在本实施方式中，将以 22 1的比例包含GeTe和Sb2I^3的材料作为相变微粒101的材料使用，但并不限于此。 例如，也可以使用包含 GeTe、(Ge-Sn)Te, GeTe-Sb2Te3^ (Ge-Sn)Te-Sb2Te3^ GeTe-Bi2Te3^ (Ge-Sn) Te-Bi2Te3^ GeTe- (Sb-Bi) 2Te3> (Ge-Sn) Te- (Sb-Bi) 2Te3> GeTe- (Bi-In) 2Te3> 以及 (Ge-Sn)Te-(Bi-In)2Tii3 中的任一种的材料，也可以使用包含 Sb_Ga、(Sb-Te)-Ga, Sb-Ge, (Sb-Te)-Ge、Sb-In, (Sb-Te)-In、Sb-Mn-Ge, Sb-Sn-Ge, Sb-Mn-Sn-Ge、以及(Sb-Te) -Ag-In 中的任一种的材料。相变微粒101的保护层6如图7A所示可以在相变微粒101的上部(与基板相反的一侧)形成，但也可以在相变微粒101的下部(基板侧)形成。另外，如图7B所示，保护层6也可以在相变微粒101的上下形成，由保护层6夹持相变微粒101。这样，通过用保护层6保护相变微粒101，能够在相变微粒101上更加稳定地记录或擦写信息。作为保护层6的材料，介电体材料较为理想。作为保护层6的材料，例如，能够使用选自 Ti02、ZrO2> HfO2^ ZnO> Nb205、Ta2O5^ Si02、SnO2> Al2O3> Bi203> Cr203、Ga2O3^ In2O3> Sc203、 ^O3、Lei2O3、Gd2O3、Dy2O3、YId2O3、Ca0、Mg0、CeO2、以及等中的一种或多种氧化物。另外，作为保护层 6 的材料，还能够使用选自 C-N、Ti-N, Zr-N, Nb-N, Ta-N, Si-N, Ge-N, Cr-N, A1-N、 Ge-Si-N、以及Ge-Cr-N等中的一种或多种氮化物。另外，作为保护层6的材料，还能够使用 ZnS等硫化物或者SiC等碳化物、LaF3、CeF3、MgF2等氟化物、以及C。另外，还可以使用选自上述材料中的一种或多种材料的混合物来形成保护层。保护层6的厚度为IOnm以下较为理想。如果使保护层6的厚度大于lOnm，则后述的近场光难以集中于相变微粒，存在记录不稳定的可能性。通过使保护层6的厚度为IOnm 以下，能够进行稳定的记录。另外，保护层6的厚度为5nm以下更为理想。通过使保护层6 的厚度为5nm以下，能够进行更为稳定的记录。图2示出在本实施方式所涉及的信息记录介质100上记录信息的方法的一例。如图2所示，对由Au形成的天线(antenna) 103照射具有偏振方向106的光104。
7由此，通过等离子体(Plasmon)增强，在位于偏振方向上的天线103的顶点107处产生较强的近场光。并且，通过该增强的近场光，相变微粒101发生升温，从而在相变微粒101中记录信息。具体而言，通过将相变微粒101加热至熔点以上后快速冷却使其非晶化，另一方面， 通过加热至熔点以上后逐渐冷却使其结晶化。这样，利用相变微粒101处于非晶化状态时和结晶化状态时具有不同的物理性质这一现象来记录信息。此外，天线103相对于信息记录介质100相对移动的追踪方向为信息记录方向。在本实施方式中，作为天线103的材料使用Au，但并不限于此，选择按照所使用的激光的波长与其进行等离子共振的材料是较为理想的。此处，比较在本实施方式所涉及的如图2所示的孤立的相变微粒101上记录信息的情况、以及在图3的不孤立的连续的相变薄膜105上记录信息的情况。如图2所示，在分别孤立地排列在基板102上的相变微粒101上记录信息的情况下，能够进行以其大小为最小单位的良好的记录。另一方面，在图3的连续的相变薄膜105上记录信息的情况下，在使相变薄膜105结晶化时，如果利用近场光加热相变薄膜105，热在相变薄膜105中扩散。因此，即使近场光的光点为30nm以下，也只能记录30nm以上的较大的记录标记。此处，由于热扩散，对于连续的相变薄膜105(图3)与相变微粒101(图2)中，记录标记的大小开始产生差异是在记录标记达到30nm以下时。因此，在30nm以下的微小区域中记录信息时，使用分别孤立的30nm以下的相变微粒101较为理想。而且，已知通过采用记录方向的大小(在椭圆的情况下是长轴长度)为30nm以下的较小的相变微粒101，相变微粒101所用的材料的熔点下降(例如参照非专利文献1)。其结果，能够减小记录能量。将各相变微粒101的记录方向的大小设为20nm以下更为理想。在此情况下，由于各相变微粒101的表面容易成为平滑的形状，因此在利用近场光进行记录时，近场光容易集中于相变微粒101中，使记录变得容易。但是，如果相变微粒101减小至3nm左右，则该相变微粒101中包含的原子数减少，熔点过低。