专利名称：光二极管的封装基座结构及其制作方法
技术领域：
本发明涉及一种光二极管的封装基座结构及其制作方法，尤其涉及一种具有防止基座漏电流以及导电层断层的导通孔结构的光二极管封装基座的结构及其制作方法。
背景技术：
发光二极管(Light Emitting Diode以下简称LED)是一种可直接将电能转化为可见光和辐射能的发光器件，其发光的原理是在半导体内正负极两个端子施加电压，当电流通过，使电子与空穴相结合时，剩余能量便以光的形式释放，依其使用的材料的不同和其能级高低使光子能量产生不同波长的光，因此，发光二极管(LED)通常具有工作电压低、耗电量小、发光效率高、发光响应时间极短、光色纯、结构牢固、抗冲击、耐振动、性能稳定可靠、重量轻体积小以及成本低等一系列特性，其发展突飞猛进，现已能大量生产整个可见光谱段各种颜色的高亮度、高性能产品。而发光二极管(LED)在业界的生产过程主要可分为上游是发光二极管(LED)衬底芯片及衬底生产，中游的产业化为发光二极管(LED)芯片设计及制造生产，下游则为发光二极管(LED)封装与测试，其中发光二极管(LED)的封装是影响发光二极管(LED)成品是否精良的重要关键技术，而传统的发光二极管的封装主要分为电路板型与支架型两种，其中该电路板型利用复合材料电路板为基板再以模铸成型(molding)的方式进行封胶，而支架型利用金属支架为基板再以射出塑料凹槽或模铸成型(molding)的方式进行封胶，在这两种的封装方法下都有着耐温性不够与散热性不佳等的共同缺点。
承上所述，有鉴于此，在美国专利US 6531328B1中提出了一种发光二极管的封装基板的制作方法，该方法步骤如图1(a)、(b)、(c)、(d)、(e)、(f)和(g)所示，从图中我们可以清楚的看出该制作方法所使用的基板是由100晶格方向的硅芯片制成的硅基板1(如图1(a)所示)，首先在该硅基板1上涂上一层光阻层10(如图1(b)所示)，利用掩模蚀刻工艺将区域11(曝光显影区)的光阻去除(如图1(c)所示)，之后将硅基板利用蚀刻液进行湿蚀刻而形成凹槽12，而蚀刻出的凹槽12为具有倾斜角54.74度的倾斜壁13(如图1(d)所示)，而如图1(e)所示，其为去除光阻后形成具有凹槽的该硅基板1结构图。在图1(f)中将该硅基板1的背面上涂上光阻层以及于凹槽的背面相对位置掩模设有显影电极贯穿孔图案，利用掩模蚀刻及干蚀刻工艺而同时形成半贯孔14以及电极导引孔15，最后在如图1(g)所示将已成形的该硅基板1的正面与背面19表面镀上氧化硅或氮化硅所完成的绝缘层16，在该绝缘层上镀上导电层17，即完成上述发明所揭示的发光二极管的封装基板结构。
然而，上述发光二极管的现有封装基板结构在制作的过程中，由于必须通过湿蚀刻与干蚀刻的方式对该硅基板1进行正面与背面的蚀刻，因此在整个封装基板的制作过程步骤会显得较为繁琐，相对的在制作成本上也会跟着提高，另外，以上述制作方法所完成的封装基板在与发光二极管晶粒进行封装后所完成的成品，经常会有无法正常导电的情况发生，其原因就是在于该导电层17镀于该硅基板1的电极导引孔15时，会发生不可预期的断层现象，导致该封装基座与发光二极管晶粒所封装完成的成品不合格率的提高，再者就是已封装完成的发光二极管成品在焊接于电路板上时，常常会有焊料从该硅基板1的背面19逆流到侧面18的情况发生，如此也会造成组件的漏电流过大，而如何针对上述不足进行改善，为开发本发明的最主要的目的。
