专利名称：四面无引脚封装结构及其封装方法
技术领域：
本发明涉及一种集成电路或分立器件的四面无引脚封装结构及其封装方法。属于 半导体封装技术领域。
背景技术：
传统的芯片封装结构的制作方式是采用金属基板的正面进行化学蚀刻及表面电 镀层后，即完成引线框的制作。而引线框的背面则在封装过程中再进行蚀刻。该法存在以下 不足因为塑封前只在金属基板正面进行了半蚀刻工作，而在塑封过程中塑封体只有包裹 住引脚半只脚的高度，所以塑封体与引脚的束缚能力就变小了，如果塑封体贴片到PCB板 上不是很好时，再进行返工重贴，就容易产生掉脚的问题(如图22所示)。尤其塑封体的种 类是采用有填料时候，因为材料在生产过程的环境与后续表面贴装的应力变化关系，会造 成金属与塑封体产生垂直型的裂缝，其特性是填料比例越高则越硬越脆越容易产生裂缝。另外，在塑封体贴片到PCB板上时，因塑封体背面与PCB板之间的间距较小，塑封 体背面与PCB板之间的空间较小，塑封体的内圈引脚或基岛会因热风量不足而造成锡熔解 困难，尤其是越中心所排列的引脚或基岛越难即时吸收到热风，如图23所示。再者，如果塑封体贴片到PCB板上不是很好时，再进行返工重贴，由于锡膏处没有 足够的高度，清洁剂不容易清洁，如图23。
发明内容
本发明的第一目的在于克服上述不足，提供一种在塑封体贴片到PCB板上时不会 再有锡熔解困难的问题的四面无引脚四面无引脚封装结构及其封装方法。本发明的第二目的在于克服上述不足，提供一种不会再有产生掉脚的问题的四面 无引脚四面无引脚封装结构及其封装方法。本发明的第一目的是这样实现的一种四面无引脚封装结构及其封装方法，包括 基岛、引脚、芯片、金属线和塑封体，基岛和引脚的正面和背面分别设置有第一金属层和第 二金属层，基岛正面通过导电或不导电粘结物质设置有芯片，芯片正面与引脚正面第一金 属层之间用金属线连接，在所述基岛、引脚、芯片和金属线外包封有塑封体，且使基岛和引 脚的背面露出所述塑封体外，在露出所述塑封体外的基岛和引脚的背面的第二金属层上设 置有锡球。本发明的第二目的是这样实现的所述塑封体包括有填料塑封料环氧树脂和无填 料塑封料环氧树脂两种，有填料塑封料环氧树脂包封在所述基岛和引脚的上部以及芯片和 金属线外，无填料塑封料环氧树脂将引脚下部外围、基岛与引脚下部以及引脚与引脚下部 连接成一体。本发明四面无引脚封装结构的封装方法，所述方法包括以下工艺步骤所述方法 包括以下工艺步骤步骤一、取金属基板
步骤二、贴膜作业利用贴膜设备在金属基板的正面及背面分别贴上可进行曝光显影的光刻胶膜，步骤三、金属基板正面去除部分光刻胶膜利用曝光显影设备将步骤二完成贴膜作业的金属基板正面进行曝光显影去除部 分光刻胶膜，以露出金属基板上后续需要进行基岛和引脚正面镀金属层的区域，步骤四、金属基板正面镀金属层在步骤三露出的镀金属层的区域镀上第一金属层，步骤五、金属基板正背面揭膜作业以及重新贴膜作业将金属基板正面余下的光刻胶膜以及金属基板背面的光刻胶膜去除，然后再在金 属基板的正面和背面各自贴上曝光显影用的光刻胶膜，步骤六、金属基板正面去除部分光刻胶膜利用曝光显影设备将步骤五完成贴膜作业的金属基板正面进行曝光显影去除部 分光刻胶膜，以露出金属基板上后续需要进行半蚀刻的区域，步骤七、金属基板正面半蚀刻对步骤六中金属基板正面去除部分光刻胶膜的区域进行半蚀刻，在金属基板正面 形成凹陷的半蚀刻区域，同时相对形成基岛和引脚，步骤八、金属基板正背面揭膜作业将金属基板正面余下的光刻胶膜以及金属基板背面的光刻胶膜去除，制成引线 