专利名称：Led中空封装结构的制作方法
技术领域：
本实用新型属于光电技术领域，具体为LED中空封装结构。
背景技术：
传统的LED封装技术，采用树脂或者硅胶经过一定的配比调配后封装LED，经 过烤箱在一定的温度条件下烘烤硬化，使树脂或硅胶完全的包覆住芯片与金线。 大功率LED发光产品经常使用在户外的照明灯具上，做为发光光源，因曝露在空气 环境中,经常会受到环境温度的影响，主要缺点是包覆LED的树脂或硅胶不能忍受 柳艮温度零下40度到零上110的变化，会有热胀冷縮的问题发生，在长时间多次 循环的环境温度变化中，树脂或硅胶会不断的热胀冷縮，就会不断的拉动包覆住 的金线，最终会导致金线松动，甚至会脱离芯片的焊垫，造成LED产品的质量不 穏定或者不亮。
实用新型内容
针对现有技术中存在的上述问题，本实用新型的目的在于设计提供一种能经受 环境温度居lj烈变化的LED中空封装结构的技术方案，产品质量好，使用寿命长。
所述的LED中空封装结构，包括竖立设置的基板，基板表面设置软性电路层， 基板顶部配合设置LED芯片，LED芯片通过金线与软性电路层电路连接，其特征在 于基板上部紧配套接设置圆环基座，圆环基座上部密封配合设置球体发光罩，球 体发光罩与LED芯片、金线之间具有空腔。
所述的LED中空封装结构，其特征在于所述的基板中部设置 透的通孔，通 孔中穿接设置镀银铜棒，镀银铜棒顶部与LED芯片底部触接配合。所述的LED中空封装结构，其特征在于所述的LED芯片大功率芯片，其功率 为lw，基板宽度为5mm，基板厚度为1. 5ram，通孔直径为0. 9mm， LED芯片为1. 0mm。
所述的LED中空封装结构，其特征在于球体发光罩采用树脂或硅胶制成，其 壁厚为为0. 4-0. 5ram。
所述的LED中空封装结构，其特征在于基板由铝、铜或铝银铜合金材料制成。
所述的LED中空封装结构，其特征在于所述的镀银铜棒为中部断开的结构， 上下两根棒体之间触接配合，上部棒体与LED芯片底部触接配合，下部棒体用于 和外部结构配合连接。
所述的LED中空封装结构，其特征在于所述的镀银铜棒由铜棒表面镀银层构成。
所述的LED中空封装结构，其特征在于通孔两侧的基板顶部对称设置金道隔 离凹槽。
所述的LED中空封装结构，其特征在于镀银铜棒顶部与LED芯片底部之间设 置银胶体。
所述的LED中空封装结构，其特征在于与LED芯片位于同一水平线以上部分 的球体发光罩为半球形结构，其直径为6-8mm，优选为6mm。
上述LED中空封装结构，结构简单、合理，由于球体发光罩与LED芯片之间 具有空腔，罩体与LED芯片及金线不直接接触，当外界环境温度在零下40度到零 上110度范围内居IJ烈变化时，不仅罩体能隔离开外界空气、湿气，且罩体的热胀 冷縮不会拉动LED芯片及金线，LED芯片可长时间正常工作；LED芯片设置在竖立 的基板顶部，使得LED芯片有大角度发光效果；且可选用大功率LED芯片，通过 在基板中部穿接设置镀银铜棒，能有效而快速的传热散热，不会因温度升高而老 化光衰，其产品质量好，使用寿命长。
图1为本实用新型的结构示意图2为基板与LED芯片的连接结构示意图中1-球体发光罩、2-LED芯片、3-金道隔离凹槽、4-圆环基座、5-基板、 6-通孔、7-软性电路层、8-镀银铜棒、9-金线、10-银胶体。
具体实施方式
以下结合说明书附图对本实用新型作进一步说明
如图所示，该LED中空封装结构，包括竖立设置的基板5，基板5表面设置软 性电路层7，基板5顶部配合设置LED芯片2, LED芯片2通过金线9与软性电路 层7电路连接，通孔6两侧的基板5顶部对称设置金道隔离凹槽3。 LED芯片2设 置在竖立的基板5顶部，使得LED芯片2有大角度发光效果。基板5上部紧配套 接设置圆环基座4，圆环基座4上部密封配合设置球体发光罩1，球体发光罩l与 LED芯片2、金线9之间具有空腔。球体发光罩1采用树脂或硅胶制成，其壁厚为 为0. 4-0. 5咖。与LED芯片2位于同一7jC平线以上部分的球体发光罩1为半球形结 构，其直径为6-8mm，优选为6ram。
