专利名称：集成电路芯片中的经涂覆的热界面的制作方法
技术领域：
本发明的实施例涉及集成电路封装，具体来说，涉及集成电路封装中芯片和散热器之间的界面。
背景技术：
计算机和其它电子装置通常具有封闭在集成电路封装内的半导体芯片。该芯片通常具有用于执行电功能的集成电路。集成电路在工作时会产生热量。过多的热量可能会破坏集成电路。为了散热，通常将芯片附接到散热器。
通常利用热界面来将芯片键合到散热器。一些热界面由焊接材料制成。一些常规技术在焊接这些热界面的过程中使用助焊剂来改善键合。在一些情况下，助焊剂会在热界面中产生空隙。因此，这些常规技术中的热界面通常相对较厚，以便减少或防止产生空隙。但是，厚的热界面会增加芯片和散热器之间的热阻，这会使散热的效率降低。
一种减小热阻的方法是降低热界面的厚度。但是，降低热界面的厚度会导致产生过多的空隙或需要昂贵的装备。
发明内容
根据本分明的一方面，本发明涉及一种方法，该方法包括将热界面设置在芯片和散热器之间，其中上述热界面包括芯层，上述芯层包括第一表面和与上述第一表面相对的第二芯表面，其中上述热界面还包括涂覆上述芯层的第一表面的至少一部分的第一涂层和涂覆上述芯层的第二表面的至少一部分的第二涂层；以及将上述热界面键合到上述芯片和上述散热器。
根据本分明的另一方面，本发明涉及一种设备，该设备包括包含金属化结构的芯片，上述金属化结构包括金层；包含铜层的散热器，上述铜层包括表面，其中上述表面的至少一部分被镍层和金层中的至少一个层覆盖；以及位于上述芯片和上述散热器之间并键合到上述芯片和上述散热器的热界面，其中上述热界面包括铟，并且上述热界面基本上不含有机助焊剂和有机助焊剂残留物。
根据本分明的又一方面，本发明涉及一种系统，该系统包括包含金属化结构的芯片，上述金属化结构包括金层；包含铜层的散热器，上述铜层包括表面，其中上述表面的至少一部分被镍层和金层中的至少一个层覆盖；位于上述芯片和上述散热器之间并键合到上述芯片和上述散热器的热界面，其中上述热界面包括铟，并且上述热界面基本上不含有机物和有机残留物；以及耦合到上述芯片的随机存取存储器装置。
图1示出根据本发明的一个实施例的设备的分解图。
图2示出根据本发明的一个实施例的设备。
图3是示出根据本发明的一个实施例的方法的流程图。
图4示出根据本发明的一个实施例的计算机系统。
具体实施例方式
图1示出根据本发明一个实施例的设备100在组装前的分解图。设备100可以是存在于计算机或诸如蜂窝式电话的其它电子系统内的集成电路封装的一部分。在图1中，设备100包括设置在散热器120和芯片130之间的热界面111。可以沿箭头151和152所指的方向将设备100的组件组装或键合在一起。
散热器120可以包括铜或具有一个或多个覆盖散热器120的表面126的至少一部分的其它金属层的铜。芯片130包括半导体材料，其中形成有集成电路135。集成电路135可以具有用于执行诸如处理数据、存储数据或这两者的功能的电路。芯片130具有表面136，表面136的至少一部分可由金属覆盖。当键合到芯片130和散热器120时，热界面111允许驱散芯片130的一定热量，或将芯片130的一定热量传到散热器120，以便为设备100保持合适的热状态。
热界面111包括具有表面101和102的芯层112、涂覆表面101的涂层113和涂覆表面102的涂层115。图1示出一个实例，其中，涂层113涂覆表面101的一部分，并且涂层115涂覆表面102的一部分。在一些实施例中，涂层113可以涂覆整个表面101，并且涂层115可以涂覆整个表面102。
芯层112可以包括与涂层113和115的材料不同的材料。涂层113和115可以包括相同材料或不同材料。在一些实施例中，芯层112与涂层113和115的材料都是金属材料。
芯层112可以包括纯铟。涂层113和115的材料可以选自金，锡，铟和金的组合，铟和锡的组合，铟、锡和金的组合，以及氧化铟和氧化锡的组合。
