一种有机电致发光器件及其制备方法
【专利摘要】本发明公开了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的基板、阳极、空穴传输层、发光层、掺杂阻挡层、电子传输层、阴极和封装盖板，所述封装盖板和基板形成封闭空间，所述阳极、空穴传输层、发光层、掺杂阻挡层、电子传输层、阴极容置在所述封闭空间内，所述掺杂阻挡层材质为磷酸盐、硼酸盐或锡酸盐和有机材料形成的混合材料，所述掺杂阻挡层可以吸附从电子传输层扩散过来的碱金属离子，使碱金属离子不再向发光层扩散，因而可以提高器件的使用寿命，本发明还公开了该有机电致发光器件的制备方法。
【专利说明】一种有机电致发光器件及其制备方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及有机电致发光领域，特别涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
【背景技术】
[0002] 有机电致发光（Organic Light Emission Diode,以下简称0LED)，具有亮度高、材 料选择范围宽、驱动电压低、全固化主动发光等特性，同时拥有高清晰、广视角，以及响应速 度快等优势，是一种极具潜力的显示技术和光源，符合信息时代移动通信和信息显示的发 展趋势，以及绿色照明技术的要求，是目前国内外众多研究者的关注重点。
[0003] 到目前为止，尽管全世界各国的科研人员通过选择合适的有机材料和合理的器件 结构设计，已使器件性能的各项指标得到了很大的提升，例如采用pn掺杂传输层的工艺， 可以降低器件的启动电压以提高光效，并且有利于寿命的提高。对于电子传输层的η掺杂 而言，通常采用碱金属化合物进行掺杂，这是由于碱金属功函低，容易实现η掺杂效果，但 是往往碱金属离子体积小，扩散能力强，在有机层中的扩散距离长，碱金属离子除了掺杂在 传输层中，还有可能扩散至发光层中，直接导致激子的淬灭，影响器件的光效和寿命。为了 获得长寿命，稳定的有机电致发光装置，有必要解决这一问题。
【发明内容】
[0004] 为解决上述技术问题，本发明提供了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的基 板、阳极、空穴传输层、发光层、掺杂阻挡层、电子传输层、阴极和封装盖板，所述封装盖板和 基板形成封闭空间，所述阳极、空穴传输层、发光层、掺杂阻挡层、电子传输层、阴极容置在 所述封闭空间内，所述掺杂阻挡层的材质为无机酸盐和有机材料形成的混合材料，所述掺 杂阻挡层中的物质对电子传输层扩散过来的碱金属离子进行吸附，使碱金属离子不再向发 光层扩散，避免激子的淬灭，因而可以提高器件的使用寿命，本发明还公开了该有机电致发 光器件的制备方法。
[0005] 第一方面，本发明提供了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的基板、阳极、空 穴注入层、空穴传输层、发光层、掺杂阻挡层、电子传输层、阴极和封装盖板，所述封装盖板 和基板形成封闭空间，所述阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、掺杂阻挡层、电子传输 层、阴极容置在所述封闭空间内，所述掺杂阻挡层的材质为无机酸盐和有机材料形成的混 合材料，所述无机酸盐和所述有机材料的质量比为〇. 01:1?〇. 5:1，所述无机酸盐为磷酸 盐、砸酸盐或锡酸盐，所述有机材料为2_ (4_联苯基）_5_ (4_叔丁基）苯基_1，3, 4_ II惡 二唑（PBD)、（8-羟基喹啉）-铝（Alq3)、4, 7-二苯基-邻菲咯啉（Bphen)、1，3, 5-三（1-苯 基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBi)、2, 9-二甲基-4, 7-联苯-1，10-邻二氮杂菲（BCP)、 3_ (联苯-4-基）-5- (4-叔丁基苯基）-4-苯基-4H-1，2, 4-三唑（TAZ)或双（2-甲基-8-羟 基喹啉-Nl，08)-(1，1'-联苯-4-羟基）铝（BAlq)。