其结果，由于热的波动，难以稳定地保持记录在相变微粒101中的信息。而且，在如上所述相变微粒101的熔点较低的情况下，即使希望进行结晶化，也无法使相变微粒101逐渐冷却，难以进行结晶化，记录本身变得不稳定。因此，各相变微粒101的记录方向的大小为3nm以上较为理想。此外，已经确认，如本实施方式这样，即使在以分别孤立的状态排列在基板102上的相变微粒101上记录信息，也能够维持与DVD或Blu-ray盘这种连续的相变薄膜大致相等的反复记录的性能。以上，举例说明了本发明的实施方式，但本发明并不限定于上述实施方式，基于本发明的技术思想也能够应用于其他实施方式。(实施方式2)以下参照附图对本发明所涉及的其他实施方式进行说明。此外，对与实施方式1 相同的结构要素标注相同的部件编号，酌情省略其说明。此处，举一例对本实施方式所涉及的信息记录介质的制造方法进行说明。在本实施方式中，与上述实施方式1同样，使相变微粒101以分别孤立的状态排列在基板102上。本相变微粒101如图4(A)以及图4(B)所示，通过在基板102上预先形成由多个支柱(Pillar) 206构成的图案(pattern) 307，并在构成图案307的支柱206上形成相变记录材料(信息记录材料)208，从而形成分别孤立的状态的相变微粒101。首先，如图4(A)所示，在基板102上形成多个圆筒形的支柱206。此处，使各支柱 206的大小为宽度大致为20nm、高度大致为20nm。此时，以孤立的状态形成各支柱206，使支柱206彼此不接触。这样，在基板102上形成由多个支柱206构成的图案307之后，使相变记录材料208成膜。由此，如图4(B)所示，能够将相变记录材料208以分别孤立的状态排列在基板102上。以这种方式形成的各自孤立的状态的相变记录材料208成为记录信息的相变微粒101。在本实施方式中，支柱206基于通过电子束光刻制作成的图案，对基板102进行蚀刻而形成。支柱206的形成方法并不限于此，也可以用其他方法形成支柱206。关于记录特性，与实施方式1所示的图案时相比也大致相等。另外，关于在基板102上形成的支柱206的形状，不限于图4 (A)以及图4(B)所示的圆筒形，也可以是三角柱、四角柱、球、大致倒三角锥等。如上所述，成膜的相变记录材料208成为孤立的状态较为理想。另外，使在支柱 206上成膜的相变记录材料208(即相变微粒101)尽量微小化以减小相变微粒101的大小，并且使孤立状态的相变微粒101彼此尽量接近设置，这在记录的高密度化的方面更为
王困相另外，在使相变记录材料208成膜时，不使该相变记录材料208形成在支柱206的侧面较为理想。因此，应用成膜方向具有指向性的成膜方法，相变记录材料208容易成膜在支柱206的上面，另一方面，较为理想的是，使相变记录材料208难以成膜在支柱206的侧面。由此，能够容易地使相变微粒101彼此相互孤立。作为成膜方向具有指向性的成膜方法，例如有溅镀法。在通过溅镀使相变记录材料208成膜在形成在基板102上的支柱206的上面的情况下，如图8 (A)所示，包含相变记录材料208的目标(target) 30与基板102相对配置。此时，最好是尽量增大目标30与基板102之间的距离。另外，关于溅镀装置内的气压条件，最好是降低气压。通过增大目标30与基板102之间的距离、降低气压，溅镀粒子指向性(直线性)良好地飞离目标30，到达形成在基板102上的支柱206的上面。由此，在支柱206的侧面上，相变记录材料208难以溅镀成膜。如上所述，为了提高记录密度，最好是将孤立状态的相变微粒101彼此之间尽量接近设置。因此，为了提高记录密度，支柱206彼此之间的间隔较窄较为理想。但是，如果支柱206彼此之间的间隔过窄，则形成在各支柱206的上面的相变记录材料208彼此相互接触，有可能无法保证相变微粒101的独立性(孤立状态)。因此，最好是考虑这些问题来设计支柱206彼此之间的间隔。例如，在通过溅镀使相变记录材料208成膜在形成于基板102上的支柱206的上面的情况下，最好是根据作为相变记录材料208的溅镀粒子的直线性以及在支柱206上形成的变化记录材料208的厚度(溅镀厚度)，适当地设计支柱206彼此之间的间隔。关于该支柱206彼此之间的间隔，以下例示图8(A)的情况来进行说明。如图8 (A)所示，在将采用相变记录材料208的目标30与基板102相对配置的情况下，当设目标30的直径为50. 8mm、基板102的直径为100mm、目标30与基板102的距离为150mm时，从目标30的端部飞离的溅镀粒子在基板102的中央部以约9度的角度θ 1到达基板102。另外，从目标30的端部飞离的溅镀粒子在基板102的端部以约27度的角度 θ 2到达基板102。此外，上述角度Θ1以及θ 2是垂直于基板102表面的方向与溅镀粒子的飞离方向所成的角度。