一种有机电致发光装置及其制备方法
【专利摘要】本发明实施例提供一种有机电致发光装置及其制备方法，所述装置包括顺次层叠的基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、第一电子注入辅助层、第二电子注入辅助层和阴极；所述第一电子注入辅助层的材料为氧化锌，所述第二电子注入辅助层的材料为氟化锂，氟化铯，氟化钠，氟化钾中的至少一种，所述阴极的材质为银、铝、铝镁合金或者银镁合金。本发明实施例通过将第一电子注入辅助层和第二电子注入辅助层设置于具有基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阳极的有机电致发光装置中，可提高电子注入效率，并阻挡空穴向阴极的传输，从而可降低有机电致发光装置的启动电压，并提高其发光效率。
【专利说明】一种有机电致发光装置及其制备方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及有机电致发光领域，特别涉及一种有机电致发光装置及其制备方法。
【背景技术】
[0002] 有机电致发光二极管（Organic Light Emission Diode, 0LED)，具有亮度高、材料 选择范围宽、驱动电压低、全固化主动发光等特性，同时拥有高清晰、广视角，以及响应速度 快等优势，是一种极具潜力的显示技术和光源，符合信息时代移动通信和信息显示的发展 趋势，以及绿色照明技术的要求。因此有机电致发光二极管是目前国内外众多研究者的关 注的热点。
[0003] 有机电致发光二极管具有一种类似三明治的结构，其上下分别是阴极和阳极，二 个电极之间夹着单层或多层不同材料种类和不同结构的有机材料功能层，依次为空穴注入 层、空穴传输层、发光层、电子传输层及电子注入层。有机电致发光器件是载流子注入型发 光器件，在阳极和阴极加上工作电压后，空穴从阳极，电子从阴极分别注入到工作器件的有 机材料层中，两种载流子在有机发光材料中形成空穴-电子对发光，然后光从电极一侧发 出。
[0004] 到目前为止，尽管全世界各国的科研人员通过选择合适的有机材料和对器件结构 的合理的设计，已使器件性能的各项指标得到了很大的提升，但是目前由于驱动发光器件 的电流较大，发光效率低，器件寿命低，为了实现有机电致发光器件的实用化，人们急于寻 找一种驱动电流小，发光效率高的有机电致发光装置。
【发明内容】
[0005] 本发明实施例提供一种有机电致发光装置及其制备方法，可降低有机电致发光装 置的启动电压，并提供其发光效率。
[0006] -方面，提供一种有机电致发光装置，所述装置包括顺次层叠的基板、阳极、空穴 注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、第一电子注入辅助层、第二电子注入辅助层和阴 极；所述第一电子注入辅助层的材料为氧化锌，所述第二电子注入辅助层的材料为氟化锂， 氟化铯，氟化钠，氟化钾中的至少一种，所述阴极的材质为银、铝、铝镁合金或者银镁合金。
[0007] 其中，所述第一电子注入辅助层的厚度为1?4nm。
[0008] 其中，所述第二电子注入辅助层的厚度为0· 5?2nm。
[0009] 其中，所述基板为透明基板。
[0010] 其中，所述阳极的材料为铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锌氧化物或镓锌氧化物，所 述阳极的厚度为70?200nm。 toon] 其中，所述空穴注入层的材料为酞菁锌、酞菁铜、酞菁氧钒、酞菁氧钛，所述空穴注 入层的厚度为10_30nm。
[0012] 其中，所述空穴传输层的材料为N，N'-二苯基-N，N'_二（1-萘基）-1，Γ-联 苯-4, 4' -二胺、4, 4'，4' ' -三（N-3-甲基苯基-N-苯基氨基）三苯胺、N，Ν' -二苯 基-Ν，Ν' -二（3-甲基苯基）-1，Γ -联苯-4, 4' -二胺或Ν，Ν，Ν'，Ν' -四甲氧基苯基-对二 氨基联苯，所述空穴传输层的厚度为20-60nm。