发明内容
本发明为一种光二极管的封装基座制作方法，该方法包含下列步骤提供一基板；分别于该基板的第一表面与第二表面上形成掩模第一掩模层与第二掩模层；在该掩模第一掩模层与该第二掩模层上定义出第一开口与第二开口，该第一开口的面积大于第二开口；对该基板进行湿式蚀刻，进而分别于该第一开口处与该第二开口处分别形成可供光二极管放置的承载空间与至少两个导通孔，使这些导通孔的顶部连通至该承载空间的底部；以及对该基板继续进行湿式蚀刻，以除去该承载空间的底部与该导通孔的侧壁交界处的尖锐边缘而形成至少一斜面。
根据上述构想，本发明所述的光二极管的封装基座制作方法，其中该基板为100晶格方向的高阻抗硅基板，该100晶格方向的高阻抗硅基板在进行该湿式蚀刻后所蚀刻出的该承载空间，其底部与侧壁间的角度为54.74或45度，而所蚀刻出的这些导通孔，其顶部与侧壁间的角度为54.74或45度。
根据上述构想，本发明所述的光二极管的封装基座制作方法，其中该基板利用浓度在20～35重量百分比以及温度在摄氏80～95度的氢氧化钾或氢氧化四甲铵溶液进行湿式蚀刻。
根据上述构想，本发明所述的光二极管的封装基座制作方法，其中该第一开口与该第二开口的形成方法包含下列步骤于该基板的该第一表面与该第二表面分别形成由氮化硅、氧化硅或金属制成的该第一掩模层与该第二掩模层；在该第一掩模层与该第二掩模层上分别形成第一光阻层与第二光阻层；利用第一掩模与第二掩模在这些光阻层上定义出第一光阻图案与第二光阻图案；以及根据该第一光阻图案与该第二光阻图案对这些氮化硅层进行蚀刻而形成该第一开口与该第二开口。
根据上述构想，本发明所述的光二极管的封装基座制作方法，还包含下列步骤在进行湿式蚀刻后的该基板的该第一表面与该第二表面形成第一氧化硅绝缘层；在该第一表面的该第一氧化硅绝缘层上形成光反射层；在该光反射层上形成第二氧化硅绝缘层；以及在该第二氧化硅绝缘层与该第二表面的该第一氧化硅层上形成导电层。
根据上述构想，本发明所述的光二极管的封装基座制作方法，其中该第一氧化硅绝缘层以高温氧化的方式形成。
根据上述构想，本发明所述的光二极管的封装基座制作方法，其中该光反射层由一层对光反射率很高的铝或银材料制成并由蒸镀或溅镀的方式形成。
根据上述构想，本发明所述的光二极管的封装基座制作方法，其中该第二氧化硅绝缘层由等离子加强化学气相沉积法或低温常压化学气相沉积法或低温低压炉管方式形成。
根据上述构想，本发明所述的光二极管的封装基座制作方法，其中该导电层由TiW/Cu/Ni/Au、Ti/Cu/Ni/Au、Ti/Au/Ni/Au或AlCu/Ni/Au合金制成，其形成方法包含下列步骤由第三掩模与第四掩模在该第二氧化硅绝缘层与该第二表面的第一氧化硅绝缘层上定义出第一电镀区域与第二电镀区域；以及以溅镀加电镀或溅镀加化学镀的方式于该第一电镀区域与该第二电镀区域形成该导电层。
根据上述构想，本发明所述的光二极管的封装基座制作方法，其中该第二表面可形成有焊料逆流防止结构，其形成方法包含下列步骤在该基板的该第二表面上所形成的该第二掩模层上定义出第三开口；对该基板进行湿式蚀刻，并于该第三开口处形成该焊料逆流防止结构。
根据上述构想，本发明所述的光二极管的封装基座制作方法，其中该焊料逆流防止结构可为一斜面或具有多个凹凸物的凹凸区域。
根据上述构想，本发明所述的光二极管的封装基座制作方法，其中该光二极管为发光二极管或激光二极管。
