专利名称：纳米结构的电致发光器件以及显示器的制作方法
技术领域：
本发明涉及电致发光器件(electroluminescent device)以及包括它们的 发射型显示器。优先权的要求本申请要求2006年2月17日提出的美国专利申请号No.60/774794的4又 益并在此引入其全文作为参考。
背景技术：
依靠显示器中的发射装置的类型将发射型显示器归入三类(1 )有机 发光显示器(OLED) ; (2)场发射显示器(FED)以及(3)无机薄膜电 致发光显示器(EL)。在这三类中，OLED受到了全世界最多的注意和投资。 大约IOO个公司正在开发OLED技术的各个方面。商业的OLED产品被用 在移动电话和MP3市场内。OLED装置能够由小分子(由Kodak开拓)或 者聚合物(由Cambridge Display Technology开拓)制成。OLED装置也可以 由磷光材料(由Universal Display Technology开拓)制成。超过90%的商业 产品使用Kodak的荧光小分子材料(fluorescent small molecule material)。 另 一方面，通过4吏用i者如^走转涂布(spin coating )和喷墨打印(ink-jet printing ) 的溶液处理(solution processing)技术，聚合物材料提供了较低的制造成本。 期望聚合物材料为大尺寸(>20，，)的OLED显示器提供有效的成本解决方 案。磷光材料提供较高的效率并且减少了能量消耗。OELD显示器存在有几种基于材料和制造工艺相关的问题。例如，OLED 具有短的寿命、高的制造成本以及长时间使用色彩平衡(colorbalance)会 损失的问题。寿命短和色彩平衡差的问题是由OLED中的发射装置的化学特 性引起的。例如，因为蓝色光谱中的较高能量趋向于使OLED中使用的有机 分子不稳定，所以难以提高蓝OLED的寿命。由于需要使用昂贵的遮蔽板 (shadowmask)来沉积红色、绿色和蓝色材料，所以制造小分子全色显示器(fhll color display )的成本也非常高。通过使用滤色器技术Kodak和其他 公司已经开发了白色的OLED以克服这些问题。然而，滤色器的使用增加了 材料成本并且降低了显示质量。这种方法也带走了 OLED显示器的一些主要 优点。通过利用喷墨打印，聚合物材料为实现低成本、高产量的制造提供了可 能的途径。然而，与小分子相比，聚合物甚至具有更短的寿命。在聚合物材 料能够在商业上是可行的之前，其寿命必须增加一个数量级。期望下 一代发射型显示器技术可以基于最近出现的被称为量子点(QD ， quantum dot)的纳米材料。能够通过改变点的尺寸简单地调节QD中的发射 颜色(emission color )。在QD-OLED中已经表明了量子点在建立发射型显 示器中的有效性。见Seth Coe et al.,Nature 420,800(2002)。这些显示器中的发 射来自诸如CdSe的无机材料，这些材料固有地比OLED材料更稳定。能够 通过减小量子点的尺寸简单地获得稳定的蓝色材料。由QD制成的显示装置具有比OLED低一个数量级的量子效率(quantum efficiencies )。将QD与OLED材料联合从而提高效率。见US2004/0023010。 然而，这个方法仅产生效率的有限的提高，而且降低了显示器的寿命并且使 制造工艺变复杂。发明内容电致发光器件包括(l)第一和第二电极，二者中至少一个电极对辐射 是透明的；(2)包括第一纳米颗粒的空穴传导层，其中空穴传导层与第一电 极相接触；(3)包括第二纳米颗粒的电子传导层，其中电子传导层与空穴传 导层和第二电极相接触；以及任选地(4)能够提供正电压和负电压的电压 源，其中电压源的正极与第一电极连接，负极与第二电极连接。