[0013] 其中，所述发光层为4-(二腈甲基)-2- 丁基-6-( 1，1，7, 7-四甲基久洛呢啶-9-乙 烯基)-4H-吡喃、双（4, 6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合铱、双（4, 6-二氟苯基吡啶)-四 (1-吡唑基）硼酸合铱、二（2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱、三（1-苯 基-异喹啉）合铱和三（2-苯基吡啶）合铱中一种或几种发光材料与主体材料掺杂而成， 所述主体材料为CBP (4, 4' -二（9-咔唑）联苯)、Alq3 (8-羟基喹啉铝)、TPBi (1，3, 5-三 (1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯）或NPB (N, Ν' -二苯基-N, Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -联 苯-4, 4' -二胺），所述发光材料与所述主体材料的质量比为1:100?15:100,或者，所述发 光层为4,4'-二（2,2-二苯乙烯基）-1，1'-联苯、0卩八￥8以4,4'-双[4-(二对甲苯基氨基） 苯乙烯基]联苯）、5, 6, 11，12-四苯基萘并萘和二甲基喹吖啶酮中的至少一种；所述发光层 的厚度为1?20nm。
[0014] 其中，所述电子传输层的材料为8-羟基喹啉铝、4, 7-二苯基-邻菲咯啉、 1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯或2, 9-二甲基-4, 7-联苯-1，10-邻二氮杂 菲，所述电子传输层厚度为20-60nm。
[0015] 另一方面，提供一种有机电致发光装置的制备方法，该方法包括：
[0016] 提供基板；
[0017] 在所述基板表面真空溅镀制备阳极；
[0018] 在所述阳极表面依次真空蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层；
[0019] 在所述电子传输层上通过电子束蒸镀制备第一电子注入辅助层，所述第一电子注 入辅助层的材料为氧化锌；
[0020] 在所述第一电子注入辅助层上通过热阻蒸镀制备第二电子注入辅助层，所述第二 电子注入辅助层的材料为碱金属的氟化物；
[0021] 在所述第二电子注入辅助层真空蒸镀阴极，得到有机电致发光装置。
[0022] 本发明实施例通过将第一电子注入辅助层和第二电子注入辅助层设置于具有基 板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阳极的有机电致发光装置中，可 提高电子注入效率，并阻挡空穴向阴极的传输，从而可降低有机电致发光装置的启动电压， 并提高其发光效率。
【专利附图】
【附图说明】
[0023] 为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现 有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明 的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据 这些附图获得其他的附图。
[0024] 图1是本发明实施例提供的有机电致发光装置的结构示意图；
[0025] 图2是实施例1和对比例1中的有机电致发光装置的电流密度-电压特性曲线。
【具体实施方式】
[0026] 下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完 整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发 明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施 例，都属于本发明保护的范围。