[0006] 优选地，所述掺杂阻挡层厚度为5?25nm。
[0007] 优选地，所述无机酸盐为磷酸钙、四硼酸钠或锡酸钾。
[0008] 优选地，所述电子传输层的材质为碱金属化合物和电子传输材料形成的混合材 料，所述碱金属化合物为碳酸锂（Li 2C03)、叠氮化锂（LiN3)、氟化锂（LiF)、叠氮化铯（CsN3)、 碳酸铯（Cs 2C03)、氟化铯（CsF)、硼氢化钾（KBH4)、碳酸铷（Rb2C0 3)、氮化锂（Li3N)或氟化钠 (NaF)，所述碱金属化合物和电子传输材料的质量比为0. 05:1?0. 5:1。
[0009] 优选地，所述电子传输材料为2- (4-联苯基）(4-叔丁基）苯基-1，3, 4-惡 二唑（PBD)、（8-羟基喹啉）-铝（Alq3)、4, 7-二苯基-邻菲咯啉（Bphen)、1，3, 5-三（1-苯 基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBi)、2, 9-二甲基-4, 7-联苯-1，10-邻二氮杂菲（BCP)、 3_ (联苯-4-基）-5- (4-叔丁基苯基）-4-苯基-4H-1，2, 4-三唑（TAZ)或双（2-甲基-8-羟 基喹啉-Nl，08)-(1，1'-联苯-4-羟基）铝（BAlq)。
[0010] 优选地，所述电子传输层的厚度为40nm?200nm。
[0011] 在制备完阴极后，在阴极上覆盖封装盖板进行封装，便于测试和防止水、氧对器件 的侵蚀。
[0012] 优选地，所述封装盖板和基板通过光固化粘合剂连接形成封闭空间。
[0013] 更优选地，所述光固化粘合剂为光固化聚丙烯酸树脂或光固化环氧树脂。
[0014] 优选地，所述封装盖板为玻璃盖板。
[0015] 优选地，所述基板为普通的透明玻璃。
[0016] 优选地，所述阳极材质为铟锡氧化物（ΙΤ0)、铟锌氧化物（ΙΖ0)、铝锌氧化物（ΑΖ0) 或镓锌氧化物（GZ0)，厚度为70nm?200nm。
[0017] 优选地，所述空穴传输材料为N，N'_二苯基-N，N'-二（1-萘基）-1，Γ-联 苯-4, 4' -二胺（NPB)、4, 4'，4' ' -三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)、Ν, Ν' -二苯基-N, Ν' -二 (3-甲基苯基）-1，Γ -联苯-4, 4' -二胺（TPD)或Ν，Ν，Ν'，Ν' -四甲氧基苯基）-对二氨基 联苯（Me〇-Tro)。
[0018] 优选地，所述空穴传输层厚度为20nm?60nm。
[0019] 优选地，所述发光层的材质为客体材料掺杂到主体材料形成的混合材料,所述客 体材料为4-(二腈甲基）-2-丁基-6- (1，1，7, 7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡 喃（DCJTB)、双（4, 6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合铱（FIrpic)、双（4, 6-二氟苯基吡 啶）-四（1-吡唑基）硼酸合铱（FIr6)、二（2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉）（乙酰丙酮） 合铱（Ir(MDQ)2(acac))、三（1-苯基-异喹啉）合铱（Ir(piq)3)或三（2-苯基吡啶）合 铱（11'(-- 7)3)，所述主体材料为4,4'-二（9-咔唑）联苯（08?)、8-羟基喹啉铝（41%)、 1，3,5-三（1-苯基-1!1-苯并咪唑-2-基）苯〇1^丨）或1^-二苯基4州'-二（1-萘 基）_1，1'-联苯-4, 4'-二胺（NPB)，所述客体材料和主体材料的质量比为0.01:1? 0·15:1。
[0020] 优选地，所述发光层也可以采用荧光材料，所述荧光材料为4, 4' -二（2, 2-二苯乙 烯基）-1，Γ-联苯（DPVBi)、8_羟基喹啉铝（Alq3)、4,4'_双[4_(二对甲苯基氨基）苯乙烯 基]联苯（DPAVBi)、5,6, 11，12-四苯基萘并萘（Rubrene)或二甲基喹吖啶酮（DMQA)。
