专利名称：有机半导体材料在有机半导体光电器件中的应用的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种有机半导体材料在有机半导体光电器件中的应用。
背景技术：
有机电子器件以其易加工、低成本、高适应性吸引了全世界学术界和产业界的目光，作为电子电路的最基本元素，有机场效应晶体管的发展更是成为当前研究的热点。如今部分有机半导体材料的性能已经达到与无机半导体相媲美的程度。例如红荧烯单晶器件的迁移率已达到15 ^cmW1 (Zhang, Y.;Hu, ff.J.Mater.Chem.2010, 20, 7029，并五苯(PAN)有机薄膜器件的迁移率也已超过Scm2V-1S-1(Kelley, T.ff.;Muyres, D.V.;Baude, P.F.; Smith, T.P.; Jones, T.D.Mater.Res.Soc.Symp.Proc.2003, 771，169.)。但是两种材料在成本及稳定性上与无机材料相比仍有差距，所以设计合成具有工艺简单、成本较低、材料性能稳定和长寿命以达到商业化目的的有机半导体材料将会具有很广的应用前景。噻吩以其良好的共轭特性一直是有机半导体材料设计与合成的热门单元，含噻吩共轭有机半导体材料具有较大的应用潜力。因此，设计合成并噻吩类有机半导体材料研究其自身性能及其器件性能，对于理论研究及产业化都有较重要的价值。
发明内容
本发明的目的是提供一种有机半导体材料在有机半导体光电器件中的应用。
本发明提供了式I所示化合物在制备有机半导体光电器件中的应用；
权利要求
1.式I所示化合物在制备有机半导体光电器件中的应用；
2.根据权利要求1所述的应用，其特征在于:所述噻吩基为苯并噻吩基或二苯并噻吩基; 所述含氮杂环基为吡咯、咔唑、噻唑、噻二唑、吡啶或哌啶； 所述含硅杂环基为噻咯或苯并噻咯。
3.—种有机半导体光电器件,其特征在于:它含有式I所不化合物。
4.根据权利要求3所述的光电器件，其特征在于:所述有机半导体光电器件为有机场效应晶体管。
5.根据权利要求4所述的光电器件，其特征在于:所述有机场效应晶体管的有机半导体层为式I所示化合物。
全文摘要
本发明公开了一种有机半导体材料在有机半导体光电器件中的应用。式Ⅰ中，R1、R2和Ra均选自烷基、芳香基和由所述烷基取代的所述芳香基中任一种，所述烷基为碳原子数为1～16的直链或支链烷基，所述芳香基为苯基、芴基、噻吩基、含氟苯基、含氮杂环基或含硅杂环基。本发明提供的式Ⅰ所示化合物中的取代基团可以使得材料的荧光发射波长向红光或蓝光方向移动，扩展应用范围；为有机半导体光电材料提供了一种新的体系。用本发明提供的化合物制备的有机半导体光电器件的灵敏度高、准确性好、重复性好。
文档编号H01L51/00GK103247759SQ20131017968
公开日2013年8月14日 申请日期2013年5月15日 优先权日2013年5月15日
发明者孟鸿, 张小涛, 苑晓 申请人:北京博如德工程技术研究有限公司