[0027] 图1示出了本发明实施例提供的有机电致发光装置的结构示意图。有机电致发光 装置100包括顺次叠加的基板10、阳极20、空穴注入层30、空穴传输层40、发光层50、电子 传输层60、第一电子注入辅助层70、第二电子注入辅助层80和阴极90。
[0028] 基板10为透明基板，例如，玻璃基板。
[0029] 阳极20的材料可以为透明导电氧化物薄膜，优选地，阳极20的材料为铟锡氧化物 (ΙΤ0)、铟锌氧化物（ΙΖ0)、铝锌氧化物（ΑΖ0)或镓锌氧化物（GZ0)。优选地，阳极20的厚度 为 70_200nm。
[0030] 空穴注入层30的材料选自酞菁锌（ZnPc)、酞菁铜（CuPc)、酞菁氧f凡（VOPc)、酞菁 氧钛（TiOPc)。优选地，空穴注入层30的厚度为10-30nm。
[0031] 空穴传输层40的材料为空穴传输材料，例如，空穴传输层40的材料为Ν，Ν' -二苯 基，州'-二（1-萘基）-1，1'-联苯-4,4'-二胺（咿8)、4,4'，4''-三（^3-甲基苯基4-苯 基氨基）三苯胺（m-MTDATA)、Ν, Ν' -二苯基-Ν, Ν' -二（3-甲基苯基）-1，Γ -联苯-4, 4' -二 胺（TPD)或Ν，Ν，Ν'，Ν' -四甲氧基苯基-对二氨基联苯（MeO-Tro)。优选地，空穴传输层的 厚度为20-60nm。
[0032] 优选地，发光层50为4-(二腈甲基）-2- 丁基-6- (1，1，7, 7-四甲基久洛呢 啶-9-乙烯基)-4H-吡喃（DCJTB)、双（4, 6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合铱（FIrpic)、 双（4,6-二氟苯基吡啶)-四（1-吡唑基)硼酸合铱^1冰）、二（2-甲基-二苯基[匕11]喹喔 啉）（乙酰丙酮)合铱（Ir (MDQ)2(acac))、三（1-苯基-异喹啉)合铱（Ir (piq) 3)和三（2-苯 基批陡）合铱（Ir(ppy)3)等发光材料的一种或几种与主体材料掺杂而成，主体材料可选用 CBP (4, 4' -二（9-咔唑）联苯)、Alq3 (8-羟基喹啉铝)、TPBi (1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并 咪唑-2-基）苯）或 NPB (N，Ν' -二苯基-N，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -联苯-4, 4' -二胺），发 光材料与主体材料的质量比为1:100?15:100。发光层50也可以采用4, 4'-二（2, 2-二 苯乙烯基）-1，Γ-联苯（DPVBi)、DPAVBi(4,4'_双[4-(二对甲苯基氨基）苯乙烯基]联 苯）、5,6, 11，12-四苯基萘并萘（Rubrene)和二甲基喹吖啶酮（DMQA)等荧光材料中的至少 一种。优选地，发光层的厚度在1?20nm之间。
[0033] 电子传输层60电子传输层的材料为电子传输材料，例如，8-轻基喹啉错（Alq3)、 4, 7-二苯基-邻菲咯啉（Bphen)、1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBi)或 2, 9-二甲基-4, 7-联苯-1，10-邻二氮杂菲（BCP)。优选地，电子传输层60厚度为20-60nm。
[0034] 第一电子注入辅助层70可以为氧化锌（ZnO)。优选地，第二空穴注入辅助层70的 厚度为1?4nm。
[0035] 第二电子注入辅助层80的材料选自碱金属的氟化物，优选地，包括氟化锂（LiF)， 氟化铯（CsF)，氟化钠（NaF)，氟化钾（KF)等中的至少一种。优选地，第一电子注入辅助层80 的厚度为〇· 5?2nm。
[0036] 阴极90材料可选用金属Ag、AlAg-Mg合金和Al-Mg合金中的一种。优选地，阴极 90的厚度为70?200nm之间。
[0037] 本发明实施例提供的有机电致发光装置的具体制备方法，包括如下步骤：
[0038] 在基板10表面真空溅镀制备阳极20,阳极20的材料可为透明导电氧化物，制备时 的工作压强可为1X 1(Γ5?1X l(T3Pa、磁控溉射速度为1?5nm/s、i贱射的加速电压为300? 800v、溅射的功率密度为10?40w/cm 2 ;