本发明另一方面为一种封装基座，应用于光二极管上，该封装基座包含基板，其具有第一表面与第二表面；承载空间，其顶部开口位于基板的该第一表面，其底部用以承载该光二极管；以及导通孔，其底部开口位于该基板的该第二表面，该导通孔的顶部连通于该承载空间的底部，且该导通孔的侧壁与该承载空间的底部交界处至少具有一斜面的结构。
根据上述构想，本发明另一方面所述的该封装基座，其中该基板为100晶格方向的高阻抗硅基板，而该承载空间的底部与侧壁间的角度为54.74度或45度，而该导通孔的顶部与侧壁间的角度为54.74度或45度。
根据上述构想，本发明另一方面所述的该封装基座，其中该基板的该第二表面周围边缘处形成有一斜面与具有多个凹凸物的凹凸区域的该焊料逆流防止结构。
根据上述构想，本发明另一方面所述的该封装基座，还包含第一氧化硅绝缘层，其形成于该基板的该第一表面与该第二表面上；光反射层，其由铝或银材料制成并形成于该第一表面的该第一氧化硅绝缘层上；第二氧化硅绝缘层，其形成于该光反射层上；以及导电层，其由TiW/Cu/Ni/Au、Ti/Cu/Ni/Au、Ti/Au/Ni/Au或AlCu/Ni/Au合金制成并形成于该第二氧化硅绝缘层与该第二表面的该第一氧化硅绝缘层上。
根据上述构想，本发明另一方面所述的该封装基座，还包含附着层，其以Al/Ti/AuSn或Ti/Au/AuSn合金所完成并形成于该第一表面的导电层上，进而使该光二极管通过该附着层以覆晶的方式与该封装基座封装在一起。
根据上述构想，本发明另一方面所述的该封装基座，其所应用的该光二极管为发光二极管或激光二极管。
本发明所述的发光二极管的封装基座不但确实克服了现有技术中的导电层断层的问题，且在整体结构上还能使在封装光二极管时产生的不合格率大大的降低。
本发明通过下列附图及说明将得到更深入的了解图1(a)～(g)为现有技术发光二极管的封装基板的制作方法步骤示意图。
图2为本发明为改善现有技术手段不足所开发出来的发光二极管封装基座制作方法步骤示意图。
图3(a)～(i)为本发明所述的该光二极管封装基座制作方法流程示意图。
图4(a)和4(b)为该承载空间的底部与该导通孔的侧壁交界处所具有的该斜面结构示意图。
图5(a)和5(b)为发光二极管的封装基座所具有的焊料逆流防止结构剖面示意图。
图6为该光二极管以覆晶方式与该封装基座完成封装的示意图。
其中，附图标记说明如下1 硅基板10 光阻层11 曝光显影区12 凹槽13 倾斜壁14 半贯孔15 电极导引孔16 绝缘层17 导电层18 侧面19 背面 2 硅基板3 光二极管 21 承载空间22、23 导通孔24 第一氧化硅绝缘层
25 光反射 26 第二氧化硅绝缘层27 导电层 28 附着层201 第一表面 202 第二表面2011、2012 由氮化硅制成的掩模层2013 第一光阻层2014 第二光阻层2001、2002、2003 光阻图案203、204、205 开口211、212 斜面 40 斜面41 具有多个凹凸物的凹凸区域具体实施方式