框，步骤九、装片打线在金属基板的基岛正面第一金属层上通过导电或不导电粘结物质进行芯片的植 入，以及在芯片正面与引脚正面第一金属层之间进行打金属线作业，步骤十、包封利用塑封料注入设备，将已完成芯片植入以及打金属线作业的金属基板进行包封 有填料塑封料环氧树脂作业，并进行有填料塑封料环氧树脂包封后固化作业，步骤十一、金属基板背面贴膜作业在已完成有填料塑封料环氧树脂包封以及固化作业的金属基板背面贴上曝光显 影用的光刻胶膜，步骤十二、金属基板背面去除部分光刻胶膜利用曝光与显影方式，去除步骤七所述金属基板的半蚀刻区域背面的光刻胶膜，步骤十三、金属基板背面半蚀刻在金属基板的背面对不被光刻胶膜覆盖的区域即步骤七所述半蚀刻区域余下部 分的金属再次进行蚀刻，将步骤七所述半蚀刻区域余下部分的金属全部蚀刻掉，从而使基 岛及引脚的背面凸出于有填料塑封料环氧树脂，步骤十四、金属基板背面揭膜作业利用曝光与显影方式，去除金属基板背面余下的光刻胶膜，步骤十五、有填料塑封料环氧树脂背面填涂无填料塑封料环氧树脂在步骤十三所述金属基板背面的被蚀刻掉金属的区域填涂上无填料塑封料环氧 树脂，并进行无填料塑封料环氧树脂包封后固化作业，
步骤十六、金属基板背面镀金属层在金属基板背面的镀上第二金属层，步骤十七、覆金属网板在金属基板背面覆盖一张金属网板，步骤十八、填锡胶在金属网板网孔处填入锡胶，步骤十九、去除金属网板去除步骤十七覆盖的金属网板，步骤二十、形成锡球对步骤十八填入的锡胶进行高温(温度的设置依据不同的锡成分进行调整，而其 温度范围在200°C 300°C)回流焊，在基岛及引脚背面的第二金属层上形成锡球(因锡的 内聚力非常大所以经过高温溶解后，所有面积的锡材将会自动形成球状)。步骤二 i^一、切割成品将已完成步骤二十形成锡球的半成品进行切割作业，使原本以阵列式集合体方式 连在一起的芯片一颗颗独立开来，制得四面无引脚封装结构成品。本发明的有益效果是1、由于在所述金属基板的背面引脚与引脚间的区域嵌置无填料塑封料环氧树脂， 该无填料塑封料环氧树脂与在塑封过程中的金属基板正面的常规的有填料塑封料环氧树 脂一起包裹住整个引脚的高度，所以塑封体与引脚的束缚能力就变大了，不会再有产生掉 脚的问题，如图15。2、在塑封体贴片到PCB板上时，因在塑封体引脚和基岛部位植入或涂布有锡球， 塑封体背面与PCB板之间的间距变大，尤其是塑封体的内圈引脚或是基岛区域不会因热风 吹不进去而造成锡熔解困难的问题，如图24与图23的比较说明。3、如果塑封体贴片到PCB板上不是很好时，再进行返工重贴，由于锡膏处有足够 的高度，如图24，清洁剂容易清洁。焊上锡球后容易维修，如锡球没焊好拿掉锡球后重新再 焊一个球。
图1 20为本发明四面无引脚封装方法的各工序示意图。图21为本发明四面无引脚封装结构示意图。图22为以往形成的掉脚图。图23为以往形成的锡熔解困难图。图24为本发明形成的锡熔解容易图。图中附图标记基岛1、引脚2、第一金属层3、导电或不导电粘结物质4、芯片5、金属线6、塑封体 7、有填料塑封料环氧树脂7-1、无填料塑封料环氧树脂7-2、第二金属层9、锡球10、金属基 板11、光刻胶膜12和13、光刻胶膜14和15、半蚀刻区域16、光刻胶膜17、金属网板18、锡 胶19、PCB板20、热风21。具体实施例方式本发明四面无引脚封装结构的封装方法，包括以下工艺步骤步骤一、取金属基板参见图1，取一片厚度合适的金属基板11。