[0039] 在阳极20的表面依次真空蒸发制备空穴注入层30,空穴传输层40,发光层50和 电子传输层60,蒸镀时的工作压强可为1 X ΚΓ5?1 X l(T3Pa，蒸镀速度为0. 1?lnm/s ;
[0040] 在电子传输层60上，用电子束蒸发工艺制备第一电子注入辅助层70,第一电子注 入辅助层60的材料可以为氧化锌；可在工作压强为1 X ΚΓ5?1 X l(T3Pa、电子束的蒸发速 度为0. 1?0. 2nm/s、电子束蒸发的能量密度为10?lOOw/cm2的条件下进行电子束蒸镀；
[0041] 在第一电子注入辅助层70上用热阻蒸发制备第二电子注入辅助层80,第二电子 注入辅助层70的材料为碱金属的氟化物；可在工作压强为1 X ΚΓ5?1 X l(T3Pa进行热阻 蒸镀；
[0042] 在第二电子注入辅助层80上制备阴极90,可在，例如，压强为IX ΚΓ5? 1 X l(T3Pa、蒸镀速度为0. 2?5nm/s的条件下真空蒸镀阴极90。
[0043] 需要指出的是，本发明是实体提供的有机电致发光装置100还可以根据其他要求 添加其他功能层。
[0044] 本发明实施例通过在有机电致发光装置100的电子传输层60和阴极90之间加入 电子注入辅助层（即第一电子注入辅助层70和第二电子注入辅助层80)，可提高电子的注 入能力。其中，第二电子注入辅助层80中的LiF、CsF、LiF、CsF等碱金属化合物，在蒸发时 游离出的Li、Cs原子易于与金属Al、Ag等形成诸如Li-Al的键，从而使电子从阴极90通过 LiF等碱金属化合物注入到有机电致发光装置100中。而采用ZnO作为第一电子注入辅助 层70,这是因为ZnO的导带和价带能级分别为-4. 35eV和-7. 72eV，其导带能级较低，有利 于电子的注入，对于常见的电子传输材料，例如TPBi，其最高已占轨道（Highest Occupied Molecular Orbital，HOMO)能级一般为6. 2eV，因此空穴从TPBi传输到达阴极90时需要克 服ZnO存在带来的势垒，这样能够阻止空穴注入到阴极90中，从而保证更多的载流子在发 光层50中发光。因此，通过设置第一电子注入辅助层70和第二电子注入辅助层80,可使电 子比较容易注入到电子传输层70中，同时控制空穴难以到达阴极90,从而实现有机电致发 光装置100的高光效。
[0045] 下面结合实施例1?4及对比例1对本发明进行更为具体地介绍：
[0046] 实施例1
[0047] 有机电致发光装置的结构为玻璃基板/ITO/CuPc/NPB/Ir (MDQ) 2 (acac) : NPB/ Bphen/ZnO/LiF/Ag 〇
[0048] 该有机电致发光装置的制备包括以下步骤和制备工艺：
[0049] 制备的工作压强为lXl(T3Pa，有机材料的蒸发速度为0. lnm/s，金属的蒸镀速度 为5nm/s，半导体氧化物薄膜的溅射速度为lnm/s，电子束的蒸发速度为0. lnm/s，电子束蒸 发的能量密度为l〇W/cm2,磁控溅射的加速电压为300V，功率密度为lOW/cm 2。
[0050] 在透光基底表面真空溅镀制备阳极，材料为ΙΤ0,厚度为70nm ;
[0051] 在所述阳极表面表面依次蒸发制备空穴注入层，空穴传输层，发光层，电子传输 层。
[0052] 空穴注入层材料为酞菁铜（CuPc)，厚度为30nm，空穴传输层材料为Ν，Ν' -二苯 基-Ν，Ν'-二（1-萘基）-1，Γ -联苯-4, 4'-二胺（NPB)，厚度为20nm，发光层材料为二（2-甲 基-二苯基[f，h]喹喔啉）（乙酰丙酮)合铱（Ir (MDQ)2 (acac))掺杂在主体材料N，Ν'-二苯 基-Ν，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -联苯-4, 4' -二胺（ΝΡΒ)中，Ir (MDQ) 2 (acac)与 ΝΡΒ 的质量 比为10:100,发光层厚度为15nm，电子传输层的材料为4, 7-二苯基-邻菲咯啉（Bphen)，厚 度为30nm。
