密封用膜及使用其的半导体装置的制作方法

专利名称：：密封用膜及使用其的半导体装置的制作方法
技术领域：
：本发明涉及填充性和密封性优异的密封膜及使用其的半导体装置。更详细地，本发明涉及具有保护功能和填充性、用于半导体芯片的保护和填充、通过控制填充时的流动性而使填充性、密合性、形状维持性更优异的密封用膜以及使用其的半导体装置。
背景技术：
：一直以来，电子设备的小型化'轻量化都在不断发展，与此相伴的是，要求对基板的高密度安装，搭载在电子设备的半导体封装的小型化、薄型化、轻量化也在不断发展。以往，有被称作LOC(LeadOnChip:芯片上引线封装)和QFP(QuadFlatPackage:四边扁平封装)等的封装，正在开发比LOC和QFP等封装更加小型化.轻量化的jaBGA(BallGridArray:球栅阵列)和CSP(ChipSizePackage:芯片尺寸封装)等封装。也在开发半导体元件的电路面面向半导体配线基板侧的、所谓的倒装型封装即倒装芯片封装、WL-CSP(WaferLevelChipSizePackage:晶圓级芯片尺寸封装)等。上述的封装，通过利用传递成型法将固态的环氧树脂密封材料成型，来得到密封封装，但是封装为薄型或大型时成型就比较难。另外，当无机填料的含量增大时，通常传递成型时的熔融粘度增高，这会产生如下问题，即，成型时残留空隙、模槽填充不良、线流出量和级移位(stageshift)的增大等和成型物的品质降低等问题。另外，近年，倒装芯片、WL-CSP等中有具有突起状电极的制品，为了保护其突起部和填充突起之间而经常使用密封材料，但用固态的环氧树脂密封材料进行填充是很难的。因此，有人提出了以环氧树脂、无机填料为主体的密封膜(例如，参照日本特开平5-283456号公报、日本特开平5-190697号公报、日本特开平8-73621号公报、日本特开2005-60584号公报)。
发明内容4但是，当使用以往的密封膜，来密封例如具有突起状电极的封装或对密封后的形状有限制的封装时，有时难以控制流动性，不能满足填充性和密封性。本发明的目的在于提供具有保护功能和填充性、用于半导体芯片的保护和填充、通过控制填充时的流动性而使填充性、密合性、形状维持性更优异的密封用膜以及使用其的半导体装置。本发明以如下(1)~(9)所记载的事项为特征。(1)一种具有树脂层的密封膜，所述树脂层含有下述(A)、(B)和(C)，并且在80。C的流出量为1501800jxm。(A)树脂成分，其中，包含含有交联性官能团、重均分子量为10万以上且Tg为-5050。C的高分子量成分(al);以环氧树脂为主成分的热固性成分(a2)，(B)平均粒径为l-30^im的填料，(C)着色剂。(2)—种具有树脂层的密封用膜，所述树脂层含有下述(A)、(B)和(C),并且B阶状态的膜的热固化粘弹性测定中的50100。C的粘度为10000~lOOOOOPa,s。(A)树脂成分，其包含含有交联性官能团、重均分子量为10万以上且Tg为-5050。C的高分子量成分(al);以环氧树脂为主成分的热固性成分(a2)，(B)平均粒径为130(jm的填料，(C)着色剂。(3)根据上述(1)所述的密封用膜，其中，相对于所述(A)树脂成分含有5~85质量％的所述高分子量成分(al)和1595质量％的所述热固性成分(a2)的树脂IO质量份，含有1300质量份的所述(B)填料、0.0110质量份的所述(C)着色剂。(4)根据上述(1)或(2)所述的密封膜，其中，所述(A)树脂成分含有580质量％的所述高分子量成分(al)、1585质量％的所述热固性成分(a2)。(5)根据上述(4)所述的密封用膜，其中，相对于所述(A)树脂成分IO质量份，含有1300质量份的所述(B)填料、0.01-10质量份的所述(C)着色剂。(6)根据上述(1)~(5)中任一项所述的密封膜，其中，在所述树脂层的单面上进一步具有厚度5300pm的基材层，并且所述树脂层的厚度为(7)根据上述(1)(5)中任一项所述的密封膜，其中，在所述树脂层的一个面上具有厚度5-30(^m的基材层，在所述树脂层的另一个面上具有厚度5300pm的保护层，并且，所述树脂层的厚度为5800nm。(8)根据上述(1)(7)中任一项所述的密封膜，其中，所述(B)填料为无机填料。(9)根据上述(1)(8)中任一项所述的密封膜，其中，所述(C)着色剂是白色以外的颜色。(10)根据上述(1)~(9)中任一项所述的密封膜，其中，所述树脂层的、17(TC下固化1小时后的35。C的储能模量为10020000MPa。(11)一种使用上述(1)~(10)中任一项所述的密封膜的半导体装置。(12)—种具有在8(TC的流出量为150180(Him的树脂层的密封膜的制造方法，其特征在于，包含向含有下述(A)、(B)、(C)的树脂层成分中添加溶剂，来制作清漆的工序；将所述清漆涂布在基材层或基材的工序；对所述涂布的清漆在60200。C的温度下进行至少一回加热干燥330分钟的工序，其中，(A)树脂成分，其包含含有交联性官能团、重均分子量为IO万以上且Tg为-505(TC的高分子量成分(al);以环氧树脂为主成分的热固性成分(a2)，(B)平均粒径为130pm的填料，(C)着色剂。(13)—种具有B阶状态的膜在热固化粘弹性测定中的50100。C的粘度为10000100000Pa's的树脂层的密封膜的制造方法，其特征在于，包含向含有下述(A)、(B)、(C)的树脂层成分中添加溶剂，来制作清漆的工序；将所述清漆涂布在基材层或基材的工序；对所述涂布的清漆在60200。C的温度下进^f于至少一回加热干燥330分钟的工序，其中，(A)树脂成分，其包含含有交联性官能团、重均分子量为10万以上且Tg为-5050。C的高分子量成分(al);以环氧树脂为主成分的热固性成分(a2)，(B)平均粒径为130(im的填料，(C)着色剂。图1是由基材层1和树脂层2形成的密封膜的示意图。图2是由基材层1、树脂层2和保护层3形成的密封膜的示意图。图3是将密封膜层压在半导体基板上的工序的模式图。图4是具有用密封膜密封的突起状电极的半导体元件的示意图。具体实施例方式构成本发明的密封膜的树脂层，含有下述(A)、(B)和(C)，在80。C的流出量为150-1800nm。(A)树脂成分，其包含含有交联性官能团、重均分子量为10万以上且Tg为-5050。C的高分子量成分(al);以环氧树脂为主成分的热固性成分(a2)，'(B)平均粒径为130pm的填料，(C)着色剂。另夕卜，构成本发明的密封膜的树脂层，含有上述(A)树脂成分、上述(B)填料和(C)着色剂，而且B阶状态的膜在热固化粘弹性测定中的5(K100。C的粘度为10000~100000Pa-s。以下，对用于本发明的材料进行说明。<高分子成分(al)>作为构成用于本发明的(A)树脂成分的、含有交联性官能团的重均分子量为10万以上且Tg为-505(TC的高分子量成分(al)，并无特别限制，优选为将具有交联性官能团的单体作为构成单元来含有的含环氧基(曱基)丙烯酸共聚物。