金属基板的材质可以依据芯片的功能 与特性进行变换，例如铜、铝、铁、铜合金或镍铁合金等。步骤二、贴膜作业参见图2，利用贴膜设备在金属基板的正面及背面分别贴上可进行曝光显影的光 刻胶膜12和13，以保护后续的蚀刻工艺作业。而此光阻胶膜可以是干式光阻薄胶膜也可以 是湿式光阻胶膜。步骤三、金属基板正面去除部分光刻胶膜参见图3，利用曝光显影设备将步骤二完成贴膜作业的金属基板正面进行曝光显 影去除部分光刻胶膜，以露出金属基板上后续需要进行基岛和引脚正面镀金属层的区域。步骤四、金属基板正面镀金属层参见图4，在步骤三露出的镀金属层的区域镀上第一金属层3，以利后续焊线时金 属线与芯片区和打线内脚区之间能更加紧密、牢固的接合，同时增加在包封工艺中促使有 填料塑封料环氧树脂间的结合度。而金属层的成分会因不同的芯片材质可以是采用金镍 金、金镍铜镍金、镍钯金、金镍钯金、镍金、银或锡等。步骤五、金属基板正背面揭膜作业以及重新贴膜作业参见图5，将金属基板正面余下的光刻胶膜以及金属基板背面的光刻胶膜去除，然 后再在金属基板的正面和背面各自贴上曝光显影用的光刻胶膜14和15。而此光阻胶膜可 以是干式光阻薄胶膜也可以是湿式光阻胶膜。步骤六、金属基板正面去除部分光刻胶膜参见图6，利用曝光显影设备将步骤五完成贴膜作业的金属基板正面进行曝光显 影去除部分光刻胶膜，以露出金属基板上后续需要进行半蚀刻的区域。步骤七、金属基板正面半蚀刻参见图7，对步骤六中金属基板正面去除部分光刻胶膜的区域进行半蚀刻，在金属 基板正面形成凹陷的半蚀刻区域16，同时相对形成基岛1和引脚2，其用意主要是避免在后 续作业中出现溢胶。步骤八、金属基板正背面揭膜作业参见图8，将金属基板正面余下的光刻胶膜以及金属基板背面的光刻胶膜去除，制 成引线框。步骤九、装片打线参见图9，在金属基板的基岛正面第一金属层3上通过导电或不导电粘结物质4进 行芯片5的植入，以及在芯片5正面与引脚2正面第一金属层3之间进行打金属线6作业。步骤十、包封参见图10，利用塑封料注入设备，将已完成芯片植入以及打金属线作业的金属基 板进行包封有填料塑封料环氧树脂7-1作业，并进行有填料塑封料环氧树脂包封后固化作 业。步骤十一、金属基板背面贴膜作业
7
参见图11，在已完成有填料塑封料环氧树脂包封以及固化作业的金属基板背面贴 上曝光显影用的光刻胶膜17。步骤十二、金属基板背面去除部分光刻胶膜参见图12，利用曝光与显影方式，去除步骤七所述金属基板的半蚀刻区域背面的 光刻胶膜，用意是露出金属基板背面后续需要进行蚀刻的区域。步骤十三、金属基板背面半蚀刻参见图13，在金属基板的背面对不被光刻胶膜覆盖的区域即步骤七所述半蚀刻区 域余下部分的金属再次进行蚀刻，将步骤七所述半蚀刻区域余下部分的金属全部蚀刻掉， 从而使基岛及引脚的背面凸出于所述有填料塑封料环氧树脂。步骤十四、金属基板背面揭膜作业参见图14，利用曝光与显影方式，去除金属基板背面余下的光刻胶膜。步骤十五、有填料塑封料环氧树脂背面填涂无填料塑封料环氧树脂参见图15，在步骤十三所述金属基板背面的被蚀刻掉金属的区域填涂上无填料塑 封料环氧树脂7-2，并进行无填料塑封料环氧树脂包封后固化作业，步骤十六、金属基板背面镀金属层参见图16，在金属基板背面的镀上第二金属层9。金属层的成分会因不同的芯片 材质可以是采用金镍金、金镍铜镍金、镍钯金、金镍钯金、镍金、银或锡等。步骤十七、覆金属网板参见图17，在金属基板背面覆盖一张金属网板18，以便后续刷锡胶作业。步骤十八、填锡胶参见图18，在金属网板网孔处填入锡胶。