[0053] 在电子传输层上用电子束蒸发制备第一电子注入辅助层，材料为氧化锌（ZnO)，厚 度为lnm ;
[0054] 在第一电子注入层采用热阻蒸发制备第二电子注入辅助层，材料为氟化锂（LiF)， 厚度为0· 5nm ;
[0055] 在第二电子注入辅助层上蒸发制备阴极，阴极材料为金属银（Ag)，厚度为70nm。
[0056] 测试结果：启动电压3. 5V，发光亮度为lOOOcd/m2时的发光效率为12. 51m/W。
[0057] 实施例2
[0058] 有机电致发光器件的结构为玻璃基板/IZO/ZnPc/TPD/Ir(ppy)3:TPBi/TPBi/ZnO/ CsF/Al。
[0059] 该有机电致发光装置的制备包括以下步骤和制备工艺：
[0060] 制备的工作压强为lXl(T5Pa，有机材料的蒸发速度为0. lnm/s，金属的蒸镀速度 为2nm/s，半导体氧化物薄膜的溅射速度为5nm/s，电子束的蒸发速度为0. 2nm/s，电子束蒸 发的能量密度为l〇〇W/cm2,磁控溅射的加速电压为800V，功率密度40W/cm 2。
[0061] 在透光基底表面真空溅镀制备阳极，材料为ΙΖ0,厚度为200nm ;
[0062] 在所述阳极表面依次蒸发制备空穴注入层，空穴传输层，发光层，电子传输层。
[0063] 空穴注入层材料为酞菁锌（ZnPc)，厚度为10nm，空穴传输层材料为Ν，Ν' -二苯 基-Ν，Ν' -二（3-甲基苯基）-1，Γ -联苯-4, 4' -二胺（--))，厚度为60nm，发光层材料为磷 光材料三（2-苯基吡啶）合铱（Ir(ppy)3)掺杂在主体材料1，3,5_三（1-苯基-1H-苯并咪 唑-2-基）苯（TPBi)中，的质量比为10:100，发光层厚度为2011111，电子传 输层的材料为1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBi)，厚度为60nm。
[0064] 在电子传输层上用电子束蒸发制备第一电子注入辅助层，材料为氧化锌（ZnO)，厚 度为4nm ;
[0065] 在第一电子注入层采用热阻蒸发制备第二电子注入辅助层，材料为氟化铯（CsF)， 厚度为lnm ;
[0066] 在第二电子注入层上制备阴极，阴极材料为金属Ag，厚度为200nm。
[0067] 测试结果：启动电压3. 7V，发光亮度为lOOOcd/m2时的发光效率为14. 41m/W。
[0068] 实施例3
[0069] 有机电致发光器件的结构为玻璃基板/AZ0/V0Pc/m-MTDATA/DCJTB:Alq 3/BCP/ ZnO/NaF/Al-Mg。
[0070] 该有机电致发光装置的制备包括以下步骤和制备工艺：
[0071] 制备的工作压强为lXl(T4Pa，有机材料的蒸发速度为0. lnm/s，金属的蒸发速度 为lnm/s，半导体氧化物薄膜的溅射速度为2nm/s，电子束的蒸发速度为0. 2nm/s，电子束蒸 发的能量密度为60W/cm2,磁控溅射的加速电压为600V，功率密度20W/cm 2。
[0072] 在透光基底表面真空溅镀制备阳极，材料为ΑΖ0,厚度为100nm ;
[0073] 在所述阳极表面依次蒸发制备空穴注入层，空穴传输层，发光层，电子传输层；
[0074] 空穴注入层的材料为酞菁氧钒（VOPc)，厚度为20nm，空穴传输层材料为 4, 4'，4' ' -三（N-3-甲基苯基-N-苯基氨基）三苯胺（m-MTDATA)，厚度为40nm，发光层材料 为荧光材料4-(二腈甲基）-2- 丁基-6- (1，1，7, 7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡 喃（DCJTB)掺杂在主体材料8-羟基喹啉铝（Alq3)中，DCJTB与Alq 3的质量比为1:100,发 光层厚度为lnm，电子传输层的材料为2, 9-二甲基-4, 7-联苯-1，10-邻二氮杂菲（BCP)， 厚度为40nm ;
[0075] 在电子传输层上用电子束蒸发制备第一电子注入辅助层，材料为氧化锌（ZnO)，厚 度为2nm ;
