基板的输送方法及其装置的制作方法

专利名称：基板的输送方法及其装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种适合于在处理半导体基板、液晶基板或部件基板等基板(以下称晶片ゥエハ)的装置间每次1张地输送(单张输送)晶片的单张输送方法及其装置。
背景技术：
作为在处理晶片的装置间单张输送晶片的现有技术，例如可列举出野崎胜弘的“专集LSI线的生产技术革命”，NIKKEI微型器件1993年8月号，25-32页记载的技术。
该现有技术特别是公开出以下那样的内容。
1.可有效地利用单张处理装置和组合工具(クラスタッ一ル)的自动化线。
2.使台架(ベィ/bay)内输送多张化而可进行多品种变量生产的生产线的构想。
3.由单张输送使品种和生产量可变。
4.与单张处理装置组合可减少晶片的半成品张数。
5.台架间使用成批输送。
6.在批量生产开始时刻将不同工艺的处理室连到1台组合工具。
如装置台数少，则生产能力也降低。由单独的组合工具也可连接多个相同的处理室或附加可进行多工艺处理的模块，模拟地提高处理能力。
下面的内容由图示出。
在平面形状为变形U字形的晶片输送系统的两侧配置多台多工艺装置，构成台架。即，在台架内的U字形的晶片输送系统的2列平行输送线分别沿其配置多台多工艺装置。在晶片输送系统的多个位置设置具有机械手的往复移动装置。在该输送线与各处理装置间设置I/O。另外，在这样的台架间的晶片的输送中采用成批输送系统。
图1示出第2现有技术。图2为记载于半导体产业新闻2001年12月5日的图。该图为ITRS(International Technology Roadmap forSemiconductors)示出的晶片单张生产系统的模块自动化的例子。工序之间由采用了FOUP的25张单位的输送进行输送，在工序内由晶片单张单位进行直接输送。图中的黑圆圈表示晶片，工艺装置内和工艺装置间由晶片单位进行处理和输送。按照该系统，由晶片单张单位的处理和直接输送，使过去的FOUP输送的直到25张的晶片的等候时间成为零，不需要FOUP开启器(オ一プナ一)和EFEM这样的附属装置。
而且，这样的事例也同样公开于例如林武秀“系统LSI制造俊敏さ“ガ”命单张生产·输送大幅度缩短TAT”，电子杂志2002年2月号，PP95-99。
图2示出第3现有技术例。在图2中，设置有处理部、主输送装置、及送入送出部；该处理部在输送通道的两侧配置多个处理装置，该处理装置相对被处理基板进行抗蚀剂涂覆和曝光后的显影，并进行用于腐蚀显影后的被处理基板的一连串的处理；该主输送装置沿输送通道移动，在与各处理装置之间进行基板的转移；该送入送出部具有相对主输送装置转移被处理基板的输送机构；处理部的各处理装置、输送通道、及送入送出部一体设置。
图3示出第4现有技术例。在图3中，在玻璃基板形成用于例如液晶显示器(LCD)的TFT阵列，沿着输送玻璃基板的输送装置的行走的输送通道，配置用于形成玻璃基板的一层的腐蚀装置、第1检查装置、抗蚀剂剥离装置、基板等候用缓冲装置、清洗装置、成膜装置、及第2检查装置，在输送通道的一端配置基板送入部，在输送通道的另一端于基板送出部以多级收容盒，而且使得输送装置可相对各盒存取地设置使台子升降的升降机构。
在上述现有技术中，虽然台架的构成分别不同，但由于用于在各台架内输送晶片、被处理基板、玻璃基板的晶片输送系统、晶片单张直接输送系统、输送通道在所有的场合都共同地为单一体，所以，依然存在以下那样的必须解决的问题。
1.台架内的晶片的输送和晶片的输送装置与各处理装置的晶片的配合由在各处理装置的晶片处理时间(及处理装置内的晶片输送时间)中的最长时间决定速度。为此，在台架内的晶片的输送和各处理装置的晶片的配合产生等候时间，台架内的处理量下降。这样，如上述现有技术例的特别是从图1-图3所示的第2-第4的现有技术例那样，对于各处理装置，在晶片处理不同的场合明显地产生这样的问题。
2.例如在2个FOUP内的晶片的处理内容对于各FOUP不同的场合，例如一方的FOUP内的晶片为等离子腐蚀处理、另一方的FOUP内的晶片为等离子CVD处理，两者不同，在这些处理存在处理时间的长短。为此，在台架内的晶片的输送及晶片的输送装置与各处理装置的晶片的配合由处理时间长的该场合的等离子CVD处理决定速度。为此，台架内的晶片特别是等离子腐蚀处理的晶片的输送和各腐蚀装置的晶片的配合产生等候时间，台架内的处理量下降。
3.即使在台架内的各处理装置中的晶片处理相同(例如处理内容、条件等)，由于在台架内输送装置的晶片的输送时间与各处理装置内的处理时间+处理装置内的晶片的输送时间不同，所以，台架内输送装置与各处理装置的晶片的配合及台架内的晶片的输送存在产生混乱的危险性，由此可能导致台架内的处理量的下降。
4.在处理时间长的晶片与处理时间短的晶片混合存在于台架内输送线的场合，即使处理时间短的晶片的处理结束，由于在输送线中处于其前面的处理时间长的晶片的处理不结束，所以，不能进行从处理装置到输送线的输送及到输送线的下一处理装置的输送。即，产生等候时间。在这样的现有技术中，不进行处理时间短的晶片与处理时间长的晶片的输送线的分开使用这样的识别。因此，在这样的现有技术中，输送时间由处理时间较长一方决定速度。为此，处理时间也变晚，整体的速度下降，从而使台架整体的处理量下降。
5.在多品种小批量生产的场合，当在1个晶片输送线上来了需要特急处理的晶片时，如存在带有机械手的往复移动装置并且该机械手具有通常的处理晶片，则其成为障碍，不能立即移动到指定的装置。为此，对于需要特急处理的晶片产生等候时间。为此，该晶片的处理很费时间，不能对应多品种小批量生产，处理量下降。
6.晶片输送线的带有机械手的往复移动装置例如当一个出现故障时，使台架内的输送线停止，不能将晶片输送到多工艺装置。为此，不能由多工艺装置处理晶片，台架内的各晶片的处理停止。另外，该台架内的输送线、各多工艺装置的停止使得不能进行从该台架到其它台架的晶片的输送，此外的台架的晶片处理也停止。从而使相关台架的晶片处理全部停止。

发明内容
本发明就是为了解决上述问题以达到以下目的。
本发明的第1目的在于提供一种单张输送方法及其装置，该单张输送方法及其装置即使在晶片的处理对各台架内的各处理装置不同的场合，也可防止台架内的晶片的输送及晶片输送装置与各处理装置的晶片配合由其决定速度，由此防止处理量的下降。
另外，本发明的第2目的在于提供一种单张输送方法及其装置，该单张输送方法及其装置即使在晶片的处理内容对保持晶片的装置不同的场合，也可防止台架内的晶片的输送及晶片输送装置与各处理装置的晶片配合由其决定速度，由此防止处理量的下降。
另外，本发明的第3目的在于提供一种单张输送方法及其装置，该单张输送方法及其装置可防止在台架内的晶片处理相同的场合可能发生的台架内输送装置与各处理装置的晶片配合及台架内的晶片输送的混乱，由此可防止台架内的处理量的下降。
另外，本发明的第4目的在于提供一种单张输送方法及其装置，该单张输送方法及其装置即使在混合存在处理时间不同的晶片的场合，也可分开使用处理时间短的晶片与处理时间长的晶片，防止处理量下降。
另外，本发明的第5目的在于提供一种单张输送方法及其装置，该单张输送方法及其装置即使在多品种小批量生产的场合下需要特急处理的晶片来到时，也可防止该晶片的处理花费较多时间，防止处理量下降。
另外，本发明的第6目的在于提供一种单张输送方法及其装置，该单张输送方法及其装置即使在晶片输送线出现故障时也可防止台架内处理和其它台架的处理停止。
第1-第3目的可通过在台架内可同时输送地设置至少另一输送线而实现。即，即使在晶片处理对台架内的各处理装置不同的场合，通过分开使用可同时输送的多个台架内输送线，抑制台架内的晶片输送和晶片输送装置与各处理装置的晶片配合由晶片的处理对各处理装置不同这一点决定速度(律速)。
另外，即使在晶片的处理内容对于各保持晶片的装置不同的场合，通过与其对应地分开使用台架内输送线的可同时输送的输送线，可对应于收容于各晶片保持装置的晶片的处理内容顺利地实施台架内的晶片输送和晶片输送装置与各处理装置的晶片配合。
另外，通过分开使用台架内输送线的可同时输送的输送线，可防止台架内的晶片的处理相同的场合可能发生的台架内输送装置与各处理装置的晶片配合及台架内的晶片输送的混乱。
第4目的可通过在晶片普通输送线设置其它的晶片特急输送线作为台架内输送线的可同时输送的输送线而实现。在这里，晶片普通输送线表示单张输送在处理装置中的处理时间较长的晶片的输送线。晶片特急输送线表示单张输送在处理装置中的处理时间较短的晶片的输送线。即，在混合存在处理时间短的晶片和处理时间长的晶片的场合，可通过分开使用而实施，即，处理时间短的晶片使用晶片特急输送线，处理时间长的晶片使用晶片普通输送线。
处理速度长短不是定量的，例如通过比较某一晶片的处理速度和其它晶片的处理速度而决定，或比较收容于某一晶片收容装置的晶片的处理速度与收容于其它晶片收容装置的其它晶片的处理速度而决定。这样的处理速度的差异由控制装置进行比较运算，根据该结果选择使用晶片普通输送线或使用晶片特急输送线。
第5目的可通过在台架内设置用于跳越的别的单张输送线而实现。即，在多品种少量生产的场合，当需要特急处理的晶片来到时，通过在指定的装置使用跳越线可进行移动。
对于第6目的，可通过在台架内设置别的单张输送线实现。即，在台架内的单张输送线因某种原因而出现故障时，其故障立即被检测出来，别的单张输送线开始作动。这样，台架内的晶片不会停止其输送。因此，不会停止各处理装置中的处理地继续进行处理和输送，可顺利地实施台架内的所有作业。另外，由于这样不停止台架内的晶片的输送·处理，所以，其它相关台架也可不全部停止晶片的输送·处理地实施。
本发明中所谓的输送线的分开使用也可这样理解，即，在台架内具有不同的多个处理装置，可同时进行输送地在台架内设置第1输送线和第2输送线；该第1输送线在该第1处理装置进行第1处理并相应于该第1处理作动；该第2输送线在另一处理装置中进行与第1处理不同的第2处理并相应于该第2处理作动；分开使用该可同时进行输送地设置的2个输送线。


图1为示出第2现有技术的晶片单张生产系统的平面图。
图2为示出第3现有技术的曝光后的被处理基板的处理线的平面图。
图3为示出第4现有技术的TFT阵列形成线的平面图。
图4为局部地示出本发明的半导体制造线的第1实施例的平面图。
图5为图4的第1实施例的单张输送线的与台架堆料机相反侧的部分的透视外观图。
图6为图5的I-I视断面图。
图7为图5的详细纵断面图。
图8为图4的本发明第1实施例的单张输送线下侧位置的输送线的部分平面图。
图9为图4的本发明第1实施例的单张输送线上侧位置的输送线的部分平面图。
图10为用于说明图9的晶片保持部分的晶片保持件及其作用的平面图。
图11用于说明图4的本发明第1实施例的单张输送线，为示出台架间输送线和台架内的单张输送线的配合的局部平面图。
图12为图11的正面图。
图13为示出图4的本发明第1实施例的单张输送线与真空处理装置的配合例的局部平面图。
图14为示出图13的上侧位置输送线与真空处理装置的配合构造的纵断面图。
图15为示意地示出图14的晶片的输送状况的纵断面图。
图16为示出图13的下侧位置的输送线与真空处理装置的配合例的部分平面图。
图17为示意地示出图16的晶片的输送状况的纵断面图。
图18为部分地示出本发明的半导体制造线的第2实施例的平面图。
图19为图18的主要部分的纵断面图。
图20为部分地示出本发明的半导体制造线的第3实施例的平面图。
图21为图20的主要部分的纵断面图。
图22用于说明半导体制造线的第4实施例，为示出上侧位置的输送线与真空处理装置的配合构造的第2实施例的纵断面图。
图23为示意地示出图22的晶片的输送状况的纵断面图。
图24用于说明半导体制造线的第4实施例，为示出下侧位置的输送线与真空处理装置的配合构造的第2实施例的纵断面图。
图25为示意地示出图24的晶片的输送状况的纵断面图。
图26用于说明半导体制造线的第5实施例，为示出台架间输送线与台架内的单张输送线的配合的部分平面图。
图27用于说明半导体制造线的第6实施例，为示出台架间输送线与各处理装置的配合的台架部分的平面图。
图28用于说明半导体制造线的第7实施例，为示出横过单张输送线部的状态的断面图。
图29用于说明半导体制造线的第8实施例，为示出单张输送线与各处理装置的配合的另一实施例的部分平面图。
图30为图29的主要部分的纵断面图。
图31用于说明半导体制造线的第9实施例，为示出单张输送线与各处理装置的配合的再另一实施例的部分平面图。
图32为图31的主要部分的纵断面图。
具体实施例方式
下面，根据

本发明的实施例。
从图4-图17示出本发明的第1实施例。
在图4中，部分地示出具有多个台架100、200、300……的半导体制造线。各台架100、200、300……分别通过台架堆料机130、230、330……连接到台架间输送线400。
下面，根据图4以台架100为代表例详细说明其构成和作用。其它的台架200、300……的构成和作用与台架100大体相同，所以省略其说明。
如图4所示，台架100由该场合的平面形状为环状的单张输送线120和沿其长度输送方向(与台架间输送线400的输送方向交叉的方向)并列设置的处理装置101-106构成。在该场合，处理装置101-103在单张输送线120的一方侧邻接地各并列设置1台。另外，在余下的处理装置104-106的另一方侧邻接地各并列设置1台。处理装置101-106分别具有输送机械手11-16，处理装置101-106具有每次1张即单张地处理晶片W的腔室(省略图示)。在该例子中，配置了6台处理装置，但该台数不特别限定。沿单张输送线120配置的装置的种类、台数、及装置配置如前面由现有技术例所示那样根据晶片W的工艺流程选择和决定。
如图4所示，单张输送线120通过组合以单张输送晶片W的输送线121和可与该输送线121同时输送地设置并以单张输送晶片W的另一输送线122而构成。在该场合，各输送线处于上下的位置关系，形成为将输送线121设于下侧位置、将输送线122设于上侧位置的构造。在该场合，输送线122具有与输送线121的晶片输送面相向的晶片输送面。另外，在该场合，输送线121具有大体为水平面的晶片输送面，输送线122具有在上下方向上与输送线121的晶片输送面相向的大体为水平面的晶片输送面。即，输送线121、122以水平面保持晶片W进行输送。
在以下的说明中，说明输送线121、122的各晶片输送面在上下方向上相向的例子，但该关系不特别地限于此。例如，输送线121、122双方的晶片输送面也可在左右方向上相向。在该场合，在输送线121、122中，晶片W从其构造上考虑以被处理面纵型姿势分别输送。与各处理装置之间的晶片W的转移通过从纵型姿势进行姿势变换而以被处理面水平姿势实施，或按原有姿势实施，在实施本发明方面都没有特别的问题。
另外，如图4所示，在处理装置101-106的输送机械手11-16与输送线121、122之间可转移1张即单张晶片W。另外，可在台架堆料机130的堆料机(省略图示)和输送线121、122之间转移晶片W。
如图4所示，台架100、200、300……间的晶片的输送利用台架堆料机130、230、330……由台架间输送线400实施。
图5、图6示出单张输送线120的详细构造。图5为与单张输送线120的与台架堆料机130相反侧的部分的透视外观图。图6为图5的I-I视断面图。
在图6中，输送线121具有移动体121a和晶片保持台121b。晶片保持台121b设于移动体121a。晶片保持台121b将其上表面作为晶片保持面，在其上保持1张晶片W。晶片W以水平姿势接触放置在该晶片保持台121b的上表面。输送线122具有移动体122a和晶片保持件122b。晶片保持件122b设于移动体122a。晶片保持件122b以水平姿势保持1张晶片W。在图6中，晶片保持台121b的晶片载置面与晶片保持件122b的晶片保持部的间隔H由各处理处置的构造决定。这将在后面说明。
如图7所示，例如在移动体121a使用由作为非接触移动体的该场合的线性轨道121a-1和线性台车121a-2构成的线性移动体。晶片保持台121b设于移动体121a的线性台车121a-2。晶片保持台121b将其上表面作为晶片保持面，在其上保持1张晶片W。晶片W以水平姿势接触放置到该晶片保持台121b的上表面。