在一些实施例中，芯层112可以包括铟，并且两个涂层113和115可以包括相同的材料。例如，芯层112可以包括铟，并且两个涂层113和115可以包括以下材料中的一种金，锡，铟和金的组合，铟和锡的组合，铟、锡和金的组合，以及氧化铟和氧化锡的组合。在其它实施例中，芯层112可以包括铟，并且涂层113和115中的每个涂层可以包括不同的材料。例如，芯层112可以包括铟，涂层113可以包括金，并且涂层115可以包括铟和锡的组合。在一些实施例中，散热器120的表面126和芯片130的表面136可以具有不同材料。因此，在一些实施例中，通过选择涂层113和115的不同材料来与散热器120和芯片130的不同材料匹配，可以增强键合过程中的润湿性。
芯层112具有厚度162。涂层113具有厚度163。涂层115具有厚度165。在一些实施例中，芯层112的厚度162可以介于6μm(微米)和约100μm之间。在一些实施例中，涂层113和115的厚度163和厚度165中的每个厚度都可以介于约0.1μm和约0.5μm之间。在其它实施例中，涂层113和115的厚度163和厚度165中的每个厚度都可以介于约3μm和约8μm之间。厚度163和厚度165可以相同，也可以相互不同。例如，当涂层113和115都是金时，厚度163和厚度165中的每个厚度都可以介于约0.1μm和约0.5μm之间；当涂层113和115都包含铟和锡的混合物时，厚度163和厚度165中的每个厚度都可以介于约3μm和约8μm之间。
利用设备100中的热界面111可以提供以下优点。
在键合过程中通常要考虑热界面的氧化。在图1中，在没有涂层113和115的情况下，芯层112可能会遭受氧化。氧化的芯层112会降低芯层112与散热器112和芯片130之间的键合质量。通常使用有机助焊剂来除去氧化，以便改善组件之间的键合。当使用助焊剂时，在键合过程后，可能会残存一定量的有机助焊剂或有机助焊剂残留物，从而影响键合质量。在图1中，通过包括涂层113和115来防止芯层112的氧化。因此，不再需要在键合过程中从芯层112的表面除去氧化。因此，可以在没有助焊剂的情况下将热界面111键合到散热器120和芯片130。当不使用助焊剂时，因为在键合过程后不存在有机助焊剂残留物或有机助焊剂，所以可以改善热界面111的键合质量。
集成电路封装中的热阻在决定封装的性能、可靠性和使用寿命方面起到重要的作用。在利用助焊剂的键合过程中，必需有相对较厚的热界面(如大于100μm厚)来避免在键合后在热界面中产生不良空隙。但是，较厚的热界面会增加诸如设备100之类的封装的结到外壳热阻(Rjc)。封装的Rjc通常是封装内的结(如芯片的顶面或底面)和参考点(如封装的顶部或底部)之间的热阻的测量值。在图1中，Rjc可以是芯片130和它上面的参考点(如散热器120上的点)之间的热阻。因此，设备100的Rjc取决于芯片130、热界面111和散热器120的总厚度。因此，Rjc部分地取决于热界面111的厚度。如上所述，当利用助焊剂键合时，必需有较厚的热界面来避免在键合后在热界面中产生空隙。在图1中，因为可以在没有助焊剂的情况下将热界面111键合到散热器120和芯片130，所以无需相对较厚的热界面。因此，可以使用相对较薄的热界面111(如小于100μm)。诸如热界面111之类的较薄的热界面导致设备100的Rjc较小。因此，从芯片130散热可以更有效。在一些实施例中，设备100在组装后的Rjc可以小于0.1℃/W。
热界面的材料成本是一个考虑因素。热界面111所用的材料中的一些材料(如铟)可能相对比较昂贵。在图1中，因为热界面111可以是较薄的热界面，所以可以降低成本。
用于将诸如热界面111之类的热界面键合到芯片和散热器的装备也会是一个因素。一些常规技术在包括炉子的环境中执行键合过程，其中该环境具有用于除去与键合过程中所用的助焊剂相关而产生的不良元素的某一机构。在图1中，因为可以在没有助焊剂的情况下将热界面111键合到散热器120和芯片130，所以可以使用更简单的装备或环境。例如，可以在没有用于除去与助焊剂相关的不良元素的机构的环境中，将热界面111键合到芯片130和散热器120。
只是为了举例，本文的说明描述芯层112与涂层113和115的一些厚度尺寸。也可以使用其它厚度尺寸。对于一些实施例，本文所述的厚度尺寸可能比其它厚度尺寸更能有效地增强键合过程中的润湿性、避免空隙、减小结到外壳热阻Rjc、或这些作用的某一组合。