在本发明中，所说的"(曱基)丙烯酸"是表示"丙烯酸"和"甲基丙烯酸"这两者。另外，作为交联性官能团，也可以举出丙烯酸基、甲基丙烯酸基、异氰酸酯基、羧基等。作为含环氧基(曱基)丙烯酸共聚物，可以使用例如含环氧基(甲基)丙烯酸酯共聚物、含环氧基丙埽酸橡胶等，更优选为含环氧基丙烯酸橡胶。丙烯酸橡胶是以丙烯酸酯为主成分，主要由丙烯酸丁酯和丙烯腈的等共聚物、丙烯酸乙酯和丙烯腈等的共聚物等构成的橡胶。作为重均分子量为10万以上且Tg为-505(TC的含环氧基丙烯酸橡胶，例如有市售的长濑化成林式会社制造的HHTR-860P-3DR等。另外，作为上述含环氧基(曱基)丙烯酸共聚物，也可以使用使(曱基)丙烯酸缩水甘油酯等具有交联性官能团的含环氧基单体进行聚合的共聚物，也可以使用使该含环氧基单体进一步与(曱基)丙烯酸乙酯和(曱基)丙烯酸丁酯等单体进行共聚的共聚物。含环氧基(曱基)丙烯酸共聚物中的含环氧基单体的量，优选为0.5~6.0质量％,更优选为0.5~5.0质量％，特别优选为0.8-5.0质量％。当含环氧基单体的量在此范围内时，不仅可确保粘接力，还可防止凝胶化。当含环氧基单体的量小于0.5质量％时，具有得到的树脂层的粘接力降低的倾向，当超过6.0质量％时，具有得到的树脂层的保存稳定性降低的倾向。当聚合上述单体，来制作重均分子量10万以上且Tg为-505(TC的高分子量成分(al)时，作为其聚合方法，并无特别限制，可以使用例如珠状聚合、溶液聚合等公知的方法，另外，对于聚合条件，只要考虑所使用单体及其浓度、高分子量成分(al)的重均分子量、玻璃化转变温度等来进行适当的决定即可，并无特别限制。在本发明中，上述高分子量成分(al)为10万以上，优选为30万~300万，更优选为50万200万。当重均分子量在该范围时，制成膜状时的强度、可挠性和发粘性是合适的，另外，可以确保树脂层和被粘物之间的密合性。在本发明中，所说的重均分子量是表示用凝胶渗透色谱测定的、用标准聚苯乙烯校准曲线换算的值。上述高分子量成分(al)的玻璃化转变温度(以下称为"Tg"),优选为-50。C以上、50。C以下，更优选为-40。C以上、50。C以下，特别优选为-40。C以上、40。C以下。当Tg为-50。C以上、50。C以下时，树脂层的B阶状态的发粘性是适合的，在操作性上没有问题。在(A)树脂成分的总量中，上述高分子量成分(al)的配合量优选为5~85质量％,更优选为580质量％,特别优选为10~80质量％,最优选为1075质量％。当(Al)高分子量成分的配合量小于5质量°/。时，得到的树脂层的可挠性不足，可能变脆，当超过85质量％时，得到的树脂层的流动性可能降低。<热固性成分(a2)>本发明中使用的构成(A)树脂成分的热固性成分(a2)，只要是通过热来固化从而发挥粘接作用的物质即可，并无特别限制，优选以环氧树脂为主成分的物质。作为这样的环氧树脂，可以使用例如双酚A型环氧树脂等双官能环氧树脂、苯酚酚醛清漆型环氧树脂和曱酚酚醛清漆型环氧树脂等酚醛清漆型环氧树脂等。另外，可以应用多官能环氧树脂、缩水甘油胺型环氧树脂、含杂环环氧树脂或脂环式环氧树脂等通常已知的物质。作为上述双酚A型环氧树脂，可以举出油化壳牌环氧树脂抹式会社制造的Epikote807、815、825、827、828、834、1001、1004、1007、1009;陶氏化学公司制造的DER-330、301、361;东都化成抹式会社制造的YD8125、YDF8170等。作为上述苯酚酚醛清漆型环氧树脂，可以举出油化壳牌环氧树脂林式会社制造的Epikote152、154;日本化药抹式会社制造的EPPN-201;陶氏化学公司制造的DEN-438等，另外，作为上述曱酚酚醛清漆型环氧树脂，可以举出作为邻甲酚酚醛清漆型环氧树脂的日本化药抹式会社制造的EOCN-102S、103S、104S、1012、1025、1027;东都化成抹式会社制造的YDCN701、702、703、704等。作为上述多官能环氧^N"脂，可以举出油化壳牌环氧树脂抹式会社制造的Epon1031S;汽巴精化有限公司制造的爱牢达0163;长濑化成抹式会社制造的DenacoalEX-611、614、614B、622、512、521、421、411、321等。作为上述缩水甘油胺型环氧树脂，可以举出油化壳牌环氧树脂林式会社制造的Epikote604;东都化成株式会社制造的YH-434;三菱瓦斯化学抹式会社制造的TETRAD-X、TETRAD-C;住友化学株式会社制造的ELM-120等。作为上述含杂环环氧树脂，可以举出汽巴精化有限公司制造的爱牢达PT810等；UCC公司制造的ERL4234、4299、4221、4206等。作为上述脂环式环氧树脂，可以举出大赛璐化学工业抹式会社制造的Epolead系列、Ceroxide系列等。这些环氧树脂可以单独使用，或者组合2种以上来使用。在(A)树脂成分的总量中，上述热固性成分(a2)的配合量，优选为1595质量％,更优选为15~85质量％,特别优选为20-80质量％,最优选为20~75质量％。当(a2)热固性成分的配合量小于15质量％时，得到的树脂层的耐热性和流动性可能降低，当超过95质量％时，得到的树脂层的可挠性可能降H<(A)树脂成分>本发明中的(A)树脂成分，除了上述高分子量成分(al)和上述热固性成分(a2)之外，也可以根据需要使用上述以外的以下的树脂成分。例如，可以使用苯氧树脂、聚酰胺树脂、聚酰胺酰亚胺树脂/或其前体、聚酰亚胺树脂/或其前体等树脂成分。另外，作为(A)树脂成分，优选含有公知的环氧树脂固化剂或固化促进剂作为上述热固性成分(a2)的催化剂。作为环氧树脂固化剂，可以举出例如胺类、聚酰胺、酸酐、多石危化物、三氟化硼、以及双酚A、双酚F、双酚S这样的l分子中具有2个以上酚性羟基的双酚类、以及苯酚酚醛清漆树脂、双酚A酚醛清漆树脂或曱酚酚醛清漆树脂等酚醛树脂等。尤其是从吸湿时的耐电腐蚀性优异的角度考虑，优选为苯酚酚醛清漆树脂、双酚A酚醛清漆树脂或曱酚酚醛清漆树脂等酚醛树脂。作为优选的酚醛树脂，可以举出例如大日本油墨化学工业抹式会社制造的、商品名PliophenLF2882、PliophenLF2822、PliophenLF4871、PliophenTD-2090、PliophenTD-2149、PliophenVH-4150、PliophenVH4170等。另外，作为上述固化促进剂，可以使用例如季镇盐系、季铵盐系、咪唑系、DBU脂肪酸盐系、金属螯合物系、金属盐系、三苯基膦系等。<(B)填料>作为本发明中的(B)填料，只要平均粒径为130pm即可，并无特别限制，优选为无机填料，可以使用例如结晶二氧化硅、无定形二氧化硅、氧化铝、氧化钛、碳酸钓、碳酸镁、氮化铝、氮化硼等。(B)填料的平均粒径优选为l~25(im，更优选为225nm,特别优选为220pm。当(B)填料的平均粒径小于lpm时，具有得到的树脂层的流动性降低、半导体装置的可靠性降低的倾向，另一方面，当超过30nm时，具有得到的树脂层的表面凹凸增大、包埋性降低的倾向。