如图7所示，在移动体122a使用由作为非接触移动体的该场合的线性轨道122a-1和线性台车122a-2构成的线性移动体。晶片保持件122b设于移动体122a的线性台车122a-2。晶片保持件122b在晶片W的外周部接触其内面部分，在该场合，保持1张。
下面，说明从输送线121向输送线122转移晶片W的场合。
如图7所示，首先，在输送线121的晶片保持台121b载置保持1张晶片W。另一方面，输送线122的晶片保持件122b为未保持晶片的状态。在该状态下，晶片保持台121b与晶片保持件122b的位置关系调整为可转移晶片的位置关系。接着，晶片保持台121b的晶片W朝晶片保持件122b上升(箭头600)。该上升在到达可由晶片保持件122b接受晶片的位置时停止。此前，如图10所示那样，晶片保持件122b成为朝径向打开的状态(箭头602)。晶片W来到该部分时打开的晶片保持件122b沿径向关闭(箭头602)。这样，晶片W由晶片保持件122b的收取部收取其外周内面部而被接受。此后，使晶片W上升的构件(省略图示)下降，例如收容到晶片保持台121b内。
图8示出输送线121的部分平面图。
如图8所示，沿单张输送线在其底面设置有线性轨道121a-1。在线性轨道121a-1分别可行走(箭头603)地设置该场合的3个线性台车。在各线性台车121a-2分别设置1个晶片保持台121b。
如图8所示，线性台车121a-2的平面形状例如为矩形。晶片保持台121b的形状例如大体为圆形。该晶片保持台121b的大小根据晶片的大小选择。例如，在晶片的直径变成8英寸、12英寸、14英寸……的场合，根据该晶片的直径，使晶片保持台121b的大小也相应地变化。在线性台车121a-2分别具有检测前后间隔的传感器(省略图示)。这些传感器分别连接到控制装置(省略图示)。另外，在线性台车121a-2或晶片保持台121b设置传感器(省略图示)。该传感器具有检测晶片的有无和晶片信息的功能。该传感器连接到控制装置(省略图示)。该传感器也可由1个传感器实现晶片的有无检测和晶片信息检测双方的检测功能。另外，也可具有别的功能。
另外，线性台车121a-2分别具有确认输送线121的自身的位置信息的传感器(省略图示)。该传感器连接到控制装置(省略图示)。例如该传感器具有检测线性台车121a-2是否来到与规定的处理装置对应的位置的功能。各处理装置可分别设置具有这样的检测功能的传感器，也可在各线性台车、处理装置双方设置。
图9示出输送线122的部分平面图。
如图9所示，沿单张输送线在其底面设置线性轨道122a-1。在线性轨道122a-1分别可行走(箭头604)地设置该场合的3个线性台车122a-2。在各线性台车122a-2设置晶片保持件122b。例如，如图10所示那样，晶片保持件122b具有3个收取部122b-1。该收取部122b-1在圆周上按120°间隔配置，位于晶片W的外周部分。该晶片保持件122b为了接受晶片W而可朝晶片的径向(箭头602)开闭。
如图9所示，线性台车122a-2的平面形状例如成为矩形。另外，在线性台车122a-2分别具有检测前后的间隔的传感器(省略图示)。该传感器分别连接到控制装置(省略图示)。另外，在线性台车122a-2设置具有检测晶片的有无和晶片信息的功能的传感器(省略图示)。该传感器分别连接到控制装置(省略图示)。该传感器也可由1个传感器实现晶片的有无检测和晶片信息检测双方的检测功能。另外，也可具有别的功能。
另外，线性台车122a-2分别具有确认输送线122的自身的位置信息的传感器(省略图示)。该传感器分别连接到控制装置(省略图示)。例如该传感器具有检测线性台车122a-2是否来到与规定的处理装置对应的位置的功能。各处理装置也可分别设置具有这样的检测功能的传感器，另外，也可在各线性台车、处理装置双方设置。
如图8、图9所示，输送线121的线性台车121a-2的设置到线性轨道121a-1的台数与输送线122的线性台车122a-2设置到线性轨道122a-1的台数可相同，也可不同。在图8、图9中，示出了分别设置3台线性台车的例子，但该线性台车的台数也可适当地决定。另外，连接各传感器等的控制装置可分开，也可为1台装置。
输送线121的线性台车121a-2与输送线122的线性台车122a-2的位置关系的控制由各传感器和控制装置的作用适当地实施。
如图11、图12所示，台架堆料机130连接到台架间输送线400。台架间输送线400在该场合使用AGV(自动导向车辆)410。AGV410具有机械手411、台412、轨道413、行走架414。行走轨道413设置于台架间输送线400。行走架414可移动地设置到轨道413。在行走架414设置机械手411和台412。行走架414具有驱动装置(省略图示)。该驱动装置连接到控制装置(省略图示)。行走架414具有检测与台架堆料机130之间的位置的位置检测传感器。该传感器也可由台架堆料机130具有。
如图11、图12所示，台412的晶片收容装置例如FOUP(前部开启联合箱(Front Opening Unified Pod))500具有该场合的2个(500a、500b)可载置的平面。FOUP500以水平姿势对收容于其中的晶片的被处理面进行保持地放置到台412的载置面上。机械手411的该场合的例如前端具有握住FOUP的握持部的臂416。该机械手411具有使臂416旋转运动、左右往复运动、及升降运动的驱动装置(图示省略)。该驱动装置连接到控制装置(省略图示)。晶片收容装置除了FOUP外也可没有问题地采用开口盒等其它收容装置。
如图11、图12所示，台架堆料机130具有台131、门132、机械手133、轨道134。台架堆料机130在该场合分成台131部分和输送机械手部分136。台131部分和输送机械手部分136由门132分隔。在门132的AGV410侧设置台131。在门132的输送线121侧配置输送机械手部分136。台131在该场合具有可载置3个FOUP500的平面。FOUP可按水平姿势对收容于其中的多个晶片的被处理面进行保持地放置到台131的载置面。台131的载置面沿着AGV410的行走方向邻接FOUP500放置。在该场合，门132具有3个，各门132a-132c分别对应于FOUP500配置。在输送机械手部分136的轨座137设置轨道134。轨道134平行于台131的FOUP500的载置面地设置。机械手133载置于轨道134。机械手133具有在轨道134上行走的驱动装置(省略图示)。该驱动装置连接到控制装置(省略图示)。该机械手133具有臂138。臂138具有使该臂138进行旋转运动、左右往复运动、及升降运动的驱动装置(省略图示)。该驱动装置连接到控制装置(省略图示)。在该场合，该臂138设置了具有检测晶片有无和检测晶片信息的双方的检测功能的传感器(省略图示)。该传感器连接到控制装置(省略图示)。
在这样构成的装置系统中，可进行以下那样的晶片的操作和处理。
如图4-图12所示，从台架100的上游侧通过台架间输送线400将晶片输送到台架100。具体地说，在AGV410的台412的载置面并列放置FOUP500a、500b。例如，在FOUP500b中收容处理速度快的晶片。由传感器检测FOUP500a、500b是否载置到台412。该检测信息被送到控制装置。由此确认FOUP500a、500b是否分别被适当地放置到台412。之后，从控制装置向驱动装置输出操作信号，开始驱动装置的操作。由此，使AGV410在台架间输送线400中朝台架100的台架堆料机130行走。此后，AGV410由位置检测传感器检测到达与台架堆料机130的规定位置对应的场所这一状态。该检测信号被送到控制装置，从控制装置输出停止信号。这样，AGV410被停止。在该场合，在台131的FOUP载置面载置FOUP500c、500d。在余下的FOUP载置面的1处未载置FOUP。在该场合，载置到台架堆料机130的台131的FOUP500d的晶片处理基本上处于结束状态。余下的FOUP500c内的晶片的处理处于中途阶段。另外，例如FOUP500d的晶片与FOUP500b的晶片不同，处理速度较慢。在台131的FOUP的载置面中的余下的1处的载置面即该场合的FOUP500d的朝向门132b地位于右侧的载置面有无FOUP，由传感器(省略图示)检测。当由传感器检测到没有FOUP时，从控制装置向机械手411的驱动装置输出操作信号。接受该操作信号使机械手411开始操作。该操作在从图11的臂416的状态使臂416旋转到与FOUP500b对应的位置时停止。之后，臂416扩大成可握持FOUP500b的间隔。之后，臂416下降到与FOUP500b的握持部对应的位置。之后，臂416关闭，由此将FOUP500b握持于臂416。由臂416握持FOUP500b的这一状态由传感器检测，该信号输出到控制装置。之后，FOUP500b在该状态下输送到台131的余下的载置面。结果，FOUP500b被载置到该载置面。该已载置的信号从传感器输出到控制装置。另一方面，FOUP500d的晶片的处理已结束这一信息被送到控制装置。接受该信息后，机械手411的臂416移动到可回收FOUP500d的位置而停止。之后，机械手411的臂416在打开其间隔的状态下朝FOUP500d移动。该移动在可由臂416对FOUP500d进行侧面抓取的时刻由控制装置停止。之后，臂416关闭，由此将FOUP500d握持到臂416。在该状态下，FOUP500d载置到原先载置了FOUP500b的台412的载置面。即，在该状态下，台131的原先载置了FOUP500b的面成为下一个FOUP接受面。保持FOUP500a、FOUP500d的AGV410移动朝下一台架方向即箭头605或上游方向箭头606。
然后，根据控制装置的指令打开门132c。此时，FOUP500b的门也打开。由此使FOUP500b内成为与输送机械手部136、单张输送线120的气氛连通的状态。在该状态下，根据控制装置的指令使机械手133移动到与门132c对应的位置停止。收容于FOUP500b内的晶片的信息由臂138的传感器读取。读取的信息输送到控制装置。根据该信息信号选择将FOUP500b内的晶片中的哪一个晶片送出到下一处理。该被选择的信号输出到机械手133。由此使臂138处于规定高度的位置地调节机械手133。此后，通过门132c将臂138插入到FOUP500b内。该臂138的移动在该臂138的收取部到达FOUP500b内的规定晶片的背面时由控制装置停止。之后，该臂138的收取部稍上升。由该上升将晶片接受到臂138的收取部。之后，该臂138退到原来的位置等候。另一方面，处于单张输送线120的上侧位置的输送线122的线性台车122a-2停止到可转移晶片的位置。该停止位置和信息从传感器输出到控制装置。线性台车122a-2的晶片保持件122b成为朝径向打开的状态。在该场合，没有在该线性台车122a-2的下侧位置是否存在线性台车121a-2的问题。在臂138的收取部具有晶片的机械手133可在轨道134上行走到与线性台车122a-2对应的位置。该行走在机械手133到达线性台车122a-2对应的位置时由控制装置停止。在此期间，具有晶片的臂138的收取部旋转180°。此后，臂138的收取部朝线性台车122a-2移动。当由臂138的收取部收取的晶片到达线性台车121a-2的下方位置时，该臂138的移动被停止。此后，臂138的收取部上升。该上升在臂138的收取部的晶片到达可由线性台车122a-2的晶片保持件122b收取的位置时，由控制装置停止。在该状态下，晶片保持件122b朝径向关闭(箭头602)，由此将晶片从臂138的收取部转移到晶片保持件122b。转移了晶片的臂138退到原来的位置等候。
如图4所示，例如在将FOUP500b设置到台架堆料机130的台131时，可由处理装置103、106对处理速度快的晶片进行处理地由控制装置设定加工条件。在余下的处理装置101、102、104、105继续进行处理速度慢的晶片的处理。
图13为图4中的单张输送线120的处理装置101及处理装置103的部分的详细构成图。图13示出单张输送线120的下侧的输送线121。在位于处理装置101前方部分之处存在线性台车121a-2。从处理装置101的输送线121侧依次配置门101d、密闭室101a、门101c、处理室101b。在密闭室101a中配置具有收取部11-1的输送机械手11。该收取部11-1具有与通过例如门101d转移晶片的连杆机构回转而通过门101c将晶片转移到处理室101b的功能。
另外，图13示出单张输送线120的上侧的输送线122。在位于处理装置103的前方部分之处存在线性台车122a-2。从处理装置103的输送线122侧依次配置门103d、密闭室103a、门103c、处理室103b。在密闭室103a中配置具有收取部13-1的机械手13。该收取部13-1具有与通过例如门103d转移晶片的连杆机构回转而通过门103c将晶片转移到处理室103b的功能。
此外，对处理速度较慢的晶片进行处理的处理装置102、104、105和输送线121的使用构造大体与处理装置101和输送线121的使用构造相同，省略图示和说明。另外，对处理速度快的晶片进行处理的处理装置106和输送线122的配合构造与处理装置103和输送线122的配合构造大体相同，所以，省略图示和说明。
图14示出处理装置103和单张输送线122的使用的详细内容。在图14中，单张输送线120的空间和密闭室103a由门103d分隔。在该场合，单张输送线120和密闭室103a的高度为大体相同的高度。密闭室103a内与处理室103b内由门103c分隔。
从机械手133的臂138接受FOUP500b内的晶片Wb1的线性台车122a-2从图11的位置移动到与图4的处理装置103对应的位置。该移动通过由传感器检测线性台车122a-2到达规定位置这一状况而由控制装置进行控制(图14)。如图14所示，在密闭室103a内导入洁净气体例如氮气，由此将密闭室103a内的压力调节到与单张输送线120的气氛压力大体相同的压力。此后，打开门103d。此后，机械手13的收取部13-1通过打开的门103d送出到单张输送线120(箭头607)。该收取部13-1在到达由晶片保持件122b保持的晶片Wb1的下方位置时，收取部13-1的动作停止。之后，晶片保持件122b下降(箭头601)。该下降在晶片Wb1的背面接触收取部13-1的时刻停止(图15)。此后，晶片保持件122b朝径向打开(箭头602)。由此将晶片Wb1从晶片保持件122b转移到收取部13-1。接受了晶片Wb1的收取部13-1通过门103d拉回到密闭室103a的原来的位置。此后，如图15(b)所示那样，关闭门103d，密闭室103a内减压排气。在密闭室103a的压力成为大体与处理室103b的压力相同的压力的时刻打开门103c。在该状态下，机械手13的收取部13-1从密闭室103a移动到处理室103b。这样，晶片Wb1在由收取部13-1收取的状态下送入到处理室103b。另外，该晶片Wb1转移到内设于处理室103b的试样台(省略图示)上。转移了晶片Wb1的收取部13-1通过门103c退避到密闭室103a，在密闭室103a的原来的位置等候。此后，门103c关闭。在该状态下，载置于处理室103b内的试样台的晶片Wb1由处理室103b进行规定处理例如等离子腐蚀处理。在处理室103b结束等离子腐蚀处理的晶片Wb1由与上述送入操作相反的操作依次通过门103c、密闭室103a、门103d，送出到单张输送线120，转移到晶片保持件122b。对在处理室103b结束了等离子腐蚀处理的晶片Wb1进行支承的线性台车122a-2由线性轨道122a-1引导，沿输送线122朝处理装置106方向移动。
如图11、12所示，FOUP500b内的接下来被选择的晶片Wb2通过与上述操作同样的操作由机械手133的臂138的收取部收取，从FOUP500b拔出。该拔出的第2晶片Wb2由与上述操作相同的操作从机械手133的臂138的收取部转移到线性台车122a-2的晶片保持件122b。将晶片Wb2接受到晶片保持件122b的线性台车122a-2由与上述操作相同的操作移动到与处理装置103对应的位置后停止。处理装置103的处理与处理装置106的处理在该场合不同。对在处理装置103进行了腐蚀处理的晶片Wb1进行保持的线性台车122a-2在输送线122朝处理装置106方向移动。之后，线性台车122a-2到达处理装置106时停止。保持于该线性台车122a-2的晶片Wb1由与处理装置103同样的操作送入到处理装置106的处理室(省略图示)。送入到该处理装置的晶片Wb1在这里进行规定处理例如成膜处理(CVD、PVD等)。成膜处理完毕的晶片Wb1从处理室依次通过门(图示省略)、密闭室(图示省略)、门(图示省略)送出到单张输送线120。该送出的晶片Wb1保持于线性台车122a-2的晶片保持件122b，移动到可转移到机械手133的臂138的晶片的位置。此后，保持于线性台车122a-2的晶片保持件122b的晶片Wb1由与上述操作相反的操作通过机械手133回收到FOUP500b的原来的位置。
