一种图像传感器的圆片级封装方法及封装结构的制作方法
【专利摘要】本发明提供一种图像传感器的圆片级封装方法及封装结构，该封装方法包括：在一传感晶片的有源面形成第一钝化层；在第一钝化层上沉积至少1个金属煽出电极；将传感晶片的有源面与一透明基板键合；在传感晶片的背面沉积第二钝化层，并在第二钝化层上刻出划槽标记；在划槽标记处制作凹槽；在传感晶片背面制作第三钝化层；在凹槽底制作贯通金属煽出电极的通孔；制作金属互连线使其通过通孔将金属煽出电极引出至第三钝化层的背面；制作完全覆盖金属互连线的第四钝化层；在第四钝化层刻蚀开口露出金属互连线的一端；在第四钝化层上制作UBM层和焊锡凸点。本发明可靠性强、成本低、具有较小的信号延迟和较高的互连密度。
【专利说明】一种图像传感器的圆片级封装方法及封装结构
【技术领域】
[0001]本发明属于图像传感器封装制造【技术领域】，涉及一种图像传感器的圆片级封装方法及封装结构。
【背景技术】
[0002]一般而言，图像传感器是一种半导体模块，其作用是将一光学图像转换成电子信号，并且存储图像信号或将该图像信号传输至一显示装置显示出来。随着半导体行业微型化、多功能的趋势和市场上的持续竞争，新一代的移动产品对图像传感器有着更高的要求，例如小外形和低成本。传统的图像传感器的封装均采用如板上芯片技术(Chip On Board,简称COB)和覆晶柔性电路板技术(Chip On Flexible，简称C0F)等方法，上述封装方法导致了图像传感器很难满足现今的需求。
[0003]为解决上述问题,本领域提出了圆片级封装技术(Wafer Level Packaging,简称WLP)。WLP是指在芯片未被切割的情况下在晶片级完成整个封装工序，如塑封、引线焊接和封装测试等，然后只需切割晶片就可以得到封装好的最终产品。WLP技术具有小尺寸、高性能和低成本的优势，被认为是下一代的芯片尺寸封装技术(Chip Size Packaging,简称CSP)。在该技术中，为了从图像传感器正面的焊盘引到背面实现电连接，几种结构被开发了出来，如T型连接和娃通孔(Through silicon Via,简称TSV)互连结构。
[0004]图1显示了图像传感器的圆片级芯片尺寸封装(Wafer Level Chip SizePackaging，简称WLCSP)结构的截面示意图，该封装结构包括:晶片101，在晶片101的正面上形成有多个图像传感器组件，所述图像传感器组件包括图像传感单元102和焊盘电极103 ;所述晶片101的正面通过树脂105与一透明基板104粘合；晶片101的背面刻蚀形成凹槽106，然后浇灌凹槽并在晶片101的背面键合一基板108，从基板108的背面开槽，随后沉积金属连线形成T型连接109，基板108的背面制作有外部电极110 ;最后沿凹槽106的切割线107处切割该晶片，得到多个封装好的芯片。此后，透过一预设的制程，便可组成一图像装置模块，例如摄像机。然而，上述晶片级芯片尺寸封装后的结构需经过切割步骤分成多个封装集成电路元件，切割后T型连接的一段暴露在外界，易受湿气穿透，从而遇到腐蚀或剥离等可靠性问题。因此，这种形式的封装往往无法通过高温/高湿度测试等可靠性测试，从而导致失效。同时，在上述的制造方法中，由于该T型连接109的连接面积很小，很可能发生龟裂，同样易导致连接接头的不可靠。
[0005]TSV互连结构由于采用垂直互连，可以大幅度缩短电互连长度，从而减小信号延迟，提高电性能。同时，TSV互连结构可以实现正面电极的背面引出，可以轻易地实现三维堆叠封装，且具有高密度、小体积的特点。目前加工硅通孔互连结构的主要工艺方法为:利用反应离子刻蚀-感应耦合等离子体方法在晶圆表面刻蚀盲孔；用化学气相沉积氧化物或氮化物钝化在硅表面形成绝缘层；金属化硅通孔，采用铜电镀的方法填充硅通孔，用化学机械抛光移除多余的铜电镀层；背面磨削晶圆，暴露出铜导体层，完成通孔结构。然而，如上所述，这种技术使用了诸如RIE、CVD和CMP等工艺，使得成本高昂，因而只适用于高端产品，不适合低端产品。同时，基板与铜结构之间只有一层很薄的绝缘层，使得TSV互连形成了很高的电容，有时甚至超过了标准引线互连方式的电容值。此外，工艺中使用了等离子干法刻蚀，整个器件暴露在高温和离子的轰击之下，容易造成器件的失效，尤其是对温度和离子敏感的器件，如GaAs图像传感器。