[0021] 优选地，所述发光层的厚度为lnm?30nm。
[0022] 优选地，所述阴极的材质为银（Ag)、错（A1)、杉（Sm)、镱（Yb)、Mg-Ag合金或Mg-Al 合金，厚度为7〇nm?200nm。
[0023] 更优选地，所述阴极厚度为100nm。
[0024] 优选地，所述空穴注入层的材质为酞菁锌（ZnPc)、酞菁铜（CuPc)、 2-丁嫩了4(4,4'，4''-三（2-萘基苯基氨基）三苯基胺）或（4,4'，4''-三（^3-甲基苯 基-N-苯基氨基）三苯胺（m-MTDATA)。
[0025] 优选地，所述空穴注入层的厚度为5?10nm。
[0026] 本发明提供的有机电致发光器件，在电子传输层与发光层之间设置一个掺杂阻挡 层，所述掺杂阻挡层的材质为无机酸盐和有机材料形成的混合材料，能够对扩散移动至该 层的碱金属离子如Li+，Cs+等进行阻挡。作用原理是Li+，Cs+扩散至掺杂阻挡层内时，掺杂 阻挡层内的阳离子吸收剂(无机酸盐）将对Li+、Cs+进行吸收，阻止掺杂剂离子向发光层的 扩散，因此有利于使用寿命的提商。
[0027] 另一方面，本发明提供了一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步 骤：
[0028] (1)在清洗干净后的基板上采用磁控溅射的方法制备阳极；在阳极上采用热阻蒸 发的方法依次制备空穴注入层、空穴传输层和发光层；
[0029] (2)在所述发光层上制备所述掺杂阻挡层，所述掺杂阻挡层的材质为无机酸盐和 有机材料形成的混合材料，所述无机酸盐和所述有机材料的质量比为〇. 01:1?〇. 5:1，所 述无机酸盐为磷酸盐、硼酸盐或锡酸盐，所述有机材料为2- (4-联苯基)-5- (4-叔丁基)苯 基-1，3, 4-噁二唑、（8-羟基喹啉）-铝、4, 7-二苯基-邻菲咯啉、1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯 并咪唑-2-基）苯、2, 9-二甲基-4, 7-联苯-1，10-邻二氮杂菲、3-(联苯-4-基）-5- (4-叔 丁基苯基）-4-苯基-4H-1，2, 4-三唑或双（2-甲基-8-羟基喹啉-N1，08)-(1, 1'-联 苯-4-羟基）铝；制备时，所述无机酸盐采用电子束蒸发的方法制备，所述有机材料采用 热阻蒸发的方法制备，所述蒸发压强为lXl〇_ 5Pa?lXl(T3Pa，所述电子束蒸发的速率为 0. 01?lnm/s，所述有机材料的蒸发速率为0. lnm/s?2nm/s ;所述电子束蒸发的速率和热 阻蒸发速率的速率比为0.01:1?0.5:1 ;
[0030] (3)在所述掺杂阻挡层上采用热阻蒸发的方法依次制备电子传输层和阴极，然后 在阴极上覆盖封装盖板，所述封装盖板和基板通过粘合剂连接形成封闭空间，将所述阳极、 空穴注入层、空穴传输层、发光层、掺杂阻挡层、电子传输层、阴极容置在所述封闭空间内， 得到所述有机电致发光器件。
[0031] 优选地，所述掺杂阻挡层厚度为5?25nm。
[0032] 优选地，所述无机酸盐为磷酸钙、四硼酸钠或锡酸钾。
[0033] 优选地，所述电子传输层的材质为碱金属化合物和电子传输材料形成的混合材 料，所述碱金属化合物为碳酸锂（Li 2C03)、叠氮化锂（LiN3)、氟化锂（LiF)、叠氮化铯（CsN3)、 碳酸铯（Cs 2C03)、氟化铯（CsF)、硼氢化钾（KBH4)、碳酸铷（Rb2C0 3)、氮化锂（Li3N)或氟化钠 (NaF)，所述碱金属化合物和电子传输材料的质量比为0. 05:1?0. 5:1。
[0034] 优选地，所述电子传输材料为2- (4-联苯基）(4-叔丁基）苯基-1，3, 4-惡 二唑（PBD)、（8-羟基喹啉）-铝（Alq3)、4, 7-二苯基-邻菲咯啉（Bphen)、1，3, 5-三（1-苯 基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBi)、2, 9-二甲基-4, 7-联苯-1，10-邻二氮杂菲（BCP)、 3_ (联苯-4-基）-5- (4-叔丁基苯基）-4-苯基-4H-1，2, 4-三唑（TAZ)或双（2-甲基-8-羟 基喹啉-Nl，08)-(1，1'-联苯-4-羟基）铝（BAlq)。