图1示出在将设备100的组件组装或键合在一起之前的这些组件。如图1所示，在将热界面111键合到散热器120和芯片130之前，热界面111的芯层112已经涂覆(或预先涂覆)有涂层113和115。因此，在将热界面111键合到散热器120和芯片130之前，图1中的热界面111的所有组件都已经组合在一起(或预先形成)。
图2示出根据本发明的一个实施例的设备200。在一些实施例中，设备200包括图1中的设备100在组装在一起后的一个实施例。在图2中，设备200包括封装衬底240以及键合到散热器220和芯片230的热界面222。在一些实施例中，封装衬底240包括有机衬底。
散热器220包括层225以及覆盖层225的层227和228。图2示出只覆盖层225的表面226的一部分的层227和228。在一些实施例中，层227、或层228、或这两个层227和228可以覆盖整个表面226。在一些实施例中，层225包括铜，层227包括镍，并且层228包括金。在一些实施例中，层227的厚度介于约3μm和6μm之间，并且层228的厚度约为0.2μm。也可以使用其它厚度尺寸。
芯片230包括表面251和252，并且集成电路235设置在芯片230的活性面上。在图2中，活性面是指具有表面251的那一面，表面251具有多个导电衬垫260，以便允许将电信号传送到集成电路235以及从集成电路235传送电信号。芯片230还包括与活性面相对的背面。在图2中，背面是指具有表面252的那一面。相对于到表面252(位于背面上)，集成电路235更靠近表面251(位于活性面上)。在一些实施例中，集成电路235在芯片230内的位置可以有所不同。
芯片230还包括位于芯片230的表面252(位于背面上)上的金属化结构236。金属化结构236包括层231、232和233的叠层。在一些实施例中，层231的厚度是约0.05μm；层232的厚度是约0.36μm；并且层233的厚度是约0.1μm。层231可以包括钛。层232可以包括镍和钒的组合。层233可以包括金。在一些实施例中，金属化结构236可以包括以与本文所述的次序不同的次序排列的钛、镍和钒的组合、和金。金属化结构236可以包括其它材料以代替钛、镍和钒的组合、和金。
热界面222包括芯层212、涂层213和涂层215。在一些实施例中，芯层212包括铟，并且两个涂层213和215可以包括相同的材料，其中，该材料是以下材料中的一种铟和金的组合，铟和锡的组合，以及铟、锡和金的组合。在其它实施例中，芯层212可以包括铟，并且涂层213和215可以包括不同的材料，其中，这些不同材料包括以下材料中的两种材料铟和金的组合，铟和锡的组合，以及铟、锡和金的组合。
在一些实施例中，热界面222包括图1中的热界面111的实施例。因此，在键合在一起之前，图2中的热界面222的组件可以包括如图1所述的热界面111的材料和厚度尺寸。在一些实施例中，设备200的Rjc可以小于0.1℃/W。
在图2中，为了图示的目的，以夸大的尺寸示出设备200的组件。在一些实施例中，设备200中的一些组件的材料可以组合形成具有金属间结构的材料组合。例如，热界面222的组件的材料、散热器220的组件的材料以及芯片230中的至少一个组件的材料可以组合形成这些材料的金属间结构。
如图2所示，在键合过程后，将热界面222键合到散热器220和芯片230。在一些实施例中，键合过程可以在无氧环境中执行。在一些实施例中，键合过程可以在氮(N2)环境中执行。在一些实施例中，处理温度在约157℃至约210℃的范围内。在一些实施例中，键合过程可以执行约2分钟至约1个小时。在一些实施例中，可以使用装置利用一定力(夹力)来将设备200的组件夹在一起，以便改善键合。在一些实施例中，夹力可以是约10psi至约100psi。在其它实施例中，夹力可以是约30psi至约50psi。
在图2中，在不使用助焊剂(无助焊剂或不存在助焊剂)的情况下，将热界面222键合到散热器220和芯片230。在无助焊剂方法中，层213直接接触散热器220的层228，并且涂层215直接接触芯片230的层233。因为在没有助焊剂的情况下将热界面222键合到散热器220和芯片230，所以散热器220和芯片230之间的界面、即包括热界面222的界面，基本上不含有机助焊剂或有机助焊剂残留物。术语“基本上不含”的意思是在键合过程中所用的洁净室条件下，在热界面222的层处对设备200的分析评估会导致没有可检测出的助焊剂或助焊剂残留物，即不存在假阳性。没有可检测出的助焊剂的意思是如果存在任何有机物，则有机物会低于检测极限，并且如果不低于检测极限，那么可以追踪到污染物而不是所用的过程残留物。