在此情况下，在由从目标30的端部飞离的溅镀粒子溅镀成膜的假定下，得出如下结论。S卩，在存在于基板102中央部的支柱206上，若设溅镀厚度为Τ、相变记录材料208 突出于支柱206的突出量(长度)为L，则L = TXtan9 1。因此，如图8(B)所示，在存在于基板102中央部的支柱206上形成的相变记录材料208从支柱206横向突出溅镀厚度的约15%。由于从其相邻的支柱206突出的突出量 (长度)也相同，所以通过设置比溅镀厚度的约30%大的支柱206彼此之间的间隔，能够防止形成在各支柱206的上面的相变记录材料208彼此相互接触。另外，在存在于基板102端部的支柱206上，若设溅镀厚度为Τ、相变记录材料208 突出于支柱206的突出量为Li、相变记录材料208向支柱206的中心侧凹陷的量为L2，则Ll = TXsin θ 2L2 = TXsin9.4°。因此，如图8 (C)所示，在存在于基板102端部的支柱206上形成的相变记录材料 208从支柱206的其中一侧横向突出溅镀厚度的约45%，并且另一侧向支柱206的中心侧凹陷溅镀厚度的约16%。由于其相邻的支柱206也是同样，所以在基板102的端部，通过设置比溅镀厚度的约大的间隔，能够防止在各支柱206的上面形成的相变记录材料208 彼此相互接触。综合考虑图8(B)以及图8(C)，使支柱206彼此之间的间隔比溅镀厚度的约 30%大较为理想。此外，在上述说明中，是在由从目标30的端部飞离的溅镀粒子溅镀成膜的假定下进行了说明，但考虑到从目标30的端部飞离的溅镀粒子很少，而从目标30的中央部飞离的溅镀粒子较多，则也能够将支柱206彼此之间的间隔设计得比溅镀厚度的约30%小。此外，作为使相变记录材料208成膜的方法，并不限于上述的溅镀法，例如也能用蒸镀。以上，举例说明了本发明的实施方式，但本发明并不限定于上述实施方式，基于本发明的技术思想也能够应用于其他实施方式。(实施方式3)以下参照附图对本实施方式(应为本发明)所涉及的其他实施方式进行说明。对与实施方式1相同的结构要素标注相同的部件编号，酌情省略其说明。在本实施方式中，关于排列有孤立的相变记录材料的信息记录介质的其他制造方法，主要说明与实施方式2的制造方法的不同之处。在本实施方式中，也与上述实施方式1同样，使相变微粒101以分别孤立的状态排列在基板102上。但是，在本实施方式中，不使用支柱206，而是在平坦的基板102上直接形成相变微粒101来制造信息记录介质100。在本实施方式所涉及的信息记录介质100的制造方法中，如图5所示，首先，通过溅镀或蒸镀等将相变记录材料208均勻地成膜在平坦的基板102上。然后，在该相变记录材料208上形成所期望的图案307(掩膜(mask))。具体而言，在相变记录材料208上均勻地形成图案307(掩膜)的材料，在其上用电子光束进行图案光刻并进行显影。然后，将图案307作为掩膜对相变记录材料208进行蚀刻。作为掩膜的材料，例如能够使用Te的氧化物或SiS、过渡金属的氧化物等无机物、或者一般的电子光束用的采用有机材料的抗蚀剂(resist)(例如日本kon公司生产的商品名观 520)。此外，关于掩膜(图案307)的材料，考虑与相变材料的蚀刻率比进行选择较为
王困相并且，在形成图案307 (掩膜)之后，如图6所示，通过对相变记录材料208进行蚀刻，然后除去该掩膜，能够制作出具有所期望的图案的、排列有孤立的相变记录材料 208(相变微粒101)的介质。以这种方式形成的处于各自孤立的状态的相变记录材料208 成为记录信息的相变微粒101。在本实施方式中，也与实施方式2同样，将通过电子束光刻形成的图案作为掩膜使用，对相变记录材料208进行蚀刻，由此形成由独立的相变记录材料208构成的相变微粒 101。此外，在本实施方式中，在相变记录材料208的蚀刻中使用了 Ar、或02，但本实施方式不限于此，也可以使用其他气体。另外，在相变记录材料208中，也有与掩膜的图案307的蚀刻率差不大的材料，直接对相变记录材料208进行蚀刻的工序有时较为困难。对此，以下参照图9(A)至图9(D)， 说明不使用支柱(pillar) 206，在平坦的基板102上直接形成相变微粒101来制造信息记录介质100的其他方法。如图9㈧所示，首先，将采用容易蚀刻的材料(例如丙烯树脂等)的衬底层20均勻成膜在平坦的基板102上。然后，在衬底层20上形成所期望的图案307(掩膜)。具体而言，在衬底层20上均勻地形成图案307 (掩膜)的材料，在其上用电子光束进行图案光刻并进行显影。之后，如图9(B)所示，将图案307作为掩膜，用氧等对衬底层20进行蚀刻，然后除去该掩膜，由此形成具有所期望的图案的衬底层20。作为掩膜的材料，例如能够使用Te的氧化物或SiS、过渡金属的氧化物等无机物、或者一般的电子光束用的采用机材料的抗蚀剂 (resist)(例如日本kon公司生产的商品名^P520)。