在一些实施例中，电致发光器件也包括在电子和空穴传导层之间的电子 -空穴复合层(electron-hole combination layer )。电子-空穴复合层能是金属或 者金属氧化物层。其也能是金属或者金属氧化物与在空穴和/或电子传导层中 使用的第一和/或第二纳米颗粒结合的层。电子-空穴复合层也能是烧结层， 其中典型地是利用加热来处理前述组分从而使颗粒聚结成实体(solid mass)。电子-空穴复合层也能在不存在金属或者金属氧化物的条件下通过简单烧结 空穴传导层和电子传导层来在这两层的交接处(juncture)制造。通常，电子-空穴复合层为5-10纳米厚。电致发光器件还能包括在第一电极和空穴传导层之间的空穴注入层。空 穴注入层能包括p型半导体、金属或者金属氧化物。典型的金属氧化物包括 铝氧化物、氧化锌或者二氧化钛，而典型的金属包括铝、金或者银。p型半 导体能是p掺杂硅。电致发光器件还能包括在第二电极和电子传导层之间的电子注入层。电 子注入层能是金属、氟化物盐或者n型半导体。氟化物盐的实例包括NaF、 CaF2或者BaF2。空穴传导层和电子传导层中使用的纳米颗粒为纳米晶体。示范性纳米晶 体包4舌量子点、纳米才干(nanorod)、纟内米两躲卩台(nanobipod)、纟内米三脚台 (nanotripod)、纳米多脚台(nanomultipod)或者纳米线。这样的纳米晶体能由 CdSe、 ZnSe、 PbSe、 CdTe、 InP、 PbS、 Si或者II-VI族、II-IV族或m-V族的材料。在一些电致发光器件中，诸如纳米管、纳米杆或者纳米线的纳米结构能 被包括在空穴传导层、电子传导层和/或电子-空穴复合层中。优选的纳米结 构是碳纳米管。当使用纳米结构时，优选的是这些纳米颗粒共价地 (covalently )连4妄到纳米结构。
图1 (现有技术)示出量子点，因为它们的尺寸差异，其在不同的颜色 进行吸收和发射。这些量子点为纳米尺寸。小点吸收光谱中的蓝端部分而大 尺寸的点吸收光谱的红端部分。图2(现有技术)示出由ZnSe、 CdSe和PbSe制成的相同尺寸的量子点， 其分别在UV光、可见光和IR进行吸收和发射。图3 (现有技术)示出被覆以诸如三正辛基氧化磷(TOPO)的溶剂的 纳米颗冲立。图4示出被结合剂功能化的纳米颗粒。图5示出被结合剂功能化的核-壳层(core-shell)纳米颗粒。图6-11示出纳米结构的电致发光器件的各种实施例。
具体实施方式
电致发光器件包括(1 )两个电极，其中至少一个对辐射(radiation)是 透明的；(2)空穴传导层，其包括第一纳米颗粒；以及(3)电子传导层， 其包括第二納米颗粒。第一和第二纳米颗粒在组成和/或尺寸上都是不同的。 此外，选择第 一和第二纳米颗粒使得空穴传导层的第 一颗粒传导空穴而电子 传导层的第二颗粒传导电子。选择纳米颗粒使得他们相对的带隙(bandgap) 产生II族能带偏移(band offset )。 CdTe和CdSe是存在II族能带偏移的纳导带和价带形成II型能带偏移。电致发光器件选择性地包括能够提供正电压 和负电压的电压源。当电压源存在时，电压源的正极电连接到第一电极，因 此被电连接到空穴传导层，而将负极连接到第二电极并且因此连接到电子传 导层。在一些实施例中，将电子-空穴复合层置于电子传导层和空穴传导层之 间。电子-空穴复合层能包括金属、金属氧化物或者金属氧化物或金属与空 穴传导层的纳米颗粒或者电子传导层的纳米颗粒的混合物。