【发明内容】
[0006]鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种图像传感器的圆片级封装方法及封装结构，用于解决现有技术中T型连接可靠性差以及常规TSV方法成本高、电容值大、和对器件存在辐照损伤的问题。
[0007]为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种图像传感器的圆片级封装方法及封装结构。
[0008]一种图像传感器的圆片级封装方法，所述图像传感器的圆片级封装方法包括:
[0009]在一传感晶片的有源面形成第一钝化层；
[0010]在第一钝化层上沉积至少I个金属煽出电极；
[0011]将包括第一钝化层和金属煽出电极的传感晶片的有源面与一透明基板键合；
[0012]在键合后的传感晶片的背面与所述金属煽出电极正对的位置处制作凹槽，所述凹槽穿透所述传感晶片，露出第一钝化层；
[0013]在包括凹槽的传感晶片背面制作第三钝化层；
[0014]在所述凹槽底制作贯通所述金属煽出电极的通孔；
[0015]利用光刻法制作金属互连线，使金属互连线通过所述通孔将金属煽出电极引出至所述第三钝化层的背面；
[0016]制作完全覆盖金属互连线的第四钝化层；
[0017]在第四钝化层刻蚀开口，露出金属互连线不与金属煽出电极连接的一端；
[0018]在所述第四钝化层开口处制作UBM层和焊锡凸点；所述焊锡凸点位于所述UBM层上。
[0019]优选地，所述传感晶片的预设制程包括:设置一包括至少I个芯片的晶片；在每个芯片的正面形成图像传感单元；至此，所述晶片构成传感晶片；所述金属煽出电极分布于所述图像传感单元周围。
[0020]优选地，所述利用光刻法制作金属互连线的具体过程包括:在包括通孔的传感晶片背面溅射金属种子层；在所述金属种子层上光刻定义出垂直互连线图形；对所述金属种子层电镀加厚获得金属互连线；去除光刻胶，刻蚀所述金属种子层，完成金属互连线的制作。
[0021]优选地，所述金属种子层为TiW/Cu，其中TiW为粘附层，Cu为种子层。
[0022]优选地，所述传感晶片的有源面通过BCB材料作为粘结剂与所述透明基板键合。
[0023]优选地，对所述键合后的传感晶片进行减薄和抛光。
[0024]优选地，所述第三钝化层为聚合物层或无机非金属层。
[0025]优选地，所述制作凹槽的具体过程为:在键合后的传感晶片的背面沉积第二钝化层，并在第二钝化层上、与所述金属煽出电极正对的位置光刻出划槽标记；在所述划槽标记处刻蚀出未穿透所述传感晶片的第一梯形槽；采用湿法腐蚀对所述第一梯形槽进行腐蚀，将所述传感晶片腐穿，露出所述第一钝化层，得到第二梯形槽；所述第二梯形槽即为所述凹槽。
[0026]一种图像传感器的圆片级封装结构，所述图像传感器的圆片级封装结构包括:传感晶片、第一钝化层、至少I个金属煽出电极、透明基板、凹槽、第三钝化层、通孔、金属互连线、第四钝化层、开口、UBM层、焊锡凸点；所述第一钝化层形成于所述传感晶片的有源面上；所述金属煽出电极沉积于所述第一钝化层上；所述透明基板与所述包括第一钝化层和金属煽出电极的传感晶片的有源面键合；所述凹槽制作于所述键合后的传感晶片的背面与所述金属煽出电极正对的位置处，且穿透所述传感晶片，露出第一钝化层；所述第三钝化层形成于所述包括凹槽的传感晶片的背面；所述通孔制作于所述凹槽底且贯通所述金属煽出电极；所述金属互连线通过所述通孔将金属煽出电极引出至所述第三钝化层的背面；所述第四钝化层完全覆盖所述金属互连线；所述开口刻蚀于第四钝化层上，且露出金属互连线不与金属煽出电极连接的一端；所述UBM层制作于所述第四钝化层开口的位置处；所述焊锡凸点位于所述UBM层上。