请参见图2，其为本发明为改进现有技术手段的不足所开发出的封装基座结构示意图，而本发明所述的该封装基座应用于发光二极管(LED)或激光二极管(Laser Diode)的光二极管的封装过程中。从图中我们可以清楚的看出该封装基座包含具有第一表面201与第二表面202的硅基板2、承载空间21以及导通孔22、23，其中该硅基板2为100晶格方向的高阻抗硅基板，而该承载空间21的顶部开口位于该硅基板2该第一表面201之侧，该承载空间21的底部可用以承载如发光二极管(LED)或激光二极管(Laser Diode)的该光二极管3，而该导通孔的底部开口位于该硅基板2的该第二表面202之侧，且该导通孔22、23的顶部连通于该承载空间21的底部，而本发明所述的该封装基座最主要的特征在于该导通孔22、23的侧壁与该承载空间21的底部交界处至少具有一斜面211的结构。
请参见图3(a)至图3(i)，图3(a)至图3(i)为本发明所述的该光二极管封装基座制作方法流程示意图。首先，于该硅基板2的该第一表面201与该第二表面202分别形成由氮化硅、氧化硅或金属等材料制成的掩模层2011、2012(如图3(a)所示)；再如图3(b)所示，在这些掩模层2011、2012上分别形成第一光阻层2013与第二光阻层2014；如图3(c)所示，利用第一掩模与第二掩模(在本图中未示出)在这些光阻层2013、2014上定义出光阻图案2001、2002、2003；如图3(d)所示，根据这些光阻图案2001、2002、2003对这些掩模层2011、2012进行蚀刻而形成开口203、204、205；如图3(e)所示，对该硅基板2进行湿式蚀刻，进而在这些开口203、204、205处形成该承载空间21与该导通孔22、23，且于该导通孔22、23的侧壁与该承载空间21的底部交界处形成该斜面211的结构；如图3(f)所示，于该硅基板2的该第一表面201(包含该承载空间21的表面)与该第二表面202(包含这些导通孔22、23的侧壁表面)形成第一氧化硅绝缘层24如图3(g)所示，于该第一表面201的该第一氧化硅绝缘层24上形成有由铝或银材料(铝与银材料对光反射率很高)制成的反光层25；如图3(h)所示，于该反光层25上形成有第二氧化硅绝缘层26；最后如图3(i)所示，在该第二氧化硅绝缘层26与该第一氧化硅绝缘层24(覆盖这些导通孔22、23的侧壁表面上的该第一氧化硅绝缘层)上形成有由TiW/Cu/Ni/Au或Ti/Cu/Ni/Au或Ti/Au/Ni/Au或AlCu/Ni/Au合金制成的导电层27后便完成如图2所示的该光二极管的封装基座结构。而以下再就上述的流程步骤做详细的描述。
如上所述，通常位于该硅基板2的该第一表面201与该第二表面202上的该承载空间21与该导通孔22、23是通过该湿式蚀刻的方式同时对该硅基板2的该第一表面201与该第二表面202进行蚀刻，如此一来，便能够在该硅基板2上形成该承载空间21与该导通孔22、23以及形成于该导通孔22、23的侧壁与该承载空间21的底部交界处的该斜面211结构，而在进行该湿式蚀刻时，本发明是利用浓度在20～35重量百分比以及温度在摄氏80～95度的氢氧化钾(KOH)或氢氧化四甲铵(TMAH)溶液进行该湿式蚀刻，而该氢氧化钾(KOH)或该氢氧化四甲铵(TMAH)溶液便会依照该硅基板2的晶格特性进而分别于该第一表面201与该第二表面202形成底部与侧壁间的夹角θ为54.74度或45度的该承载空间21(如图3(e)所示)与顶部与侧壁的夹角θ为54.74度或45度的该导通孔22、23(如图3(e)所示)以及去除该承载空间21的底部与该导通孔22、23的侧壁交界处的尖锐边缘而形成该斜面211。