上述(B)填料的配合量，相对于上述(A)树脂成分10质量份，优选为1300质量份，更优选为5300质量份，特別优选为5250质量份，最优选为5200质量份。当(B)填料的配合量小于1质量份时，得到的密封膜可能变软，导致得到的半导体装置的可靠性可能降低，当超过300质量份时，得到的密封膜和半导体基板的密合性可能降低。<(C)着色剂>作为本发明中的上述(C)着色剂，并无特别限制，可以使用例如炭黑、石墨、碳化钛、二氧化锰、酞菁等颜料或染料。考虑到分散性、激光打标性，优选炭黑等白色以外的着色剂。上述(C)着色剂的配合量，相对于上述(A)树脂成分10质量份，优选为0.0110质量份，更优选为0.2~8质量份，特别优选为0.3-6质量份，最优选为0.55质量份。当(C)着色剂的使用量小于0.01质量份时，具有得到的密封膜的着色不充分、激光打标后的视认性变差的倾向，当超过10质量份时，得到的密封膜和半导体基板的密合性可能降低。<树脂层>本发明中的树脂层，除了上述(A)树脂成分、(B)填料和(C)着色剂以外，根据需要可以含有偶合剂等添加剂。作为偶合剂，可以举出硅烷系、钛系、铝系等，但最优选硅烷系偶合剂。作为上述硅烷系偶合剂，并无特别限制，可以使用乙烯基三氯硅烷、乙烯基三(P-曱氧基乙氧基)硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三曱氧基硅烷、Y-曱基丙烯酰氧基丙基三曱氧基硅烷、Y-曱基丙烯酰氧基丙基曱基二曱氧基硅烷、(3-(3,4-环氧基环己基)乙基三曱氧基硅烷、？环氧丙氧基丙基三曱氧基硅烷、，环氧丙氧基丙基曱基二曱氧基硅烷、Y-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、N-P(氨乙基)"氨基丙基三曱氧基硅烷、N-P(氨乙基)Y-氨基丙基曱基二曱氧基硅烷、y-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-苯基卞氨基丙基三曱氧基硅烷、y-巯基丙基三甲氧基硅烷、i巯基丙基三乙氧基硅烷、3-氨基丙基曱基二乙氧基硅烷、3-脲基丙基三乙氧基硅烷、3-脲基丙基三曱氧基硅烷、3-氨基丙基三曱氧基硅烷、3-氨基丙基-三(2-曱氧基-乙氧基-乙氧基)硅烷、N-曱基-3-氨基丙基三曱氧基硅烷、三氨基丙基-三曱氧基硅烷、3-4,5-二氢咪唑-l-基-丙基三曱氧基硅烷、3-曱基丙烯酰氧基-三曱氧基硅烷、3-巯基丙基-曱基二曱氧基硅烷、3-氯丙基-曱基二曱氧基硅烷、3-氯丙基-二曱氧基硅烷、3-氰丙基-三乙氧基硅烷、六曱基二硅氮烷、N,O-双(三曱基硅基)乙酰胺、曱基三曱氧基硅烷、曱基三乙氧基硅烷、乙基三氯硅烷、正丙基三曱氧基硅烷、异丁基三曱氧基硅烷、戊基三氯硅烷、辛基三乙氧基硅烷、苯基三曱氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷、曱基三(曱基丙烯酰氧基乙氧基)硅烷、曱基三(缩水甘油氧基)硅烷、N-P(N-乙烯基节基氨基乙基)卞氨基丙基三曱氧基硅烷、十八烷基二曱基[3-(三甲氧基曱硅烷基)丙基]氯化铵、y-氯丙基曱基二氯硅烷、y-氣丙基甲基二曱氧基硅烷、y-氯丙基曱基二乙氧基硅烷、三曱基曱硅烷基异氰酸酯、二曱基曱硅烷基异氰酸酯、曱基曱硅烷基三异氰酸酯、乙烯基曱硅烷基三异氰酸酯、苯基曱硅烷基三异氰酸酯、四异氰酸酯硅烷、乙氧基硅烷异氰酸酯等，这些可以使用l种或并用2种以上来使用。作为上述钛系偶合剂，并无特别限制，可以使用例如异丙基三辛酰基钛酸酯、异丙基二曱基丙烯酰基异硬脂酰基钛酸酯、异丙基(三-十三烷基)苯磺酰基钛酸酯、异丙基异硬脂酰基二丙烯酰基钬酸酯、异丙基三(二辛基磷酸盐)钛酸酯、异丙基三枯烯基苯基钛酸酯、异丙基三(二辛基焦磷酸盐)钛酸酯、异丙基三(正氨乙基)钛酸酯、四异丙基双(二辛基磷酸盐)钛酸酯、四辛基双(二-十三烷基亚磷酸盐)钛酸酯、四(2,2-二烯丙氧基曱基-1-丁基)双(二-十三烷基)亚磷酸酯钛酸酯、二枯烯基苯氧基醋酸酯钛酸酯、双(二辛基焦磷酸盐)氧乙酸酯钛酸酯、四异丙基钬酸酯、四正丁基钬酸酯、丁基钬酸酯二聚物、四(2-乙基己基)钛酸酯、乙酰丙酮钬、聚乙酰丙酮钛、辛二醇酸钬、钛乳酸铵盐、乳酸钬、钛乳酸乙酯、钛三乙醇胺化物、聚羟基硬脂酸钛、正钛酸四甲酯、正钬酸四乙酯、正钛酸四丙酯、正钬酸四异丁酯、钛酸硬脂酯、钛酸甲苯酯单体、钛酸曱苯酯聚合物、二异丙氧基-双(2，4-戊二酮酸酯)钛(IV)、二异丙基-双-三乙醇氨基钛酸酯、辛二醇钛酸酯、四正丁氧基钬聚合物、三正丁氧基钛单硬脂酸酯聚合物、三正丁氧基钛单硬脂酸酯等，这些可以使用1种，也可以并用2种以上。作为上述铝系偶合剂，并无特别限制，可以使用例如乙酰乙酸乙酯铝二异丙醇酯、铝三(乙酰乙酸乙酯)、烷基乙酰乙酸酯铝二异丙醇酯、铝单乙酰乙酸酯双(乙酰乙酸乙酯)、铝三(乙酰乙酸酯)、铝-单异丙氧基单油氧基乙酰乙酸乙酯、铝-二正丁氧基-单-乙酰乙酸乙酯、铝-二-异丙氧基-单-乙酰乙酸乙酯等铝螯合化合物；异丙醇铝、单仲丁氧基二异丙醇铝、仲丁醇铝、乙醇铝等醇铝等，这些可以单独使用，也可以组合2种以上来使用。另外，上述偶合剂等添加剂，相对于(A)树脂成分IOO质量份，优选为50质量份以下的配合量。当上述添加剂的配合量比50质量份多时，得到的密封膜的耐热性可能降低。本发明中的树脂层，在8(TC的流出量为1501800pm，优选为200~1600pm，更优选为400~1400^im。当该流出量少于150|im时，有可能使所得密封膜与半导体基板之间的密合性或者半导体装置的可靠性降低，如果超过1800pm，则用得到的密封膜密封半导体元件时，可能难以控制流动性，作业性降低。上述流出量是如下测定的值将厚度150jLim的B阶状态的上述树脂层层叠在基材层上，沖孔成10x20mm制成窄长方形样品，采用热压接试验装置(Tester产业抹式会社制造)在热板温度80°C、压力0.2MPa的条件下对其加压18秒钟，然后在光学显微镜下测定从样品的端部流出来的树脂的长度的值。该流出量，可以通过如下方法来减小例如增加树脂层中的(B)填料的填充量，或使用多官能环氧树脂作为上述热固性成分(a2)来提高树脂层的交联密度，或增加薄膜化时的热历程(具体地，是除去树脂层用清漆中含有的溶剂的加热干燥条件)，来提高B阶状态的固化度。本发明的密封用膜的树脂层，其B阶状态的膜在热固化粘弹性测定中的50100。C的粘度(以下，也称为"膜粘度")为10000100000Pa's,优选为10000-95000，更优选为1000090000，特别优选为15000-90000。当50-100。C的粘度小于10000Pa's时，具有密封用膜变软，导致得到的半导体装置的可靠性降低的倾向，当超过100000Pa.s时，具有得到的密封用膜与半导体基3反之间的密合性降低的倾向。上述膜粘度，是只将密封用膜的树脂层(膜厚为150^im)沖孔成直径8mm的圓盘状，采用粘度粘弹性测定装置(ThermoHaake公司制造的RheostressRS600型)，在形变恒定模式、频率lHz、外加形变1%、升温速度5°C/min的条件下测定的。