如上所述，因为在没有助焊剂的情况下执行键合过程，所以散热器220和芯片230之间的界面、即包括热界面222的界面，基本上不含空隙。基本上不含空隙的意思是，不存在任何空隙，或者如果存在任何空隙，那么这些空隙按体积计小于约1％。空隙度可以通过任何已知的技术来测定。例如，空隙度可以通过用于测定给定材料的已知密度的阿基米德法来测定。又如，空隙度还可通过使用扫描声学显微镜(SAM)来测定。
图3是示出根据本发明的一个实施例的方法的流程图。图中以示意性的形式示出方法300，本文中会描述一些动作，但为了清楚起见，图3中省略了这些动作。
动作310涂覆热界面，以便制造经涂覆的热界面。在涂覆之前，热界面包括具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的芯层。动作310在第一表面的至少一部分上涂覆第一涂层，并且在第二表面的至少一部分上涂覆第二涂层。动作310可以通过使用原子喷射沉积法在芯层的表面上涂覆涂层，其中该原子喷射沉积法包括等离子体清洁芯层的表面，以便除去芯层的表面上的天然氧化物，然后在芯层的表面上涂覆单一材料或多种材料的组合。动作310还可通过电镀或通过其它技术在芯层上涂覆涂层。
在一些实施例中，动作310完全涂覆芯层的所有表面，使得芯层的所有几个表面都完全被涂层材料涂覆。例如，芯层可以具有六个表面；可以完全涂覆这六个表面，使得芯层上没有未经涂覆的部分。完全涂覆芯层的所有表面可以简化涂覆过程。
在一些实施例中，芯层可以包括与第一和第二涂层的材料不同的材料。第一和第二涂层可以包括相同材料或不同材料。在一些实施例中，涂层的材料会与芯层的材料发生反应，使得涂层具有芯层材料和用于涂覆芯层的材料的混合物或材料组合。在一些实施例中，芯层与第一和第二涂层的材料是金属材料，使得涂层的材料和芯层的材料可以形成涂覆芯层的金属间结构。
在一些实施例中，芯层可以包括铟，并且第一和第二涂层可以包括相同材料或不同材料，其中，这些材料可以选自金，锡，铟和金的组合，铟和锡的组合，铟、锡和金的组合，以及氧化铟和氧化锡的组合。如上所述，第一和第二涂层的材料与芯层的材料可以形成涂覆芯层的金属间结构。例如，当将金涂覆在铟芯层上时，金快速扩散进入铟芯层，并且形成金属间化合物；因此，铟芯层变成被金和铟的金属间结构覆盖。
在涂覆后，动作310制造经涂覆的热界面，其中，预先组合或预先形成经涂覆的热界面的所有组件，即芯层与第一和第二涂层。
动作320将经涂覆的热界面设置在散热器和芯片之间，以便为键合过程做好准备。散热器可以包括铜或被单个金属层或多个金属层覆盖的铜。例如，散热器可以包括铜，该铜的至少一部分被镍、金、或镍和金覆盖。动作320中的芯片可以包括被单个金属层或多个金属层覆盖的背面表面。例如，芯片可以包括这样的背面表面，该背面表面的至少一部分被以下材料覆盖镍；或金；或钛、镍和钒的组合、和金的叠层。
动作330在键合过程中将热界面键合到散热器和芯片。键合过程可以在没有助焊剂的情况下执行。在一些实施例中，键合过程可以在无氧环境中执行。在一些实施例中，键合过程可以在氮环境中执行。键合过程可以用一定力将各组件夹在一起，以便改善键合。键合过程中的处理温度可以为约157℃至约210℃。
在第一个实例中，方法300的动作310使用具有约7μm厚的铟和锡的组合的热界面，该热界面上涂覆有约0.05μm厚的金。在这第一个实例中，方法300的动作320在约175℃的峰值温度下历时约2分钟将热界面键合到散热器和芯片。在动作330中键合后，观察到通过方法300制造的物品完全不含空隙。因此，通过方法300制造的物品也基本上不含有机助焊剂或有机助焊剂残留物。
在第二个实例中，方法300的动作310使用具有约6μm厚的铟和锡的组合的热界面。在这第二个实例中，方法300的动作320在约210℃的峰值温度下历时约16分钟将热界面键合到散热器和芯片。在动作330中键合后，观察到通过方法300制造的物品完全不含空隙。因此，通过方法300制造的物品也基本上不含有机助焊剂或有机助焊剂残留物。