而关于上述封装基座的制作步骤，其中该第一氧化硅绝缘层24以高温氧化的方式形成，该光反射层25以蒸镀或溅镀(Sputtering)的方式形成于该第一氧化硅绝缘层24上，该第二氧化硅26以等离子加强化学气相沉积法或低温常压化学气相沉积法或低温低压炉管方式形成于该光反射层25上，该导电层27以第三掩模与第四掩模(在本图中未示出)于该第二氧化硅绝缘层26与该第一氧化硅层24上定义出第一电镀区域与第二电镀区域(该电镀区域涵盖导通孔表面)，并以溅镀(Sputtering)加电镀(Electroplating)或溅镀(Sputtering)加化学镀(Electroless Plating)的方式于该第一电镀区域与该第二电镀区域于该第二氧化硅绝缘层26与该第一氧化硅绝缘层24上形成该导电层27。
通过上述的技术说明，我们可以清楚的发现本发明最主要的特征就是在于整个封装基座的制作过程中，是以该湿式蚀刻的方式同时对该硅基板2(100晶格方向的高阻抗硅基板)的该第一表面201与该第二表面202进行蚀刻，而进行该湿式蚀刻的溶液是条件范围必须在浓度在20～35重量百分比以及温度在摄氏80～95度的氢氧化钾(KOH)或氢氧化四甲铵(TMAH)溶液，如此才能够在该硅基板2上形成符合本发明特征的该承载空间21、该导通孔22、23以及去除该承载空间21的底部与该导通孔22、23的侧壁交界处的锐角而形成该斜面211，如图4(a)所示，由于该斜面211的形成，使得该承载空间21的底部与该导通孔22、23的侧壁交界处的角度较为的缓和，如此一来，当该导电层27镀于该导通孔22、23侧壁时，便不会发生因为该承载空间21的底部与该导通孔22、23的侧壁交界处的锐角而在镀上该导电层27时造成断层，而除了在图4(a)中在该载空间21的底部与该导通孔22、23的侧壁交界处形成一个斜面211外，也可以如图4(b)中具有两个斜面211、212的结构，同样也可完成上述所要达到的功能。
请参见图5(a)和图5(b)，本发明所述的该发光二极管的封装基座，除了利用一定条件范围的该氢氧化钾(KOH)或该氢氧化四甲铵(TMAH)溶液对该基板2进行该湿式蚀刻以去除该承载空间21的底部与该导通孔22、23的侧壁交界处的锐角以形成至少一斜面这个特征外，如果本发明所使用的基板为价格较低廉的一般硅基板(非高阻抗硅基板)则在该硅基板2的该第二表面202四周边缘还具有焊料逆流防止结构，如图5(a)所示，该焊料逆流防止结构可为一斜面40结构，也可以如图5(b)所示的该焊料逆流防止结构为具有多个凹凸物的凹凸区域41，如此一来，所制作完成的该发光二极管的封装基座在与电路板(本图中未示出)进行焊接时，就能够避免焊料因挤压而从该硅基板2的该第二表面202逆流到该硅基板2的侧面造成不当的漏电流偏高，而上述的该焊料逆流防止结构以该湿式蚀刻所完成。当然，本发明所使用的硅基板若是高阻抗硅基板的话，因为其阻抗值大于1000Ohm-cn，所以该发光二极管的封装基座在与电路板进行焊接时，并不会造成漏电流过大的问题，因此，在该高阻抗硅基板上就不需要另外形成如图5(a)或图5(b)中所示的该焊料逆流防止结构。
请参见图6，其为该光二极管以覆晶方式与该封装基座完成封装示意图。本发明除了如图2所示的该光二极管3利用打线的方式与该硅基板2上的该导电层27进行导通，另外也可以如图6所示在该硅基板2的该第一表面201的导电层27上形成由Al/Ti/AuSn或Ti/Au/AuSn合金(其中AuSn的组成为80％Au以及20％Sn或75％Au以及25％Sn)制成的附着层28，而该光二极管3通过该附着层28与该导电层27进行导通，进而完成整个封装过程，而利用该覆晶方式进行封装可以缩减该硅基板2所使用的面积(因为没有打线的问题)并且提高散热的效果。