另一方面，保持于移动到与处理装置103对应的位置而停止的线性台车122a-2的晶片保持件122b的晶片Wb2由与上述晶片Wb1的场合同样的操作送入到处理装置103的处理室103b，在这里进行等离子腐蚀处理。之后，将处理完毕后的晶片Wb1从处理室103b送出到单张输送线120，转移到线性台车122a-2的晶片保持件122b进行保持。之后，该线性台车122a-2朝处理装置106行走。
反复进行这样的操作。这样，FOUP500b内的晶片Wb1、Wb2、……Wbn由输送线122依次送到处理装置103、106。由处理装置103、106处理后的晶片Wb1、Wb2、……Wbn依次返回到FOUP500b，然后，回收到FOUP500b的规定的位置。
图16详细示出处理装置101和输送线121的配合。在图16中，单张输送线120的空间与密闭室101a由门101d分隔。在该场合，单张输送线120和密闭室101a的高度大体相同。密闭室101a内和处理室101b内由门101c分隔。
收容于FOUP500c内的晶片的信息由传感器读取。读取的信息输送到控制装置。在该场合，FOUP500c内的晶片为处理速度较慢的晶片。因此，在该场合，由传感器读取处理速度较慢这样的信息，将该读取的信息输出到控制装置。另一方面，处于单张输送线120a下侧位置的输送线121的线性台车121a-2停止到可转移晶片的位置。该停止位置和信息从传感器输出到控制装置。该线性台车121a-2的晶片保持台121b的晶片抬起销121c在该场合成为收容于晶片保持台121b内的状态。晶片抬起销在该场合为3根，分别以晶片保持台121b的中心为中心按120°的间隔配置于晶片保持台121b。另外，这些销可按规定间隔升降移动。在臂138的收取部具有晶片的机械手133在轨道134上行走到与线性台车121a-2对应位置。该行走在机械手133到达与线性台车121a-2对应的位置时由控制装置停止。在此期间，具有晶片的臂138的收取部朝线性台车121a-2移动。当由臂138的收取部收取的晶片Wcn到达线性台车121a-2的上方位置时，该臂138的移动停止。此后，晶片抬起销121c上升。在其顶点接触到臂138收取部的晶片Wcn的背面时，该晶片抬起销的上升被停止。由此，将晶片Wcn从臂138的收取部转移到晶片抬起销。此后臂138返回到原来的位置等候。
从机械手133的臂138接受到晶片Wcn的线性台车121a-2移动到与处理装置101对应的位置。该移动由传感器检测线性台车121a-2到达规定位置这一状态，由控制装置控制。
如图16所示，密闭室101a内导入洁净气体例如氮气，由此将密闭室101a内的压力调节到与单张输送线120的气氛压力大体相同的压力。此后，打开门101d。然后，输送机械手11的收取部11-1通过打开的门101d送出到单张输送线120(箭头607)。另一方面，保持于处在与处理装置101对应的位置的线性台车121a-2的晶片保持台121b的晶片Wcn由晶片抬起销的上升从晶片保持台121b转移到晶片抬起销121c受到保持。
在该状态下，输送机械手11的收取部11-1在到达保持于晶片抬起销121c的晶片Wcn的下方位置的时刻停止收取部11-1的动作(图17(a))。此后，晶片抬起销121c下降。通过该下降，将晶片Wcn从晶片抬起销121c转移到收取部11-1。接受了晶片Wcn的收取部11-1通过门101d被拉回到密闭室101a原来的位置。此后，门101d关闭，密闭室101a内被减压排气(图17(b))。密闭室101a的压力在成为与处理室101b的压力大体相同压力的时刻打开门101c。在该状态下，输送机械手11的收取部11-1从密闭室101a移动到处理室101b。这样，晶片Wcn在由收取部11-1收取的状态下送入到处理室101b。另外，晶片Wcn转移到内设于处理室101b的试样台上。转移了晶片Wcn的收取部11-1通过门101c退避到密闭室101a，在密闭室101a的原来的位置等候。此后，关闭门101c。在该状态下，载置到处理室101b内的试样台的晶片Wcn在处理室101b进行规定的处理，例如等离子腐蚀处理。
前面说明的处理室103b内的晶片Wb的等离子腐蚀处理条件和在该场合的处理室101b内的晶片Wc的腐蚀处理条件当然不同。即，处理室103b内的晶片Wb的等离子腐蚀处理条件为处理时间较短的那样的条件，另一方面，处理室101b内的晶片Wc的等离子腐蚀处理条件的处理时间较长。在处理室101b结束了等离子腐蚀处理的晶片Wcn由与上述送入操作相反的操作依次通过门101c、密闭室101a、门101d，送出到单张输送线120，通过晶片抬起销121c转移到晶片保持台121b。
对在处理室101b结束了等离子腐蚀处理的晶片Wcn进行保持的线性台车121a-2由线性轨道121a-1引导，朝处理装置105的方向沿输送线121移动。
如图11、图12所示，FOUP500c中的接下来受到选择的晶片Wcn+1通过与上述操作相同的操作由机械手133的臂138a的收取部收取，从FOUP500c取出。该取出的晶片Wcn+1由与上述操作相同的操作从机械手133的臂138的收取部转移到线性台车121a-2的晶片保持台121b。将晶片Wcn+1接受到晶片保持台121b的线性台车121a-2由与上述操作相同的操作移动到与处理装置101对应的位置而停止。处理装置101的处理与处理装置105的处理在该场合不同。对在处理装置101进行了等离子腐蚀处理的晶片Wcn进行保持的线性台车121a-2在输送线121朝处理装置105的方向移动。之后，在线性台车121a-2到达与处理装置105对应的位置时停止该移动。保持于该线性台车121a-2的晶片Wcn由与处理装置101同样的操作送入到处理装置105的处理室(省略图示)。送入到该处理装置的晶片Wcn在这里进行规定处理例如成膜处理(CVD、PVD等)。成膜处理完毕的晶片Wcn从处理室依次通过门(图示省略)、密闭室(图示省略)、门(图示省略)送出到单张输送线120。该送出的晶片Wcn保持于线性台车121a-2的晶片保持台121b，移动到可将晶片Wcn转移到机械手133的臂138的位置。此后，保持于线性台车121a-2的晶片保持台121b的晶片Wcn由与上述操作相反的操作通过机械手133回收到FOUP500c的原来的位置。另一方面，保持于移动到与处理装置101对应的位置而停止的线性台车121a-2的晶片保持台121b的下一晶片Wcn+1由与上述晶片Wcn的场合同样的操作送入到处理装置101的处理室101b，在这里进行等离子腐蚀处理。之后，处理完毕的晶片Wcn+1从处理室101b送出到单张输送线120，转移到线性台车121a-2的晶片保持台121b受到保持。之后，该线性台车121a-2朝处理装置105移动。这样，在进行上述FOUP500b内的晶片的输送和处理的同时，FOUP500c内的晶片由输送线121、处理装置101、102、104、105每次1片地依次处理。该处理完毕的晶片每次1片地返回到FOUP500c，回收到规定的位置。
以上，说明了FOUP500b内的晶片与FOUP500c内的晶片在处理装置中的处理条件不同的例子。下面说明FOUP500b、500c内的晶片的处理条件相同的场合。
如图4所示，处理装置101-103为相同的处理装置，例如等离子腐蚀装置，处理装置104-106例如为等离子CVD装置。处理装置101-103在相同的晶片的处理条件下运行。处理装置104-106在相同的晶片的处理条件下运行。如图11所示，在FOUP500b中收容处理速度快的晶片。另外，在FOUP500c、500d收容处理速度慢的晶片。分别收容于FOUP500b-500d的晶片在处理装置101-103和处理装置104-106的处理条件等相同。
首先，从图11、12的状态由与上述操作同样的操作，通过机械手411将台412的FOUP500b输送到台131的空出的载置面载置。然后，在收容于FOUP500d的晶片的处理结束时，该FOUP500d由机械手411从台131输送到台412的载置面载置。此后，该AGV410朝箭头604或605方向移动。收容于FOUP500b的晶片Wb1通过上述那样的操作由机械手133取出，转移到输送线122的线性台车122a-2的晶片保持件122b。另一方面，通过FOUP500b的输送和载置而在处理装置101-103中处于等候处理状态的处理装置由传感器检测，该信号输出到控制装置。例如，在检测到处理装置101-103中的处理装置102处于处理等候状态的场合，保持上述晶片Wb1的线性台车122a-2行走到与处理装置102对应的位置停止。该晶片Wb1在此后被送入到处理装置102的处理室，在这里进行等离子腐蚀处理。腐蚀处理完毕的晶片Wb1被取出到处理装置102外，返回到线性台车122a-2的晶片保持件122b。而且，在处理装置101、103中，同时地实施FOUP500c的处理速度慢的晶片Wcn……的处理。
然后，由传感器检测处理装置104-106中的处于等候处理状态的处理装置，将检测结果输出到控制装置。当检测到处理装置104-106中的例如处理装置104在等候处理时，保持上述晶片Wb1的线性台车122a-2行走到与处理装置104对应的位置停止。该晶片Wb1此后被送入到处理装置104的处理室，在这里进行等离子CVD处理。CVD处理完毕的晶片Wb1被取出到处理装置104外，返回到线性台车122a-2的晶片保持件122b。
在处理装置105、106同时地实施FOUP500c的处理速度慢的晶片Wcn……的处理。在处理装置104结束处理后的晶片Wb1由输送线122、机械手133返回到FOUP500b的原来的位置加以回收。与此同时，在处理装置105、106分别结束了处理的晶片Wcn……由输送线121、机械手133返回到FOUP500c的原来的位置而回收。从FOUP500b选择接下来的晶片Wb2。另一方面，当处理装置101-103中的处理装置101处于等候处理的状态时，晶片Wb2由机械手133、输送线122送入到处理装置101的处理室，进行等离子腐蚀处理。在处理装置101的处理结束后的晶片Wb2被取出处理装置101外。在处理装置104-106中，例如当处理装置105处于等候处理状态时，在处理装置101中结束了处理的晶片Wb2由输送线122输送到处理装置105。该晶片Wb2被送入到处理装置105的处理室，在这里进行等离子CVD处理。处理完毕后的晶片Wb2被取出到处理装置105外，由输送线122、机械手133返回到FOUP500b的原来的位置加以回收。与此同时，在处理装置104、106中，对处理速度慢的晶片Wcn+1……进行等离子CVD处理。这些处理结束了的晶片Wcn+1…分别从处理装置104、106取出，由输送线121、机械手133返回到FOUP500c内的规定位置加以回收。这样，FOUP500b内的晶片Wb1、Wb2……Wbn由处理装置101-103中的处于处理等候状态的处理装置每次1片地依次处理。在这些处理装置中结束了处理的晶片Wb1、Wb2……Wbn接下来由处理装置104-106中的处于等候处理状态的任一个处理装置进行等离子CVD处理。这些晶片Wb1、Wb2……Wbn在台架内的输送由输送线122实施。在处理装置104-106中的任一个结束了处理的晶片Wb1、Wb2……Wbn每次1片地由输送线122、机械手133返回到FOUP500b内的规定位置加以回收。与此同时，FOUP500c内的处理速度慢的晶片Wcn+1…Wcm的处理由处理装置101-103中的任一个装置和处理装置104-106中的任一个装置依次实施。在该场合，台架内的晶片的输送由输送线121进行。在处理装置104-106中的任一个装置中结束了等离子CVD处理的晶片Wcn、Wcn+1……Wcm由输送线121、机械手133返回到FOUP500c内的原来的位置加以回收。
如图11、图12所示，FOUP500c由AGV410的机械手411载置于台131的FOUP载置面上。在FOUP500c内混合存在处理速度快的晶片即处理时间短的晶片和处理速度慢的晶片即处理时间长的晶片。在这里，各晶片在处理室的处理条件不同。首先，在图4中，处理装置101-103为等离子腐蚀处理装置、处理装置104-106为等离子CVD装置。另外，在等离子腐蚀装置101-103中，将处理装置103设定为处理时间短的晶片的处理条件，处理装置101、102设定为处理时间长的晶片的处理条件。另外，在处理装置104-106中，该场合的处理装置104设定为处理时间较短的晶片的处理条件，处理装置105、106设定为处理时间较长的晶片的处理条件。另外，输送线121用于处理时间较长的晶片的输送，输送线122用于处理时间较短的晶片的输送。
如图11-图17所示，在FOUP500c内插入机械手133的臂138。在此时刻，位于臂138上方的晶片信息由传感器检测，并输送到控制装置。这样，在控制装置中，该晶片例如被判定为处理时间短的晶片WcS1。该处理时间短的晶片WcS1在此后由机械手133转移到输送线122的线性台车122a-2的晶片保持件122b。在晶片保持件122b接受了晶片WcS1的线性台车122a-2朝处理装置103沿输送线122行走。此后，具有晶片WcS1的线性台车122a-2到达与处理装置103对应的位置这一状态由传感器检测到，停止该行走。此后，该晶片WcS1被送入到处理装置103，进行等离子腐蚀处理。等离子腐蚀处理完毕的晶片WcS1被取出到处理装置103外，转移到线性台车122a-2的晶片保持件122b。此后，接受了该晶片WcS1的线性台车122a-2从输送线122朝处理装置104行走。另一方面，在FOUP500C内插入机械手133的臂138。在此时刻，位于臂138上方的晶片信息由传感器检测，并输出到控制装置。这样，在控制装置中，该晶片例如被判定为处理速度慢的晶片。该处理速度慢的晶片WcL1此后由机械手133转移到输送线121的线性台车121a-2的晶片保持台121b。由晶片保持台121b接受了晶片WcL1的线性台车121a-2在输送线121朝处理装置102行走。此后，具有晶片WcL1的线性台车121a-2到达与处理装置102对应的位置的这一状态由传感器检测到，停止该行走。此后，该晶片WcL1被送入到处理装置102，进行等离子腐蚀处理。等离子腐蚀处理完毕的晶片WcL1被取出到处理装置102外，转移到线性台车121a-2的晶片保持台121b。此后，接受了该晶片WcL1的线性台车121a-2从输送线121朝处理装置105行走。此后，晶片WcL1送入到处理装置105，进行等离子CVD处理。等离子CVD处理完毕的晶片WcL1被取出到处理装置105外，转移到线性台车121a-2的晶片保持台121b。此后，该晶片WcL1返回到FOUP500c原来的位置。另一方面，在FOUP500c内插入机械手133的臂138。在此时刻，位于臂138上方的晶片信息由传感器检测，并输出到控制装置。这样，在控制装置中，该晶片例如被判定为处理时间较长的晶片。该处理时间较长的晶片WcL2此后由机械手133转移到输送线121的线性台车121a-2的晶片保持台121b。在晶片保持台121b接受了晶片WcL2的线性台车121a-2沿输送线121朝处理装置101行走。此后，具有晶片WcL2的线性台车121a-2到达与处理装置101对应的位置的这一状态由传感器检测到，停止该行走。此后，将该晶片WcL2送入到处理装置101，进行等离子腐蚀处理。等离子腐蚀处理完毕的晶片WcL2被取出到处理装置101外，转移到线性台车121a-2的晶片保持台121b。此后，接受了该晶片WcL2的线性台车121a-2沿输送线121朝处理装置106行走。此后，晶片WcL2被送入到处理装置106，进行等离子CVD处理。等离子CVD处理完毕的晶片WcL2被取出到处理装置106外，转移到线性台车121a-2的晶片保持台121b。此后，该晶片WcL2返回到FOUP500c的原来的位置。另一方面，在FOUP500c内插入机械手133臂138。在该时刻，位于臂138上方的晶片信息由传感器检测，输出到控制装置。这样，在控制装置中，晶片例如被判定为处理时间较短的晶片。该处理时间较短的晶片WcS2此后由机械手133转移到输送线122的线性台车122a-2的晶片保持件122b。在晶片保持件122b接受了晶片WcS2的线性台车122a-2在输送线122朝处理装置103行走。此后，具有晶片WcS2的线性台车122a-2到达与处理装置103对应的位置的这一状态由传感器检测到，停止该行走。此后，该晶片WcS2送入到处理装置103，进行等离子腐蚀处理。此时，晶片WcS1被送入到处理装置104，进行等离子CVD处理。等离子CVD处理完毕的晶片WcS1被取出到处理装置104外，转移到线性台车122a-2的晶片保持件122b。此后，该晶片WcS1返回到FOUP500c的原来的位置。此后，等离子腐蚀处理完毕的晶片WcS2被取出到处理装置103外，转移到线性台车122a-2的晶片保持件122b。此后，接受了该晶片WcS1的线性台车122a-2沿输送线122朝处理装置104行走。此后，晶片WcS2送入到处理装置104，进行等离子CVD处理。等离子CVD处理完毕的晶片WcS2被取出到处理装置104外，转移到线性台车122a-2的晶片保持件122b。此后，该晶片WcS2返回到FOUP500c原来的位置。