在一些情况下， 金属或者金属氧化物既与空穴传导层的纳米颗粒又与电子传导层的纳米颗 粒联合。在电致发光器件中出现的电子-空穴传导层的类型将依赖于其制造 方法。图6示出没有电源的电致发光器件。在图6中，诸如氧化铟锡(indium tin oxide) (620)的透明阳极形成在玻璃衬底(610)上。然后沉积第一纳米 颗粒层，之后沉积第二纳米颗粒层。然后，金属阴极(650)形成在第二纳 米颗粒层上。然后，可以退火/烧结整个装置以便形成第一和第二纳米颗粒层 之间的连续层以及电子-空穴复合层。电子-空穴复合层形成在这两层之间并 且由来自空穴传导层和电子传导层的纳米颗粒形成。当正电压和负电压置于 该装置的两边时，在这个区域，电子和空穴彼此复合从而发光。发射的辐射 可以依赖于电子导电纳米颗粒的导带和空穴导电纳米颗粒的价带之间的能 量差。可以理解的是在这种能级，发射的辐射不需要与该差异精确关联。而 是，可以得到具有小于该带隙的能量的光。如果金属或者金属氧化物层位于第一和第二纳米颗粒层之间，那么便形 成电子-空穴复合层。如果将金属或者金属氧化物置于第一纳米颗粒层上， 然后在增加第二纳米颗粒层之前进行烧结，那么电子-空穴复合层不仅包括 金属或者金属氧化物而且包括来自第一层的纳米颗粒。可选择地，第二纳米 颗粒层可以沉积在金属或者金属氧化物层上，然后对该装置进行烧结。在这种情况下，电子-空穴复合层包括与来自第一和第二层的纳米颗粒结合的金 属或者金属氧化物。如果通过首先沉积空穴传导层，然后沉积金属或者金属 氧化物层，之后进行烧结来制作该装置，则电子-空穴复合层便包括与来自 空穴传导层的纳米颗粒结合的金属或者金属氧化物。电致发光器件还可以包括电子注入层和/或空穴注入层。参考图7，电子注入层位于第二纳米颗粒层和阴极之间。电子注入层可以包括n型半导体、 氟化物盐或者金属。例如，n型半导体能够是n掺杂硅而氟化物盐可以是氯 酸#) (sodium chlorate )、 氯4匕4丐(calcium chloride)或者IU匕4贝(barium fluoride)。当使用氟化物时，该层能为0.5到2纳米厚。当使用金属时，该 层能是5到20纳米厚。空穴注入层(730)能为p型半导体、金属或者金属氧化物。例如金属 氧化物能是铝氧化物、氧化锌或者二氧化钛(titanium dioxide)而金属能是 铝、金或者银。可以用作空穴注入层的p型半导体的一个实例是p掺杂硅。 在图8中，将空穴阻挡层(hole blocking layer ) ( 860 )增加到之前图7所阐 述的实施例。空穴阻挡层的实例包括Ti02、 ZnO和带隙大于3eV的其他金 属氧化物。此外，可以将电子阻挡层设置在阳极和第 一纳米颗粒层之间或者设置在 空穴注入层和第一纳米颗粒层之间。电子阻挡层的实例包括由Ti02制成的 一些层。可以理解的是，电子注入层也能起空穴阻挡层的作用。然而，在一些实 施例中，可以使用两种不同的材料，其中一种起电子注入层的作用而另一种 起空穴阻挡层的作用。例如，电子注入层能是LiF、 BaF或者CaF而空穴阻 挡层能是Ti02。类似地，在阳极，空穴注入层也起电子隔挡物(barrier)的作用。然而， 当利用不同的材料实现这些功能时，空穴注入层能用Au制成而电子隔挡物 能由八1203制成。如这里所用，术语"纳米颗粒，，或者"发光纳米颗粒，，指的是基于空穴 和电子的复合而产生光的发光材料。发光纳米颗粒通常为诸如量子点、纳米 #干(nanorod)、纳米两脚台(nanobipods )、纟内米三脚台(nanotripods )、纟内米 多脚台(nanomultipods )或者纳米线的纳米晶体。