步骤十九、去除金属网板参见图19，去除步骤十七覆盖的金属网板。步骤二十、形成锡球参见图20，对步骤十八填入的锡胶进行回流焊，在基岛及引脚背面的第二金属层 上形成锡球10。步骤二 i^一、切割成品参见图21，将已完成步骤二十形成锡球的半成品进行切割作业，使原本以列阵式 集合体方式连在一起的芯片一颗颗独立开来，制得四面无引脚封装结构成品。所述引脚2可以设置有单圈，也可以设置有多圈。本发明还可以将步骤十七、步骤十八、步骤十九和步骤二十改成在基岛及引脚背 面的直接植入锡球。最后成品参见图21 图21为本发明四面无引脚封装结构示意图。图21中，基岛1、引脚2、第一金属层 3、导电或不导电粘结物质4、芯片5、金属线6、塑封体7、有填料塑封料环氧树脂7-1、无填料 塑封料环氧树脂7-2、第二金属层9和锡球10，由图21可以看出，本发明四面无引脚封装结 构，包括基岛1、引脚2、芯片5、金属线6和塑封体7，基岛1和引脚2的正面和背面分别设 置有第一金属层3和第二金属层9，基岛1正面通过导电或不导电粘结物质4设置有芯片 5，芯片5正面与引脚2正面第一金属层3之间用金属线6连接，在所述基岛1、引脚2、芯片5和金属线6外包封有塑封体7，且使基岛1和引脚2的背面露出所述塑封体7外，在露出 所述塑封体7外的基岛1和引脚2的背面的第二金属层9上设置有锡球10。
所述塑封体7包括有填料塑封料环氧树脂7-1和无填料塑封料环氧树脂7-2两 种，有填料塑封料环氧树脂7-1包封在所述基岛1和引脚2的上部以及芯片5和金属线6 外，无填料塑封料环氧树脂7-2将引脚2下部外围、基岛1与引脚2下部以及引脚2与引脚 2下部连接成一体。
权利要求
1.一种四面无引脚封装结构，包括基岛(1)、引脚(2)、芯片(5)、金属线(6)和塑封体 (7)，基岛(1)和引脚(2)的正面和背面分别设置有第一金属层(3)和第二金属层(9)，基岛 (1)正面通过导电或不导电粘结物质(4)设置有芯片(5)，芯片(5)正面与引脚(2)正面第 一金属层⑶之间用金属线(6)连接，在所述基岛(1)、引脚(2)、芯片(5)和金属线(6)外 包封有塑封体(7)，且使基岛(1)和引脚(2)的背面露出所述塑封体(7)外，其特征在于 在露出所述塑封体(7)外的基岛(1)和引脚(2)的背面的第二金属层(9)上设置有锡球 (10)。
2.根据权利要求1所述的一种四面无引脚封装结构，其特征在于所述塑封体(7)包 括有填料塑封料环氧树脂(7-1)和无填料塑封料环氧树脂(7-2)两种，有填料塑封料环氧 树脂(7-1)包封在所述基岛(1)和引脚(2)的上部以及芯片(5)和金属线(6)夕卜，无填料 塑封料环氧树脂(7-2)将引脚⑵下部外围、基岛⑴与引脚(2)下部以及引脚(2)与引 脚(2)下部连接成一体。
3.—种如权利要求2所述四面无引脚封装结构的封装方法，其特征在于所述方法包 括以下工艺步骤步骤一、取金属基板 步骤二、贴膜作业利用贴膜设备在金属基板的正面及背面分别贴上可进行曝光显影的光刻胶膜， 步骤三、金属基板正面去除部分光刻胶膜利用曝光显影设备将步骤二完成贴膜作业的金属基板正面进行曝光显影去除部分光 刻胶膜，以露出金属基板上后续需要进行基岛和引脚正面镀金属层的区域， 步骤四、金属基板正面镀金属层 在步骤三露出的镀金属层的区域镀上第一金属层， 步骤五、金属基板正背面揭膜作业以及重新贴膜作业将金属基板正面余下的光刻胶膜以及金属基板背面的光刻胶膜去除，然后再在金属基 