这样，依次实施FOUP500c内的处理时间短的晶片WcS1、WcS2…WcSn及处理时间长的晶片WcL1、WcL2…WcLn的在单张输送线120的输送处理装置101-106的处理，然后，返回到FOUP500c原来的位置而被回收。
如图11-图14所示，在AGV410的台412载置FOUP500a、500b。在该状态下，AGV410朝箭头604方向行走。在到达与台架100的台架堆料机130对应的位置的时刻，该AGV410停止行走。在FOUP500b内，收容特急处理规格的晶片Wbh1、Wbh2…Wbhn。根据该晶片的信息，在图4的处理装置101-106中选择进行该晶片的处理的装置并设定加工条件。在该场合，例如，选择处理装置101、105作为用于该特急晶片的处理的装置。而且，余下的处理装置102、103、104、106继续用于FOUP500c、500d内的处理。另外，在该场合选择输送线122作为单张输送线120中的输送特急晶片的线。在输送线121中，进行FOUP500c、500d内的晶片的输送。
如图11-图14所示，FOUP500b载置到台架堆料机130的台131的FOUP500d的右横侧的FOUP载置面。与该FOUP500b对应的门132c打开，与此相随，FOUP500b的门(省略图示)也打开。在FOUP500b内插入机械手133的臂138。在该时刻，由传感器检测位于臂138上方的晶片信息，并输出到控制装置。这样，在控制装置中，该晶片例如被判定为处理速度特急的晶片。该处理速度特急的晶片Wbh1在此后由机械手133转移到输送线122的线性台车122a-2的晶片保持件122b。由该晶片保持件122b接受了晶片Wbh1的线性台车122a-2在输送线122朝处理装置101行走。此后，由传感器检测具有晶片Wbh1的线性台车122a-2到达与处理装置101对应的位置这一状态，停止该行走。此后，该晶片Wbh1被送入到处理装置101，在这里，进行等离子腐蚀处理。等离子腐蚀处理完毕的晶片Wbh1被取出到处理装置101外，转移到线性台车122a-2的晶片保持件122b。此后，接受了该晶片Wbh1的线性台车122a-2沿输送线122朝处理装置105行走。此后，晶片Wbh1被送入处理装置105进行等离子CVD处理，等离子CVD处理完毕的晶片Wbh1被取出到处理装置105外，转移到线性台车122a-2的晶片保持件122b。此后，该晶片Wbh1返回到FOUP500b原来的位置。然后，在FOUP500b内插入机械手133的臂138。在该时刻，由传感器检测位于臂138上方的晶片信息，并输出到控制装置。这样，在控制装置中，该晶片例如被判定为处理速度特急的晶片。该处理速度的特急的晶片Wbh2在此后由机械手133转移到输送线122的线性台车122a-2的晶片保持件122b。由该晶片保持件122b接受了晶片Wbh2的线性台车122a-2在输送线122朝处理装置101行走。此后，由传感器检测具有晶片Wbh2的线性台车122a-2到达与处理装置101对应的位置这一状态，停止该行走。然后，将该晶片Wbh2送入到处理装置101，进行等离子腐蚀处理。等离子腐蚀处理完毕的晶片Wbh2被取出到处理装置101外，转移到线性台车122a-2的晶片保持件122b。此后，接受了该晶片Wbh2的线性台车122a-2沿输送线122朝处理装置105行走。然后，将晶片Wbh2送入处理装置105进行等离子CVD处理，等离子CVD处理完毕的晶片Wbh2被取出到处理装置105外，转移到线性台车122a-2的晶片保持件122b。此后，该晶片Wbh2返回到FOUP500b原来的位置。此后，这些特急晶片在FOUP500b内收容了5片。余下的3片特急晶片与上述晶片Wbh1、Wbh2同样地进行输送处理，返回到FOUP500b的原来的位置。
在FOUP500d收容上述处理速度快即处理时间短的晶片或处理速度慢的即处理时间长的晶片中的任一方。例如，在收容处理时间短的晶片的场合，该晶片WdS由输送线122输送，由处理装置103进行等离子腐蚀处理，接着由处理装置105进行进行等离子CVD处理。此后，处理完毕的晶片返回到FOUP500d的原来的位置而被回收。另一方面，在收容处理时间长的晶片的场合，该晶片WdL1由输送线121输送，在处理装置101、102进行等离子腐蚀处理，接着由处理装置104、106进行等离子CVD处理。此后，返回到处理完毕的FOUP500d的原来的位置加以回收。这样的处理利用上述FOUP500c内的晶片的处理的等候时间实施。这样的情况由传感器、控制装置顺利地进行处理。
回收所有这样处理完毕后的晶片的FOUP500b此后载置到AGV410的台412。然后，该AGV410被移动到别的台架等别的场所(箭头604或605)。此期间位于FOUP500c和500d的晶片由输送线121输送，在其途中，依次由处理装置102或103及处理装置104或106处理。该处理晶片返回到FOUP500c和FOUP500d原来的位置。此后，FOUP500b内的特急的晶片的台架100内的处理完全结束时，与特急晶片对应地选择的处理装置101和105的加工条件恢复到FOUP500c和500d内的加工条件。此后，FOUP500c和500d内的未处理的晶片由输送线121输送，并由处理装置101-106处理。处理完毕后的晶片返回到FOUP500c、500d的原来的位置加以回收。
以上，根据本发明的第1实施例进行了说明。
在这样的第1实施例中，可获得以下那样的效果。
1.即使在相同台架内的输送线混合存在处理时间长的晶片与处理时间短的晶片，由于台架内输送线在该场合可同时输送地具有2个输送线，所以，可单独分开地进行处理时间长的晶片的输送·处理和处理时间短的晶片的输送·处理。这样，可根据晶片的加工和处理条件分开使用2个输送线，即，分开使用处理时间长的晶片和处理时间短的晶片的输送线，所以，可防止如现有技术那样产生晶片的输送·处理等候时间。即，在现有技术中，输送时间由处理时间较长一方决定速度，但在本实施例中，由于分开使用2个输送线，所以，不产生这样的决定速度的状况。因此，处理时间不变慢，整体的速度不下降，从而可防止台架整体的处理量下降。
2.在相同处理条件下，即使在相同台架内的输送线混合存在处理时间长的晶片与处理时间短的晶片，由于台架内输送线在该场合可同时输送地具有2个输送线，所以，可单独分开地进行处理时间长的晶片的输送·处理和处理时间短的晶片的输送·处理。这样，即使处理条件相同也可分开使用处理时间长的晶片和处理时间短的晶片的输送线，所以，可防止如现有技术那样产生晶片的输送·处理等候时间。即，在现有技术中，输送时间由处理时间较长一方决定速度，但在本实施例中，由于分开使用2个输送线，所以，不产生这样的决定速度的状况。因此，处理时间不变慢，整体的速度不下降，从而可防止台架整体的处理量下降。
3.在处理条件不同时，即使在相同台架内的输送线混合存在处理时间长的晶片与处理时间短的晶片，由于台架内输送线在该场合可同时输送地具有2个输送线，所以，可单独分开地进行处理时间长的晶片的输送·处理和处理时间短的晶片的输送·处理。这样，即使处理条件不同也可分开使用处理时间长的晶片和处理时间短的晶片的输送线，所以，可防止如现有技术那样产生晶片的输送·处理等候时间。即，在现有技术中，输送时间由处理时间较长一方决定速度，但在本实施例中，由于分开使用2个输送线，所以，不产生这样的决定速度的状况。因此，处理时间不变慢，整体的速度不下降，从而可防止台架整体的处理量下降。
4.在处理内容不同的晶片混合存在于同一FOUP内的场合，即使在相同台架内的输送线混合存在处理时间长的晶片与处理时间短的晶片，由于台架内输送线在该场合可同时输送地具有2个输送线，所以，可单独分开地进行处理时间长的晶片的输送·处理和处理时间短的晶片的输送·处理。这样，可分开使用在同一FOUP内处理时间不同的、处理时间长的晶片和处理时间短的晶片的输送线，所以，可防止如现有技术那样产生晶片的输送·处理等候时间。即，在现有技术中，输送时间由处理时间较长一方决定速度，但在本实施例中，由于分开使用2个输送线，所以，不产生这样的决定速度的状况。因此，处理时间不变慢，整体的速度不下降，从而可防止台架整体的处理量下降。
5.特急的晶片处理中，即使在相同台架内的输送线混合存在处理时间长的晶片与处理时间短的晶片，由于台架内输送线在该场合可同时输送地具有2个输送线，所以，可单独分开地进行处理时间长的晶片的输送·处理和处理时间短的晶片的输送·处理。这样，可分开使用处理时间长的晶片和处理时间短的晶片的输送线，所以，可防止如现有技术那样产生晶片的输送·处理等候时间。即，在现有技术中，输送时间由处理时间较长一方决定速度，但在本实施例中，由于分开使用2个输送线，所以，不产生这样的决定速度的状况。因此，处理时间不变慢，整体的速度不下降，从而可防止台架整体的处理量下降。
另外，在这样的第1实施例中，还可获得以下那样的效果。
6.单张输送线在该场合可同时输送地由2个输送线构成，而且，该2个输送线为在上下位置设置的构造，所以，追加设置另1个输送线而导致的洁净室占有地板面积的增大也可受到抑制。为此，可防止单位洁净室占有地板面积的处理量的下降。
7.构成单张输送线的该场合的上下2个输送线的输送空间为保持成洁净气体气氛的构造，所以，可更低地缓和设置的洁净室的洁净度。为此洁净室的建造费也得到节减。
8.由于为由大气装载机式的台架堆料机连接台架间输送线与台架内输送线(单张输送线)的构造，所以，可使台架间输送线与台架堆料机之间的FOUP的使用自动化和容易化。
9.由于只要由大气装载机(大气-洁净气体气氛间装载机)构成台架堆料机即可，不需要对台架内的各处理装置设置大气装载部，所以，可简化装置构成，降低该设备的费用。
10.由于台架堆料机的大气装载部的洁净气体气氛与单张输送线的输送空间的清洗气体气氛连通，所以，可集约向这些空间供给洁净气体的装置，节减相应的设备费和运行费。
11.构成单张输送线的2个输送线在该场合的上下位置设置，可在与各输送线对应的处理装置之间独立地转移晶片，所以，可顺利地进行各输送线的晶片的输送、与对应于各输送线的处理装置之间的晶片的转移、及各处理装置的晶片的处理。这样，即使在处理时间不同的晶片混合存在的场合，或在需要特急处理的晶片来到的场合，也可抑制台架内的处理量和整体的处理量的下降。
12.在本实施例中，由于单张输送线的空间的高度和各处理室的密闭室的高度大体相同，所以，不使用特别的接口部也可将各处理装置连设到单张输送线。因此，各台架的构筑容易，可缩短各台架的构筑所需的时间，节减其费用。
在上述第1实施例中，在单张输送线安装用于检测故障的故障检测装置(图4)。由这样的构成，例如在输送线121因为某种原因而出现故障的场合，该故障可由故障检测装置立即检测到。该检测信号被送到控制装置(省略图示)，由此例如开始输送线122的操作。为此，即使发生这样的异常事态，台架内的晶片的单张输送也不停止地继续进行。因此，可不停止各处理装置的处理地继续进行处理·输送，顺利地实施台架内的所有作业。另外，由于台架内的晶片的输送·处理不会停止，所以，可不使其它相关的台架中的晶片的输送·处理全部停止地实施。
另外，在上述第1实施例中，由分别配置到上下位置的输送线的组合构成单张输送线，但除此之外，例如也可使用与第1实施例相同的输送线作为下侧位置的输送线，使用OHT作为上侧位置的输送线。
图18、图19示出本发明的第2实施例。在图18、图19中，与示出本发明第1实施例的图4、图6、图7、图14等的不同的点在于，单张输送线120b在该场合由环状的输送线121和配置于其长度方向中央部的直线状的输送线123构成。
在图18中，处理装置101-106沿输送线121的长度输送方向和输送线123的输送方向将各3台分别配置于其两侧。
如图18所示，在输送线123将该场合的2台具有晶片收取部的机械手123-1、123-2可移动地在输送线123的输送方向的两侧各配置1台。
如图19所示，在输送线121的环状的输送室700的底壁部例如与上述第1实施例同样地设置由线性轨道121a-1和线性台车121a-2构成的移动体121a。在该移动体121a的线性台车121a-2设置晶片保持台121b。在这里，移动体121a、晶片保持台121b与上述第1实施例相同，所以省略详细说明。
如图19所示，在输送室700的各相向的一侧设置门701a、701b。在与其相反一侧例如通过门102d、105d分别设置密闭室102a、105a。在密闭室102a、105a中分别配置具有收取部12-1、15-1的机械手12、15。在密闭室102a、105a通过门102c、105c分别设置处理室102b、105b。另外，在图19中，其它构成等与示出上述第1实施例的图13中的相同，所以，省略详细说明。如图19所示，在输送室700内供给洁净气体，例如氮气，保持为氮气气氛。
如图19所示，设置有在内部包含输送线123的输送室702。在输送室702的该场合的顶壁部设置输送线123。即，在输送室702的顶壁部设置移动体123a。该移动体123a使用非接触移动体即由该场合的线性轨道123a-1和线性台车123a-2构成的移动体123a。在输送室702的顶壁部设置线性轨道123a-1。线性台车123a-2由线性轨道123a-1引导，可移动地设置。在线性台车123a-2设置具有晶片收取部的机械手123-2。输送室702内的气氛可为大气气氛，也可为洁净气体气氛。
如图18、图19所示，由台架堆料机130接受了规定晶片的直线状的输送线123的机械手123-2通过使线性台车123a-2移动，而以直线状在输送线123移动。此后，该移动在线性台车123a-2到达与规定处理装置对应的位置的时刻停止。此后，收取部具有晶片的机械手123-2朝输送室702的底壁下降。该下降在密闭室102a的机械手12的晶片的收取部12-1之间停止于可转移晶片的高度。此后，门701a打开。具有晶片的收取部通过门701a送出到输送室700内而停止。另一方面，门102d打开，密闭室102a的机械手12的收取部12-1通过门102d送出到输送室700内，为了转移晶片而停止。从收取部转移了晶片的机械手123-2被通过门701a拉回，此后，返回到原来的位置(高度)等候。接受了晶片的机械手12的收取部12-1被通过门102d拉回到密闭室102a。此后，门102d关闭，密闭室102a内减压排气成与处理室102b内相同的压力。此后，门102c打开，晶片被从密闭室102a输送到处理室102b，在这里进行规定的处理。处理后的晶片由与上述操作相反的操作返回到台架堆料机130。
在图18中，直线状的输送线123的另一个机械手123-1也为相同的构成和作用，所以，省略详细说明。
在图18中，也可进行控制，使例如配置于左侧的机械手123-1负责配置于左边部和中央部的处理装置，另外，使配置于右侧的机械手123-2负责配置于右边部和中央部的处理装置。
