与Ll〇型有序合金的a、b轴长0. 385皿的晶格匹配性良好。
[0033] 本发明的金属基底层3可W利用成膜速率快的DC瓣射法进行成膜，而且，不需要 导入反应性气体，因此能够再现性良好地在短时间内成膜所需膜厚的金属基底层3。
[0034] 作为取向控制层4,用于提高11。型有序合金的结晶性。可W使用（100)取向的 化C1型晶体、（100)取向的CsCl型晶体、（001)取向的具有11。型结构的金属间化合物、或 (001)取向的具有L12型结构的金属间化合物等。特别适宜使用与L1。型有序合金的晶格 匹配性良好的具有化C1结构的MgO。
[0035] 作为取向控制层4使用MgO膜时，也可W在维持MgO的化Cl结构的范围内包含 MgOW外的元素。作为MgO中添加的元素，例如可列举出具有选自佩、]?〇、师、13、1等的组 中的至少1种元素的烙点为2000°CW上的金属元素。通过添加该些金属元素，从而能够使 MgO膜的粒径微细化。
[0036] 磁记录层5可W使用L1。型有序合金。尤其理想的是使用L1。型化Pt有序合金、 或11。型CoPt有序合金。另外，为了促进L1。型化Pt有序合金的有序化，也可W在磁记录 层中添加Ag、Au、化等第S元素。另外，为了获得微细的磁性晶粒在晶界彼此孤立化的、作 为磁记录层而优选的结构（颗粒结构），磁记录层5中也可W添加Si〇2、Ti〇2、MgO等氧化 物、碳系的非金属元素作为在磁性晶粒的晶界发生偏析的材料。
[0037]实施例[003引（实施例1)
[0039] 制作图1中示出的层叠结构的磁记录介质7。首先，在玻璃基板1上成膜作为软 磁性层2的膜厚为40nm的Co化Zr膜、作为金属基底层3的膜厚为3nm的Pd膜。金属基底 层3是在压力0. 6Pa的Ar气体气氛中使用DC瓣射法而成膜的。在其上部依次成膜由膜厚 为20nm的MgO膜形成的取向控制层4,作为磁记录层5的层叠膜厚为3nm的化膜和膜厚 为3nm的Pt膜各1层，在其上部成膜作为保护层6的膜厚为3nm的碳膜。另外，成膜磁记 录层5后将基板加热至500°C左右，从而将作为磁记录层5而层叠的化膜和Pt膜制成L1。 型化Pt有序合金膜。
[0040] 本实施例中，也可W作为磁记录层5逐次分别层叠1层化膜和Pt膜后，进行加 热，制成L1。型化Pt有序合金膜，进行使用化和Pt的合金祀的瓣射、或分别使用化和Pt 的单独的祀的同时瓣射，然后进行加热，成膜L1。型化Pt有序合金膜。
[0041](实施例2)
[0042] 实施例2中，将取向控制层4的膜厚设为5nm，通过其它膜的厚度及成膜条件等均 与实施例1相同的方法制作磁记录介质7。
[0043](实施例3)
[0044] 实施例3中，将金属基底层3的膜厚设为lOnm，通过其它膜的厚度及成膜条件等均 与实施例1相同的方法制作磁记录介质7。
[0045](比较例1)
[0046] 比较例1中，未成膜金属基底层3,通过其它膜的厚度及成膜条件等均与实施例1 相同的方法制作磁记录介质7。
[0047](比较例。
[0048] 比较例2中，作为金属基底层3,W10皿的厚度成膜具有体屯、立方结构的化膜来 代替具有面屯、立方结构的Pd膜，除此之外，通过与实施例2同样的方法制作磁记录介质7。
[0049] 表1中示出实施例1~3及比较例1~2的磁记录介质7的取向控制层4的膜 厚和金属基底层3的材料及膜厚、W及磁记录介质7的矫顽力。矫顽力的测定利用NE0ARK 0〇巧〇^^〇11制造的极向1(日1^效应测定装置肌-800屏皿来实施。
[0050][表U [0化1]
[0化2] 实施例1的磁记录介质的矫顽力为89270e，与不具有作为金属基底层3的Pd膜的 比较例1的磁记录介质的矫顽力53000e相比显示出较高的值。
[005引另外，将取向控制层4的膜厚减薄为5nm的实施例2的磁记录介质7的矫顽力也 维持710006该一较高的值。该值与无Pd膜、MgO膜厚为20皿的比较例1相比为较高的值。 可知，通过成膜Pd膜作为金属基底层3,从而即使减薄MgO膜厚，也得到了作为磁记录介质 7足够大的矫顽力。