当所述的LED芯片2为大功率芯片时，所述的 5中部设置穿透的通孔6， 通孔6中穿接设置镀银铜棒8，镀银铜棒8顶部与LED芯片2底部触接配合。所述 的镀银铜棒8为中部断开的结构，上下两根棒体之间触接配合，上部棒体与LED 芯片2底部触接配合，下部棒体用于和外部结构配合连接。所述的镀银铜棒8由 铜棒表面镀银层构成。镀银铜棒8顶部与LED芯片2底部之间设置银胶体10，银 胶体10可导电导热。LED芯片2功率可为lw，基板5宽度为5mm，基板5厚度为 1.5mm，通孔6直径为0.9mm， LED芯片2为1. Omm。
基板5由铝、铜或铝银铜合金材料制成。铝的热传导系数为220W/m K，材料价格低廉,但传热效果不佳。铜的热传导系数为380W/m. K，价格平价,适合使用。 银的热传导系数为429 W/m. K，传导能力好,但价格昂贵。采用铝、银、铜三种制 成合金材料，使热传导系数提升接近420W/m. K，能有效而快速的传热散热，使大 功率LED可长时间正常工作，不会因温度升高而老化光衰，可延长大功率LED产 品的寿命，且材料价格低廉，可大批量生产。
由于球体发光罩1与LED芯片2及金线9不直接接触，当外界环境Mit在零 下40度到零上110度范围内剧烈变化时，不仅罩体能隔离开外界空气、湿气，且 罩体的热胀7令縮不会拉动LED芯片2及金线9， LED芯片2可长时间正常工作。
权利要求1、LED中空封装结构，包括竖立设置的基板(5)，基板(5)表面设置软性电路层(7)，基板(5)顶部配合设置LED芯片(2)，LED芯片(2)通过金线(9)与软性电路层(7)电路连接，其特征在于基板(5)上部紧配套接设置圆环基座(4)，圆环基座(4)上部密封配合设置球体发光罩(1)，球体发光罩(1)与LED芯片(2)、金线(9)之间具有空腔。
2、 如权利要求1所述的LED中空封装结构，其特征在于所述的基板(5)中 部设置穿透的通孔(6)，通孔(6)中穿接设置镀银铜棒(8)，镀银铜棒(8)顶 部与LED芯片(2)底部触接配合。
3、 如权利要求1所述的LED中空封装结构，其特征在于所述的LED芯片(2) 大功率芯片，其功率为lw，基板(5)宽度为5mm，基板(5)厚度为1. 5ram,通孔(6)直径为0.9咖，LED芯片(2)为1.0mm。
4、 如权利要求1所述的LED中空封装结构，其特征在于球体发光罩(1)采 用树脂或硅胶制成，其壁厚为为0, 4-0. 5mm。
5、 如权利要求1所述的LED中空封装结构，其特征在于基板(5)由铝、铜 或铝银铜合金材料制成。
6、 如权利要求1所述的LED中空封装结构，其特征在于所述的镀银铜棒(8) 为中部断开的结构，上下两根棒体之间触接配合，上部棒体与LED芯片(2)底部 触接配合，下部棒体用于和外部结构配合连接。
7、 如权禾腰求1所述的LED中空封装结构，其特征在于所述的镀银铜棒(8)由铜棒表面镀银层构成。
8、 如权利要求1所述的LED中空封装结构，其特征在于通孔(6)两侧的基 板(5)顶部对称设置金道隔离凹槽(3)。
9、 如权利要求1所述的LED中空封装结构，其特征在于镀银铜棒(8)顶部 与LED芯片(2)底部之间设置银胶体(10)。
10、 如权利要求1所述的LED中空封装结构，其特征在于与LED芯片(2)位 于同一水平线以上部分的球体发光罩(1)为半球形结构，其直径为6-8mm，优选为 6mm。
专利摘要LED中空封装结构，属于光电技术领域。包括竖立设置的基板，基板表面设置软性电路层，基板顶部配合设置LED芯片，LED芯片通过金线与软性电路层电路连接，其特征在于基板上部紧配套接设置圆环基座，圆环基座上部密封配合设置球体发光罩，球体发光罩与LED芯片、金线之间具有空腔。上述LED中空封装结构，由于球体发光罩与LED芯片及金线不直接接触，能经受零下40摄氏度到零上110摄氏度环境温度剧烈变化；LED芯片设置在竖立的基板顶部，使其有大角度发光效果；且可选用大功率LED芯片，通过在基板中部穿接设置镀银铜棒，能有效而快速的传热散热，不会因温度升高而老化光衰，其产品质量好，使用寿命长。
文档编号H01L33/00GK201417787SQ20092011993
公开日2010年3月3日 申请日期2009年5月18日 优先权日2009年5月18日
发明者张荣民 申请人:张荣民