[0035] 优选地，所述电子传输层的厚度为40nm?200nm。
[0036] 在制备完阴极后，在阴极上覆盖封装盖板进行封装，便于测试和防止水、氧对器件 的侵蚀。
[0037] 优选地，所述封装盖板为玻璃盖板。
[0038] 优选地，所述封装盖板和玻璃基板通过光固化粘合剂连接形成封闭空间。
[0039] 更优选地，所述光固化粘合剂为光固化聚丙烯酸树脂或光固化环氧树脂。
[0040] 优选地，所述基板为普通的透明玻璃。
[0041] 优选地，所述阳极的溉射速率为0· 5nm/s?5nm/s。
[0042] 优选地，所述空穴注入层和空穴传输层的热阻蒸发的条件均为：蒸发压强为 1 X 10 5Pa ?1 X 10 3Pa，蒸发速率为 0· lnm/s ?2nm/s。
[0043] 优选地，所述发光层的蒸镀速率为0. 01nm/s?lnm/s，所述客体材料和主体材料 的蒸镀速率比为1:100?15:100。
[0044] 优选地，所述阴极的热阻蒸发条件均为：蒸发压强为lXl(T5Pa?lXl(T 3Pa，蒸发 速率为 0· 2nm/s ?5nm/s。
[0045] 优选地，制备所述电子传输层时，热阻蒸发所述碱金属化合物，同时热阻蒸发所 述电子传输材料，采用共蒸的方法制备得到所述电子传输层，所述热阻蒸发速度为〇. 1? 5nm/s，其中所述碱金属化合物与电子传输材料的蒸发速率比为0. 05:1?0. 5:1。
[0046] 优选地，所述清洗干燥是将基板放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清 洗干净后依次在使用异丙醇，丙酮在超声波中处理20分钟，然后再用氮气吹干。
[0047] 优选地，所述阳极材质为ΙΤΟ、IZO、AZO或GZO,厚度为70nm?200nm。
[0048] 优选地，所述空穴传输材料为N，N'_二苯基-N，N'_二（1-萘基）_1，Γ-联 苯-4, 4' -二胺（NPB)、4, 4'，4' ' -三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)、Ν, Ν' -二苯基-N, Ν' -二 (3-甲基苯基）-1，Γ -联苯-4, 4' -二胺（ΤΗ))、Ν，Ν，Ν'，Ν' -四甲氧基苯基）-对二氨基联 苯（MeO-TPD)。
[0049] 优选地，所述空穴传输层厚度为20nm?60nm。
[0050] 优选地，所述发光层的材质为客体材料掺杂到主体材料形成的混合材料，所述客 体材料为4-(二腈甲基）-2-丁基-6- (1，1，7, 7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡 喃（DCJTB)、双（4, 6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合铱（FIrpic)、双（4, 6-二氟苯基吡 啶）-四（1-吡唑基）硼酸合铱（FIr6)、二（2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉）（乙酰丙酮） 合铱（Ir(MDQ)2(acac))、三（1-苯基-异喹啉）合铱（Ir(piq)3)或三（2-苯基吡啶）合 铱（11*(-- 7)3)，所述主体材料为4,4'-二（9-咔唑）联苯（08?)、8-羟基喹啉铝（443)、 1，3,5-三（1-苯基-1!1-苯并咪唑-2-基）苯〇1^丨）或1^-二苯基4州'-二（1-萘 基）_1，1'-联苯-4, 4'-二胺（NPB)，所述客体材料和主体材料的质量比为0.01:1? 0·15:1。
[0051] 优选地，所述发光层也可以采用荧光材料，所述荧光材料为4, 4' -二（2, 2-二苯乙 烯基）-1，Γ-联苯（DPVBi)、8_羟基喹啉铝（Alq3)、4,4'_双[4_(二对甲苯基氨基）苯乙烯 基]联苯（DPAVBi)、5,6, 11，12-四苯基萘并萘（Rubrene)或二甲基喹吖啶酮（DMQA)。
[0052] 优选地，所述发光层的厚度为lnm?30nm。