发光纳米颗粒能由化合物半导体(compound semiconductor)制成，其中化合物半导体包括n-vi、 n-w以及ni-v族的材料。发光纳米颗粒的一些实例为CdSe、 ZnSe、 PbSe、 InP、 PbS、 ZnS、 CdTeSi、 Ge、 SiGe、 CdTe、 CdHgTe以及II-VI、 II-IV和ni-V族的材料。发光纳米颗粒能为核型或者核-壳层型。在核-壳层纳米颗粒中，核和壳层由不同的材料制成。核和壳层都 可以由化合物半导体制成。空穴传导层的纳米颗粒具有使空穴容易从阳极传输到这些纳米颗粒的 带隙。电子传导层的纳米颗粒具有4吏电子容易>Mv阴极传输到这些纳米颗粒的 带隙。用于电子传导层和空穴传导层的材料的带隙是彼此互补的从而使电子 和空穴在电子-空穴复合层中进行有效的再结合。量子点是纳米颗粒的优选类型。正如本领域中所知，具有相同组成但是 具有不同直径的量子点在不同的波长吸收和发射辐射。图1图解由相同的组 成制成但是具有不同的直径的三个量子点。小量子点在光谱的蓝光部分吸收 和发射，而中等量子点和大量子点分别在可见光谱的绿光和红光部分吸收和 发射。可选择地，如图2中所显示，量子点能具有实质上相同的尺寸但是由 不同的材料制成。例如，UV-吸收量子点能由硒化锌(zinc selenide )制成； 而，可见光和IR量子点分别由硒化镉和硒化铅制成。具有不同尺寸和/或不 同组成的纳米颗粒被用在每个纳米颗粒层中。可以通过与Xa-Rn-Yb连接剂(linker)的反应改性发光纳米颗粒，其中X 和Y为诸如羧酸基、磷酸基、磺酸基、含胺基等的反应基团(reaction moieties); a和b独立地为O或者l,其中，a和b中至少一个是l; R是诸 如-CH2、 -NH-或者-O-的含碳基、含氮基或者含氧基；n为0-10或者0-5。 一 个反应基团(例如，X)能与纳米颗粒反应而另一个反应基团(Y)能与诸 如(1)电极、(2)电子-空穴复合层、(3)空穴或者电子注入层、(4)空穴 或电子阻挡层或者(5)其他纳米颗粒的另一结构反应。在一些实施例中， 发光纳米颗粒被用于修饰将在电子和/或空穴传导层中使用的纳米结构。带有 第二反应基团或者不带第二反应基团的连接剂也能钝化纳米颗粒并且增加 他们的稳定性和电致发光性。连接剂还能改善纳米颗粒在用于制作电荷导电 层的普通有机溶剂中的溶解性(solubility)或者悬浮特性(suspension )。通过调节Xa-Rn-Yb的组分，纳米颗粒的表面和任何前述结构之间的距离 能被调节到最小化能促进电子-空穴复合层外部的电子-空穴复合的表面状态 的效果。这些表面之间的距离典型地为10埃或者更小，优选为5埃或者更小。保持这个距离使得电子或者空穴从电极到电子空穴复合层可以隧穿过此 间隙。正如这里所用的，术语"纳米结构"、"电子导电纳米结构"或者"空穴导电 纳米结构"指的是纳米管、纳米杆、纳米线等。电子和空穴导电纳米结构本 质上是晶体。通常，纳米结构由宽的带隙的半导体材料制成，其中，例如，Ti02的带隙是3.2eV。选择纳米结构使得他们的带隙高于将在太阳能电池中 使用的光敏纳米颗粒的最高带隙(例如，>2.0eV)。例如，电子导电纳米结构能由二氧化钛(titanium dioxide )、氧化锌(zinc oxide )、氧化锡(tin oxide )、氧化铟锡(indium tin oxide)以及氧化铟锌(indium zinc oxide )制成。纳米结构也可以由诸如碳纳米管，尤其是单壁(single-wall) 碳纳米管的其他导电材料制成。可以利用本领域中已知的方法来制备电子导电纳米结构。也可以通过利 用由沉积在衬底上的种子颗粒(seed particle)促进的月交体生长(colloidal growth)来制备导电纳米结构。