作为衬底层20，可以选择与掩膜的图案307的蚀刻率差较大的容易蚀刻的任意材料，该蚀刻处理能够容易地进行。接着，如图9 (C)所示，通过溅镀或蒸镀等将相变记录材料208成膜在形成有衬底层20的图案的基板102上。然后，如图9(D)所示，通过将衬底层20与形成在该衬底层20的上部的相变记录材料208 —起除去，能够制作具有所期望的图案的、排列有孤立的相变记录材料208(相变微粒101)的介质。以这种方式形成的处于各自孤立的状态的相变记录材料208成为记录信息的相变微粒101。具体而言，可以将图9(C)的状态的基板102浸润到仅选择性地溶解衬底层20的溶剂(有机溶剂等)中。例如，在作为衬底层20使用丙烯树脂的情况下，丙烯树脂容易溶解于有机溶剂，能够从基板102上除去衬底层20。此外，在图9(C)的状态下，最好使衬底层20的膜厚(高度)大于相变记录材料 208的膜厚。这是因为，通过这样做，衬底层20不会被相变记录材料208完全覆盖，因此，在将基板102浸渍到溶剂中时该溶剂与衬底层20接触，从而能够容易除去衬底层20。
利用上述的信息记录介质的制造方法，能够将记录方向的大小约为30nm以下的相变微粒101以孤立的状态形成在基板102上。(实施方式4)以下参照附图对本实施方式(应为本发明)所涉及的其他实施方式进行说明。对与实施方式1相同的结构要素标注相同的部件编号，酌情省略其说明。图10中示出本实施方式所涉及的信息记录介质的一例。在本实施方式中，也与图 4(A)以及图4(B)所示的实施方式2同样，在基板102上形成支柱206。并且，通过溅镀在基板102上的支柱形成面上形成相变记录材料208，以制造信息记录介质。在本实施方式中，如图4(B)所示，形成支柱206使其高度108(与基板的形成支柱的面垂直的方向上的长度)大于所形成的相变记录材料208的厚度。由此，形成在支柱206上的相变记录材料208 以支柱206的宽度(与基板的形成支柱的面平行的方向上的剖面)为一个单位的大小处于孤立的状态，从而不会发生记录时的热扩散，能够进行微小的记录。本实施方式的信息记录介质与上述的各实施方式同样，可以具备保护相变微粒 101的保护层6 (参照图7 (A)以及图7 (B))，而在此情况下，决定支柱206的高度以使相变记录材料208在支柱206上孤立也较为理想。如图7(A)所示，在与基板102相反的一侧上形成保护层6的情况下，保护层6的厚度为IOnm以下较为理想。如果使保护层6的厚度为IOnm以上，则如前所述，近场光难以集中于相变微粒101，存在记录不稳定的可能性。另外，通过使保护层6的厚度为5nm以下， 能够进行更为稳定的记录。此外，关于在本实施方式所涉及的信息记录介质上记录信息的方法，与前述的实施方式1同样，因此省略此处的说明。此处，比较如下两种记录，即对如图4(B)所示支柱206的高度108大于相变记录材料208的厚度、支柱206上的相变记录材料208孤立的信息记录介质的记录、以及对如图 11所示支柱206的高度108小于相变记录材料208的厚度、相变记录材料208不孤立地相互连接的信息记录介质的记录。在图4(B)这样的相变记录材料208孤立的信息记录介质的情况下，能够进行以支柱206的宽度109(记录方向的长度)为最小单位的良好记录。但是，在图11这样的连续相连的相变记录材料208的记录介质的情况下，在使相变记录材料 208结晶化时所需要的基于近场光的加热时，热在相变记录材料208中扩散，即使近场光的光点为30nm以下，也只能记录超过30nm的较大的记录标记。由于这种热扩散使记录标记的大小开始产生差异是在记录标记为30nm以下时。在进行记录标记为30nm以下的记录时， 较为理想的是，使支柱的宽度为30nm以下，并且使支柱的高度大于相变记录材料的厚度， 以使相变记录材料孤立。进一步，支柱206的宽度为20nm以下更为理想。由此，支柱206上的相变记录材料 208的表面容易变为平滑的形状，在利用近场光记录信息的情况下，近场光易于集中到相变记录材料208中，从而使记录变得容易。但是，如果相变记录材料208变为3nm左右的小粒子，则粒子中包含的原子数减少，熔点变得过低，导致对相变记录材料208的记录的保持由于热的波动而变得不稳定。另外，由于熔点较低，即使要进行结晶化，也难以逐渐冷却相变记录材料208，结晶化较为困难，记录本身变得不稳定。因此，相变记录材料208的大小即支柱206的宽度(记录方向的长度)为3nm以上较为理想。以上，举例说明了本发明的实施方式，但本发明并不限定于上述实施方式，基于本发明的技术思想也能够应用于其他实施方式。(实施方式5)以下参照附图对本实施方式(应为本发明)所涉及的其他实施方式进行说明。对与实施方式1相同的结构要素标注相同的部件编号，酌情省略其说明。