[0053] 优选地，所述阴极的材质为Ag，Al，Sm，Yb，Mg_Ag合金或Mg-Al合金，厚度为70? 200nm，更优选地，厚度为100nm。
[0054] 本发明提供的有机电致发光器件，在掺杂的电子传输层与发光层之间设置一个掺 杂阻挡层，所述掺杂阻挡层的材质为无机酸盐和有机材料形成的混合材料，其能够对扩散 移动至该层的碱金属离子如Li+，Cs+等进行阻挡。作用原理是Li+，Cs+扩散至掺杂阻挡层 内时，掺杂阻挡层内的阳离子吸收剂(无机酸盐）将对Li+、Cs+进行吸收，阻止掺杂剂离子向 发光层的扩散，因此有利于使用寿命的提高。
[0055] 本发明在阴极上设置了封装盖板，可以更好地阻挡外界水、氧对器件的侵蚀，进一 步提1?器件的使用寿命。
[0056] 实施本发明实施例，具有以下有益效果：
[0057] (1)本发明掺杂阻挡层材质为无机酸盐和有机材料形成的混合材料，阻止掺杂剂 离子向发光层的扩散，因此有利于使用寿命的提高；
[0058] (2)本发明在阴极上设置了封装盖板，可以更好地阻挡外界水、氧对器件的侵蚀， 进一步提1?器件的使用寿命。
【专利附图】
【附图说明】
[0059] 为了更清楚地说明本发明的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作 简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施方式，对于本领域普 通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0060] 图1是实施例1有机电致发光器件的结构示意图。
【具体实施方式】
[0061] 下面将结合本发明实施方式中的附图，对本发明实施方式中的技术方案进行清 楚、完整地描述。
[0062] 实施例1
[0063] 一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤：
[0064] (1)提供玻璃基板1，将基板1放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗 干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理20分钟，然后再用氮气吹干；在真空镀膜系统 中，采用磁控溅射的方法，在玻璃基板1上制备阳极2,阳极材质2为ΙΤ0,厚度为100nm ;溅 射速率为0. 5nm/s。然后在真空度为IX l(T4Pa的真空镀膜室中，在阳极2上采用热阻蒸发 的方法依次制备空穴注入层3、空穴传输层4和发光层5,空穴注入层3的材质为ZnPc，厚度 为10nm ;空穴传输层4的材质为NPB ;空穴传输层4厚度为30nm ;发光层5的材质为FIrpic 掺杂到CBP形成的混合材料，FIrpic和CBP的质量比为0. 08:1，厚度为10nm，空穴注入层 3、空穴传输层4的蒸发速率为0. lnm/s ;发光层5中FIrpic的蒸发速率为0. 01，CBP的蒸 发速率为0. 125nm/s ;
[0065] (2)在发光层5上制备掺杂阻挡层6,掺杂阻挡层6的材质为磷酸钙与Bphen按质 量比为0. 01:1形成的混合物，掺杂阻挡层6的厚度为5nm ;磷酸钙盐采用电子束蒸发的方 法制备，Bphen采用热阻蒸发的方法制备，蒸发压强为1 X l(T4Pa，磷酸钙的电子束蒸发的速 率为0· 01nm/s，Bphen的蒸发速率为lnm/s ;
[0066] (3)在掺杂阻挡层6上制备电子传输层7和阴极8,电子传输层7的材质为Bphen和 Cs2C03形成的混合物，Cs2C〇dP Bphen质量比为0. 05: l，Cs2C03的热阻蒸发的速率为0. lnm/ s，Bphen的热阻蒸发速率为lnm/s，电子传输层7的厚度为20nm ;阴极8的材质为Ag，厚度 为lOOnm ;阴极8的蒸发速率为0· 2nm/s。
[0067] (4)在阴极8上覆盖玻璃盖板9,玻璃盖板9通过光固化聚丙烯酸树脂和玻璃基板 1连接，玻璃基板1和玻璃盖板9形成封闭空间，阳极2、空穴注入层3、空穴传输层4、发光 层5、掺杂阻挡层6、电子传输层7和阴极8容置在该封闭空间内。