图4示出根据本发明一个实施例的系统。系统400包括处理器410、存储器装置420、存储器控制器430、图形控制器440、输入和输出(I/O)控制器450、显示器452、键盘454、指示装置456、外围装置458和总线460。
处理器410可以是通用处理器或专用集成电路(ASIC)。存储器装置420可以是动态随机存取存储器(DRAM)装置、静态随机存取存储器(SRAM)装置、快闪存储器装置、或这些存储器装置的组合。I/O控制器450可以包括用于有线或无线通信的通信模块。
系统400中所示的组件中的一个或多个组件可以包含在一个或多个集成电路封装内。例如，处理器410、或存储器装置420、或I/O控制器450的至少一部分、或这些组件的组合可以包含在包括如图1至图3所述的物品或设备的至少一个实施例的集成电路封装内。因此，系统400中所示的组件中的一个或多个组件可以包括如图1至图3所述的芯片、散热器和热界面中的至少一个或它们的组合。
系统400可以包括计算机(如桌面型计算机、膝上型计算机、手持式计算机、服务器、Web器具、路由器等)、无线通信装置(如蜂窝式电话、无绳电话、寻呼机、个人数字助理等)、计算机相关的外围装置(如打印机、扫描仪、监视器等)、娱乐装置(如电视、收音机、立体声系统、磁带和光盘播放器、录像机、摄像机、数码相机、MP3(运动图像专家组，音频层3)播放器、视频游戏、表等)及类似装置。
以上描述和附图充分说明了本发明的一些特定实施例，使得本领域的技术人员能够实践本发明的这些实施例。其它实施例可以包含结构、逻辑、电、方法和其它变化。在附图中，类似的特征或类似的标记基本上描述这几个视图中的类似的特征。实例只是代表可能的变型。一些实施例中的部分和特征可以包含在其它实施例的部分和特征中，或者代替其它实施例的部分和特征。在阅读和理解上述描述后，本领域的技术人员将明白许多其它实施例。因此，各个实施例的范围由所附权利要求以及这些权利要求所拥有的均等物的全部范围决定。
提供摘要以便遵守37 C.F.R.§1.72(b)的规定，该规定要求提供摘要，以便允许读者快速确定技术公开的性质和要点。提交摘要时应了解，它不用来解释或限制权利要求的范围或意义。
权利要求
1.一种方法，包括将热界面设置在芯片和散热器之间，其中所述热界面包括芯层，所述芯层包括第一表面和与所述第一表面相对的第二芯表面，其中所述热界面还包括涂覆所述芯层的第一表面的至少一部分的第一涂层和涂覆所述芯层的第二表面的至少一部分的第二涂层；以及将所述热界面键合到所述芯片和所述散热器。
2.如权利要求1所述的方法，还包括用材料涂覆所述芯层的第一表面，以便获得所述第一涂层；以及用所述材料涂覆所述芯层的第二表面，以便获得所述第二涂层，其中涂覆所述芯层的第一和第二表面发生在将所述热界面设置在所述芯片和所述散热器之间之前。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述芯层包括铟。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一和第二涂层都包括金。
5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一和第二涂层都包括铟和锡的组合。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述芯层包括铟，并且其中所述第一和第二涂层都包括铟、锡和金的组合。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述芯层包括铟，并且其中所述第一和第二涂层都包括氧化铟和氧化锡的组合。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述芯层包括铟，其中所述第一涂层包括第一材料，其中所述第二涂层包括与所述第一材料不同的第二材料，并且所述第一材料和所述第二材料包括以下材料中的两种材料铟和金的组合，锡，金和铟的组合，铟和锡的组合，铟、锡和金的组合，以及氧化铟和氧化锡的组合。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在不存在助焊剂的情况下执行键合。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在无氧环境中执行键合。