该膜粘度，是可以通过例如增加树脂层中的(B)填料的填充量，或使用流动性优异的填料作为(B)填料，或使用多官能环氧树脂作为上述热固性成分(a2)以提高树脂层的交联密度，或增加膜化时的热历程(具体地，是除去树脂层用清漆中含有的溶剂的加热干燥条件)，提高B阶状态的固化度来减小的。作为流动性优异的填料，可以使用球形的填料。本发明中的树脂层，在17(TC固化1小时后的在35。C下的动态粘弹特性测定装置中的储能模量优选为10020000MPa,更优选为10019000MPa,进一步优选为20018000MPa，特别优选为50016000MPa。当储能模量小于500MPa时，得到的密封用膜与半导体元件之间的密合性可能降低，当超过20000MPa时，半导体装置的可靠性可能降低。上述储能模量，是对厚度150pm的B阶状态的上述树脂层，釆用Rheology公司制造的动态粘弹性分光计(DVE-4型)，在35"、10Hz的条件下测定的值。该储能模量，可以通过如下方法增大例如增加(B)填料的填充量，或使用流动性优异的填料，或使用多官能环氧树脂作为上述热固性成分(a2)以提高树脂层的交联密度，或增加膜化时的热历程，来提高B阶状态的固化度。<本发明的密封膜>本发明的密封膜，如图l所示，可以在上述树脂层2的单面上具有基材层1。具有基材层时的树脂层的厚度，优选为5pm以上，更优选为10nm以上，特别优选为20pm以上，最优选为30nm以上。另外，该树脂层的厚度优选为800pm以下，更优选为600jim以下，特别优选为500)tim以下，最优选为400|nm以下。当树脂层的厚度小于5nm时，与半导体元件的密合性可能降低，当超过800pm时，半导体元件的厚度增加，可能妨碍封装设计。基材层的厚度优选为5300|_im,更优选为5~200nm,特别优选为5~100^im,最优选为10-10(^m。如果基材层的厚度小于5pm,则由于膜制作时的强度不足而有可能制作不出膜自身，即使膜的厚度超过300^im也没什么特别的优点，还可能使膜自身变得昂贵。作为可用作上述基材层的材料，并无特别限制，可以使用聚四氟乙烯膜、聚对苯二曱酸乙二醇酯膜、聚乙埽膜、聚丙烯膜、聚曱基戊烯膜、聚萘二甲酸乙二醇酯膜、聚醚砜膜、聚醚酰胺膜、聚醚酰胺酰亚胺膜、聚酰胺膜、聚酰胺酰亚胺膜、聚酰亚胺膜等塑料膜。另外，根据需要，也可以进行底漆涂布、UV处理、电暈放电处理、研磨处理、蚀刻处理、脱模处理等表面处理。另外，本发明的密封膜，如图2所示，可以在上述树脂层2的一个面上具有上述基材层l,在另一面上具有上述保护层3。本发明的密封膜，可以在上述树脂层的单面上具有保护层，其厚度优选为5300pm，更优选为5200pm，特别优选为5-100jxm，最优选为10~100nm。保护层的厚度小于5pm的话，有可能不能充分地保护膜，即使膜的厚度超过300pm，也并无特别的优点，还可能使膜自身变得昂贵。作为可用作上述保护层的材料，并无特别限制，可以使用聚四氟乙烯膜、聚对苯二曱酸乙二醇酯膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚曱基戊烯膜、聚萘二甲酸乙二醇酯膜、聚醚-风膜、聚醚酰胺膜、聚醚酰胺酰亚胺膜、聚酰胺膜、聚酰胺酰亚胺膜、聚酰亚胺膜等塑料膜。另外，根据需要，也可以进行底漆涂布、UV处理、电晕放电处理、研磨处理、蚀刻处理、脱模处理等表面处理。<密封膜的制造>以下，对本发明的密封膜进行说明。本发明的密封膜可按如下方法制作。例如，在至少含有上述(A)树脂成分、(B)填料和(C)着色剂的树脂层成分中加入溶剂，来制作清漆。密封膜具有基材层时，在基材层上涂布该清漆，或者只由树脂层构成时，在才莫型等上涂布该清漆，然后，通过加热干燥来除去溶剂，形成B阶状态的树脂层来制作。在本发明中，用于树脂层用清漆的溶剂，并无特别限制，可以举出例如二乙二醇二曱醚、二乙二醇二乙醚、三乙二醇二曱醚、三乙二醇二乙醚等醚系溶剂；二曱基亚砜、二乙基亚砜、二曱基砜、环丁砜等含硫系溶剂；Y-丁内酯、乙酸溶纤剂等酯系溶剂；环己酮、曱基乙基酮等酮系溶剂；N-曱基吡咯烷酮、二甲基乙酰胺、1,3-二曱基-3,4,5,6-四氢-2(1H)-嘧啶酮等含氮系溶剂;曱苯、二甲苯等芳香族烃系溶剂等，这些可以单独使用，或者组合2种以上来使用。上述加热干燥条件因树脂层的成分和溶剂的种类而异，通常，是在60200。C的温度下加热3~30分钟。由于上述加热千燥条件对本发明的密封膜的"流出量"、"膜粘度"的值有影响，因此，在流出量、膜粘度过小时，可通过提高加热干燥温度、加长加热干燥时间或增加加热干燥次数等增加热历程来适当调节。另外，清漆的涂布方法并无特别限制，但考虑到作业性等，优选使用多功能涂布机(multicoater)来涂布。<<吏用本发明的密封膜的半导体装置〉本发明的半导体装置的特征为，使用本发明的密封膜。以下，关于其制造例和方式，使用附图来说明，但本发明并不限于以下的记载。图3是表示采用本发明的密封膜(树脂层)作为巻状密封膜8，来密封半导体基板上的电极的工序的示意图。这里，当使用具有图l所示构成的本发明的密封膜时，是以树脂层2与半导体基板4的电极面接触的方式，当使用具有图2所示构成的本发明的密封膜时，是在剥离保护层3后，使辊9上膜的张力均匀，以树脂层2与半导体基板4的电极面接触的方式，用层压辊10层压密封膜，来密封半导体基板上的电极。层压工序中的层压温度，从不对半导体基板产生负荷且作业性优异的角度考虑，优选为180。C以下，更优选为140。C以下，进一步优选为120。C以下。另外，本发明的密封膜特别适合于上述电极为突起状电极的情形。另夕卜，由本发明的密封膜实现的密封，并不限于上述的采用膜层压的方法，也可以使用对半导体泰板热压接或真空压接密封膜的方法、将密封膜通过热压直接粘接于半导体元件的方法等。压接条件等根据用于密封的密封膜的种类、半导体基板或元件的形状而异。图4是具有用本发明的密封膜(树脂层)来密封的突起状电极的半导体元件7的示意图。这样的半导体元件，通过如图3所示操作来密封半导体基板的突起状电极5后，例如经过如下工序来得到剥离密封膜的基材层的工序；通过加热来固化树脂层2的工序；在突起状电极5上搭载焊料球6的工序；在半导体基板的与树脂层密封侧相反侧上层压切割胶带的工序；将半导体基板切割成规定的大小的工序；将具有突起状电极5的半导体基板与切割胶带进行剥离的工序。进一步，通过将得到的半导体元件搭载于电路基板上的规定位置，可得到半导体装置。作为上述具有突起状电极的半导体基板4，并无特别限制，可以举出例如硅晶片等。另外，用这样的方法制成半导体元件后，也可以从密封膜側照射YAG激光器等，显示出用于识别制品的识别信息。通过用本发明的密封用膜进行密封而得到的半导体元件，由于可靠性等优异，因此可以用于各种半导体装置，此外，也可以用于SAW器件等各种器件、各种传感器等的密封。实施例以下，通过实施例来详细说明本发明，但是本发明并不限于此。