[0068] 图1为本实施例制备的有机电致发光器件的结构示意图，本实施例制备的有机电 致发光器件，包括依次层叠的玻璃基板1、阳极2、空穴注入层3、空穴传输层4、发光层5、掺 杂阻挡层6、电子传输层7和阴极8和玻璃盖板9。具体结构表示为：
[0069] 玻璃基板 /ITO/ZnPc/NPB/FIrpic:CBP/Ca3(P04)2 :Bphen/Cs2C03 :Bphen/Ag/ 玻璃 盖板，其中，斜杠"/"表不层状结构，Ca3(P04)2 :Bphen和Cs2C03 :Bphen中的冒号"："表不 混合，下同。
[0070] 将制备得到的有机电致发光器件进行测试，测试获得的发光效率是在6V的驱动 电压下，T70寿命是在发光亮度为2000cd/cm 2下，亮度衰减到初始亮度70%时的使用时间。
[0071] 实施例2
[0072] 实施例2的区别和实施例1的区别在于掺杂阻挡层的材质为四硼酸钠和PBD按 质量比为0. 1:1形成的混合材料，四硼酸钠的电子束蒸发速率为0. lnm/s，PBD的热阻蒸发 速率为lnm/s，掺杂阻挡层的厚度为5nm ;电子传输层的材质为Cs2C03和Bphen按质量比为 0. 1:1形成的混合材料，Cs2C03的热阻蒸发的速率为0. lnm/s，Bphen的热阻蒸发速率为lnm/ So
[0073] 实施例3
[0074] 实施例3的区别和实施例1的区别在于掺杂阻挡层的材质为锡酸钾和TPBi按质 量比为0. 2:1形成的混合材料，锡酸钾的电子束蒸发速率为0. 2nm/s，TPBi的热阻蒸发速 率为lnm/s，掺杂阻挡层的厚度为10nm ;电子传输层的材质为&20)3和Bphen按质量比为 0. 1:1形成的混合材料，Cs2C03的热阻蒸发的速率为0. lnm/s，Bphen的热阻蒸发速率为lnm/ So
[0075] 实施例4
[0076] 实施例4的区别和实施例1的区别在于掺杂阻挡层的材质为磷酸钙与Bphenan按 质量比为〇. 2:1形成的混合材料，磷酸|丐的电子束蒸发速率为0. lnm/s, Bphenan的热阻蒸 发速率为〇. 5nm/s,掺杂阻挡层的厚度为15nm ;电子传输层的材质为Cs2C03和Bphen按质 量比为0. 2:1形成的混合材料，Cs2C03的热阻蒸发的速率为0. 2nm/s, Bphen的热阻蒸发速 率为lnm/s。
[0077] 实施例5
[0078] 实施例5的区别和实施例1的区别在于掺杂阻挡层的材质为磷酸钙与Bphenan按 质量比为〇. 4:1形成的混合材料，磷酸|丐的电子束蒸发速率为0. lnm/s, Bphenan的热阻蒸 发速率为〇. 25nm/s,掺杂阻挡层的厚度为20nm ;电子传输层的材质为Cs2C03和Bphen按质 量比为0. 2:1形成的混合材料，Cs2C03的热阻蒸发的速率为lnm/s, Bphen的热阻蒸发速率 为 5nm/s 〇
[0079] 实施例6
[0080] 实施例6的区别和实施例1的区别在于掺杂阻挡层的材质为磷酸钙与Bphenan按 质量比为0. 4:1形成的混合材料，磷酸I丐的电子束蒸发速率为0. lnm/s, Bphenan的热阻蒸 发速率为〇. 25nm/s,掺杂阻挡层的厚度为20nm ;电子传输层的材质为Cs2C03和Bphen按质 量比为0. 4:1形成的混合材料，Cs2C03的热阻蒸发的速率为0. 4nm/s, Bphen的热阻蒸发速 率为lnm/s。
[0081] 实施例7
[0082] 实施例7的区别和实施例1的区别在于掺杂阻挡层的材质为磷酸钙与Bphenan按 质量比为〇. 5:1形成的混合材料，磷酸|丐的电子束蒸发速率为lnm/s，Bphenan的热阻蒸发 速率为2nm/s，掺杂阻挡层的厚度为25nm ;电子传输层的材质为&20)3和Bphen按质量比 为0. 4:1形成的混合材料，Cs2C03的热阻蒸发的速率为0. 4nm/s，Bphen的热阻蒸发速率为 lnm/s〇
[0083] 实施例8