在图18、图19中，例如(1)即使在对于台架内的各处理装置使晶片处理不同的场合，通过分开使用环状的输送线和直线状的输送线，也可防止台架内的晶片的输送及晶片输送装置与各处理装置的晶片的配合由晶片的处理不同这一点决定速度，从而可防止处理量的下降。
(2)即使在晶片的处理内容例如对各FOUP不同的场合，通过分开使用环状的输送线和直线状的输送线，使得即使台架内的晶片的输送及晶片输送装置与各处理装置的晶片的配合对各FOUP晶片的处理内容不同，也可防止由其决定速度，从而可抑制处理量的下降。
(3)通过分开使用环状的输送线和直线状的输送线，可防止当台架内的晶片的处理相同时可能发生的、台架内输送装置与各处理装置的晶片的配合及台架内晶片的输送的混乱，由此可抑制台架内的处理量的下降。
(4)即使在处理时间不同的晶片混合存在的场合，通过分开使用环状的输送线和直线状的输送线，可分开使用处理时间短的晶片和处理时间长的晶片，所以，可抑制处理量的下降。
(5)在多品种小批量生产的场合，当需要的特急处理的晶片来到时，例如通过充分利用直线状的输送线，可与普通地处理的晶片的输送处理独立地进行要求特急处理的晶片的输送处理，所以，可防止该晶片的处理花费较多时间，抑制处理量的下降。
(6)即使晶片输送线出现故障，也可使用环状的输送线和直线状的输送线中的任一个，所以，可防止台架内处理和其它台架的处理停止。
(7)单张输送线在该场合下由环状的输送线与直线状的输送线这样2个输送线构成，而且，可在环状的输送线的设置范围内追加设置直线状的输送线，所以，可抑制洁净室占有地板面积的增大，防止单位洁净室占有地板面积的处理量的下降。
另外，在本实施例中，与上述第1实施例相比，由于形成直线状的输送线，所以，单张输送线的构成和构造更为简单，可削减其追加设置费用。
此外，可获得与上述第1实施例相同的效果。
图20、图21示出本发明的第3实施例。在图20、图21中，与示出本发明的第1实施例的图4、图6、图7、图14等不同的点在于，单张输送线在该场合由直线状的输送线和相同的直线状输送线构成。
如图20、图21所示，在该场合，各输送线124、125处于上下的位置关系，成为输送线125处于下侧位置、输送线124处于上侧位置的构造。另外，如图20所示，这样的单张输送线120b夹在台架间输送线400a、400b中设置，分别与其对应，在其两端部设置台架堆料部130a、130b。
如图20、图21所示，这样的单张输送线120b的具体构造与示出前面的第1实施例的图6、图7大体同样，省略详细说明。另外，如图20所示，6台的处理装置101-106在单张输送线相对其输送方向分别将3台配置到其两侧。
另外，台架间输送线、台架堆料部的构成、它与单张输送线的配合构造、及单张输送线与各处理装置的配合构造例如与前面说明的第1实施例相同，省略说明说明。
在图20、图21中，例如(1)即使在对于台架内的各处理装置使晶片的处理不同的场合，通过分开使用2个直线状的输送线，也可防止台架内的晶片的输送及晶片输送装置与各处理装置的晶片配合由晶片的处理不同这一点决定速度，从而可防止处理量的下降。
(2)即使在晶片的处理室内对各FOUP不同的场合，通过分开使用2个直线状的输送线，使得即使台架内的晶片的输送及晶片输送装置与各处理装置的晶片的配合对各FOUP晶片的处理内容不同，也可防止由其决定速度，从而可抑制台架内处理量的下降。
(3)通过分开使用2个直线状的输送线，可防止当台架内的晶片的处理相同时可能发生的、台架内输送装置与各处理装置的晶片的配合及台架内晶片输送的混乱，由此可抑制台架内的处理量的下降。
(4)即使在处理时间不同的晶片混合存在的场合，通过分开使用2个直线状的输送线，可分开使用处理时间短的晶片和处理时间长的晶片，所以，可抑制处理量的下降。
(5)在多品种小批量生产的场合，当需要的特急处理的晶片来到时，例如通过充分利用直线状的输送线的任一方，可与普通地处理的晶片的输送处理独立地进行要求特急处理的晶片的输送处理，所以，可防止该晶片的处理花费较多时间，抑制处理量的下降。
(6)即使晶片输送线出现故障，也可使用直线状输送线中的任一方，所以，可防止台架内的输送、处理、和其它台架的处理停止。
另外，在本实施例中，与上述第1实施例、第2实施例相比，可由该场合的2个直线状的输送线构成单张输送线，所以，可进一步抑制洁净室占有地板面积的增大，防止单位洁净室占有地板面积的处理量下降。另外，由于可由该场合的2个直线状的输送线构成单张输送线，所以，单张输送线的构成和构造可进一步简化，可减少费用。
另外，在从图20所示那样的台架将晶片输送到横过台架间输送线的相邻的其它台架的场合，通过使用任何一方的对应的台架堆料部，可由最短的输送距离从台架将晶片输送到另一台架。为此，可缩短晶片的输送时间，提高处理量。
图22-图25示出本发明的第4实施例。
在图22-图25中，与示出本发明的第1实施例的图13-17不同的点在于，在单张输送线120的下方位置配置处理装置107的密闭室107a。
图22、图23示出单张输送线120的上方输送线122与例如处理装置107的配合构造和晶片的输送例。另外，图24、图25示出处于单张输送线120的下方位置的输送线126与例如处理装置107的配合构造和晶片的输送例。
如图22、图23所示，在单张输送线120的空间的下方位置配置处理装置107的密闭室107a。单张输送线的空间与密闭室107a由门107e分隔。在该场合，晶片保持台122a-2与晶片保持件122b的中心与门107e的开口部中心在垂直位置对齐。门107e的开口部的大小至少比晶片W的尺寸大，即成为晶片W可通过的大小。在该场合，输送线126的线性轨道126a-1分离成2个。该线性轨道跨过门107e配置。输送线122的构成与第1实施例的场合同样，省略说明。在密闭室107a的底壁部设置晶片保持台107g。晶片保持台107g的上表面成为晶片保持面，该晶片保持面与门107e的开口部对应。在密闭室107a通过门107c连设输送室107f，另外，在输送室107f通过门107d连设处理室107b。在输送室107f设置机械手107h。
如图22所示，在晶片保持件122b保持晶片W，在该状态下，晶片保持台122a-2在输送线122朝处理装置107移动。在该晶片保持台122a-2如图22所示那样到达与处理装置107对应的位置时，晶片保持台122a-2的移动停止(图23(a))。此后，在密闭室107a内导入洁净气体例如氮气，由此将密闭室107a内调整到单张输送线的空间的压力即大体为大气压。此后，门107e打开。然后，使收容于密闭室107a的晶片保持台107g的晶片抬起销107j上升。该晶片抬起销107j的上升持续到其前端通过门107e的开口部到达将外周面保持于晶片保持件122b的晶片W的背面的状态(图23(b))。此后，通过朝径向打开晶片保持件122b，将晶片W从晶片保持件122b转移到晶片抬起销107j。此后，接受了晶片W的晶片抬起销107j下降。该下降在将晶片W转移到晶片保持台107g时停止。此后，门107e关闭(图23(c))。在该状态下，密闭室107a内减压排气。在成为与输送室107f相同的压力时，打开门107c。此后，晶片抬起销107j再起动，由此使晶片W成为从晶片保持台107g悬起的状态。此后，机械手107h的收取部通过门107c的开口部送出到密闭室107a内。送出到密闭室107a内的机械手107h的收取部在到达晶片W的背面时停止移动(图23(d))。此后，晶片抬起销107j下降，收容到晶片保持台107g。此后，将晶片W接受到收取部的机械手107h被通过门107c拉回到输送室107f内。此后，门107c关闭(图23(e))。此后的运行操作与第1实施例相同，省略说明。另外，在处理室107b处理过的晶片由与上述操作相反的操作从处理室107b到机械手107h，从机械手107h到密闭室107a，从密闭室107a返回到单张输送线的空间，转移到输送线122的晶片保持件122b受到保持。此后，该晶片被输送到别的处理装置或FOUP。
如图24、图25所示，在跨过门107e配置的线性轨道126a-1可移动地设置晶片保持台。在晶片保持台设置晶片保持件。在该场合，晶片保持件具有收取晶片的背面外周边部的收取件。收取件按120°的间隔配置3个，可朝径向开闭。在该场合，晶片保持台、晶片保持件的中心与门107e的开口部中心在垂直位置对齐。其它构造与图22、图23大体相同，省略说明。如图24所示，在晶片保持台的晶片保持件保持晶片W，在该状态下，晶片保持台朝处理装置107沿输送线移动。该晶片保持台如图24所示那样到达与处理装置107对应的位置时停止晶片保持台的移动(图25(a))。此后，在密闭室107a内导入洁净气体例如氮气，由此将密闭室107a内调整为单张输送线的空间的压力即大体为大气压力。此后，门107e打开。然后，使收容于密闭室107a的晶片保持台107g的晶片抬起销107j上升。该晶片抬起销107j的上升持续到其前端通过门107e的开口部到达由晶片保持件保持外周面的晶片W的背面的状态。此后，通过朝径向打开晶片保持件，将晶片W从晶片保持件转移到晶片抬起销107j(图25(b))。此后，接受了晶片W的晶片抬起销107j下降。此后，门107e关闭(图25(c))。
此后的晶片的输送·处理与图23(d)、(e)大体相同，省略说明。
在这样的本实施例中，除了在上述第1实施例的效果外，还可获得如下那样的效果。
1.由于为将真空处理室的密闭室直接直接配置到单张输送线的下方位置的构造，所以，可相应地减小真空处理装置的深度尺寸，相应地使洁净室占有地板面积变小，进一步提高单位洁净室占有地板面积的处理量。
2.由于可从真空处理装置的真空输送室的输送机械手的动作中省略上下动作，所以，可减少其价格，同时，可降低故障等的发生率。
在本实施例中，说明了将处理装置的密闭室配置到单张输送线的下方位置的例子，但除此之外，也可形成为将处理装置的密闭室配置到单张输送线的上方位置的构造。在该场合，也可获得与本实施例的效果同样的效果。
图26示出本发明的第5实施例，涉及台架间输送线、台架堆料部、及单张输送线之间的配合构造。
与示出本发明的第1实施例的图11不同的点如下。
首先，与本实施例的大的不同点在于，在台架间输送线400c、台架堆料部130c、单张输送线120d的晶片的输送全都按单张实施地构成。
如图26所示，台架间输送线400c以单张输送晶片地构成。例如，台架间输送线400c具有形成洁净气体气氛或减压气氛的空间的隧道状输送室(省略图示)和设置于该输送室内每次1张地保持晶片进行输送的装置(省略图示)。该晶片输送装置例如具有前面由第1实施例说明的那样的线性移动体和设于该线性移动体的晶片保持件。晶片例如以被处理面朝上的姿势保持于晶片保持件。多台晶片保持件连动或可独立移动地设于线性移动体。
如图26所示，该台架间输送线400c的输送室和线性移动体在台架堆料部130c的上游侧分支，在其下游侧分别汇合连接到台架间输送线400c的输送室和线性移动体。另外，在该场合，环状的单张输送线120d的台架堆料机侧部分连接到台架堆料部130c的分支输送线130c-1。单张输送线120d具有环状的输送室(图示省略)和设置于该输送室并且每次保持1张晶片输送的装置(图示省略)即在该场合具有设置于上下方向的2个部位的输送装置。环状的输送室内调整为洁净气体气氛或减压气氛。该场合的2套晶片输送装置具有前面说明的那样的线性移动体和设于该线性移动体的晶片保持件。在下侧的晶片保持件中，晶片例如将以被处理面朝上的水平姿势保持。另外，在上侧的晶片保持件中，晶片例如按被处理面朝上的水平姿势或被处理面朝下的水平姿势保持。在下侧，多台晶片保持件连动或者可独立移动地设于下侧的线性移动体。另外，在上侧连动地或可独立移动地将多台晶片保持件安装于上侧的线性移动体。
如图26所示，单张输送线120d的输送室和线性移动体分别连接到台架堆料部130c的分支输送线130c-1的输送室和线性移动体。单张输送线120d的输送室与台架堆料部130c的分支输送线130c-1的输送室成为连通状态。
如图26所示，单张输送线120d的例如上侧位置的输送线的线性移动体可转移晶片地连接到分支输送线130c-1的线性移动体。在该场合，在分支输送线130c-1与单张输送线120d之间的晶片转移使用上侧位置的输送线实施。另外，上侧位置的输送线与下侧位置的输送线之间成为可转移晶片的构造。即，在这样的场合，通过分支输送线130c-1输送来的晶片从分支输送线130c-1转移到上侧位置的输送线。此后，根据晶片具有的处理信息，该晶片依原样在上侧位置的输送线输送，输送到规定的处理装置，或从上侧位置的输送线转移到下侧位置的输送线，此后，在该输送线输送，输送到规定的处理装置。完成了台架内的规定处理的晶片沿上侧位置的输送线输送后，从该输送线转移到台架堆料部130c，或沿下侧位置的输送线输送后，从该输送线送到上侧位置的输送线，然后从该输送线转移到台架堆料部130c。
这样的输送线的分开使用的控制例如与上述第1实施例的场合大体相同地实施，所以省略其详细说明。
如图26所示，在台架堆料部130c从分支输送线130c-1的下游侧分支的输送线随后在分支输送线的上游侧汇合连接到分支输送线。该分支输送线130c-2具有隧道状的输送室(图示省略)和设置于该输送室内的前面说明的线性移动体的线性轨道。在该场合，输送室连接到分支输送室，线性轨道连接到分支输送线的线性轨道。输送室和分支输送室成为连通状态。
在该场合，输送室内具有堆料机的功能和整理输送的缓冲功能。
如图26所示，沿台架间输送线400c每次1张地输送来的晶片中的被判断需要台架内的处理的晶片从台架间输送线400c分流输送到分支输送线130c-1。输送到该分支输送线130c-1的晶片根据其处理内容等配置到单张输送线120d的上侧或下侧，沿输送线每次输送1张。这样，晶片每次1张地输送到规定的处理装置，然后进行规定处理。处理完毕的晶片沿单张输送线120d的输送线每次1张地输送，通过台架堆料部130c输送汇合到台架间输送线400c。此后，该晶片由台架间输送线400c输送到别的台架等。
如图26所示，根据需要，处理前或处理后的晶片在台架堆料部130c一时保管。在图26中，虽然可一时保管2张晶片，但该张数可适当地决定。
在以上那样的实施例中，可获得上述第1实施例的效果，同时，可获得以下那样的效果。
1.由于台架间输送线和单张输送线为每次1张输送晶片的线，所以，与这些线连接的台架堆料部的构成、构造与第1实施例相比大幅度简化和小型化。为此，与第1实施例相比，可减少输送线的构筑费用。另外，可减少洁净室占有地板面积，所以，可提高单位洁净室占有地板面积的处理量。
2.由于台架间输送线、台架堆料部、单张输送线为洁净气体气氛或减压气氛，所以，可使设置了它们的洁净室的清洁度更为宽松，可节减这一方面的设备费用等费用。
在以上的实施例中，说明了每次1张地输送晶片自身并进行处理的例子，但除此之外，例如也可使用具有保持为洁净气体气氛或减压气氛并可仅收容1张晶片的空间的晶片保持件，每次1张地输送和处理晶片。
在该场合，并不特别需要使用图16说明的输送室即构成台架间输送线、台架堆料部、台架内的单张输送线的输送室。但是，使晶片保持件移动的移动体例如由线性轨道和线性台车构成的线性移动体的设置当然在该场合要。另外，在该场合，需要连通各处理装置的例如密闭室和晶片保持件内和隔断其连通的装置。
例如，收容1张晶片的晶片保持件在台架间输送线、台架堆料部、台架内的输送线中的任一方的输送线的线性轨道上载置于线性台车输送到规定的处理装置之处。此后，晶片保持件内和密闭室内被连通，晶片保持件内的晶片输入到密闭室内，此后，从密闭室输入到处理室，在这里进行规定处理。处理完毕后的晶片从处理室输入到密闭室，返回到晶片保持件内收容。此后，晶片保持件内和密闭室内的连通被隔断，晶片保持件从密闭室分离。此后，该晶片保持件例如朝其它处理装置或台架堆料部输送。输送到台架堆料部的晶片保持件在此后由台架间输送线输送到其它台架等。
在这样的例子的场合，除了使用图26说明的实施例的效果之外，还可具有以下那样的效果。
1.由于台架间输送线、台架堆料部、台架内的单张输送线全部可为开放构造，所以，可进一步简化这些构成和构造，节减其构筑费用。
2.由于台架间输送线、台架堆料部、台架内的单张输送线全部可为开放构造，晶片收容于晶片保持件中输送，所以，可进一步使这些输送室内的清洁度宽松，节减这一方面的设备费用等费用。