也能利用诸如化学气相沉积(CVD)、金属 有机化学气相沉积(MOCVD， metal-organic chemical vapor deposition)的真 空沉积工艺、诸如分子束外延(MEB, molecular beam epitaxy )的外延生长 方法等来制备导电纳米结构。当为纳米管时，纳米管的外直径的范围为从约20纳米到100纳米，在 一些情况下范围为从20纳米到50纳米并且在其他情况下范围为从50纳米 到100纳米。纳米管的内直径能从约10纳米到80纳米，在一些情况下能为 从20纳米到80纳米并且还能为从60纳米到80纳米。纳米管的壁厚能为 10-25纳米、15-25纳米或者20-25纳米。在一些情况下，纳米管的长度为 100-800纳米、400-800纳米或者200-400纳米。在纳米线的情况下，其直径可以为从约100纳米到约200纳米并且可以 为50-100微米长。纳米杆的直径能为从约2纳米到200纳米但是其经常为 5-100纳米或者20-50纳米。它们的长度能为20-100纳米，但是其长度通常 在50-500纳米或者20-50纳米之间。如以上所描述，电致发光器件(没有电压源)不包括有机空穴导电聚合 物或者有机电子导电聚合物。除了当使用有机连接剂时，该装置实质完全是 无才几的。电致发光器件可以用在发射型显示器中。发射型显示器即包括平板显示器(单独或者与成品相关联的其他组分联合)也包括其他电子装置。 实例实例1:图6示出了纳米结构的电致发光器件，通过本领域中已知的下 面的方法，将透明导电层ITO 620沉积在玻璃衬底(610 )上。ITO的表面可 以暴露给等离子处理或者本领域中已知的其他工艺以调节ITO的功函数。然 后，将第一电荷导电纳米颗粒层(630)沉积在ITO层上。可以采用旋转涂 布、喷墨打印或者其他的印刷工艺来沉积分散在适当的溶剂中的纳米颗粒。 可以通过将衬底加热到约200。C并保持15分钟以去除溶剂来获得连续的无 针孔(pinhole)纳米颗粒层。层630中的纳米颗粒能是点、杆或者线。此实 施例中的第一纳米颗粒层由CdSe制成。第二纳米颗粒层(640 )直接沉积在 第一纳米颗粒层(630)的上方。旋转涂布、喷墨印刷或者其他的印刷工艺 能用来沉积分散在适当的溶剂中的纳米颗粒。通过将衬底加热到约20(TC并 保持15分钟以去除溶剂能获得连续的无针孔纳米颗粒层。层640中的纳米 颗粒能为点、杆或者线。此实施例中的第二纳米颗粒层由CdTe制成。第一 纳米颗粒层(630)中的CdSe颗粒尺寸和第二纳米颗粒层(640)中的CdTe 颗粒尺寸能被调节为获得期望的发射颜色。为了产生蓝色的发射，可以使用 3微米的点。为了产生红色发射，可以用6微米的点。可以通过利用本领域 中已知的方法调节纳米颗粒的尺寸来产生其他的颜色。可以通过在曱醇中的 饱和的CdCl2溶液中加热衬底或者通过本领域已知的方法来改善这两个纳米 颗粒层之间的界面。这样的处理产生第一纳米颗粒层和第二纳米颗粒层之间 的适当的界面使得在界面发生有效的电子-空穴复合。然后，将铝金属电极 (650)沉积在第二纳米颗粒层的顶上从而完成纳米结构的电致发光器件。实例2:图7中示出了纳米结构的电致发光器件的另一个实施例。将透 明导电层ITO (720)沉积在玻璃衬底(710)上。如实例1中所描述，利用 本领域中已知的方法将诸如铝氧化物的空穴注入层(730 )沉积在ITO层720 上。然后，如实例l中所描述，沉积第一和第二纳米颗粒层(740和750)。 然后，利用本领域中已知的方法将诸如LiF的电子注入层(760)沉积在第 二纳米颗粒层的顶上。