[0化4] 另外，即使是将Pd膜厚加厚为lOnm的实施例3,矫顽力也为833306。即使加厚Pd 膜厚，矫顽力也维持较高的值。
[0化5] 作为金属基底层3WlOnm的厚度成膜体屯、立方结构的化膜的比较例2中，矫顽 力为291006,与未成膜金属基底层3时的比较例1相比为较低的值。作为矫顽力大大减少 的理由，认为是由于&向磁记录层5中扩散。该是因为W&为代表的体屯、立方结构的金 属明显损害3d铁磁性元素的铁磁性。另一方面，具有面屯、立方结构的Pd等金属不会使3d 铁磁性元素的磁特性大幅劣化。
[0056] 使用金属基底层3并减薄取向控制层4时，构成金属基底层3的原子透过取向控 制层4而扩散到磁记录层5中的概率变高，但是通过使用具有面屯、立方结构的金属基底层 3,从而即使在构成金属基底层3的原子扩散到磁记录层5中的情况下也能够抑制磁记录层 5的磁特性劣化。
[0化7] 附图梳巧说巧
[0058] 1;基板
[0059] 2;软磁性层
[0060] 3;金属基底层
[0061] 4;取向控制层
[00创 5;磁记录层
[0063] 6 ;保护层
[0064] 7 ;磁记录介质
[00(55] 10 ;载体
[0066] 111 ;加载互锁室
[0067] 112、116、123、127 ;方向转换室
[0068] 114;软磁性层形成室
[0069] 115;金属基底层形成室
[0070] 118;取向控制层形成室
[007U 124 ;磁记录层形成室
[00巧 125 ;基板加热室
[007引 129 ;保护层形成室
[0074] 131 ;卸载互锁室
【主权项】
1. 一种磁记录介质，其特征在于，具备： 金属基底层、 形成在所述金属基底层上的取向控制层、以及 形成在所述取向控制层上的包含具有Lltl型结构的有序合金的磁记录层， 所述金属基底层具有面心立方结构。2. 根据权利要求1所述的磁记录介质，其特征在于，所述金属基底层使用Ag、Al、Au、 &1、11'、附、？1?(1、诎中的1种而构成、或者使用包含六831、六11、(：11、11'、附、？1?(1、诎中 的1种以上的合金而构成。3. 根据权利要求1或2所述的磁记录介质，其特征在于，所述取向控制层将MgO作为主 要成分。4. 一种磁记录介质的制造方法，其特征在于，具有以下的工序： 在基板上形成金属基底层的工序； 在所述金属基底层上形成取向控制层的工序；以及 在所述取向控制层上形成包含具有Lltl型结构的有序合金的磁记录层的工序， 所述金属基底层具有面心立方结构。5. 根据权利要求4所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，所述金属基底层使用 Ag、Al、Au、Cu、Ir、Ni、Pt、Pd、Rh 中的 1 种而构成、或者使用包含 Ag、Al、Au、Cu、Ir、Ni、Pt、 PcURh中的1种以上的合金而构成。6. 根据权利要求4或5所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，所述取向控制层将 MgO作为主要成分。
【专利摘要】本发明提供能以高吞吐量生产将磁各向异性大的L10型的有序合金用于磁记录层、具有高矫顽力的磁记录介质的、磁记录介质及其制造方法。通过在用于提高包含具有L10型结构的有序合金的磁记录层的结晶性的取向控制层的下层设置具有面心立方结构的金属基底层，从而即使在使该取向控制层薄膜化时也能够形成具有充分的矫顽力的磁记录层，能够使主要由氧化物构成的取向控制层薄膜化，因此能够提高吞吐量。
【IPC分类】G11B5/851, G11B5/66, G11B5/84
【公开号】CN104885154
【申请号】CN201380068621
【发明人】楢舘英知, 佐藤晃央, 芝本雅弘, 山中和人
【申请人】佳能安内华股份有限公司
【公开日】2015年9月2日
【申请日】2013年12月18日
【公告号】US20150348579, WO2014103815A1