在本实施方式中，关于排列有孤立的相变记录材料的信息记录介质的其他制造方法，主要说明与前述的各实施方式的制造方法的不同之处。在实施方式1中，在形成于基板102的支柱206上形成相变记录材料208，通过使支柱206的高度108 (深度)大于相变记录材料208的厚度，使相变记录材料208孤立。在本实施方式中，关于支柱206的宽度与相变记录材料208的厚度，示出最佳的一例。在图12㈧至图12(c)中，示出使支柱206的宽度(信息记录方向的长度)一定， 改变相变记录材料208(相变微粒101)的厚度时的剖面图。图12(A)至图12(C)并非是在相变记录材料208刚刚形成之后的概念图，而是在通过初始化工序使相变记录材料208经过熔融状态而被结晶化之后，或者通过记录光经过了熔融状态之后的概念图。如图12(A)所示，在与支柱206的宽度相比相变记录材料208的厚度较小时，相变记录材料208即使经过了熔融状态，与用于记录的天线103(参照图10)接近的面也近似于平面。另外，如图12(B) 所示，在支柱206的宽度与相变记录材料208的厚度大致相等的情况下，经过了熔融状态的相变记录材料208由于表面张力变为近似于球形的形状。另外，如图12(C)所示，在与支柱 206的宽度相比，相变记录材料208的厚度较大的情况下，被熔融的相变记录材料208由于表面张力过于沿横向扩展，或者变为向支柱206的侧面流出的形状。如图10所示，在利用通过天线103与记录光的等离子共振而产生的近场光进行记录的情况下，如果相变记录材料208 (相变微粒)中存在尖锐的部分或凹凸部分，则近场光集中于局部，无法顺利进行记录。因此，为了使相变记录材料208整体均勻地升温并进行记录，如图12(B)所示，相变记录材料208呈接近于球形的形状较为理想。此外，如图12(C)所示，如果相变记录材料208从支柱206突出得较多，沿横向过于扩展，则能估计到与相邻的支柱206的相变记录材料208粘在一起而不再处于孤立的状态，或者相变记录材料208附着在支柱206的侧面，从而发生热扩散。根据以上所述，作为支柱206的宽度(信息记录方向的宽度)与相变记录材料208 的厚度的关系，较为理想的是在支柱206上形成具有支柱206的宽度的1/2以上2倍以下的厚度的相变记录材料208。更为理想的是，相变记录材料208的厚度与支柱206的宽度大致相等的如图12(B)所示的情况。另外，如图12(B)所示，在相变记录材料208的厚度与支柱206的宽度大致相等的情况下，通过使支柱206的高度大于支柱206的宽度，形成在支柱206上的相变记录材料 206在支柱206上处于孤立的状态。由此，与支柱206的宽度同等程度地孤立的相变记录材料208变小，能够进行针对各支柱206上的相变记录材料208的局部加热。由此，能够对相变记录材料208进行无热扩散的稳定的信息记录，而且能够进行以支柱206为最小单位的高密度的记录。如上所述，在相变记录材料208上不出现尖锐的部分或凹凸部分较为理想。因此，支柱206的沿平行于基板102的面的剖面形状如图13 (A)所示呈无角的圆形，或者如图13B 所示呈无角的椭圆形或卵形形状较为理想。如图13(A)或图13(B)所示，通过利用在沿平行于基板102的面的剖面中呈无角形状的支柱206，在将相变记录材料208形成在该支柱 206的上部的情况下，能够形成无角(无尖锐的部分或凹凸部分)的相变记录材料208。进一步，如图14所示，最好利用在形成相变记录材料208的部分呈无角形状的支柱206。图14(A)示出沿垂直于基板102的面截断的支柱206的剖面。另外，图14(B)示出沿平行于基板102的面截断的支柱206的剖面。由此，在将相变记录材料208形成在该支柱206的上部的情况下，该相变记录材料208容易形成近似于球形的无角形状，从而能够进行稳定的信息记录。以上，举例说明了本发明的实施方式，但本发明并不限定于上述实施方式，基于本发明的技术思想也能够应用于其他实施方式。(实施方式6)以下参照附图对本实施方式(应为本发明)所涉及的其他实施方式进行说明。对与实施方式1相同的结构要素标注相同的部件编号，酌情省略其说明。在本实施方式中，关于前述的实施方式中说明的支柱206的形状，示出能够实现稳定的记录的一例。在前述的实施方式中，说明了如下结构，S卩，在支柱206上形成相变记录材料208， 通过使相变记录材料208在支柱206上孤立，在记录30nm以下的较小的记录标记时，能够进行无热扩散的稳定的记录。在实施方式3以及4中，主要描述了支柱206的深度(高度108)或宽度109以及形状，但为了使相变记录材料208孤立，支柱206的形成角度θ ρ也比较重要。此处，如图 15(A)所示，支柱206的角度θ ρ是指支柱206的侧壁部分与基板102的主面所成的角度。 