[0027]优选地，所述传感晶片包括至少I个芯片，每个芯片的正面形成有图像传感单元，所述金属煽出电极分布于所述图像传感单元周围。
[0028]优选地，所述传感晶片的有源面与所述透明基板之间设有用于键合的BCB粘结剂。
[0029]如上所述，本发明所述的图像传感器的圆片级封装方法及封装结构，具有以下有益效果:
[0030]本发明中，通孔与金属煽出电极在通孔的四周均连接，接触面积比较大，因此相对于传统的T型连接具有更高的可靠性，克服了 T型连接可靠性差的问题；此外，本发明采用通孔辅助互连的方式实现了槽型垂直互连结构，该结构具有较小的电容值和较小的信号延迟，且可实现较高的互连密度，整个封装在圆片级完成，制作工艺对器件无辐照损伤，与IC艺过程兼容，具有低成本优势，克服了常规TSV方法成本高、电容值大、和对器件的辐照损伤等的缺点。
【专利附图】
【附图说明】
[0031]图1显示为现有图像传感器的圆片级芯片尺寸封装的截面结构示意图。
[0032]图2a至图2k显示为本发明所述的图像传感器的圆片级封装方法的流程示意图。
[0033]图3显示为本发明所述的图像传感器的圆片级封装结构的截面构造示意图。
[0034]元件标号说明
[0035]101 晶片；
[0036]102 图像传感单元；
[0037]103 焊盘电极；
[0038]104 透明基板；
[0039]105 树脂；
[0040]106 凹槽；
[0041]107 切割线；
[0042]108 基板；[0043]109T 型连接；
[0044]110外部电极；
[0045]201传感晶片；
[0046]2011图像传感单元；
[0047]202第一钝化层；
[0048]203金属煽出电极；
[0049]204透明基板；
[0050]205粘结剂；
[0051]206第二钝化层；
[0052]207凹槽；
[0053]2071第一梯形槽；
[0054]2072第二梯形槽；
[0055]208第三钝化层；
[0056]209通孔；
[0057]210金属互连线；
[0058]211金属种子层；
[0059]212第四钝化层；
[0060]213开口；
[0061]214UBM 层；
[0062]215焊锡凸点；
[0063]301切割线。
【具体实施方式】
[0064]以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的【具体实施方式】加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
[0065]请参阅附图。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
[0066]下面结合实施例和附图对本发明进行详细说明。
[0067]实施例
[0068]本实施例提供一种图像传感器的圆片级封装方法，如图2a至图2k所示，该方法的流程为:
[0069]A)制作一传感晶片201，在所述传感晶片201的有源面形成第一钝化层202 ;其中，所述传感晶片201的预设制程包括:设置一包括至少I个芯片的晶片；在每个芯片的正面形成图像传感单元2011 ;至此，所述晶片构成传感晶片。
[0070]具体地，所述图像传感单元的使用波段为可见光范围，传感晶片的标准厚度优选为350um,传感晶片的材料选可优选为砷化镓GaAs。
[0071]B)在第一钝化层202上沉积至少I个金属煽出电极203 ;所述金属煽出电极203分布于所述图像传感单元2011周围。
[0072]具体地，所述金属煽出电极203分布在图像传感单元2011周边的非功能区。金属煽出电极203的材料可以优选铝、金、铜、或铬/金，铬/金的厚度可优选50/300nm。
[0073]C)将包括第一钝化层202和金属煽出电极203的传感晶片201的有源面与一透明基板204键合；其中，所述传感晶片201的有源面通过BCB材料作为粘结剂205与所述透明基板204键合。