综上所述，本发明所述的该发光二极管的封装基座最主要的特征就是在整个制作的过程中，是以蚀刻溶液(氢氧化钾或该氢氧化四甲铵)同时对该高组抗硅基板的该第一表面与该第二表面进行湿式蚀刻，且因为该蚀刻溶液条件是限定在浓度在20～35重量百分比以及温度在摄氏80～95度的特定的条件范围内，因此，以该蚀刻溶液对该硅基板进行蚀刻时，除了形成必要的承载空间与导通孔外，还可于承载空间的底部与导通孔的侧壁交界处形成至少一个斜面的结构，此特征便能够解决现有技术中所提到的导电层断层的问题，而由于本发明是同时对该硅基板的该第一表面与该第二表面进行湿式蚀刻，在方法步骤上也较常用的技术手段简便，所以相对地的在制作成本上也来的较为低廉，除此之外，若该硅基板是使用价格较为低廉的一般硅基板(非高阻抗硅基板)，则可在该硅基板的底面(与电路板连接的一面)形成焊料逆流防止结构来防止焊料逆流造成不当的漏电流偏高，如此一来，本发明所述的发光二极管的封装基座不但确实克服了现有技术中的不足，且在整体结构上还能使在封装光二极管时产生的不合格率大大的降低。
本发明由本领域技术人员任施匠思而为诸般修饰，然皆不脱离所附权利要求所欲保护的范围。
权利要求
1.一种光二极管的封装基座制作方法，该方法包含下列步骤提供一基板；分别在该基板的第一表面与第二表面上形成第一掩模层与第二掩模层；在该第一掩模层与该第二掩模层上定义出第一开口与第二开口，该第一开口的面积大于第二开口；对该基板进行湿式蚀刻，进而分别于该第一开口处与该第二开口处分别形成供光二极管放置的承载空间与至少两个导通孔，使这些导通孔的顶部连通至该承载空间的底部；以及对该基板继续进行湿式蚀刻，以除去该承载空间的底部与该导通孔的侧壁交界处的尖锐边缘而形成至少一斜面。
2.根据权利要求1所述的光二极管的封装基座制作方法，其中该基板为100晶格方向的高阻抗硅基板，该100晶格方向的高阻抗硅基板在进行该湿式蚀刻后所蚀刻出的该承载空间，其底部与侧壁间的角度为54.74或45度，而所蚀刻出的这些导通孔，其顶部与侧壁间的角度为54.74或45度，而该硅基板利用浓度在20～35重量百分比以及温度在摄氏80～95度的氢氧化钾或氢氧化四甲铵溶液进行湿式蚀刻。
3.根据权利要求1所述的光二极管的封装基座制作方法，其中该第一开口与该第二开口的形成方法包含下列步骤在该基板的该第一表面与该第二表面分别形成由氮化硅、氧化硅或金属制成的该第一掩模层与该第二掩模层；在该第一掩模层与该第二掩模层上分别形成第一光阻层与第二光阻层；利用第一掩模与第二掩模在这些光阻层上定义出第一光阻图案与第二光阻图案；以及根据该第一光阻图案与该第二光阻图案对这些氮化硅层进行蚀刻而形成该第一开口与该第二开口。
4.根据权利要求1所述的光二极管的封装基座制作方法，还包含下列步骤在进行湿式蚀刻后的该基板的该第一表面与该第二表面形成第一氧化硅绝缘层；在该第一表面的该第一氧化硅绝缘层上形成光反射层；在该光反射层上形成第二氧化硅绝缘层；以及在该第二氧化硅绝缘层与该第二表面的该第一氧化硅层上形成导电层。
5.根据权利要求4所述的光二极管的封装基座制作方法，其中该第一氧化硅绝缘层以高温氧化的方式形成，该光反射层由一层对光反射率很高的铝或银材料制成并由蒸镀或溅镀的方式形成，该第二氧化硅绝缘层以等离子加强化学气相沉积法或低温常压化学气相沉积法或低温低压炉管方式形成。