将铝金属电极(770)沉积在第二纳米颗粒层的顶上 从而完成纳米结构的电致发光器件。实例3:图8中示出了纳米结构的电致发光器件的另一个实施例。如实例2中所描述一样来形成ITO空穴注入层以及第一和第二纳米颗粒层。利用本领域中已知的方法将由Ti02制成的空穴阻挡层(860)沉积在第二纳米颗 粒层的顶上。然后，利用本领域中已知的方法沉积诸如LiF的电子注入层 (870)并且将铝金属电极(880)沉积在第二纳米颗粒层的顶上从而完成纳 米结构的电致发光器件。实例4:图9中示出了纳米结构的电致发光器件的另一个实施例。如实 例1中所描述，将ITO层(920)沉积在玻璃衬底(910)上。然后与实例1 中所描述的一样，将第一纳米颗粒层(930)沉积在ITO层上。本实例中的 纳米颗粒(CdSe点、杆、两脚台、三脚台、多脚台、线)与诸如此实施例 中的第一纳米颗粒层(930)的纳米结构联合，第一纳米颗粒层(930)是通 过装饰(decorate )功能化的单壁碳纳米管(SWCNT,single wall carbon nano tube)来制作的。第二纳米颗粒层(940)被直接沉积在第一纳米颗粒层(930 ) 的顶上。如实例1中所描述，第二层(940)中的纳米颗粒，功能化的CdTe 点、杆、两脚台、三脚台、多脚台或者线与功能化的单壁碳纳米管(SWCNT) 相联合。然后，将铝金属电极(950)沉积在第二纳米颗粒层的顶上从而完 成纳米结构的电致发光器件。实例5:图10中示出了纳米结构的电致发光器件的另一个实施例。如实 例4所描述一样来形成ITO层、第一和第二纳米颗粒层以及金属阴极层。然 而，在此实施例中，在将铝金属电极(1070)沉积在第二纳米颗粒层的顶上 之前将诸如LiF的电子注入层(1060)沉积在第二纳米颗粒层的顶上。实例6:图11中示出了纳米结构的电致发光器件的另一个实施例。除了 将空穴阻挡层(1160)沉积在第二纳米颗粒层的顶上之外，与实例5中描述 的一样来制作此装置。在以上实施例中使用的ITO层的厚度为100nm，铝层的厚度为150nm。 空穴注入层为约5埃厚，电子注入层的厚度为约10埃。纳米颗粒层的厚度 范围为10-100nm。以上的实施例是一些应用本发明的实例。对本领域的冲支术人员来说显而 易见的是，可以使用本领域中已知的其他材料和材料的组合来代替以上实施 例中使用的材料实例以建立根据本发明的纳米结构的电致发光显示器。例 如，其他透明导电材料能用作阳极来代替ITO。其他金属氧化物能用作空穴 注入材料代替铝氧化物。其他金属卣化物能用作电子注入材料代替LiF以建立根据本发明的纳米结构的电致发光显示器。诸如Ag、 Ca的其他金属能代 替铝用作阴极以建立根据本发明的纳米结构的电致发光显示器。CdSe和 CdTe纳米颗粒被用作第一和第二纳米颗粒层的实例。其他具有合适的带隙 的发光纳米颗粒能被使用来代替CdSe和CdTe以建立根据本发明的纳米结 构的电致发光显示器。以上实施例示出了底部发射显示器。对本领域的技术人员来说，显而易 见的是通过利用本领域中已知的适当的阴极和阳极材料能够根据本发明建 立顶部发射显示器。
权利要求
1.一种电致发光器件，其包括第一和第二电极，该第一和第二电极中的至少一个对辐射是透明的；包括第一纳米颗粒的空穴传导层，其中所述空穴传导层与所述第一电极相接触；包括第二纳米颗粒的电子传导层，其中所述电子传导层与所述空穴传导层和所述第二电极相接触；能够提供正电压和负电压的电压源，其中所述电压源的正极与所述第一电极电连接，负极与所述第二电极连接。
2. 如权利要求1所述的电致发光器件，还包括在所述电子传导层和所述 空穴传导层之间的电子-空穴复合层。