[0074]具体地，将传感晶片201的正面(即有源面，也是图中所示的朝向下的一面，相反地，图中朝向上的一面为背面)键合到一透明基板204上。所述透明基板204可优选玻璃基板。该透明基板204起到透光、防止外界污染和免遭机械损伤的作用；同时也为随后的工艺提供机械支撑。键合时采用具有良好透光性的BCB (苯丙环丁烯)材料作为粘结剂205键合；粘结剂205涂敷在传感晶片201与透明基板204之间；粘结剂205的厚度可优选为3um，在键合机中键合，并采用热固化，固化温度可优选为200°C。所述BCB键合为低温的粘结剂键合。
[0075]D)优选地，将与透明基板204键合后的传感晶片201在背面减薄抛光。
[0076]具体地，先采用机械减薄(研磨)设备从传感晶片201的背面将传感晶片201快速减薄，然后再对减薄后的传感晶片201采用化学机械抛光处理，使该传感晶片201的背面表面平整，减薄后的传感晶片201的厚度可以优选为130um,抛光后的传感晶片201的厚度可以减薄至120um,粗糙度要求小于10nm。
[0077]E)在抛光后的传感晶片201的背面沉积第二钝化层206 (图中未示出)，并在第二钝化层206上、与所述金属煽出电极203正对的位置光刻出划槽标记；
[0078]具体地，在传感晶片201上沉积第二钝化层206并光刻，此步光刻需与传感晶片201正面的金属煽出电极203对准，在特定的对准位置制作出划槽标记。所述第二钝化层206可优选SiO2层。
[0079]F)在所述划槽标记处制作凹槽207，所述凹槽207穿透所述传感晶片201，露出第一钝化层202。
[0080]进一步，在所述划槽标记处制作凹槽207的具体过程为:
[0081]I)在所述划槽标记处刻蚀出未穿透所述传感晶片201的第一梯形槽2071。具体地，使用划片机在传感晶片201背面划槽，这里使用的刀具可优选为特制的梯形刀具，所以可以在传感晶片201上加工出第一梯形槽2071，深度可优选为105um。
[0082]2)采用湿法腐蚀对所述第一梯形槽2071进行腐蚀，将所述传感晶片201腐穿，露出所述第一钝化层202，得到第二梯形槽2072 ;所述第二梯形槽2072即为所述凹槽207。具体地，实现湿法腐蚀的腐蚀液可选为各种砷化镓同性腐蚀液，尤其可优选为K2Cr2O7-HBr-CH3COOH溶液体系。第一梯形槽2071和第二梯形槽2072的侧面的倾斜角度可优选60度。
[0083]G)在包括凹槽207的传感晶片201背面制作第三钝化层208 ;其中，所述第三钝化层208可有优选为聚合物层或无机非金属层。
[0084]具体地，可采用ICP-CVD方法在传感晶片201的背面沉积一层SiO2或者Si3N4作为第三钝化层208，沉积厚度可优选为lum。
[0085]H)在所述凹槽207底制作贯通所述金属煽出电极203的通孔209。
[0086]具体地，使用激光器制作辅助垂直互连孔(即所述通孔209)，控制激光的功率和能量，使通孔209穿透传感晶片201正面(即有源面)的金属煽出电极203，通孔209穿透金属煽出电极203的深度大于一定值，优选lum。随后使用低功率等离子体对所述通孔209进行清洗，对通孔209进行处理，使通孔209的边沿平滑。
[0087]I)利用光刻法制作金属互连线210，使金属互连线210通过所述通孔209将金属煽出电极203引出至所述第三钝化层208的背面。
[0088]具体地，所述利用光刻法制作金属互连线210的具体过程包括:在包括通孔209的传感晶片201背面溅射金属种子层211 (图中未示出)；在所述金属种子层211上光刻定义出垂直互连线图形；对所述金属种子层211电镀加厚至一定厚度后获得金属互连线210 ;去除光刻胶，刻蚀所述金属种子层211，完成金属互连线210的制作。其中，所述金属种子层211可优选为TiW/Cu，其中TiW为粘附层，Cu为种子层。
[0089]本实施例中，通孔209内的金属互连线210与传感晶片201正面的金属煽出电极203相交之处为电极连接点，由于通孔209与金属煽出电极203在通孔209的四周均连接，接触面积比较大，因此相对于传统的N型连接具有更高的可靠性。