6.根据权利要求4所述的光二极管的封装基座制作方法，其中该导电层由TiW/Cu/Ni/Au、Ti/Cu/Ni/Au、Ti/Au/Ni/Au或AlCu/Ni/Au合金制成，其形成方法包含下列步骤利用第三掩模与第四掩模在该第二氧化硅绝缘层与该第二表面的第一氧化硅绝缘层上定义出第一电镀区域与第二电镀区域；以及利用溅镀加电镀或溅镀加化学镀的方式于该第一电镀区域与该第二电镀区域形成该导电层。
7.根据权利要求1所述的光二极管的封装基座制作方法，其中该第二表面形成有具有一斜面或多个凹凸物的凹凸区域的焊料逆流防止结构，其形成方法包含下列步骤在该基板的该第二表面上形成的该第二掩模层上定义出第三开口；对该基板进行湿式蚀刻，并在该第三开口处形成该焊料逆流防止结构。
8.根据权利要求1所述的光二极管的封装基座制作方法，其中该光二极管为发光二极管或激光二极管。
9.一种封装基座，应用于光二极管上，该封装基座包含基板，其具有第一表面与第二表面；承载空间，其顶部开口位于基板的该第一表面，其底部用以承载该光二极管；以及导通孔，其底部开口位于该基板的该第二表面，该导通孔的顶部连通于该承载空间的底部，且该导通孔的侧壁与该承载空间的底部交界处至少具有一斜面的结构。
10.根据权利要求9所述的封装基座，其中该基板为100晶格方向的高阻抗硅基板，而该承载空间的底部与侧壁间的角度为54.74度或45度，而该导通孔的顶部与侧壁间的角度为54.74度或45度。
11.根据权利要求9所述的封装基座，其中该基板的该第二表面周围边缘处形成有一斜面与具有多个凹凸物的凹凸区域的该焊料逆流防止结构。
12.根据权利要求9所述的封装基座，还包含第一氧化硅绝缘层，其形成于该基板的该第一表面与该第二表面上；光反射层，其由铝或银材料制成并形成于该第一表面的该第一氧化硅绝缘层上；第二氧化硅绝缘层，其形成于该光反射层上；以及导电层，其由TiW/Cu/Ni/Au、Ti/Cu/Ni/Au、Ti/Au/Ni/Au或AlCu/Ni/Au合金制成并形成于该第二氧化硅绝缘层与该第二表面的该第一氧化硅绝缘层上。
13.根据权利要求12所述的封装基座，还包含附着层，其由Al/Ti/AuSn或Ti/Au/AuSn合金制成并形成于该第一表面的导电层上，以使该光二极管通过该附着层以覆晶的方式与该封装基座封装在一起。
全文摘要
本发明为一种光二极管的封装基座结构及其制作方法，其步骤主要是在基板的第一表面与第二表面上形成第一掩模层与第二掩模层；在该第一掩模层与该第二掩模层上定义出第一开口与第二开口，该第一开口的面积大于第二开口；对该基板进行湿式蚀刻，进而完成具有承载空间以及至少两个导通孔的光二极管封装基座结构，其中该承载空间的顶部开口位于基板的该第一表面，其底部用以承载该光二极管，而这些导通孔的底部开口位于该基板的该第二表面，其顶部连通于该承载空间的底部，且该导通孔的侧壁与该承载空间的底部交界处至少具有一斜面结构。本发明克服了现有技术的导电层断层的问题，且在整体结构上还能使在封装光二极管时产生的不合格率大大的降低。
文档编号H01L21/60GK1851945SQ20061007718
公开日2006年10月25日 申请日期2006年4月27日 优先权日2006年4月27日
发明者温安农, 郑静琦, 陈志明 申请人:矽畿科技股份有限公司