11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在氮环境中执行键合。
12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，在介于约157℃和约210℃之间的温度下执行键合。
13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，键合包括利用约30psi至约50psi的力将所述热界面、所述芯片和所述散热器夹在一起。
14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述芯层包括约6μm至约100μm厚的铟。
15.如权利要求14所述的方法，其特征在于，所述第一和第二涂层中的每个涂层都包括约0.1μm至约0.5μm厚的金。
16.如权利要求14所述的方法，其特征在于，所述第一和第二涂层中的每个涂层都包括约3μm至约8μm厚的铟和锡的组合。
17.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述芯层包括铟；其中所述第一和第二涂层中的至少一个涂层包括以下材料中的一种材料金，锡，铟和金的组合，铟和锡的组合，铟、锡和金的组合，以及氧化铟和氧化锡的组合；其中所述散热器包括涂覆有金的铜；并且其中所述芯片包括位于所述芯片的背面上的金属化结构，所述金属化结构包括金层。
18.如权利要求17所述的方法，其特征在于，所述散热器还包括覆盖所述铜的至少一部分的镍层，其中所述金属化结构还包括钛层、以及镍和钒的组合层，其中所述第一和第二层中的每个层都为约0.1μm至约8μm厚，并且其中在氮环境中利用介于约170℃和约210℃之间的处理温度历时约2分钟至约16分钟执行键合。
19.如权利要求18所述的方法，其特征在于，键合包括利用约30psi至约50psi的力将所述热界面、所述芯片和所述散热器夹在一起。
20.一种设备，包括包含金属化结构的芯片，所述金属化结构包括金层；包含铜层的散热器，所述铜层包括表面，其中所述表面的至少一部分被镍层和金层中的至少一个层覆盖；以及位于所述芯片和所述散热器之间并键合到所述芯片和所述散热器的热界面，其中所述热界面包括铟，并且所述热界面基本上不含有机助焊剂和有机助焊剂残留物。
21.如权利要求20所述的设备，其特征在于，所述热界面还包括金和铟的组合。
22.如权利要求21所述的设备，其特征在于，所述热界面还包括锡、金和铟的组合。
23.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述热界面的厚度小于100μm。
24.如权利要求23所述的设备，其特征在于，所述设备的结到外壳热阻小于0.1℃/W。
25.如权利要求24所述的设备，其特征在于，所述热界面基本上不含空隙。
26.如权利要求25所述的设备，还包括耦合到所述芯片和所述散热器的衬底。
27.一种系统，包括包含金属化结构的芯片，所述金属化结构包括金层；包含铜层的散热器，所述铜层包括表面，其中所述表面的至少一部分被镍层和金层中的至少一个层覆盖；位于所述芯片和所述散热器之间并键合到所述芯片和所述散热器的热界面，其中所述热界面包括铟，并且所述热界面基本上不含有机物和有机残留物；以及耦合到所述芯片的随机存取存储器装置。
28.如权利要求27所述的系统，还包括耦合到所述芯片和所述散热器的衬底。
29.如权利要求28所述的系统，其特征在于，所述热界面还包括金、锡和铟的组合。
30.如权利要求29所述的系统，其特征在于，所述热界面的厚度小于100μm。
全文摘要
本发明的一些实施例包括用于键合芯片和散热器的经涂覆的热界面。该经涂覆的热界面可以用于在没有助焊剂的情况下键合芯片和散热器。还描述和要求其它实施例。
文档编号H01L23/34GK101055845SQ200710093649
公开日2007年10月17日 申请日期2007年3月30日 优先权日2006年3月31日
发明者S·亚达夫, C·迪皮施 申请人:英特尔公司