3.由于台架间输送线、台架堆料部、台架内的单张输送线全部可为开放构造，即洁净室内形成为开放构造，所以，可容易地进行维护和修理。
图27示出本发明的第6实施例。图27与示出本发明的第1实施例的图4、图13等的不同点如下。
如图27所示，沿单张输送线120配置的处理装置108具有以下那样的构成。在该场合，具有共用的真空输送室108c，在其中设置多个真空处理室，例如每次处理1张晶片的单张型的真空处理室108d。在图27中，真空输送室108c的形状例如为六角形。真空处理室108d为4室，在该场合，与各边对应，分别通过门108h设于真空输送室108c的该场合的侧壁部。在真空输送室108c设置晶片输送机械手，即该场合的分别具有2个晶片收取部的双臂型的机械手108i。
如图27所示，在配置于其左边部即台架间输送线400侧的处理装置108中，与真空输送室108c的余下的2边的侧壁部对应地分别通过门108g设置2个晶片保持室108b。在各晶片保持室108b分别通过门108f设置密闭室108a。在各密闭室108a内设置晶片输送用的机械手108j。另外，各密闭室108a和单张输送线120为通过门108e每次可转移该场合的1张晶片的配合构造。该配合构造等与上述第1实施例的场合大体相同，省略说明。
如图27所示，在配置于其左边部的处理装置108中，沿单张输送线120的输送线中的任一个输送来的晶片通过打开的门108e由密闭室108a的机械手108j接受(关闭门108e)，由晶片保持室108b一时保持。在该晶片保持室108b中，根据真空处理室108d中的晶片的处理内容实施晶片的清洗处理、烘干处理、加热等。此后，该晶片通过打开的门108h由真空输送室108c的机械手108i从晶片保持室108b送到真空输送室108c，然后从真空输送室108c输送到真空处理室108d中的任一个进行处理。这样，实施在各真空处理室的晶片处理。真空处理室108d的处理结束了的晶片通过打开的门108h由真空输送室108c的机械手108i输送到晶片保持室108b，在这里，一时保持(门108h关闭)。例如，在对晶片进行加热处理的场合，该晶片保持室108b作为冷却室使用。此后，该晶片通过打开的门108f由机械手108j晶片保持室108b输送到密闭室108a(关闭门108f)。此后，该晶片通过打开的门108e从密闭室108a传送到单张输送线120的输送线的中的任一个，输送到别的场所例如别的处理装置或FOUP等。
在这样的构成中，由于具有晶片保持室，所以，与本发明的第1实施例的构成相比，可防止真空输送室、各真空处理室内的污染，抑制污染导致的处理量的下降。
另外，例如通过门108e在单张输送线120的例如下侧位置的输送线121使左侧的密闭室108a配合，另外，通过门108e使右侧的密闭室108a和单张输送线120的上侧位置的输送线122配合。
在这样构成的场合，可将输送处理线分离成下侧位置的输送线121左侧的密闭室108a左侧的晶片保持室108b真空输送室108c左侧的2个真空处理室108d和上侧位置的输送线122右侧的密闭室108a右侧的晶片保持室108b真空输送室108c右侧的2个真空处理室108d这样2个线使用。为此，可并列地实施在2个线不同的晶片处理，对晶片处理来说可进一步确保余量。另外，即使2个线中的任一个线因故障等停止，也可由剩下的另一线继续进行晶片的输送·处理，抑制晶片的生产率的下降。
另外，如图27所示，在配置于其中央部的处理装置109中，与真空输送室109c的余下的2边的侧壁部对应，分别通过门109g设置密闭室109a。在各密闭室109a内设置晶片输送用的机械手109j。另外，使各密闭室109a和单张输送线120分别成为通过门109e每次可转移该场合的1张的晶片的配合构造。该配合构造及其它构造与左边部的处理装置108同样，省略说明。
如图27所示，在配置于其中央部的处理装置109中，沿单张输送线120的输送线的任一个输送而来的晶片通过打开的门109e接受到密闭室109a(门109e打开)。此后，该晶片通过打开的门109g从密闭室109a输送到真空输送室109c，然后由真空输送室109c的机械手109j从真空输送室109c输送到真空处理室109d中的任一个。这样，实施各真空处理室109d的晶片的处理。在真空处理室109d的处理结束了的晶片由真空输送室109c的机械手109i通过打开的门109g从真空输送室109c输送到密闭室109a(门关闭)。此后，该晶片通过打开的门109e由机械手109j从密闭室109a转移到单张输送线120的输送线中的任一个，输送到别的场所例如别的处理装置和FOUP等。
在这样的构成中，与上述的配置于左边部的例子相比，由于没有晶片保持室108b，所以，可相应地减少处理装置的深度尺寸，可减小洁净室占有地板面积。因此，在这样的构成中，与配置到左边部的例子相比，可提高单位洁净室占有地板面积的处理量。这样的作用效果与本发明的第1实施例大体相同。
如图27所示，在离台架间输送线400最远的一侧即配置于其右边部的处理装置110中，通过各门110f在各密闭室110b设置晶片输送室110a。在各晶片输送室110a设置晶片输送用的机械手110i。在该场合，晶片输送室110a没有密闭功能，与单张输送线120的空间时常成为连通状态。
如图27所示，在配置于其右边部的处理装置110中，由单张输送线120的输送线中的任一个输送而来的晶片由晶片输送室110a的机械手110j接受，通过打开的门110f输送到密闭室110b内(门110f关闭)。此后，密闭室110b内的晶片通过打开的门110g由真空输送室110c的机械手110i输送到真空输送室110c，并从真空输送室110c输送到真空处理室110d中的任一个进行处理。在真空处理室110d中的处理结束了的晶片通过打开了的门110h由真空处理室110d的机械手110i从真空输送室110c输送到密闭室110b(门110g)关闭。此后，该晶片由晶片输送室110a的机械手110j从密闭室110b转移到单张输送线120的输送线中的任一个，输送到别的场所，例如别的处理装置和FOUP等。
在这样的构成中，由于晶片输送室110a具有作为单张输送线120与各处理装置的接口的功能，所以，台架内的各处理装置的安装工作容易进行。例如，各处理装置由于由各处理装置的制造厂家在包含密闭室的范围内制造，所以，对于与台架内的单张输送线的配合产生尺寸的偏差和误差，安装极为困难。然而，如本实施例那样，通过设置这些接口部，可解决该问题。另外，在这样的构成中，由于具有密闭室，所以，与本发明的第1实施例的构成相比，可防止真空输送室、各真空处理室内的污染，抑制污染导致的处理量的下降。另外，例如，将左侧的晶片输送室作为与单张输送线的例如下侧位置的输送线的配合，另外，也可将右侧的晶片输送室作为与单张输送线的上侧位置的输送线的配合。
在这样构成的场合，可将输送处理线分离成下侧位置的输送线121左侧的晶片输送室110a左侧的密闭室110b真空输送室110c左侧的2个真空处理室110d和上侧位置的输送线122右侧的晶片输送室110a右侧的密闭室110b真空输送室110c右侧的2个真空输送室110c这样2个线使用。为此，可获得与配置于左边部的例子的场合的作用效果同样的作用效果。
在这样的构成的场合，不需要在晶片输送室设置减压装置，在单张输送线的空间气氛为洁净气体气氛的场合，也可设置将洁净气体供给到与其连通的晶片输送室内的装置。另外，在单张输送线的空间为开放空间的场合，也可形成为与其相同的开放构造。
以上，使用图27说明了本发明的第7实施例，但在图27中，对于与示出本发明的第1实施例的图4、图13等同样的构成和作用等省略说明。
对于图27的实施例，可进行以下那样的变形和改良。
(1)在图27中，以在共用的真空输送室设置了多个室的单张处理用真空处理室的类型的处理装置为例进行了说明，但不特别限于此。例如真空处理室可仅为同时地处理多个晶片的即批量的处理室，也可将这样的批量处理室与单张处理室组合，在实施本发明方面，并不特别产生问题。
(2)即使通过组合单张多张类型的处理装置和批量处理装置和(批量处理+单张处理)装置和真空处理室为1室的单一处理装置等的组合构成台架，也可实施本发明，而且，不会特别产生问题。
(3)即使通过组合这样的真空处理装置和这以外的处理装置例如在常压下处理晶片的处理装置或在加压状态下处理晶片的处理装置等构成台架，在实施本发明时也没有特别的问题。
例如，将版印、等离子CVD装置、溅镀装置、等离子腐蚀装置、检测·评价装置、CMP(化学机械抛光机)、真空蒸镀装置、电镀装置等用于台架的构成。
作为这样的处理装置，当然实用上选择在台架的晶片的处理中所需的处理装置进行配置。
图28示出本发明的第7实施例。图28示出横过单张输送线部的状态的断面图。
如图28所示，在左侧的输送室703沿其左方向依次通过门连设密闭室、处理室。如图28所示，在右侧的输送室703朝其右向通过门依次连设密闭室、处理室。如图28所示，在该场合输送室703、例如密闭室102a、处理室102c的各底壁面大体为相同高度。在该场合，距基础(地板)面的高度为H1。另一方面，如图28所示，在该场合，输送室703、例如密闭室105a′、处理室105b′的各顶壁面大体为相同高度。在该场合，距基础(地板)面的高度为H2。因此，在图28中，输送室703的高度H3为H2-H1。
如图28所示，在这样的输送室703内，下侧的输送线121的例如非接触移动体的线性轨道121a-1设于其底壁面，上侧的输送线122的例如非接触移动体的线性轨道122a-2设于其顶壁部。在这里，各输送线121、122的构成、构造与前面的第1实施例大体相同，省略详细说明。另外，各输送室703内与前面的第1实施例同样地成为洁净气体气氛。
如图28所示，在左侧和右侧的密闭室102a、105a′内设置具有与第1实施例相同的收取部12-1、15-1′的输送用的机械手12、15′。一般包含直到密闭室102a、105a′的处理装置分别由装置制造厂家制造，例如分别运入和设置到半导体工厂的台架。在这里，例如密闭室的高度与各装置无关地统一成大体相同的高度时，没有特别的问题。然而，在大多数场合，各装置中的密闭室的高度不同。
在图28所示的实施例中，考虑了这一点，所以，通过使单张输送线为接口部，即使如上述那样使各装置的密闭室的高度不同，也可由此解决问题，可顺利地构筑台架。
如图28所示，例如在左侧的输送室703中，沿下侧的输送线121输送而来的或将要输送的晶片在与密闭室102a的机械手12之间的转移与前面的一实施例中的场合同样地进行。另一方面，沿上侧的输送线122输送而来的晶片在与密闭室102a的机械手12之间的转移如以下那样实施。首先，在保持晶片的状态下，晶片保持件122b下降。该下降停止到可在密闭室102a的机械手12之间进行晶片转移的高度(位置)。此后，打开门102d，密闭室102a的机械手12的晶片收取部12-1朝晶片保持件122b送出，结果，晶片保持件122b的晶片收取转移到机械手12的收取部12-1。此后，该晶片与前面的第1实施例的场合同样地由处理室102b进行规定处理。此间，转移了晶片的晶片保持件122b不阻碍在下侧的输送线121的晶片输送地返回到原来的高度位置等候。在处理室102b的处理结束了的晶片从处理室102b返回到密闭室102a。另外，等候的晶片保持件122b下降，在规定的高度(位置)停止。此后，密闭室102a内泄放压力，门102d打开。在该状态下，密闭室102a内的处理完毕的晶片通过将机械手12送出而从密闭室102a内输送到输送室703内，然后，再次转移到晶片保持件122b。此后，该晶片保持于晶片保持件122b，例如在输送室内输送到与右侧的密闭室105a′对应的位置。该晶片从晶片保持件122b转移到密闭室105a′的机械手15′的晶片收取部15-1′。此后，该晶片与前面的第1实施例同样地在处理室105b′进行规定处理。在处理室105b′的处理结束后的晶片从处理室105b′返回到密闭室105a′。此后，密闭室105a′内泄放压力，打开门。在该状态下，密闭室105a′内的处理完毕的晶片通过送出机械手15′而从密闭室105a′输送到输送室703内，然后，再次转移到晶片保持件122b。此后，该晶片为了在其它处理装置中进行处理而在输送室703内输送，例如为了返回到台架堆料部的FOUP而输送。
如图28所示，沿更下侧的输送线121输送而来的晶片在与密闭室122a的机械手12之间的转移如以下那样实施。首先，在下侧的输送线121输送保持晶片的晶片保持台121b，该输送在到达与规定的处理装置102的密闭室102a对应的位置时停止。此后，门102d打开，密闭室102a的机械手12的晶片收取部12-1朝晶片保持台121b送出，结果，晶片保持台121b的晶片转移到机械手12的收取部12-1。此后，该晶片与前面第1实施例的场合同样地在处理室102b中进行规定处理。在此期间，例如，转移了晶片的晶片保持台121b不阻碍下一晶片的输送地在输送室703内朝前推进。在处理室102b中的处理结束了的晶片从处理室102b返回到密闭室102a。另一方面，用于接受晶片的晶片保持台121b移动到与该密闭室102a对应的位置。此后，密闭室102a内泄放压力，打开门102d。在该状态下，密闭室102a内的处理完毕的晶片通过送出机械手12而从密闭室102a内输送到输送室703内，然后，转移到晶片保持台121b。此后，该晶片保持于晶片保持台121b，例如在输送室703内输送到与右侧的密闭室105a′对应的位置。此后，该晶片与第1实施例的场合相同地由抬起销使其在输送室703内朝其顶壁部上升。该上升在达到规定的高度时停止。此后，门105d′打开，密闭室105a′的机械手15′的晶片收取部15-1′朝晶片保持台121b送出，结果，晶片保持台121b的晶片被收取转移到机械手15′的晶片收取部15-1′。此后，该晶片与前面的第1实施例的场合同样地在处理室105b′进行规定的处理。在此期间，例如转移晶片的晶片保持台121b不阻碍以下的晶片的输送地进一步在输送室703内朝前推进。在处理室105b′的处理结束后的晶片从处理室105b′返回到密闭室105a′。另一方面，用于接受晶片的晶片保持台121b移动到与该密闭室105a′对应的位置。此后，密闭室105a′内的压力泄放，打开门。在该状态下，密闭室105a′内的处理完毕的晶片通过送出机械手15′而从密闭室105a′内输送到输送室703内，然后，转移到晶片保持台121b。此后，该晶片例如为了由其它处理装置进行处理而在输送室703内输送，或例如为了返回到台架堆料部的FOUP而输送。
在这样的实施例中，可获得与上述第1实施例的效果同样的效果，同时，可进一步获得以下那样的效果。
1.即使设置于台架内的各处理装置的例如密闭室的高度不同，通过使这样的单张输送线为接口部，可顺利地进行台架的构筑。这样，可缩短台架的构筑工序，节减台架的构筑费用。另外，可缩短台架的启动时间，提高处理量。
在这样的本实施例中，在处理装置的密闭室使输送室的底壁的高度与高度较低的密闭室一致，在处理装置的密闭室使输送室的顶壁的高度与高度较高的密闭室对应，但这样的内容不特别限于本实施例。即，如具有与各处理装置的高度对应的接口部地构成单张输送线，也可为任意的构造。
如图29、图30示出本发明的第8实施例。图29、图30特别是示出图22、23示出并说明的实施例即在单张输送线120的空间的下方位置配置处理装置的密闭室704的构成的另一实施例。
在图29、图30中，与示出前面的实施例的图22、图23的不同点如下。
该不同点特别是由图29明确地进行了说明。如图29所示，单张输送线120的该场合的配置于下面的输送线126下方位置的密闭室704不仅由1个处理装置构成，而且由多个处理装置(101、102)构成，在该场合，2台处理装置通用。在密闭室704内设置晶片的输送装置。输送装置在该场合使用非接触移动体，在该场合为由线性轨道127a-1和线性台车127a-2构成的移动体127a。在密闭室704的底壁部设置线性轨道127a-1。线性轨道127a-1在密闭室704的长度方向沿处理装置排列的方向设置。在线性轨道127a-1可移动地设置至少1台线性台车127a-2。该线性台车127a-2的晶片保持台127b与设于密闭室704与输送室101a之间的门101d的开口部对应。在该场合，该门107e对应于1台处理装置设置，在该场合，仅对应于左侧的1台处理装置设置。在图29、图30中，与示出前面的实施例的图22、图23同样的构成和构造由相同符号示出，省略说明。