图15(B)以及图15(C)中示出一例。如图15⑶所示，在支柱206的角度θρ较小的情况下，无论支柱206的深度为多少，形成在支柱206上的相变记录材料208与直接形成在基板 102上的相变记录材料208都连成为一体，由于前述的理由无法记录较小的标记。另一方面，如图15 (C)所示，若支柱206的角度θ ρ较大，则能够在支柱206上形成孤立的相变记录材料208。为了在支柱206上形成孤立的相变记录材料208，支柱206的角度θ ρ为75度以上较为理想。可知，在支柱206的角度θρ为75度以上的情况下，若支柱206的深度大于相变记录材料208的厚度，则在支柱206上孤立。此外，支柱206的角度θρ为80度以上更为理想。在此情况下，能够更可靠地使相变记录材料208在支柱206上孤立。在上述的实施方式1至6中，作为能够记录信息的材料，举出了使用相变记录材料 208的例子，但并不限定于此。作为能够记录信息的材料，还能够使用由于热而产生孔穴打开或者组成改变等变化的能够进行热记录的其他材料，例如色素。如上所述，本发明所提供的信息记录介质包括基板；以及在所述基板上以孤立的状态排列的含有信息记录材料的粒子部，所述粒子部的信息记录方向的宽度为30nm以下。根据上述结构，粒子部在基板上以孤立的状态排列，能够进行各粒子部的局部的加热，从而能够进行无热扩散的稳定的记录。另外，粒子部的信息记录方向的宽度为30nm 以下，能够进行以该粒子部为最小单位的高密度的记录。由此，能够得到可靠性高的高密度的信息记录介质。此外，所述粒子部的信息记录方向的长度为20nm以下更为理想。由此，粒子部的表面容易变为平滑的形状，因此在利用近场光等记录信息的情况下，近场光容易集中于粒子部，使记录变得容易。另外，所述粒子部的信息记录方向的长度最好为3nm以上。这是因为，如果粒子部小于3nm，则粒子部中包含的原子数减少，导致粒子部的熔点变低，难以结晶化。另外，本发明所提供的信息记录介质还包括在所述基板上以孤立的状态排列的支柱，所述粒子部通过在所述支柱上形成所述信息记录材料而构成，所述支柱的信息记录方向的宽度为30nm以下，所述支柱的高度大于所述信息记录材料的厚度。根据上述结构，支柱的高度大于所述信息记录材料的厚度，因而形成在支柱上的信息记录材料在支柱上可靠地处于孤立的状态。由此，能够进行无热扩散的稳定的记录，另外，能够进行以支柱为最小单位的高密度的记录。由此，能够得到可靠性高的高密度的信息记录介质。另外，在本发明所提供的信息记录介质中，所述信息记录材料的厚度为所述支柱的信息记录方向的宽度的1/2以上2倍以下。由此，在支柱上形成的信息记录材料由于表面张力而成为无角的形状，能够进行稳定的信息记录。另外，在支柱上形成的信息记录材料不会较多地突出于该支柱而沿横向过于扩展，形成在支柱上的信息记录材料在支柱上能够容易地确保孤立的状态。由此，能够得到可靠性更高的高密度的信息记录介质。另外，在本发明所提供的信息记录介质中，所述信息记录材料的厚度与所述支柱的信息记录方向的宽度大致相等。由此，在支柱上形成的信息记录材料减小至与该支柱的剖面相同的程度，而且，由于表面张力信息记录材料在支柱上成为近似于球形的形状，从而能够进行更稳定的记录。由此，能够得到可靠性更高的高密度的信息记录介质。另外，在本发明所提供的信息记录介质中，所述支柱的高度大于所述支柱的信息记录方向的宽度。在信息记录材料的厚度与所述支柱的信息记录方向的宽度大致相等的情况下，通过使支柱的高度大于支柱的信息记录方向的宽度，能够使形成在支柱上的信息记录材料在支柱上可靠地处于孤立的状态。由此，能够得到可靠性高的高密度的信息记录介质。另外，在本发明所提供的权利要求2至5中任一项所述的(应删除)信息记录介质中，所述支柱的侧壁部与所述基板的主面所成的角度为75度以上。由此，形成在支柱上的信息记录材料在支柱上可靠地处于孤立的状态。由此，能够得到可靠性高的高密度的信息记录介质。另外，在本发明所提供的信息记录介质中，所述支柱的信息记录方向的宽度为 20nm以下。由此，在支柱上形成的信息记录材料的表面容易成为平滑的形状，因此在利用近场光等记录信息的情况下，近场光容易集中于粒子部，使记录变得容易。另外，在本发明所提供的信息记录介质中，所述支柱的信息记录方向的宽度为3nm 以上。若粒子部小于3nm，则在支柱上形成的信息记录材料中包含的原子数减少，导致包含信息记录材料的粒子部的熔点变低，难以结晶化，但根据上述的结构，能够避免该问题，能够进行可靠性高的高密度的信息记录。另外，在本发明所提供的信息记录介质中，所述支柱的与所述基板的主面平行的剖面呈由无角的曲面围成的形状。由此，在支柱上形成的信息记录材料也呈由无角的曲面围成的形状，能够对包含信息记录材料的粒子部进行热偏倚较少的稳定的信息记录。另外，在本发明所提供的信息记录介质中，在所述粒子部的上部或下部的至少其中之一上形成有保护层。