[0084] 实施例8的区别和实施例1的区别在于掺杂阻挡层的材质为磷酸钙与Bphenan按 质量比为〇. 5:1形成的混合材料，磷酸|丐的电子束蒸发速率为0. lnm/s，Bphenan的热阻蒸 发速率为〇. 2nm/s,掺杂阻挡层的厚度为25nm ;电子传输层的材质为Cs2C03和Bphen按质 量比为0. 5:1形成的混合材料，Cs2C03的热阻蒸发的速率为lnm/s, Bphen的热阻蒸发速率 为 2nm/s 〇
[0085] 对比实施例
[0086] 为体现为本发明的创造性，本发明还设置了对比实施例，对比实施例用单一材质 的阻挡层替换实施例1的掺杂阻挡层，对比实施例的阻挡层的材质仅为Bphen，对比实施例 其他层和实施例1相同，对比实施例具体结构为：玻璃基板/ITO/ZnPc/NPB/FIrpic :CBP/ Bphen/Cs2C03 :Bphen/Ag/玻璃盖板，分别对应依次层叠的玻璃基板、阳极、空穴注入层、空 穴传输层、发光层、阻挡层、电子传输层、阴极和玻璃盖板。
[0087] 效果实施例
[0088] 采用光纤光谱仪(美国海洋光学Ocean Optics公司，型号：USB4000)，电流-电压 测试仪(美国Keithly公司，型号：2400)、色度计（日本柯尼卡美能达公司，型号：CS-100A) 测试有机电致发光器件的发光性能数据。
[0089] 表1为实施例1?8和对比实施例所制备的器件的寿命和发光效率数据。
[0090] 表1实施例1?8和对比实施例制备的器件的寿命和发光效率
[0091]
【权利要求】
1. 一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的基板、阳极、空穴注入层、空 穴传输层、发光层、掺杂阻挡层、电子传输层、阴极和封装盖板，所述封装盖板和基板形成 封闭空间，所述阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、掺杂阻挡层、电子传输层、阴极容 置在所述封闭空间内，所述掺杂阻挡层的材质为无机酸盐和有机材料形成的混合材料，所 述无机酸盐和所述有机材料的质量比为0. 01:1?0. 5:1，所述无机酸盐为磷酸盐、硼酸盐 或锡酸盐，所述有机材料为2- (4-联苯基）-5- (4-叔丁基）苯基_1，3, 4-噁二唑、（8-羟 基喹啉）_铝、4, 7-二苯基-邻菲咯啉、1，3,5_三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯、 2, 9_二甲基_4, 7_联苯_1，10-邻二氣杂菲、3_(联苯_4_基）_5_(4_叔丁基苯基）_4_苯 基-4H-1，2, 4-三唑或双（2-甲基-8-羟基喹啉-N1，08)-(1, Γ-联苯-4-羟基）铝。
2. 如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述掺杂阻挡层厚度为5? 25nm〇
3. 如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述无机酸盐为磷酸钙、四硼 酸钠或锡酸钾。
4. 如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子传输层的材质为碱 金属化合物和电子传输材料形成的混合材料，所述碱金属化合物为碳酸锂、叠氮化锂、氟化 锂、叠氮化铯、碳酸铯、氟化铯、硼氢化钾、碳酸铷、氮化锂或氟化钠，所述碱金属化合物和电 子传输材料的质量比为〇. 05:1?0. 5:1。
5. 如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输材料为Ν，Ν' -二 苯基-Ν，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -联苯-4, 4' -二胺、4, 4'，4' ' -三（咔唑-9-基）三苯胺、 乂^-二苯基州州'-二（3-甲基苯基）-1，1'-联苯-4,4'-二胺或^^，^-四甲氧基 苯基） -对二氨基联苯。
6. 如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴注入层的材质为酞 菁锌、酞菁铜、4, 4'，4' ' -三（2-萘基苯基氨基）三苯基胺或（4, 4'，4' ' -三（Ν-3-甲基苯 基-Ν-苯基氨基）三苯胺。