[0076] 在第一电子注入层采用热阻蒸发制备第二电子注入辅助层，材料为氟化钠（NaF)， 厚度为0· 5nm ;
[0077] 在第二电子注入层上制备阴极，阴极材料为Al-Mg合金，厚度为100nm。
[0078] 测试结果：启动电压3. 7V，发光亮度为lOOOcd/m2时的发光效率为8. 21m/W。
[0079] 实施例4
[0080] 有机电致发光器件的结构为玻璃基板/GZ0/Ti0Pc/Me0-Tro/DPVBi/Alq3/Zn0/KF/ Ag-Mg〇
[0081] 该有机电致发光装置的制备包括以下步骤和制备工艺：
[0082] 制备的工作压强为lXl(T4Pa，有机材料的蒸发速度为0. 5nm/s，金属的蒸发速度 为lnm/s，半导体氧化物薄膜的溅射速度为2nm/s，电子束的蒸发速度为0. lnm/s，电子束蒸 发的能量密度为80W/cm2,磁控溅射的加速电压为400V，功率密度20W/cm 2。。
[0083] 在透光基底表面真空溅镀制备阳极，材料为GZ0,厚度为120nm ;
[0084] 在所述阳极表面依次蒸发制备空穴注入层，空穴传输层，发光层，电子传输层，电 子注入层，以及阴极。
[0085] 空穴注入层材料为酞菁氧钛（TiOPc)，厚度为10nm，空穴传输层材料为 N，N，N'，N'_四甲氧基苯基）-对二氨基联苯（MeO-Tro)，厚度为40nm，发光层材料为荧光材 料4,4'-二（2,2-二苯乙烯基）-1，1'-联苯（0?￥8丨），发光层厚度为1511111，电子传输层的材 料为8-羟基喹啉铝（Alq 3)，厚度为35nm ;
[0086] 在电子传输层上用电子束蒸发制备第二电子注入辅助层，材料为氧化锌（ZnO)，厚 度为3nm ;
[0087] 在第二电子注入层采用热阻蒸发制备第一电子注入辅助层，材料为氟化钾（KF)， 厚度为lnm ;
[0088] 在第二电子注入层上制备阴极，阴极材料为Ag-Mg合金，厚度为120nm。
[0089] 测试结果：启动电压3. 9V，发光亮度为lOOOcd/m2时的发光效率为6. 81m/W。
[0090] 对比例1
[0091] 将电子注入辅助层的材料改成有机材料LiF单层结构，厚度为lnm，不采用ZnO作 为电子注入层，其余均同实施例1。
[0092] 测试结果：启动电压3. 8V，发光亮度为lOOOcd/m2时的发光效率为9. 81m/W。
[0093] 本发明实施例中的制备设备为高真空镀膜系统(沈阳科学仪器研制中心有限公 司）。此外，米用美国海洋光学（Ocean Optics)公司的USB4000光纤光谱仪测试电致发光 光谱，采用美国吉时利公司的Keithley2400电流电压测试仪测试电学性能，采用日本柯尼 卡美能达公司的CS-100A色度计测试亮度和色度。
[0094] 图2是实施例1和对比例1的电流密度-电压特性曲线。从图中可以看出，在相 同的驱动电压下，实施例1中的采用双电子注入辅助层的有机电致发光装置，其驱动电流 高于采用单电子注入辅助层的对比例1中的有机电致发光装置，例如，电压在6V时，实施例 1得到的驱动电流密度为82. 5mA/cm2,而采用单电子注入层只得到了 54. 2mA/cm2的驱动电 流。因此，本发明实施例中所采用的双电子注入辅助层更有利于电子的注入，从而可降低有 机电致发光装置的启动电压，并提高其发光效率。
[0095] 以上所揭露的仅为本发明较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范 围，因此依本发明权利要求所作的等同变化，仍属本发明所涵盖的范围。
【权利要求】
1. 一种有机电致发光装置，其特征在于，所述装置包括顺次层叠的基板、阳极、空穴注 入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、第一电子注入辅助层、第二电子注入辅助层和阴 极；所述第一电子注入辅助层的材料为氧化锌，所述第二电子注入辅助层的材料为氟化锂， 氟化铯，氟化钠，氟化钾中的至少一种，所述阴极的材质为银、铝、铝镁合金或者银镁合金。