如图29、图30所示，由单张输送线120的例如下侧的输送线126输送而来的晶片输入到密闭室704。输入到该密闭室704内的晶片转移到其中的晶片保持台127b。接受了晶片的晶片保持台127b例如朝配置于右侧的处理装置102的输送室102a在密闭室704内移动。该晶片保持台127b的移动在该晶片保持台127b到达配置于右侧的处理装置102的门102d对应的位置时停止。此后，门102d打开，晶片保持台127b的晶片朝输送室102a和处理室102b输送并进行规定处理。处理完毕的晶片由与上述的操作相反的操作按处理室102b→输送室102a→密闭室704 下侧的输送线126的顺序输送，转移到晶片保持台126b。接受了处理完毕的晶片的晶片保持台126b朝别的处理装置和台架堆料部等沿下侧的输送线126输送。
如图29、图30所示，由单张输送线120的例如下侧的输送线126输送而来的下一晶片输入到密闭室704。输入到该密闭室704内的晶片转移到其中的晶片保持台127b。接受了晶片的晶片保持台127b在该场合不移动。即，该晶片在该场合需要在左侧的处理装置101进行处理，晶片保持台127b停止在与该门101d对应的位置。此后，门101d打开，晶片保持台127b的晶片朝输送室101a和处理室101b输送并进行规定处理。处理完毕的晶片由与上述的操作相反的操作按处理室101b→输送室101a→密闭室704下侧的输送线126的顺序输送，转移到晶片保持台126b。该接受了处理完毕的晶片的晶片保持台126b朝别的处理装置和台架堆料部等沿下侧的输送线126输送。
在图29、图30中，与图22、图23的实施例相比，可对各处理装置减少与单张输送线的门等的配合而将其简化，所以，可节减台架的构筑费。
如图29、图30所示，在单张输送线中，说明了使用下侧输送线的场合，但使用上侧的输送线或使用上侧、下侧的输送线的场合也可同样地操作，没有特别的问题。
在图29、图30中，以下那样的使用也有效。
(1)通过密闭室实施处理装置内的晶片的输送。例如，在密闭室内输送在左侧的处理装置中进行规定处理了的晶片，将其输送到右侧的处理装置的处理室，在这里，进行以下的规定处理。另外，也可实施其相反操作。
图31、图32示出本发明的第9实施例。图31、图32特别是示出图22、23示出并说明的实施例即在单张输送线的空间的下方位置配置处理装置的密闭室的构成的再另一实施例。
在图31、图32中，与示出前面的实施例的图22、图23不同的点为处理装置的输送室101a、102a通过门800连设这一点。除此之外，与图22、图23同样的构成由相同符号示出，省略说明。
图31、图23中，这样的构成(1)如箭头610所示那样，对各处理装置独立地输送和处理晶片。
(2)如箭头611所示那样，可通过其它装置的密闭室、输送室将晶片输送到一方的输送室、处理室进行处理。在这样的场合，当将晶片输送到规定处理装置或将处理完毕的晶片取出到单张输送线120时，可减小输送线的情况导致的不良影响。例如，输送线的线性台车在保持晶片的状态下因某种原因停止于与右侧的处理装置102的密闭室706对应的场所时，通过使用左侧的输送室101a、密闭室705，可顺利地将来自右侧的处理装置102的处理室102b的处理完毕的晶片转移到单张输送线120。另外，例如在同样的状态下，当需要将由输送线输送来的晶片输送到右侧的处理装置102的处理室102b的场合，通过使用左侧的密闭室706、输送室101a，可将晶片输送到右侧的处理装置102的处理室102b。
(3)另外，在并列设置3台处理装置的场合，例如由于某种原因使线性台车停止在与中央部的处理装置的密闭室对应的位置时，可按左侧的密闭室→左侧的输送室→中央部输送室→右侧输送室→右侧的密闭室→线性台车的晶片保持台这样的顺序，跳过该停止的线性台车输送晶片。
(4)另外，可将由一方的处理装置处理的晶片按该输送室→门→另一方的输送室→另一方的处理室的顺序输送，连续地处理同一晶片。
(5)即可分别独立地实施(1)那样的晶片的并行输送处理、(4)那样的晶片的串行输送处理，也可将两者合并实施。
在以上的本实施例中，输送线使用具有移动体和晶片保持台(件)的输送线，为了抑制移动体产生影响处理量的微粒，使用线性轨道和线性台车构成的线性移动体，但并不特别限定。例如，移动体可使用由导向带和检测该导向带并使其移动的装置构成。
另外，单张输送线的输送空间的气氛在以上的实施例中以洁净气氛例如氮气气氛进行了说明，但从本发明的主旨和目的考虑，这不是必要条件。例如，该输送空间的气氛也可为减压气氛。在这样的场合，台架堆料部的配合构造稍变复杂。例如，需要由密闭室连接FOUP和该输送空间。另一方面，该输送空间和各处理装置的配合构造在这些处理装置为真空处理装置(例如等离子腐蚀装置、等离子CVD装置、溅镀装置等)的场合，不需要密闭室等，可使构造更简单。但是，这些处理装置内具有大气气氛下的处理装置(例如版印、CMP、检查·评价装置等)的场合，相反需要密闭室等连设用的装置。另外，还需要使该输送空间为减压气氛的减压排气装置等的设置，另外，需要这些设备的运行费用。
例如，该输送空间的气氛例如也可为与洁净室内同样的气氛即不进行特别对应的气氛。在这样的场合，需要由用于调整相互的气氛的密闭室连接FOUP和该输送空间。但是，该输送空间与各处理装置的配合构造可与上述实施例的场合相同。另外，在这样的输送空间的场合，不需要洁净气体的供给装置和低压排气装置等的设置，因此，也不需要运行费用。
以上，说明了单张输送线的输送空间的气氛的各种例子，但在处理装置为真空处理装置、大气气氛下的处理装置等的场合，在向这些装置输送途中，在晶片产生颗粒附着，为了防止由此导致的合格率下降，该输送空间的气氛最好控制成洁净气体气氛或减压气氛。但是，在仅使用可收容1张的晶片的FOUP输送晶片的场合，如前面说明的那样，不限于此。
另外，在上述实施例中，说明了使用AGV作为台架间输送线的例子，但除此之外，也可使用OHT(架空输送装置)等输送装置。
除了以上说明外，本发明可考虑以下对策。
1.一种基板输送方法，包括由输送线对基板进行单张输送的步骤、由可与上述输送线同时输送地设置的另一(其他)输送线对上述基板进行单张输送的步骤、在沿上述输送线和另一(其他)输送线配置的多个处理装置与上述输送线和另一(其他)输送线之间按单张转移和输送上述基板的步骤、及根据上述基板的处理信息分开使用上述输送线和上述另一(其他)输送线实施上述基板的单张输送的步骤。
2.一种基板输送方法，包括由输送线对基板进行单张输送的步骤、由具有与上述输送线的基板输送面相向的基板输送面的另一(其他)输送线对上述基板进行单张输送的步骤、在沿上述输送线和另一(其他)输送线的基板输送面配置的多个处理装置与上述输送线和另一(其他)输送线之间按单张转移和输送上述基板的步骤、及分开使用上述输送线和上述另一(其他)输送线实施上述基板的单张输送的步骤。
3.一种基板输送方法，包括由设有基本呈水平面的基板输送面的输送线对基板进行单张输送的步骤、由具有与上述输送线的基板输送面沿上下方向相向的基板输送面的另一(其他)输送线对上述基板进行单张输送的步骤、在沿上述输送线和另一(其他)输送线的基板输送面配置的多个处理装置与上述输送线和另一(其他)输送线之间按单张转移和输送上述基板的步骤、及分开使用上述输送线和上述另一(其他)输送线实施上述基板的单张输送的步骤。
4.一种在台架内对基板进行单张输送的方法，该台架具有多个处理装置和单张输送线，该单张输送线按单张对在该处理装置处理的基板进行输送，并列设置上述多个处理装置，沿该并列设置的多个处理装置配置上述单张输送线；其中，包括由构成上述单张输送线的输送线对上述基板进行单张输送的步骤、由与上述输送线一起构成上述单张输送线并可与该输送线同时输送地设置的另一(其他)输送线对上述基板进行单张输送的步骤、在上述输送线与上述处理装置之间按单张转移和输送上述基板的步骤、在上述另一输送线与上述处理装置之间按单张转移和输送上述基板的步骤、分开使用上述输送线与上述另一输送线在上述台架内实施上述基板的单张输送的步骤。
5.一种在台架内对基板进行单张输送的方法，该台架具有多个处理装置和单张输送线，该单张输送线按单张对在该处理装置处理的基板进行输送，并列设置上述多个处理装置，沿该并列设置的多个处理装置配置上述单张输送线；其中，包括由构成上述单张输送线的输送线对上述基板进行单张输送的步骤、由与上述输送线一起构成上述单张输送线并可与该输送线同时输送地设置的另一(其他)输送线对上述基板进行单张输送的步骤、在上述输送线与上述处理装置之间按单张转移和输送上述基板的步骤、在上述另一输送线与上述处理装置之间按单张转移和输送上述基板的步骤、根据上述基板的处理信息分开使用上述输送线与上述另一(其他)输送线在上述台架内实施上述基板的单张输送的步骤。
6.一种在台架内对基板进行单张输送的方法，该台架具有多个处理装置和单张输送线，该单张输送线按单张对在该处理装置处理的基板进行输送，并列设置上述多个处理装置，沿该并列设置的多个处理装置配置上述单张输送线；其中，包括由构成上述单张输送线的输送线对上述基板进行单张输送的步骤、由与上述输送线一起构成上述单张输送线并具有与该输送线的基板输送面相向的基板输送面的另一输送线对上述基板进行单张输送的步骤、在上述输送线与上述处理装置之间按单张转移和输送上述基板的步骤、在上述另一输送线与上述处理装置之间按单张转移和输送上述基板的步骤、分开使用上述输送线与上述另一输送线在上述台架内实施上述基板的单张输送的步骤。
7.一种在台架内对基板进行单张输送的方法，该台架具有多个处理装置和单张输送线，该单张输送线按单张对在该处理装置处理的基板进行输送，并列设置上述多个处理装置，沿该并列设置的多个处理装置配置上述单张输送线；其中，包括由构成上述单张输送线并具有基本呈水平面的基板输送面的输送线对上述基板进行单张输送的步骤、由与上述输送线一起构成上述单张输送线并具有与该输送线的基板输送面沿上下方向相向的基板输送面的另一输送线对上述基板进行单张输送的步骤、在上述输送线与上述处理装置之间按单张转移和输送上述基板的步骤、在上述另一输送线与上述处理装置之间按单张转移和输送上述基板的步骤、分开使用上述输送线与上述另一输送线在上述台架内实施上述基板的单张输送的步骤。
8.一种对基板进行输送的方法，设置有多个台架，在台架内和台架间对上述基板进行输送，该台架具有多个处理装置和对基板按单张进行输送的单张输送线，并列设置上述多个处理装置，沿该并列设置的多个处理装置配置上述单张输送线；其中，在上述台架内分开使用构成上述单张输送线的输送线和可与该输送线同时输送地设置的另一输送线，对上述基板进行单张输送，分开使用上述输送线和另一输送线，在上述输送线、另一输送线与上述处理装置之间按单张转移和输送上述基板；在上述台架间输送上述基板。
9.一种对基板进行输送的方法，设置有多个台架，在台架内和台架间对上述基板进行输送，该台架具有多个处理装置和对基板按单张进行输送的单张输送线，并列设置上述多个处理装置，沿该并列设置的多个处理装置配置上述单张输送线；其中，在上述台架内根据上述基板的处理信息分开使用构成上述单张输送线的输送线和可与该输送线同时输送地设置的另一输送线，对上述基板进行单张输送，并根据上述基板的处理信息分开使用上述输送线和另一输送线，在上述输送线、另一输送线与上述处理装置之间按单张转移和输送上述基板；在上述台架间根据上述基板的处理信息输送上述基板。
10.一种基板的输送装置，沿并列设置的多个处理装置配置，对由该处理装置处理的基板进行单张输送；其中，具有单张输送线和控制系；该单张输送线由对上述基板进行单张输送的输送线和可与该输送线同时输送地设置的对上述基板进行单张输送的另一输送线构成；该控制系在上述单张输送线中控制上述输送线和上述另一输送线的分开使用。
11.一种基板的输送装置，沿并列设置的多个处理装置配置，对由该处理装置处理的基板进行单张输送；其中，具有单张输送线和控制系；该单张输送线由对上述基板进行单张输送的输送线和可与该输送线同时输送地设置的对上述基板进行单张输送的另一输送线构成；该控制系根据上述基板的处理信息在上述单张输送线中控制上述输送线和上述另一输送线的分开使用。
12.一种基板的输送装置，沿并列设置的多个处理装置配置，对由该处理装置处理的基板进行单张输送；其中，具有单张输送线和控制系；该单张输送线由对上述基板进行单张输送的输送线和具有与该输送线的基板输送面相向的基板输送面并对上述基板进行单张输送的另一输送线构成；该控制系在上述单张输送线中控制上述输送线和上述另一输送线的分开使用。
13.一种基板的输送装置，沿并列设置的多个处理装置配置，对由该处理装置处理的基板进行单张输送；其中，具有单张输送线和控制系；该单张输送线由对上述基板进行单张输送的输送线和具有与该输送线的基板输送面相向的基板输送面并对上述基板进行单张输送的另一输送线构成；该控制系根据上述基板的处理信息在上述单张输送线中控制上述输送线和上述另一输送线的分开使用。
14.一种基板的输送装置，沿并列设置的多个处理装置配置，对由该处理装置处理的基板进行单张输送；其中，具有单张输送线和控制系；该单张输送线由具有基本呈水平面的基板输送面并对上述基板进行单张输送的输送线和具有与该输送线的基板输送面沿上下方向相向的基板输送面并对上述基板进行单张输送的另一输送线构成；该控制系在上述单张输送线中控制上述输送线和上述另一输送线的分开使用。
15.一种基板的输送装置，沿并列设置的多个处理装置配置，对由该处理装置处理的基板进行单张输送；其中，具有单张输送线和控制系；该单张输送线由具有基本呈水平面的基板输送面并对上述基板进行单张输送的输送线和具有与该输送线的基板输送面沿上下方向相向的基板输送面并对上述基板进行单张输送的另一输送线构成；该控制系根据上述基板的处理信息在上述单张输送线中控制上述输送线和上述另一输送线的分开使用。
16.一种台架，具有多个处理装置和按单张输送由该处理装置处理的基板的单张输送线，并列设置多个上述处理装置，沿并列设置的多个处理装置配置上述单张输送线；其中上述单张输送线由对上述基板进行单张输送的输送线和可与该输送线同时输送地设置的对上述基板进行单张输送的另一输送线构成；具有控制系和输送装置；该控制系在上述单张输送线中控制上述输送线和上述另一输送线的分开使用；该输送装置在上述输送线、上述另一输送线与上述处理装置之间按单张转移和输送上述基板。
17.一种台架，具有多个处理装置和按单张输送由该处理装置处理的基板的单张输送线，并列设置多个上述处理装置，沿并列设置的多个处理装置配置上述单张输送线；其中上述单张输送线由对上述基板进行单张输送的输送线和可与该输送线同时输送地设置的对上述基板进行单张输送的另一输送线构成；具有控制系和输送装置；该控制系根据上述基板的处理信息在上述单张输送线中控制上述输送线和上述另一输送线的分开使用；该输送装置在上述输送线、上述另一输送线与上述处理装置之间按单张转移和输送上述基板。
18.一种台架，具有多个处理装置和按单张输送由该处理装置处理的基板的单张输送线，并列设置多个上述处理装置，沿并列设置的多个处理装置配置上述单张输送线；其中上述单张输送线由对上述基板进行单张输送的输送线和具有与该输送线的基板输送面相向的基板输送面并对上述基板进行单张输送的另一输送线构成；具有控制系和输送装置；该控制系根据上述基板的处理信息在上述单张输送线中控制上述输送线和上述另一输送线的分开使用；该输送装置在上述输送线、上述另一输送线与上述处理装置之间按单张转移和输送上述基板。
19.一种台架，具有多个处理装置和按单张输送由该处理装置处理的基板的单张输送线，并列设置多个上述处理装置，沿并列设置的多个处理装置配置上述单张输送线；其中上述单张输送线由对上述基板进行单张输送的输送线和可与该输送线同时输送地设置的对上述基板进行单张输送的另一输送线构成；具有控制系、输送装置、及台架堆料部；该控制系根据上述基板的处理信息在上述单张输送线中控制上述输送线和上述另一输送线的分开使用；该输送装置在上述输送线、上述另一输送线与上述处理装置之间按单张转移和输送上述基板；该台架堆料部在上述台架外与上述单张输送线之间转移和输送上述基板。