板的正面和背面各自贴上曝光显影用的光刻胶膜， 步骤六、金属基板正面去除部分光刻胶膜利用曝光显影设备将步骤五完成贴膜作业的金属基板正面进行曝光显影去除部分光 刻胶膜，以露出金属基板上后续需要进行半蚀刻的区域， 步骤七、金属基板正面半蚀刻对步骤六中金属基板正面去除部分光刻胶膜的区域进行半蚀刻，在金属基板正面形成 凹陷的半蚀刻区域，同时相对形成基岛和引脚， 步骤八、金属基板正背面揭膜作业将金属基板正面余下的光刻胶膜以及金属基板背面的光刻胶膜去除，，制成引线框， 步骤九、装片打线在金属基板的基岛正面第一金属层上通过导电或不导电粘结物质进行芯片的植入，以 及在芯片正面与引脚正面第一金属层之间进行打金属线作业， 步骤十、包封利用塑封料注入设备，将已完成芯片植入以及打金属线作业的金属基板进行包封有填 料塑封料环氧树脂作业，并进行有填料塑封料环氧树脂包封后固化作业，步骤十一、金属基板背面贴膜作业在已完成有填料塑封料环氧树脂包封以及固化作业的金属基板背面贴上曝光显影用 的光刻胶膜，步骤十二、金属基板背面去除部分光刻胶膜利用曝光与显影方式，去除步骤七所述金属基板的半蚀刻区域背面的光刻胶膜， 步骤十三、金属基板背面半蚀刻在金属基板的背面对不被光刻胶膜覆盖的区域即步骤七所述半蚀刻区域余下部分的 金属再次进行蚀刻，将步骤七所述半蚀刻区域余下部分的金属全部蚀刻掉，从而使基岛及 引脚的背面凸出于有填料塑封料环氧树脂， 步骤十四、金属基板背面揭膜作业 利用曝光与显影方式，去除金属基板背面余下的光刻胶膜， 步骤十五、有填料塑封料环氧树脂背面填涂无填料塑封料环氧树脂 在步骤十三所述金属基板背面的被蚀刻掉金属的区域填涂上无填料塑封料环氧树脂， 并进行无填料塑封料环氧树脂包封后固化作业， 步骤十六、金属基板背面镀金属层 在金属基板背面的镀上第二金属层， 步骤十七、覆金属网板 在金属基板背面覆盖一张金属网板， 步骤十八、填锡胶 在金属网板网孔处填入锡胶， 步骤十九、去除金属网板 去除步骤十七覆盖的金属网板， 步骤二十、形成锡球对步骤十八填入的锡胶进行回流焊，在基岛及引脚背面的第二金属层上形成锡球， 步骤二十一、切割成品将已完成步骤二十形成锡球的半成品进行切割作业，使原本以列阵式集合体方式连在 一起的芯片一颗颗独立开来，制得四面无引脚封装结构成品。
4.根据权利要求3所述的一种四面无引脚封装结构的封装方法，其特征在于将步骤 十七、步骤十八、步骤十九和步骤二十替换成在基岛及引脚的背面直接植入锡球。
全文摘要
本发明涉及一种四面无引脚封装结构及其封装方法，包括基岛(1)、引脚(2)、芯片(5)、金属线(6)和塑封体(7)，基岛(1)和引脚(2)的正面和背面分别设置有第一金属层(3)和第二金属层(9)，基岛(1)正面通过导电或不导电粘结物质(4)设置有芯片(5)，芯片(5)正面与引脚(2)正面第一金属层(3)之间用金属线(6)连接，在所述基岛(1)、引脚(2)、芯片(5)和金属线(6)外包封有塑封体(7)，且使基岛(1)和引脚(2)的背面露出所述塑封体(7)外，其特征在于在露出所述塑封体(7)外的基岛(1)和引脚(2)的背面的第二金属层(9)上设置有锡球(10)。采用本发明不会再有产生掉脚的问题和在塑封体贴片到PCB板上时不会再有锡熔解困难的问题。
文档编号H01L23/31GK102005432SQ20101050242
公开日2011年4月6日 申请日期2010年9月30日 优先权日2010年9月30日
发明者王新潮 申请人:江苏长电科技股份有限公司