(实施例1)<密封膜的制作>向由作为高分子量成分(al)的含环氧基丙烯酸橡胶(长濑化成林式会社制造，商品名HHTR-860P-3DR,重均分子量80万，Tg:-7°C)12.4质量份、作为热固性成分(a2)的双酚F型环氧树脂(东都化成林式会社制造，商品名YD-8170C，环氧当量160)33.6质量份和苯酚.对苯二曱醇二甲醚共聚树脂(三井化学抹式会社制造，商品名MirexXLC-LL,羟基当量174)33.8质量份以及l-氰基-l-苯基咪唑(四国化成工业抹式会社制造，商品名Curezole2PZ-CN)0.1质量份,作为(B)填料的二氧化硅填料(林式会社龙森制造，商品名TFC-24，平均粒径约8pm)356.24质量份，作为(C)着色剂的树脂系加工颜料(山阳色素抹式会社制造，商品名FPBLACK308,炭黑含有率29.0质量％)8.3质量份，以及作为偶合剂的Y-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷(东丽'道康宁抹式会社制造，商品名SH6040)l.O质量份构成的组合物中，加入环己酮进行搅拌混合，真空脱气得到不挥发成分(以后，筒记成NV)约60质量％的清漆。NV的测定、计算方法如下。NV(质量％)=(加热干燥后的清漆量(g)/加热干燥前的清漆量(g))xl00※干燥条件170°C*1小时将上述得到的清漆涂布在基材层(帝人杜邦膜株式会社制造，商品名PurexA31B,表面脱模处理聚对苯二曱酸乙二醇酯膜，膜厚38pm)上，在90。C加热干燥5分钟，在140。C加热干燥5分钟，制成加热干燥后的树脂层膜厚为150pm的涂膜，得到B阶状态的密封膜A。<密封膜(树脂层)的评价>对上述得到的密封膜A(树脂层)，按如下所述评价流出量、膜粘度、拉伸弹性模量、Tg、热分解起始温度、包埋性和激光打标视认性。归纳结果示于表l中。流出量将上述得到的密封膜A冲孔成10x20mm窄长方形样品，在密封膜和基材层层叠的状态下，采用热压接试验装置(Tester产业抹式会社制造)，在热板温度80°C、压力0.2MPa下加压18秒钟后，在光学显微镜下测定从样品的端部流出的树脂的长度，将其作为流出量。膜粘度将上述得到的清漆涂布在基材层(帝人杜邦膜抹式会社制造，商品名PurexA31B，表面脱模处理聚对苯二曱酸乙二醇酯膜，膜厚38pm)上，在90。C加热干燥5分钟，在140。C加热干燥5分钟，制成加热干燥后的树脂层膜厚为150pm的涂膜，得到B阶状态的膜A。只将得到的膜A的树脂层(膜厚150pm)冲孔成直径8mm的圓盘状，采用粘度.粘弹性测定装置(ThermoHaake公司制造的RheostressRS600型)，在形变恒定模式、频率1Hz、外加形变1%、升温速度5。C/min的条件下测定50。C至100。C的膜粘度。在表1中，表示出50。C的膜粘度、100。C的膜粘度。储能模量和Tg将上述得到的密封膜A在170。C下固化1小时后，通过动态粘弹性分光计(Rheology公司制造的DVE-4型)，对树脂层部分测定储能模量(35°C、10Hz)和玻璃化转变温度(频率10Hz,升温速度2。C/min)。热分解起始温度通过示差热天秤(精工仪器抹式会社制造，SSC5200型)，在升温速度10°C/min,氛围空气的条件下，测定密封膜A的树脂层的热分解起始温度。包埋性使用热辊层压机(大成层压机抹式会社制造，商品名VA-400III型)，将上述得到的密封膜A贴附(层压条件80°C、0.2MPa、0.5m/min)在形成有配线和铜柱的半导体基板(间距尺寸5.3x6.3mm，划痕线100pm,铜柱直径300)im,铜柱高100pm)上。层压后，在铜柱部分切断贴附有密封膜A的半导体基板，用光学显微镜观察其截面，用下述基准评价包埋性(评价O和A为合格)。O:没有产生因包埋不足所导致的空洞△:仅产生少许因包埋不足所导致的空洞(空洞的产生率小于铜柱总数的10%)x:产生一些因包埋不足所导致的空洞(空洞的产生率铜柱总数的10~50%)xx:几乎在整个面上都产生因包埋不足所导致的空洞(空洞的产生率铜柱总数的50%以上)激光打标的祸^人性使用热辊层压机(大成层压机抹式会社制造，商品名VA-400ffl型)，将上述得到的密封膜A贴附在300pm厚的硅晶片镜面上(层压条件80°C，0.2MPa,0.5m/min)，得到带有密封膜的硅晶片后，剥离基材层，并在17(TC固化1小时，在这样的带有树脂层的硅晶片的树脂层侧，利用输出功率5.0J/脉冲的YAG激光器进行激光打标，确认其视认性(样品数各100个)。视认性的评价方法，是通过扫描仪对激光打标后的表面进行图像釆集，用图像处理软件(Adobe公司制造的商品名PHOTSHOP)进行打标部分和其周围的非打标部分的两阶调化。通过该操作在明度上分成黑白的256级。接着，求出打标部分表示成白色、非打标部分表示成黑色的"两阶调化的边界的阈值"，以及打标部分也表示成黑色而打标/非打标部分没有边界的"两阶调化的边界的阈值"的值，其值在40以上时评价为视认性良好(评价O),其差为30以上小于40时评价为视认性基本良好(评价A),其差小于30时评价为视认性不良(评价x)。表1中，表示相当于评价O、△、x的样品数。<半导体装置的制作和评价>使用热辊层压机(大成层压机抹式会社制造，商品名VA-400DI型)，将上述得到的密封膜A贴附(层压条件80°C、0.2MPa、0.5m/min)在形成有配线和铜柱的半导体基板(间距尺寸5.3x6.3mm,划痕线100pm,铜柱直径30(Him，铜柱高lOOjim)上，剥离基材层后，经过在170。C加热1小时来固化树脂层的工序；磨削树脂层使铜柱露出于表面的工序；在铜柱上形成外部端子的工序；切割工序；拾取得到的半导体元件而安装于有机基板的工序，从而制作出半导体装置。接着，对该半导体装置，进行1000循环的以-55。C/30miiK^125°C/30min为I个循环的热循环试验(样品数IO)，调查树脂层是否产生裂缝。结果示于表l中。在表l表示(树脂层产生裂缝的半导体装置的个数)/(总样品数)。(实施例2)<密封膜的制作>除了将涂布在基材层上的清漆的干燥条件从90。C、5分钟和140。C、5分钟改成90。C、10分钟和140。C、IO分钟以外，进行与实施例1完全相同的操作，得到B阶状态的密封膜B。<密封膜(树脂层)的评<介>对上述得到的密封膜B进行与实施例1完全相同的评价。归纳结果示于表l中。<半导体装置的制作和评价>除了使用上述得到的密封膜B来代替密封膜A以外，与实施例1同样操作，制作半导体装置，对其进行评价。结果示于表l中。(实施例3)<密封膜的制作>除了将涂布在基材层上的清漆的干燥条件从90。C、5分钟和140。C、5分钟改成90。C、7分钟和140°C、7分钟以外，进行与实施例1完全相同的操作，得到B阶状态的密封膜C。<密封膜(树脂层)的评价>对上述得到的密封膜C进行与实施例1完全相同的评价。归纳结果示于表l中。<半导体装置的制作和评价>除了使用上述得到的密封膜C来代替密封膜A以外，与实施例1同样操作，制作半导体装置，对其进行评价。结果示于表l中。