由此，获得粒子部的记录状态稳定或者记录灵敏度提高等效果。另外，在本发明所提供的信息记录介质中，所述保护层采用介电体材料。这样，通过使用介电体材料作为保护层，能够容易并且可靠地进行粒子部的保护。另外，在本发明所提供的信息记录介质中，所述保护层的厚度为IOnm以下。这样， 通过使保护层6的厚度为IOnm以下，能够进行稳定的记录。即，如果使保护层6的厚度大于lOnm，则记录时的近场光难以集中于粒子部，存在记录不稳定的可能性，但根据本结构能够避免该问题，能够进行稳定的记录。另外，在本发明所提供的信息记录介质中，所述保护层的厚度为5nm以下。这样， 通过使保护层6的厚度为5nm以下，记录时的近场光容易集中于粒子部，从而能够进行更为稳定的记录。另外，在本发明所提供的信息记录介质中，所述粒子部利用通过等离子共振产生的近场光记录信息。由此，作为可靠性高的结构能够实现利用通过等离子共振产生的近场光记录信息的高密度的信息记录介质。另外，本发明所提供的信息记录介质的制造方法，用于制造具备基板以及在所述基板上以孤立的状态排列的含有信息记录材料的粒子部，所述粒子部的信息记录方向的宽度为30nm以下的信息记录介质，该方法包括将信息记录方向的宽度为30nm以下的支柱以孤立的状态排列在所述基板上的支柱形成步骤；以及通过将所述信息记录材料成膜在形成有所述支柱的基板上，在支柱上形成孤立状态的所述信息记录材料的成膜步骤。根据上述方法，首先，将支柱以孤立的状态形成在基板上，然后，通过在该支柱上形成信息记录材料，从而形成孤立的状态的信息记录材料。此处，由于支柱的信息记录方向的宽度为30nm以下，因此能够使支柱上的信息记录材料(粒子部)的信息记录方向的宽度为30nm以下。由此，在通过使用例如溅镀或蒸镀等的成膜步骤，将信息记录材料均勻成膜在基板上的情况下，也能够容易地排列与支柱的图案对应的孤立的信息记录材料(粒子部)，成膜变得简便。由此，能够容易地制造可进行以支柱为最小单位的高密度记录的可靠性高的信息记录介质。另外，在本发明所提供的信息记录介质的制造方法中，在所述支柱形成步骤形成的支柱的高度大于在所述成膜步骤成膜的所述信息记录材料的厚度。这样，通过使支柱的高度大于所述信息记录材料的厚度，能够使形成在支柱上的信息记录材料容易且可靠地处于在支柱上孤立的状态。另外，本发明所提供的信息记录介质的制造方法，用于制造具备基板以及在所述基板上以孤立的状态排列的含有信息记录材料的粒子部、所述粒子部的信息记录方向的宽度为30nm以下的信息记录介质，该方法包括将所述信息记录材料成膜在所述基板上的步骤；以及在所述信息记录材料上形成具有信息记录方向的宽度为30nm以下的图案的掩膜， 通过从该掩膜的上面蚀刻所述信息记录材料，在基板上形成信息记录方向的宽度为30nm 以下的含有信息记录材料的粒子部的步骤。根据上述方法，首先，将所述信息记录材料直接成膜在基板上，然后，通过在信息记录材料上形成掩膜并进行蚀刻，在基板上形成孤立的状态的信息记录材料。此处，由于掩膜的图案的信息记录方向的宽度为30nm以下，因此能够使信息记录材料(粒子部)的信息记录方向的宽度为30nm以下。通过该制造方法，能够将任意图案的孤立的信息记录材料直接排列在基板上。由此，能够制造可进行高密度记录的可靠性高的信息记录介质。另外，本发明所提供的信息记录介质的制造方法，用于制造具备基板以及在所述基板上以孤立的状态排列的含有信息记录材料的粒子部，所述粒子部的信息记录方向的宽度为30nm以下的信息记录介质，该方法包括将衬底层成膜在所述基板上的步骤；在所述衬底层上形成具有信息记录方向的宽度为30nm以下的图案的掩膜，通过从该掩膜的上面蚀刻所述衬底层，在基板上形成信息记录方向的宽度为30nm以下的衬底层的图案的步骤； 将所述信息记录材料成膜在形成有所述衬底层的图案的基板上的步骤；以及通过将所述衬底层与形成在该衬底层上面的信息记录材料一起除去，在基板上形成信息记录方向的宽度为30nm以下的含有信息记录材料的粒子部的步骤。根据上述方法，首先，将衬底层成膜在基板上，然后，通过在衬底层上形成掩膜并进行蚀刻，在基板上形成信息记录方向的宽度为30nm以下的衬底层的图案。此处，作为衬底层，可以选择与掩膜的蚀刻率差较大的容易蚀刻的任意材料，该蚀刻处理容易进行。然后，将信息记录材料成膜在形成有衬底层的图案的基板上后，通过除去衬底层，形成孤立的状态的信息记录材料。在该制造方法中，由于不需要对信息记录材料进行蚀刻，因此，即使是使用了难以进行蚀刻的信息记录材料的信息记录介质，也能容易地制造。由此，能够容易地制造可进行高密度记录的可靠性高的信息记录介质。此外，在用于实施发明的方式的项目中描述的具体实施方式