2. 如权利要求1所述的有机电致发光装置，其特征在于，所述第一电子注入辅助层的 厚度为1?4nm。
3. 如权利要求1所述的有机电致发光装置，其特征在于，所述第二电子注入辅助层的 厚度为〇. 5?2nm。
4. 如权利要求1所述的有机电致发光装置，其特征在于，所述基板为透明基板。
5. 如权利要求1所述的有机电致发光装置，其特征在于，所述阳极的材料为铟锡氧化 物、铟锌氧化物、铝锌氧化物或镓锌氧化物，所述阳极的厚度为70?200nm。
6. 如权利要求1所述的有机电致发光装置，其特征在于，所述空穴注入层的材料为酞 菁锌、酞菁铜、酞菁氧钒、酞菁氧钛，所述空穴注入层的厚度为10_30nm。
7. 如权利要求1所述的有机电致发光装置，其特征在于，所述空穴传输层的材料为 N，N'_ 二苯基-N，N'_二（1-萘基）-1，Γ-联苯-4,4'-二胺、4,4'，4''_三（N-3-甲基苯 基-N-苯基氨基）三苯胺、N，Ν' -二苯基-N，Ν' -二（3-甲基苯基）-1，Γ -联苯-4, 4' -二 胺或Ν，Ν，Ν'，Ν' -四甲氧基苯基-对二氨基联苯，所述空穴传输层的厚度为20-60nm。
8. 如权利要求1所述的有机电致发光装置，其特征在于，所述发光层为4-(二腈甲 基）-2-丁基-6- (1，1，7, 7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、双（4, 6-二氟苯基 吡啶-N，C2)吡啶甲酰合铱、双（4, 6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合铱、二（2-甲 基-二苯基[f，h]喹喔啉）（乙酰丙酮)合铱、三（1-苯基-异喹啉)合铱和三（2-苯基吡啶） 合铱中一种或几种发光材料与主体材料掺杂而成，所述主体材料为CBP (4, 4'-二（9-咔 唑）联苯)、Alq3 (8-羟基喹啉铝)、TPBi (1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯） 或ΝΡΒ (Ν，Ν' -二苯基-N，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -联苯-4, 4' -二胺），所述发光材料与所 述主体材料的质量比为1:100?15:100,或者，所述发光层为4, 4'-二（2, 2-二苯乙烯 基）_1，1'-联苯、DPAVBi(4,4'_双[4-(二对甲苯基氨基）苯乙烯基]联苯）、5,6, 11，12-四 苯基萘并萘和二甲基喹吖啶酮中的至少一种；所述发光层的厚度为1?20nm。
9. 如权利要求1所述的有机电致发光装置，其特征在于，所述电子传输层的材料为 8-羟基喹啉铝、4, 7-二苯基-邻菲咯啉、1，3,5_三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯或 2, 9-二甲基-4, 7-联苯-1，10-邻二氮杂菲，所述电子传输层厚度为20-60nm。
10. -种有机电致发光装置的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 提供基板； 在所述基板表面真空溅镀制备阳极； 在所述阳极表面依次真空蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层； 在所述电子传输层上通过电子束蒸镀制备第一电子注入辅助层，所述第一电子注入辅 助层的材料为氧化锌； 在所述第一电子注入辅助层上通过热阻蒸镀制备第二电子注入辅助层，所述第二电子 注入辅助层的材料为碱金属的氟化物； 在所述第二电子注入辅助层上制备阴极，得到有机电致发光装置。
【文档编号】H01L51/50GK104218161SQ201310210287
【公开日】2014年12月17日 申请日期:2013年5月30日 优先权日:2013年5月30日
【发明者】周明杰, 冯小明, 张振华, 王平 申请人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司