20.一种台架，具有多个处理装置和按单张输送由该处理装置处理的基板的单张输送线，并列设置多个上述处理装置，沿并列设置的多个处理装置配置上述单张输送线；其中上述单张输送线由对上述基板进行单张输送的输送线和具有与上述输送线的基板输送面相向的基板输送面并对上述基板进行单张输送的另一输送线构成；具有控制系、输送装置、及台架堆料部；该控制系根据上述基板的处理信息在上述单张输送线中控制上述输送线和上述另一输送线的分开使用；该输送装置在上述输送线、上述另一输送线与上述处理装置之间按单张转移和输送上述基板；该台架堆料部在上述台架外与上述单张输送线之间转移和输送上述基板。
21.一种半导体晶片制造线的台架，该台架具有对半导体晶片进行规定处理的处理装置和按单张输送上述半导体晶片的单张输送线，并列设置多个上述处理装置，沿并列设置的多个处理装置配置上述单张输送线；其中上述单张输送线由对上述半导体晶片进行单张输送的输送线和可与该输送线同时输送地设置的对上述半导体晶片进行单张输送的另一输送线构成；具有控制系和输送装置；该控制系根据上述半导体晶片的处理信息在上述单张输送线中控制上述输送线和上述另一输送线的分开使用；该输送装置在上述输送线、上述另一输送线与上述处理装置之间按单张转移和输送上述半导体晶片。
22.一种半导体晶片制造线的台架，该台架具有对半导体晶片进行规定处理的处理装置和按单张输送上述半导体晶片的单张输送线，并列设置多个上述处理装置，沿并列设置的多个处理装置配置上述单张输送线；其中上述单张输送线由对上述半导体晶片进行单张输送的输送线和具有与该输送线的半导体晶片输送面相向的半导体晶片输送面并对上述半导体晶片进行单张输送的另一输送线构成；具有控制系和输送装置；该控制系根据上述半导体晶片的处理信息在上述单张输送线中控制上述输送线和上述另一输送线的分开使用；该输送装置在上述输送线、上述另一输送线与上述处理装置之间按单张转移和输送上述半导体晶片。
23.一种设置了多个台架的半导体制造线，该台架具有对半导体晶片进行规定处理的处理装置和按单张输送上述半导体晶片的单张输送线，并列设置多个上述处理装置，沿并列设置的多个处理装置配置上述单张输送线；其中具有台架间输送装置、上述单张输送线、控制系、及输送装置；该台架间输送装置在上述台架间进行上述半导体晶片的输送；该单张输送线由对上述半导体晶片进行单张输送的输送线和可与该输送线同时输送地设置的对上述半导体晶片进行单张输送的另一输送线构成；该控制系根据由上述台架间输送装置输送到该台架的上述半导体晶片的处理信息在上述单张输送线中控制上述输送线和上述另一输送线的分开使用；该输送装置在上述输送线、上述另一输送线与上述处理装置之间按单张转移和输送上述半导体晶片。
24.一种设置了多个台架的半导体制造线，该台架具有对半导体晶片进行规定处理的处理装置和按单张输送上述半导体晶片的单张输送线，并列设置多个上述处理装置，沿并列设置的多个处理装置配置上述单张输送线；其中具有台架间输送装置、上述单张输送线、控制系、及输送装置；该台架间输送装置在上述台架间进行上述半导体晶片的输送；该单张输送线由对上述半导体晶片进行单张输送的输送线和具有与该输送线的半导体晶片输送面相向的半导体晶片输送面并对上述半导体晶片进行单张输送的另一输送线构成；该控制系根据由上述台架间输送装置输送到该台架的上述半导体晶片的处理信息在上述单张输送线中控制上述输送线和上述另一输送线的分开使用；该输送装置在上述输送线、上述另一输送线与上述处理装置之间按单张转移和输送上述半导体晶片。
25.一种设置了多个台架的半导体制造线，该台架具有对半导体晶片进行规定处理的处理装置和按单张输送上述半导体晶片的单张输送线，并列设置多个上述处理装置，沿并列设置的多个处理装置配置上述单张输送线；其中具有台架间输送装置、上述单张输送线、台架堆料部、控制系、及输送装置；该台架间输送装置在上述台架间进行上述半导体晶片的输送；该单张输送线由对上述半导体晶片进行单张输送的输送线和可与该输送线同时输送地设置的对上述半导体晶片进行单张输送的另一输送线构成；该台架堆料部在上述台架间输送装置与上述单张输送线之间转移和输送上述基板；该控制系根据从上述台架间输送装置输送到上述台架堆料部的上述半导体晶片的处理信息在上述单张输送线中控制上述输送线和上述另一输送线的分开使用；该输送装置在上述输送线、上述另一输送线与上述处理装置之间按单张转移和输送上述半导体晶片。
26.一种设置了多个台架的半导体制造线，该台架具有对半导体晶片进行规定处理的处理装置和按单张输送上述半导体晶片的单张输送线，并列设置多个上述处理装置，沿并列设置的多个处理装置配置上述单张输送线；其中具有台架间输送装置、上述单张输送线、台架堆料部、控制系、及输送装置；该台架间输送装置在上述台架间进行上述半导体晶片的输送；该单张输送线由对上述半导体晶片进行单张输送的输送线和具有与该输送线的半导体晶片输送面相向的半导体晶片输送面并对上述半导体晶片进行单张输送的另一输送线构成；该台架堆料部在上述台架间输送装置与上述单张输送线之间转移和输送上述基板；该控制系根据从上述台架间输送装置输送到上述台架堆料部的上述半导体晶片的处理信息在上述单张输送线中控制上述输送线和上述另一输送线的分开使用；该输送装置在上述输送线、上述另一输送线与上述处理装置之间按单张转移和输送上述半导体晶片。
27.一种具有台架的液晶制造线，该台架具有对液晶基板进行规定处理的处理装置和按单张输送上述液晶基板的单张输送线，并列设置多个上述处理装置，沿并列设置的多个处理装置配置上述单张输送线；其中具有上述单张输送线、台架堆料部、控制系、及输送装置；上述单张输送线由对上述液晶基板进行单张输送的输送线和可与该输送线同时进行输送地设置的对上述液晶基板进行单张输送的另一输送线构成；该台架堆料部可在与该单张输送线之间转移和输送上述液晶基板；该控制系根据上述台架堆料部的上述液晶基板的处理信息在上述单张输送线中控制上述输送线和上述另一输送线的分开使用；该输送装置在上述输送线、上述另一输送线与上述处理装置之间按单张转移和输送上述液晶基板。
28.一种相邻地具有多个台架的液晶制造线，该台架具有对液晶基板进行规定处理的处理装置和按单张输送上述液晶基板的单张输送线，并列设置多个上述处理装置，沿并列设置的多个处理装置配置上述单张输送线；其中具有台架间输送装置、单张输送线、台架堆料部、控制系、及输送装置；该台架间输送装置以夹住上述台架的状态设置，在上述台架间输送上述液晶基板；该单张输送线由对上述液晶基板进行单张输送的输送线和可与该输送线同时输送地设置的对上述液晶基板进行单张输送的另一输送线构成；该台架堆料部分别在上述台架间输送装置与上述单张输送线之间转移和输送上述液晶基板；该控制系根据从上述台架间输送装置输送到上述台架堆料部的上述液晶基板的处理信息在上述单张输送线中控制上述输送线和上述另一输送线的分开使用；该输送装置在上述输送线、上述另一输送线与上述处理装置之间按单张转移和输送上述液晶基板。
如以上那样按照本发明，通过在台架内可并列输送地至少设置另1个别的输送线，可解决有关台架内的晶片输送所产生的问题，可防止台架内的处理量的下降和台架整体的处理量的下降。
权利要求
1.一种基板的输送装置，沿并列设置的多个处理装置配置，对由该处理装置处理的基板进行单张输送；其中，包括单张输送线和控制系；该单张输送线由对上述基板进行单张输送的输送线和可与该输送线同时输送地设置的对上述基板进行单张输送的另一输送线构成，在与上述处理装置之间按单张转移和输送上述基板；该控制系根据上述基板的处理信息在上述单张输送线中控制上述输送线和上述另一输送线的分开使用。
2.一种基板的输送装置，沿并列设置的多个处理装置配置，对由该处理装置处理的基板进行单张输送；其中，包括单张输送线和控制系；该单张输送线由对上述基板进行单张输送的输送线和具有与上述输送线的基板输送面相向的基板输送面并对上述基板进行单张输送的另一输送线构成，在与上述处理装置之间按单张转移和输送上述基板；该控制系根据上述基板的处理信息在上述单张输送线中控制上述输送线和上述另一输送线的分开使用。
3.一种基板的输送装置，沿并列设置的多个处理装置配置，对由该处理装置处理的基板进行单张输送；其中，包括单张输送线和控制系；该单张输送线由具有基本呈水平面的基板输送面并对上述基板进行单张输送的输送线和具有与该输送线的基板输送面沿上下相向的基板输送面并对上述基板进行单张输送的另一输送线构成，在与上述处理装置之间按单张转移和输送上述基板；该控制系根据上述基板的处理信息在上述单张输送线中控制上述输送线和上述另一输送线的分开使用。
4.一种台架，该台架具有多个处理装置和按单张输送由该处理装置处理的基板的单张输送线，并列设置多个上述处理装置，沿并列设置的多个处理装置配置上述单张输送线；其中上述单张输送线由具有基本呈水平面的基板输送面并对上述基板进行单张输送的输送线和具有与该输送线的基板输送面沿上下相向的基板输送面并对上述基板进行单张输送的另一输送线构成；具有控制系和输送装置；该控制系根据上述基板的处理信息在上述单张输送线中控制上述输送线和上述另一输送线的分开使用；该输送装置在上述输送线、上述另一输送线与上述处理装置之间按单张转移和输送上述基板。
5.一种台架，该台架具有多个处理装置和按单张输送由该处理装置处理的基板的单张输送线，并列设置多个上述处理装置，沿并列设置的多个处理装置配置上述单张输送线；其中上述单张输送线由具有基本呈水平面的基板输送面并对上述基板进行单张输送的输送线和具有与该输送线的基板输送面沿上下相向的基板输送面并对上述基板进行单张输送的另一输送线构成；具有控制系、输送装置、及台架堆料部；该控制系根据上述基板的处理信息在上述单张输送线中控制上述输送线和上述另一输送线的分开使用；该输送装置在上述输送线、上述另一输送线与上述处理装置之间按单张转移和输送上述基板；该台架堆料部在上述台架外与上述单张输送线之间转移和输送上述基板。
6.一种半导体晶片制造线的台架，该台架具有对半导体晶片进行规定处理的处理装置和按单张输送上述半导体晶片的单张输送线，并列设置多个上述处理装置，沿并列设置的多个处理装置配置上述单张输送线；其中上述单张输送线由具有基本呈水平面的半导体晶片输送面并对上述半导体晶片进行单张输送的输送线和具有与该输送线的半导体晶片输送面沿上下相向的半导体晶片输送面并对上述半导体晶片进行单张输送的另一输送线构成；具有控制系和输送装置；该控制系根据上述半导体晶片的处理信息在上述单张输送线中控制上述输送线和上述另一输送线的分开使用；该输送装置在上述输送线、上述另一输送线与上述处理装置之间按单张转移和输送上述半导体晶片。
7.一种设置了多个台架的半导体制造线，该台架具有对半导体晶片进行规定处理的处理装置和按单张输送上述半导体晶片的单张输送线，并列设置多个上述处理装置，沿并列设置的多个处理装置配置上述单张输送线；其中具有台架间输送装置、上述单张输送线、控制系、及输送装置；该台架间输送装置在上述台架间进行上述半导体晶片的输送；该单张输送线由具有基本呈水平面的半导体晶片输送面并对上述半导体晶片进行单张输送的输送线和具有与该输送线的半导体晶片输送面沿上下方向相向的半导体晶片输送面并对上述半导体晶片进行单张输送的另一输送线构成；该控制系根据由上述台架间输送装置输送到该台架的上述半导体晶片的处理信息在上述单张输送线中控制上述输送线和上述另一输送线的分开使用；该输送装置在上述输送线、上述另一输送线与上述处理装置之间按单张转移和输送上述半导体晶片。
8.一种设置了多个台架的半导体制造线，该台架具有对半导体晶片进行规定处理的处理装置和按单张输送上述半导体晶片的单张输送线，并列设置多个上述处理装置，沿并列设置的多个处理装置配置上述单张输送线；其中具有台架间输送装置、上述单张输送线、台架堆料部、控制系、及输送装置；该台架间输送装置在上述台架间进行上述半导体晶片的输送；该单张输送线由具有基本呈水平面的半导体晶片输送面并对上述半导体晶片进行单张输送的输送线和具有与该输送线的半导体晶片输送面沿上下方向相向的半导体晶片输送面并对上述半导体晶片进行单张输送的另一输送线构成；该台架堆料部在上述台架间输送装置与上述单张输送线之间转移和输送上述基板；该控制系根据从上述台架间输送装置输送到上述台架堆料部的上述半导体晶片的处理信息在上述单张输送线中控制上述输送线和上述另一输送线的分开使用；该输送装置在上述输送线、上述另一输送线与上述处理装置之间按单张转移和输送上述半导体晶片。
9.一种具有台架的半导体晶片制造线，该台架具有对半导体晶片进行规定处理的处理装置和按单张输送上述半导体晶片的单张输送线，并列设置多个上述处理装置，沿并列设置的多个处理装置配置上述单张输送线；其中具有上述单张输送线、控制系、及输送装置；该单张输送线由对上述半导体晶片进行单张输送的输送线和可与该输送线同时输送地设置的对上述半导体晶片进行单张输送的另一输送线构成；该控制系根据输送到该台架的上述半导体晶片的处理信息在上述单张输送线中控制上述输送线和上述另一输送线的分开使用；该输送装置在上述输送线、上述另一输送线与上述处理装置之间按单张转移和输送上述半导体晶片。
10.一种液晶制造线的台架，该台架具有对液晶基板进行规定处理的处理装置和按单张输送上述液晶基板的单张输送线，并列设置多个上述处理装置，沿并列设置的多个处理装置配置上述单张输送线；其中上述单张输送线由对上述液晶基板进行单张输送的输送线和可与该输送线同时进行输送地设置的对上述液晶基板进行单张输送的另一输送线构成；具有控制系和输送装置；该控制系根据上述液晶基板的处理信息在上述单张输送线中控制上述输送线和上述另一输送线的分开使用；该输送装置在上述输送线、上述另一输送线与上述处理装置之间按单张转移和输送上述液晶基板。
11.一种具有多个台架的液晶制造线，该台架具有对液晶基板进行规定处理的处理装置和按单张输送上述液晶基板的单张输送线，并列设置多个上述处理装置，沿并列设置的多个处理装置配置上述单张输送线；其中具有台架间输送装置、台架堆料部、上述单张输送线、控制系、及输送装置；该台架间输送装置在上述台架间进行上述液晶基板的输送；该台架堆料部在该台架间输送装置与上述单张输送线之间转移和输送上述液晶基板；该单张输送线由对上述液晶基板进行单张输送的输送线和可与该输送线同时输送地设置的上述液晶基板进行单张输送的另一输送线构成；该控制系根据从上述台架间输送装置输送到上述台架堆料部的上述液晶基板的处理信息在上述单张输送线中控制上述输送线和上述另一输送线的分开使用；该输送装置在上述输送线、上述另一输送线与上述处理装置之间按单张转移和输送上述液晶基板。
12.一种相邻地具有多个台架的半导体制造线，该台架具有对半导体晶片进行规定处理的处理装置和按单张输送上述半导体晶片的单张输送线，并列设置多个上述处理装置，沿并列设置的多个处理装置配置上述单张输送线；其中具有台架间输送装置、单张输送线、台架堆料部、控制系、及输送装置；该台架间输送装置以夹住上述台架的状态设置，在上述台架间输送上述半导体晶片；该单张输送线由对上述半导体晶片进行单张输送的输送线和可与该输送线同时输送地设置的对上述半导体晶片进行单张输送的另一输送线构成；该台架堆料部分别在上述台架间输送装置与上述单张输送线之间转移和输送上述半导体晶片；该控制系根据从上述台架间输送装置输送到上述台架堆料部的上述半导体晶片的处理信息在上述单张输送线中控制上述输送线和上述另一输送线的分开使用；该输送装置在上述输送线、上述另一输送线与上述处理装置之间按单张转移和输送上述半导体晶片。
全文摘要
一种单张输送方法及其装置，各台架100、200、300......分别通过台架堆料机130、230、330......连接到台架间输送线400。台架100由该场合的平面形状为环状的单张输送线120和沿其长度输送方向(与台架间输送线400的输送方向交叉的方向)并列设置的处理装置101－106构成。在该场合，处理装置101－103在单张输送线120的一方侧各邻接配置1台地并列设置。另外，余下的处理装置104－106在另一方侧各邻接配置1台地并列设置。处理装置101－106分别具有输送机械手11－16。处理装置101－106具有每次处理1张即单张晶片W的腔室(图示省略)。这样，即使对在台架内的各处理装置来说晶片的处理不同的场合，也可防止台架内的晶片的输送和晶片输送装置与各处理装置的配合由其决定速度，这样，可防止处理量的下降。
文档编号H01L21/677GK1583532SQ20041006448
公开日2005年2月23日 申请日期2002年8月23日 优先权日2002年3月26日
发明者内牧阳一, 江川优子, 加治哲德 申请人:株式会社日立高新技术