(实施例4)<密封膜的制作>除了将涂布在基材层上的清漆的干燥条件从9(TC、5分钟和140。C、5分钟改成90。C、3分钟和140°C、3分钟以外，进行与实施例1完全相同的操作，得到B阶状态的密封膜D。<密封膜(树脂层)的评价>对上述得到的密封膜D进行与实施例1完全相同的评价。归纳结果示于表l中。<半导体装置的制作和评价>除了使用上述得到的密封膜D来代替密封膜A以外，与实施例1同样操作，制作半导体装置，对其进行评价。结果示于表l中。(实施例5)<密封膜的制作>向由作为高分子量成分(al)的含环氧基丙烯酸橡胶(长濑化成抹式会社制造，商品名HHTR-860P-3DR，重均分子量80万，Tg:-7°C)12.4质量份、作为热固性成分U2)的双酚F型环氧树脂(东都化成株式会社制造，商品名YD-8170C，环氧当量160)33.6质量份和苯酚.对苯二甲醇二曱醚共聚树脂(三井化学林式会社制造，商品名MirexXLC-LL,羟基当量174)33.8质量份以及l-氰基-l-苯基咪唑(四国化成工业抹式会社制造，商品名Curezole2PZ-CN)0.1质量份，作为(B)填料的二氧化硅填料(抹式会社龙森制造商品名TFC-24，平均粒径约8pm)152.6质量份，作为(C)着色剂的树脂系加工颜料(山阳色素抹式会社制造，商品名FPBLACK308,炭黑含有率29.0质量％)8.55质量份，以及作为偶合剂的？环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷(东丽'道康宁抹式会社制造，商品名SH6040)l.O质量份构成的组合物中，加入环己酮进行搅拌混合，真空脱气得到NV约60质量％的清漆。将上述得到的清漆涂布在基材层(帝人杜邦膜林式会社制造，商品名PurexA31B,表面脱模处理聚对苯二曱酸乙二醇酯膜，膜厚38pm)上，在90。C加热干燥10分钟，在140。C加热干燥10分钟，制成加热干燥后的树脂层膜厚为150pm的涂膜，得到B阶状态的密封膜E。<密封膜(树脂层)的评价>对上述得到的密封膜E，进行与实施例1完全相同的评价。归纳结果示于表l中。<半导体装置的制作和评价>除了使用上述得到的密封膜E来代替密封膜A以外，与实施例1同样操作，制作半导体装置，对其进行评价。结果示于表l中。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage23</column></row><table>*1:含环氧基的丙烯酸橡胶(重均分子量80万，Tg:-7°C)*2:双酚F型环氧树脂(环氧当量160)*3:苯酚.对苯二曱醇二曱醚共聚树脂(羟基当量174)*4:曱酚酚酪清漆型环氧树脂(环氧当量210)*5:苯酚酚醛清漆树脂*6:二氧化硅填料(平均粒径约8pm)*7:二氧化硅填料(平均粒径约4jim)*8:二氧化硅填料(平均粒径约10pm)*9:二氧化硅填料(平均粒径约0.5pm)*10:树脂系加工颜料(炭黑含有率29.0质量％)*U:l-氰基-l-苯基咪唑*12:Y-环氧丙氧基丙基三曱氧基硅烷*13:Y-巯基丙基三曱氧基硅烷*14:Y-脲基丙基三曱氧基硅烷(比较例1)<密封膜的制作〉向由作为高分子量成分(al)的含环氧基丙烯酸橡胶(长濑化成林式会社制造，商品名HHTR-860P-3DR,重均分子量80万，Tg:-7°C)12.4质量份、作为热固性成分(a2)的双盼F型环氧树脂(东都化成抹式会社制造，商品名YD-8170C，环氧当量160)33.6质量份和苯酚.对苯二曱醇二甲醚共聚树脂(三井化学株式会社制造，商品名MirexXLC-LL,羟基当量174)33.8质量份以及l-氰基-l-苯基咪唑(四国化成工业抹式会社制造，商品名Curezole2PZ-CN)0.1质量份，作为(C)着色剂的树脂系加工颜料(山阳色素抹式会社制造，商品名FPBLACK308，炭黑含有率29.0质量％)8.3质量份，以及作为偶合剂的y-环氧丙氧基丙基三曱氧基硅烷(东丽道康宁抹式会社制造，商品名SH6040)l.O质量份构成的组合物中，加入环己酮进行搅拌混合，真空脱气得到NY约60质量％的清漆。将上述得到的清漆涂布在基材层(帝人杜邦膜抹式会社制造，商品名PurexA31B,表面脱模处理聚对苯二曱酸乙二醇酯膜，膜厚38pm)上，在90。C加热干燥20分钟，在140。C加热干燥20分钟，制成加热干燥后树脂层膜厚为15(^m的涂膜，得到B阶状态的密封膜F。<密封膜(树脂层)的评价>对上述得到的密封膜F,进行与实施例1完全相同的评价。归纳结果示于表2中。<半导体装置的制作和评价>除了使用上述得到的密封膜F来代替密封膜A以外，与实施例1同样操作，制作半导体装置，对其进行评价。结果示于表2中。(比较例2)<密封膜的制作>除了将涂布在基材层上的清漆的干燥条件从90。C、5分钟和140。C、5分钟改成90。C、15分钟和140。C、15分钟以外，进行与比较例1完全相同的操作，得到B阶状态的密封膜G。<密封膜(树脂层)的评价>对上述得到的密封膜G进行与实施例1完全相同的评1介。归纳结果示于表2中。<半导体装置的制作和评价〉除了使用上述得到的密封膜G来代替密封膜A以外，与实施例1同样搡作，制作半导体装置，对其进行评价。结果示于表2中。(比较例3)除了将涂布在基材层上的清漆的干燥条件从90。C、5分钟和140。C、5分钟改成90。C、3分钟和115°C、3分钟以外，进行与比较例1完全相同的操作，得到B阶状态的密封膜H。<密封膜(树脂层)的评价>对上述得到的密封膜H进行与实施例1完全相同的评价。归纳结果示于表2中。<半导体装置的制作和评价>除了使用上述得到的密封膜H来代替密封膜A以外，与实施例1同样操作，制作半导体装置，对其进行评价。结果示于表2中。25表2<table>tableseeoriginaldocumentpage26</column></row><table>从表1可以看出，实施例1~5的密封膜的包埋性、与半导体基4反的密合性以及激光打标^L认性都优异。(实施例6)<密封膜的制作>向由作为高分子量成分(al)的含环氧基丙烯酸橡胶(长濑化成林式会社制造，商品名HTR-860P-3DR,重均分子量80万，Tg:-7°C)33.4质量份、作为热固性成分(a2)的双酚F型环氧树脂(东都化成抹式会社制造，商品名YD-8170C，环氧当量160)33.6质量份和苯酚.对苯二曱醇二曱醚共聚树脂(三井化学林式会社制造，商品名MirexXLC-LL,羟基当量174)33.8质量份以及l-氰基-l-苯基咪唑(四国化成工业抹式会社制造，商品名Curezole2PZ-CN)0.5质量份，作为(B)填料的二氧化硅填料(抹式会社龙森制造商品名TFC-12，平均粒径约4pm)152.6质量份，作为(C)着色剂的树脂系加工颜料(山阳色素抹式会社制造，商品名FPBLACKJ308，炭黑含有率29.0质量％)2.5质量份构成的组合物中，加入环己酮进行搅拌混合，真空脱气得到不挥发成分(以后简记为NV)约60质量％的清漆。