7. 如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述发光层的材质为荧光材 料，或客体材料掺杂到主体材料形成的混合材料，所述客体材料为4-(二腈甲基）-2- 丁 基-6-(1，1，7, 7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4Η-吡喃、双（4, 6-二氟苯基吡啶-Ν，C2)吡 啶甲酰合铱、双（4, 6-二氟苯基吡啶)-四（1-吡唑基)硼酸合铱、二（2-甲基-二苯基[f，h] 喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱、三（1-苯基-异喹啉)合铱或三（2-苯基吡啶）合铱，所述主体材 料为4, 4' -二（9-咔唑）联苯、8-羟基喹啉铝、1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基） 苯或Ν，Ν' -二苯基-N，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -联苯-4, 4' -二胺，所述客体材料和主体材 料的质量比为〇. 01:1?〇. 15:1 ;所述荧光材料为4, 4'-二（2, 2-二苯乙烯基）-1，Γ -联 苯、4, 4'-双[4-(二对甲苯基氨基）苯乙烯基]联苯、5, 6, 11，12-四苯基萘并萘或二甲基 喹吖啶酮。
8. -种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下操作步骤： (1) 在清洗干净后的基板上采用磁控溅射的方法制备阳极；在阳极上采用热阻蒸发的 方法依次制备空穴注入层、空穴传输层和发光层； (2) 在所述发光层上制备所述掺杂阻挡层，所述掺杂阻挡层的材质为无机酸盐和有机 材料形成的混合材料，所述无机酸盐和所述有机材料的质量比为〇. 01:1?〇. 5:1，所述无 机酸盐为磷酸盐、硼酸盐或锡酸盐，所述有机材料为2- (4-联苯基）-5- (4-叔丁基）苯 基-1，3, 4-噁二唑、（8-羟基喹啉）-铝、4, 7-二苯基-邻菲咯啉、1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯 并咪唑-2-基）苯、2, 9-二甲基-4, 7-联苯-1，10-邻二氮杂菲、3-(联苯-4-基）-5- (4-叔 丁基苯基）-4-苯基-4H-1，2, 4-三唑或双（2-甲基-8-羟基喹啉-N1，08)-(1, 1'-联 苯-4-羟基）铝；制备时，所述无机酸盐采用电子束蒸发的方法制备，所述有机材料采用 热阻蒸发的方法制备，所述蒸发压强为1 X l〇_5Pa?1 X l(T3Pa，所述电子束蒸发的速率为 0. 01?lnm/s，所述有机材料的热阻蒸发速率为0. lnm/s?2nm/s ;所述电子束蒸发的速率 和热阻蒸发速率的速率比为0.01:1?0.5:1 ; (3)在掺杂阻挡层上采用热阻蒸发的方法依次制备电子传输层和阴极，然后在阴极上 覆盖封装盖板，所述封装盖板和基板通过粘合剂连接形成封闭空间，将所述阳极、空穴注入 层、空穴传输层、发光层、掺杂阻挡层、电子传输层、阴极容置在所述封闭空间内，得到所述 有机电致发光器件。
9. 如权利要求8所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述掺杂阻挡层 厚度为5nm?25nm。
10. 如权利要求8所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述无机酸盐为 磷酸钙、四硼酸钠或锡酸钾。
【文档编号】H01L51/52GK104218178SQ201310210312
【公开日】2014年12月17日 申请日期:2013年5月30日 优先权日:2013年5月30日
【发明者】周明杰, 冯小明, 黄辉, 王平 申请人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司