[0090]G)制作完全覆盖金属互连线210的第四钝化层212。
[0091]具体地，使用喷涂光敏BCB制作第四钝化层212，喷涂厚度优选为10um，使BCB材料完全覆盖金属互连线210，随后对BCB材料进行完全热固化，形成第四钝化层212。
[0092]K)在第四钝化层212刻蚀开口 213(图中未标出)，露出金属互连线210不与金属煽出电极203连接的一端；
[0093]具体地，在第四钝化层212的背面引出金属煽出电极203处采用光刻的方法刻蚀开口 213。
[0094]L)在所述第四钝化层212上制作UBM层214和焊锡凸点215 ;所述UBM层214位于所述开口 213位置处，所述焊锡凸点215位于所述UBM层214上。
[0095]具体地，在刻有开口 213的第四钝化层212上溅射第二金属种子层216，并光刻、电镀加厚第二金属种子层216，随后去除光刻胶和第二金属种子层216，得到UBM层214。最后，在UBM层214上制备焊锡凸点215，制作焊锡凸点215的方法可以是模板印刷、电镀或者激光软钎焊等凸点制作技术，此处优选激光软钎焊凸点制作技术。
[0096]本实施例还提供一种图像传感器的圆片级封装结构，该结构可以由本实施例所述的方法制成，也可以由其他工艺方式制成，不论使用何种工艺，只要制成的封装结构与本发明所述的结构相同或近似，均属于本发明的保护范围。
[0097]参见图3，所述图像传感器的圆片级封装结构包括:传感晶片、第一钝化层、至少I个金属煽出电极、透明基板、凹槽、第三钝化层、通孔、金属互连线、第四钝化层、开口、UBM层、焊锡凸点。
[0098]所述第一钝化层形成于所述传感晶片的有源面上；所述金属煽出电极沉积于所述第一钝化层上；所述透明基板与所述包括第一钝化层和金属煽出电极的传感晶片的有源面键合；所述第二钝化层形成于减薄抛光后的传感晶片的背面；所述凹槽制作于所述键合后的传感晶片的背面与所述金属煽出电极正对的位置处，且穿透所述传感晶片，露出第一钝化层；所述第三钝化层形成于所述包括凹槽的传感晶片的背面；所述通孔制作于所述凹槽底且贯通所述金属煽出电极；所述金属互连线通过所述通孔将金属煽出电极引出至所述第三钝化层的背面；所述第四钝化层完全覆盖所述金属互连线；所述开口刻蚀于第四钝化层上，且露出金属互连线不与金属煽出电极连接的一端；所述UBM层制作于所述第四钝化层上所述开口的位置处；所述焊锡凸点位于所述UBM层上。
[0099]进一步，所述传感晶片包括至少I个芯片，每个芯片的正面形成有图像传感单元，所述金属煽出电极分布于所述图像传感单元周围。所述传感晶片的有源面与所述透明基板之间设有用于键合的BCB粘结剂。
[0100]本发明中，通孔与金属煽出电极在通孔的四周均连接，接触面积比较大，因此相对于传统的T型连接具有更高的可靠性，克服了 T型连接可靠性差的问题。
[0101]此外，本发明采用通孔辅助互连的方式实现了槽型垂直互连结构，该结构具有较小的电容值和较小的信号延迟，且可实现较高的互连密度，整个封装在圆片级完成，制作工艺对器件无辐照损伤，与IC工艺过程兼容，具有低成本优势，克服了常规TSV方法成本高、电容值大、和对器件的辐照损伤等的缺点。
[0102]本发明利用槽型垂直互连结构实现了砷化镓(GaAs)图像传感器的圆片级封装结构及其低温制作，整个工艺过程均在圆片级完成，且均采用低温工艺，在确保了器件功能完整性的同时，具有较低的封装成本和较高的互连密度；并且，制作的互连结构具有较高的可靠性。
[0103]综上所述，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
[0104]上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属【技术领域】中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。
【权利要求】