将上述得到的清漆涂布在基材层(帝人杜邦膜株式会社制造，商品名PurexA31B,表面脱模处理聚对苯二曱酸乙二醇酯膜，膜厚38jam)上，在卯。C加热干燥5分钟，在140。C加热干燥5分钟，制成膜厚为188pm的涂膜，得到B阶状态的膜I(树脂层的膜厚15(Him)。<密封膜(树脂层)的评价>对上述得到的密封膜I,进行与实施例1完全相同的评价。归纳结果示于表3中。<半导体装置的制作和评价>除了使用上述得到的密封膜I来代替密封膜A以外，与实施例1同样操作，制作半导体装置，对其进行评价。结果示于表3中。(实施例7)作为(B)填料，使用二氧化硅填料(抹式会社龙森制造商品名TFC-24，平均粒径约8pm)152.6质量份，来代替二氧化硅填料(抹式会社龙森制造商品名TFC-12,平均粒径约4pm)152.6质量份，除此以外，与实施例6同样操作，得到B阶状态的膜J(树脂层的膜厚150pm)。<密封膜(树脂层)的评{介>对上述得到的密封膜J,进行与实施例1完全相同的评价。归纳结果示于表3中。<半导体装置的制作和评<介>除了使用上述得到的密封膜J来代替密封膜A以外，与实施例1同样操作，制作半导体装置，对其进行评价。结果示于表3中。(实施例8)<密封膜的制作>使用0.3质量份而不是0.5质量份的l-氰基-l-苯基咪唑(四国化成工业株式会社制造，商品名Curezole2PZ-CN),作为(B)填料，使用二氧化硅填料(棘式会社龙森制造商品名TFC-24,平均粒径约8pm)152.6质量份，来代替二氧化硅填料(林式会社龙森制造商品名TFC-12,平均粒径约4pm)152.6质量份，除此以外，与实施例6同样操作，得到B阶状态的膜K(树脂层的膜厚150pm)。<密封膜(树脂层)的评价>对上述得到的密封膜K，进行与实施例1完全相同的评价。归纳结果示于表3中。<半导体装置的制作和评价>除了使用上述得到的密封膜K来代替密封膜A以外，与实施例1同样操作，制作半导体装置，对其进行评价。结果示于表3中。(实施例9)<密封膜的制作>作为(B)填料，使用二氧化硅填料(抹式会社龙森制造商品名TFC-24，平均粒径约gun)105.2质量份，来代替二氧化硅填料(株式会社龙森制造商品名TFC-12,平均粒径约4pm)152.6质量份，除此以外，与实施例7同样操作，得到B阶状态的膜L(树脂层的膜厚150pm)。<密封膜(树脂层)的评价>对上述得到的密封膜L,进行与实施例1完全相同的评价。归纳结果示于28表4中。<半导体装置的制作和评价>除了使用上述得到的密封膜L来代替密封膜A以外，与实施例1同样操作，制作半导体装置，对其进行评价。结果示于表4中。(实施例10)<密封膜的制作>作为(B)填料，使用二氧化硅填料(抹式会社龙森制造商品名TFC-24,平均粒径约8pm)209.8质量份，来代替二氧化硅填料(抹式会社龙森制造商品名TFC-12，平均粒径约4pm)152.6质量份，除此以外，与实施例6同样操作，得到B阶状态的膜M(树脂层的膜厚150jim)。<密封膜(树脂层)的评价>对上述得到的密封膜M,进行与实施例1完全相同的评价。归纳结果示于表4中。<半导体装置的制作和评价>除了使用上述得到的密封膜M来代替密封膜A以外，与实施例1同样操作，制作半导体装置，对其进行评价。结果示于表4中。(实施例11)<密封膜的制作>作为(B)填料，使用二氧化硅填料(电气化学工业4朱式会社制造商品名FB-35,平均粒径约10jim)152.6质量份，来代替二氧化硅填料(抹式会社龙森制造商品名TFC-12，平均粒径约4pm)152.6质量份，除此以外，与实施例7同样操作，得到B阶状态的膜N(树脂层的膜厚150^im)。<密封膜(树脂层)的评价>对上述得到的密封膜N,进行与实施例1完全相同的评价。归纳结果示于表4中。<半导体装置的制作和评价>除了使用上述得到的密封膜N来代替密封膜A以外，与实施例1同样操作，制作半导体装置，对其进行评价。结果示于表4中。表3<table>tableseeoriginaldocumentpage30</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage31</column></row><table>(比较例4)<密封膜的制作>向由作为高分子量成分(al)的含环氧基丙烯酸橡胶(长濑化成林式会社制造，商品名HTR-860P-3DR，重均分子量80万，Tg:-7°C)33.4质量份、作为热固性成分(a2)的双酚F型环氧树脂(东都化成林式会社制造，商品名YD-8170C，环氧当量160)33.6质量份和苯酚.对苯二曱醇二曱醚共聚树脂(三井化学抹式会社制造，商品名MirexXLC-LL，羟基当量174)33.8质量份以及l-氰基-l-苯基咪唑(四国化成工业株式会社制造，商品名Curezole2PZ-CN)0.5质量份，作为(B)填料的二氧化硅填料(Admafine抹式会社商品名S0-C5，平均粒径约0.40.6pm)152.6质量份，作为(C)着色剂的树脂系加工颜料(山阳色素抹式会社制造，商品名FPBLACKJ308,炭黑含有率29.0质量°/。)2.5质量份构成的组合物中，加入环己酮进行搅拌混合，真空脱气得到不挥发成分(以后简记为NV)约60质量％的清漆。将上述得到的清漆涂布在基材层(帝人杜邦膜一朱式会社制造，商品名PurexA31，表面脱模处理聚对苯二曱酸乙二醇酯膜，膜厚38nm)上，在90。C加热干燥5分钟，在14(TC加热干燥5分钟，制成膜厚为188,的涂膜，得到B阶状态的膜O(树脂层的膜厚150pm)。<密封膜(树脂层)的评4介>对上述得到的密封膜O,进行与实施例1完全相同的评价。归纳结果示于表5中。<半导体装置的制作和评价>除了使用上述得到的密封膜O来代替密封膜A以外，与实施例1同样操作，制作半导体装置，对其进行评价。结果示于表5中。(比较例5)<密封膜的制作>除了将涂布在基材层上的清漆的千燥条件从90。C、5分钟和14(TC、5分钟改成90。C、15分钟和14(TC、15分钟以外，进行与实施例6完全相同的操作，得到B阶状态的密封膜P。<密封膜(树脂层)的评价>32对上述得到的密封膜P进行与实施例1完全相同的评价。归纳结果示于表5中。<半导体装置的制作和评价>除了使用上述得到的密封膜P来代替密封膜A以外，与实施例1同样操作，制作半导体装置，对其进行评Y介。结果示于表5中。(比较例6)<密封膜的制作>向由作为高分子量成分(al)的含环氧基丙烯S交橡胶(长濑化成抹式会社制造，商品名HTR-860P-3DR，重均分子量80万，Tg:-7°C)4.72质量份、作为热固性成分(a2)的双酚F型环氧树脂(东都化成抹式会社制造，商品名YD-8170C,环氧当量160)47.04质量份和苯酚.对苯二曱醇二曱醚共聚树脂(三井化学抹式会社制造，商品名MirexXLC-LL，羟基当量174)47.32质量份以及l-氰基-l-苯基咪唑(四国化成工业林式会社制造，商品名Curezole2PZ-CN)0.5质量份，作为(C)着色剂的树脂系加工颜料(山阳色素抹式会社制造，商品名FPBLACKJ308,炭黑含有率29.0质量％)2.5质量份构成的组合物中，加入环己酮进行搅拌混合，真空脱气得到不挥发成分(以后简记为NV)约60质量％的清漆。