或实施例只是为了明确本发明的技术内容，不应仅限定于这样的具体例而狭义解释，在本发明的精神和权利要求的范围内，能够进行各种变更并实施。产业上的可利用性本发明所涉及的信息记录介质对于实现利用相变记录材料大幅提高了记录密度的信息记录介质等是有用的。
权利要求
1.一种信息记录介质，其特征在于包括基板；以及在所述基板上以孤立的状态排列的含有信息记录材料的粒子部，其中，所述粒子部的信息记录方向的宽度为30nm以下。
2.根据权利要求1所述的信息记录介质，其特征在于还包括在所述基板上以孤立的状态排列的支柱，其中，所述粒子部通过在所述支柱上形成所述信息记录材料而构成，所述支柱的信息记录方向的宽度为30nm以下，所述支柱的高度大于所述信息记录材料的厚度。
3.根据权利要求2所述的信息记录介质，其特征在于所述信息记录材料的厚度为所述支柱的信息记录方向的宽度的1/2以上2倍以下。
4.根据权利要求3所述的信息记录介质，其特征在于所述信息记录材料的厚度与所述支柱的信息记录方向的宽度大致相等。
5.根据权利要求4所述的信息记录介质，其特征在于所述支柱的高度大于所述支柱的信息记录方向的宽度。
6.根据权利要求2至5中任一项所述的信息记录介质，其特征在于部与所述基板的主面所成的角度为75度以上。
7.根据权利要求2至6中任一项所述的信息记录介质，其特征在于记录方向的宽度为20nm以下。
8.根据权利要求2至7中任一项所述的信息记录介质，其特征在于记录方向的宽度为3nm以上。
9.根据权利要求2至8中任一项所述的信息记录介质，其特征在于述基板的主面平行的剖面呈由无角的曲面围成的形状。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的信息记录介质，其特征在于上部或下部的至少其中之一上形成有保护层。
11.根据权利要求10所述的信息记录介质，其特征在于所述保护层采用介电体材料。
12.根据权利要求10或11所述的信息记录介质，其特征在于所述保护层的厚度为 IOnm以下。
13.根据权利要求10至12中任一项所述的信息记录介质，其特征在于所述保护层的厚度为5nm以下。
14.根据权利要求1至13中任一项所述的信息记录介质，其特征在于所述粒子部，利用通过等离子共振产生的近场光记录信息。
15.一种信息记录介质的制造方法，用于制造具备基板以及在所述基板上以孤立的状态排列的含有信息记录材料的粒子部，且所述粒子部的信息记录方向的宽度为30nm以下的信息记录介质，其特征在于包括将信息记录方向的宽度为30nm以下的支柱以孤立的状态排列在所述基板上的支柱形成步骤；以及通过将所述信息记录材料成膜在形成有所述支柱的基板上，在支柱上形成孤立状态的所述信息记录材料的成膜步骤。 所述支柱的侧壁 所述支柱的信息 所述支柱的信息 所述支柱的与所 在所述粒子部的
16.根据权利要求15所述的信息记录介质的制造方法，其特征在于在所述支柱形成步骤形成的支柱的高度大于在所述成膜步骤成膜的所述信息记录材料的厚度。
17.一种信息记录介质的制造方法，用于制造具备基板以及在所述基板上以孤立的状态排列的含有信息记录材料的粒子部，且所述粒子部的信息记录方向的宽度为30nm以下的信息记录介质，其特征在于包括将所述信息记录材料成膜在所述基板上的步骤；以及在所述信息记录材料上形成具有信息记录方向的宽度为30nm以下的图案的掩膜，通过从该掩膜的上面蚀刻所述信息记录材料，在基板上形成信息记录方向的宽度为30nm以下的含有信息记录材料的粒子部的步骤。
18.一种信息记录介质的制造方法，用于制造具备基板以及在所述基板上以孤立的状态排列的含有信息记录材料的粒子部，且所述粒子部的信息记录方向的宽度为30nm以下的信息记录介质，其特征在于包括将衬底层成膜在所述基板上的步骤；在所述衬底层上形成具有信息记录方向的宽度为30nm以下的图案的掩膜，通过从该掩膜的上面蚀刻所述衬底层，在基板上形成信息记录方向的宽度为30nm以下的衬底层的图案的步骤；将所述信息记录材料成膜在形成有所述衬底层的图案的基板上的步骤；以及通过将所述衬底层与形成在该衬底层上的信息记录材料一起除去，在基板上形成信息记录方向的宽度为30nm以下的含有信息记录材料的粒子部的步骤。
全文摘要
本发明提供一种信息记录介质，包括基板以及在所述基板上以孤立的状态排列的含有信息记录材料的粒子部，所述粒子部的信息记录方向的宽度为30nm以下。另外，信息记录介质还包括在所述基板上以孤立的状态排列的支柱，所述粒子部通过在所述支柱上形成所述信息记录材料而构成，所述支柱的信息记录方向的宽度为30nm以下，所述支柱的高度大于所述信息记录材料的厚度。
文档编号G11B7/24GK102379006SQ20108001510
公开日2012年3月14日 申请日期2010年4月5日 优先权日2009年4月9日
发明者久田和也, 大野锐二, 尾留川正博 申请人:松下电器产业株式会社