1.一种图像传感器的圆片级封装方法，其特征在于，所述图像传感器的圆片级封装方法包括: 在一传感晶片的有源面形成第一钝化层； 在第一钝化层上沉积至少I个金属煽出电极； 将包括第一钝化层和金属煽出电极的传感晶片的有源面与一透明基板键合； 在键合后的传感晶片的背面与所述金属煽出电极正对的位置处制作凹槽，所述凹槽穿透所述传感晶片，露出第一钝化层； 在包括凹槽的传感晶片背面制作第三钝化层； 在所述凹槽底制作贯通所述金属煽出电极的通孔； 利用光刻法制作金属互连线，使金属互连线通过所述通孔将金属煽出电极引出至所述第三钝化层的背面； 制作完全覆盖金属互连线的第四钝化层； 在第四钝化层刻蚀开口，露出金属互连线不与金属煽出电极连接的一端； 在所述第四钝化层开口处制作UBM层和焊锡凸点；所述焊锡凸点位于所述UBM层上。
2.根据权利要求1所述的图像传感器的圆片级封装方法，其特征在于:所述传感晶片的预设制程包括: 设置一包括至少I个芯片的晶片； 在每个芯片的正面形成图像传感单元； 至此，所述晶片构成传感晶片； 所述金属煽出电极分布于所述图像传感单元周围。
3.根据权利要求1或2所述的图像传感器的圆片级封装方法，其特征在于，所述利用光刻法制作金属互连线的具体过程包括: 在包括通孔的传感晶片背面溅射金属种子层； 在所述金属种子层上光刻定义出垂直互连线图形； 对所述金属种子层电镀加厚获得金属互连线； 去除光刻胶，刻蚀所述金属种子层，完成金属互连线的制作。
4.根据权利要求3所述的图像传感器的圆片级封装方法，其特征在于:所述金属种子层为TiW/Cu，其中TiW为粘附层，Cu为种子层。
5.根据权利要求1所述的图像传感器的圆片级封装方法，其特征在于:所述传感晶片的有源面通过BCB材料作为粘结剂与所述透明基板键合。
6.根据权利要求1或5所述的图像传感器的圆片级封装方法，其特征在于:对所述键合后的传感晶片在背面减薄和抛光。
7.根据权利要求1所述的图像传感器的圆片级封装方法，其特征在于:所述第三钝化层为聚合物层或无机非金属层。
8.根据权利要求1所述的图像传感器的圆片级封装方法，其特征在于，所述制作凹槽的具体过程为: 在键合后的传感晶片的背面沉积第二钝化层，并在第二钝化层上、与所述金属煽出电极正对的位置光刻出划槽标记； 在所述划槽标记处刻蚀出未穿透所述传感晶片的第一梯形槽；采用湿法腐蚀对所述第一梯形槽进行腐蚀，将所述传感晶片腐穿，露出所述第一钝化层，得到第二梯形槽；所述第二梯形槽即为所述凹槽。
9.一种图像传感器的圆片级封装结构，其特征在于，所述图像传感器的圆片级封装结构包括: 传感晶片； 第一钝化层，形成于所述传感晶片的有源面上； 至少I个金属煽出电极，沉积于所述第一钝化层上； 透明基板，与所述包括第一钝化层和金属煽出电极的传感晶片的有源面键合； 凹槽，制作于所述键合后的传感晶片的背面与所述金属煽出电极正对的位置处，且穿透所述传感晶片，露出第一钝化层； 第三钝化层，形成于所述包括凹槽的传感晶片的背面； 通孔，制作于所述凹槽底且贯通所述金属煽出电极； 金属互连线，通过所述通孔将金属煽出电极引出至所述第三钝化层的背面； 第四钝化层，完全覆盖所述金属互连线； 开口，刻蚀于第四钝化层上，且露出金属互连线不与金属煽出电极连接的一端； UBM层，制作于所述第四钝化层开口处、金属互连线上； 焊锡凸点，位于所述UBM层上。
10.根据权利要求8所述的图像传感器的圆片级封装结构，其特征在于:所述传感晶片包括至少I个芯片，每个芯片的正面形成有图像传感单元，所述金属煽出电极分布于所述图像传感单元周围。
11.根据权利要求8所述的图像传感器的圆片级封装结构，其特征在于:所述传感晶片的有源面与所述透明基板之间设有用于键合的BCB粘结剂。
【文档编号】H01L27/146GK103855173SQ201210517170
【公开日】2014年6月11日 申请日期:2012年12月5日 优先权日:2012年12月5日
【发明者】叶交托, 罗乐, 徐高卫, 王双福 申请人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所