3. 如权利要求2所述的电致发光器件，其中所述电子-空穴复合层包括金 属或者金属氧化物层。
4. 如权利要求2所述的电致发光器件，其中所述电子-空穴复合层包括与 所述第一纳米颗粒或所述第二纳米颗粒结合的金属或者金属氧化物。
5. 如权利要求2所述的电致发光器件，其中所述电子-空穴复合层包括与 所述第一纳米颗粒和所述第二纳米颗粒结合的金属或者金属氧化物。
6. 如权利要求2所述的电致发光器件，其中所述第一纳米颗粒和所述第 二纳米颗粒包括至少一种金属并且其中所述电子-空穴复合层的金属包括所 述第 一纳米颗粒或所述第二纳米颗粒的金属的至少 一种。
7. 如权利要求2所述的电致发光器件，其中所述电子-空穴复合层是烧结层。
8. 如权利要求2所述的电致发光器件，其中所述电子-空穴复合层为5-10 纳米厚。
9. 如权利要求2所述的电致发光器件，还包括在所述第一电极和所述空 穴传导层之间并且与所述第一电极和所述空穴传导层接触的空穴注入层。
10. 如权利要求9所述的电致发光器件，其中所述空穴注入层包括p型 半导体、金属或者金属氧化物。
11. 如权利要求IO所述的电致发光器件，其中所述金属氧化物包括铝氧 化物、氧化锌或者二氧化钛。
12. 如权利要求IO所述的电致发光器件，其中所述金属包括铝、金或者银。
13. 如权利要求IO所迷的电致发光器件，其中所述p型半导体为p掺杂硅。
14. 如权利要求2所述的电致发光器件，还包括在所述第二电极和所述 电子传导层之间并且与所述第二电极和所述电子传导层接触的电子注入层。
15. 如权利要求14所述的电致发光器件，其中所述电子注入层包括金属、 氟化物盐或者n型半导体。
16. 如权利要求15所述的电致发光器件，其中所述氟化物盐包括NaF、 CaF2或者BaF2。
17. 如权利要求1所述的电致发光器件，其中所述第一纳米颗粒和所述 第二纳米颗粒是纳米晶体。
18. 如权利要求17所述的电致发光器件，其中所述纳米晶体独立地选自 由量子点、纳米杆、纳米两脚台、纳米三脚台、纳米多脚台或者纳米线构成 的组。
19. 如权利要求17所述的电致发光器件，其中所述纳米晶体包括量子点。
20. 如权利要求16所述的电致发光器件，其中所述纳米晶体包括CdSe、 ZnSe、 PbSe、 CdTe、 InP、 PbS、 Si或者II-VI族、II-IV族或III-V族材料。
21. 如权利要求17所述的电致发光器件，还包括在所述空穴传导层、所 述电子传导层或者所述电子-空穴复合层中的纳米结构。
22. 如权利要求21所述的电致发光器件，其中所述纳米结构包括纳米管、 纳米杆或者纳米线。
23. 如权利要求22所述的电致发光器件，其中所述纳米结构包括碳纳米管。
24. 如权利要求21所述的电致发光器件，其中所述納米颗粒共价地连接 到所述纳米结构。
25. —种电子装置，包括如权利要求1所述的电致发光器件。
全文摘要
一种电致发光器件，其包括第一电极(610)和第二电极(650)，二者中至少一个对辐射是透明的；包括第一纳米颗粒的空穴传导层(630)，其中空穴传导层(630)与第一电极(610)相接触；包括第二纳米颗粒的电子传导层(640)，其中电子传导层(640)与空穴传导层(630)和第二电极(650)相接触；任选的能提供正电压和负电压的电压源，其中电压源的正极被连接到第一电极，负极被连接到第二电极。在一些实施例中，电致发光器件也包括在空穴传导层和电子传导层之间的电子-空穴复合层。
文档编号H01L51/50GK101405888SQ200780009543
公开日2009年4月8日 申请日期2007年2月20日 优先权日2006年2月17日
发明者戴莫德·雷迪 申请人:索莱赞特公司