将上述得到的清漆涂布在基材层(帝人杜邦膜抹式会社制造，商品名PurexA31B，表面脱模处理聚对苯二曱酸乙二醇酯膜，膜厚38|im)上，在90。C加热干燥5分钟，在14(TC加热干燥5分钟，制成膜厚为188pm的涂膜，得到B阶状态的膜Q(树脂层的膜厚150,)。<密封膜(树脂层)的评价>对上述得到的密封膜Q，进行与实施例1完全相同的评价。归纳结果示于表5中。<半导体装置的制作和评价>除了使用上述得到的密封膜Q来代替密封膜A以外，与实施例1同样操作，制作半导体装置，对其进行评价。结果示于表5中。(比较例7)<密封膜的制作>向由作为高分子量成分(al)的含环氧基丙烯酸橡胶(长濑化成林式会社制造，商品名HTR-860P-3DR,重均分子量80万，Tg:-7°C)4.72质量份、作为热固性成分(a2)的双酚F型环氧树脂(东都化成抹式会社制造，商品名YD-8170C,环氧当量160)47.04质量份和苯酚.对苯二曱醇二曱醚共聚树脂(三井化学抹式会社制造，商品名MirexXLC-LL，羟基当量174)47.32质量份以及l-氰基-l-苯基咪唑(四国化成工业抹式会社制造，商品名Curezole2PZ-CN)0.5质量份构成的组合物中，加入环己酮进行搅拌混合，真空脱气得到不挥发成分(以后简记为NV)约60质量°/。的清漆。将上述得到的清漆涂布在基材层(帝人杜邦膜林式会社制造，商品名PurexA31B，表面脱模处理聚对苯二曱酸乙二醇酯膜，膜厚38[xm)上，在90。C加热干燥5分钟，在140。C加热干燥5分钟，制成膜厚为188pm的涂膜，得到B阶状态的膜R(树脂层的膜厚1504m)。<密封膜(树脂层)的评价>对上述得到的密封膜R,进行与实施例1完全相同的评价。归纳结果示于表5中。<半导体装置的制作和评价>除了使用上述得到的密封膜R来代替密封膜A以外，与实施例1同样操作，制作半导体装置，对其进行评价。结果示于表5中。<table>tableseeoriginaldocumentpage35</column></row><table>产业上的可应用性本发明的密封用膜，具有保护功能和填充性，可用于半导体芯片的保护和填充，通过控制填充时的流动性使填充性、密合性、形状维持性更优异，因此，可以应用于各种半导体装置、电子部件等。权利要求1.一种具有树脂层的密封膜，所述树脂层含有下述(A)、(B)和(C)，所述树脂层在80℃的流出量为150～1800μm，(A)树脂成分，其包含含有交联性官能团、重均分子量为10万以上且Tg为-50～50℃的高分子量成分(a1)；以及以环氧树脂为主成分的热固性成分(a2)，(B)平均粒径为1～30μm的填料，(C)着色剂。2.—种具有树脂层的密封用膜，所述树脂层含有下述(A)、(B)和(C),所述树脂层在B阶状态的膜的热固化粘弹性测定中的50100'C的粘度为10000~100000Pa-s，(A)树脂成分，其包含含有交联性官能团、重均分子量为10万以上且Tg为-5050。C的高分子量成分(al);以及以环氧树脂为主成分的热固性成分(a2),(B)平均粒径为l-30^im的填料，(C)着色剂。3.根据权利要求1所述的密封用膜，其中，相对于所述(A)树脂成分IO质量份，含有1300质量份的所述(B)填料、0.0110质量份的所述(C)着色剂；所述(A)树脂成分含有585质量％的所述高分子量成分(al)和15~95质量％的所述热固性成分(a2)。4.根据权利要求1或2所述的密封膜，其中，所述(A)树脂成分含有580质量％的所述高分子量成分(al)、15~85质量％的所述热固性成分(a2)。5.才艮据权利要求4所述的密封膜，其中，相对于所述(A)树脂成分10质量份，含有1300质量份的所述(B)填料、0.01-10质量份的所述(C)着色剂。6.根据权利要求15中任一项所述的密封膜，其中，在所述树脂层的单面上进一步具有厚度5300(im的基材层，并且所述树脂层的厚度为5800pm。7.根据权利要求16中任一项所述的密封膜，其中，在所述树脂层的一个面上具有厚度5300pm的基材层，在所述树脂层的另一个面上进一步具有厚度5300^im的保护层，并且，所述树脂层的厚度为5~800nm。8.根据权利要求17中任一项所述的密封膜，其中，所述(B)填料为无机填料。9.根据权利要求1~8中任一项所述的密封膜，其中，所述(C)着色剂是白色以外的着色剂。10.根据权利要求19中任一项所述的密封膜，其中，所述树脂层的、170"C下固化1小时后的35'C的储能模量为10020000MPa。11.一种使用权利要求110中任一项所述的密封膜的半导体装置。12.—种具有在8(TC的流出量为1501800^im的树脂层的密封膜的制造方法，其特征在于，包含向含有下述(A)、(B)和(C)的树脂层成分中添加溶剂，来制作清漆的工序；将所述清漆涂布在基材层或基材的工序；对所述涂布的清漆在60200。C的温度下进行至少一回加热干燥330分钟的工序，(A)树脂成分，其包含含有交联性官能团、重均分子量为10万以上且Tg为-5050。C的高分子量成分(al);以及以环氧树脂为主成分的热固性成分(a2)，(B)平均粒径为130pm的填料，(C)着色剂。13.—种具有树脂层的密封膜的制造方法，所述树脂层在B阶状态的膜的热固化粘弹性测定中的50100。C的粘度为10000~100000Pa*s，该制造方法包含向含有下述(A)、(B)和(C)的树脂层成分中添加溶剂，来制作清漆的工序；将所述清漆涂布在基材层或基材的工序；对所述涂布的清漆在60-200r的温度下进行至少一回加热干燥330分钟的工序，(A)树脂成分，其包含含有交联性官能团、重均分子量为10万以上且Tg为-5050。C的高分子量成分(al);以及以环氧树脂为主成分的热固性成分(a2)，(B)平均粒径为l-30jum的填料，(C)着色剂。全文摘要本发明提供一种具有树脂层的密封膜，该密封膜的填充性和密合性优异，并提供该膜的制造方法和使用其的半导体装置，其中，所述树脂层含有下述(A)、(B)和(C)，并且在80℃的流出量为150～1800μm。(A)树脂成分，其包含含有交联性官能团、重均分子量为10万以上且Tg为-50～50℃的高分子量成分(a1)以及以环氧树脂为主成分的热固性成分(a2)；(B)平均粒径为1～30μm的填料；(C)着色剂。或者，本发明提供一种具有树脂层的密封用膜，所述树脂层含有上述(A)、(B)和(C)，并且在B阶状态的膜的热固化粘弹性测定中的50～100℃的粘度为10000～100000Pa·s，该密封用膜的密合性、形状维持性优异，本发明还提供使用其的半导体装置。文档编号H01L23/28GK101542721SQ200880000239公开日2009年9月23日申请日期2008年1月24日优先权日2007年1月26日发明者今井卓也,友利直己,川上广幸,新岛克康,竹森大地申请人:日立化成工业株式会社