半导体封装件及其制造方法

半导体封装件及其制造方法
【专利摘要】一种半导体封装件及其制造方法。半导体封装件包括基板、芯片、包覆材料及散热片。基板具有外侧面。芯片设于基板上。包覆材料包覆芯片且具有上表面及外侧面，包覆材料的外侧面相对基板的外侧面内缩。散热片设于包覆材料的上表面且具有外侧面，散热片的外侧面相对包覆材料的外侧面内缩。
【专利说明】半导体封装件及其制造方法

【技术领域】
[0001]本发明是有关于一种半导体封装件及其制造方法，且特别是有关于一种具有散热片的半导体封装件及其制造方法。

【背景技术】
[0002]受到提升工艺速度及尺寸缩小化的需求，半导体元件变得甚复杂。当工艺速度的提升及小尺寸的效益明显增加时，半导体元件的特性也出现问题。特别是指，较高的工作时脉(clock speed)在信号电平(signal level)之间导致更频繁的转态(transit1n),因而半导体元件的工作负担加重，产生更多的热量，因而导致工作温度上升。
[0003]因此，如何驱散半导体元件产生的热量，成为本【技术领域】业界努力重点之一。


【发明内容】

[0004]本发明是有关于一种半导体封装件及其制造方法，可驱散半导体封装件的热量。
[0005]根据本发明，提出一种半导体封装件。半导体封装件包括一基板、一芯片、一包覆材料及一散热片。基板具有一外侧面。芯片设于基板上。包覆材料包覆芯片且具有一上表面及一第一外侧面，包覆材料的第一外侧面相对基板的外侧面内缩。散热片设于包覆材料的上表面且具有一外侧面，散热片的外侧面相对包覆材料的第一外侧面内缩。
[0006]根据本发明，提出一种半导体封装件的制造方法。制造方包括以下步骤。设置一芯片于一基板上；并列设置一散热片对应于基板；形成一包覆材料于散热片及基板之间，其中包覆材料包覆该芯片且具有一上表面；形成一第一切割道依序经过散热片及包覆材料的一部分，其中散热片形成一外侧面，而包覆材料形成一第一外侧面；蚀刻散热片，使散热片的外侧面相对包覆材料的第一外侧面内缩；形成一第二切割道经过基板及包覆材料的其余部分，其中基板形成一外侧面，且包覆材料的第一外侧面相对基板的外侧面内缩。
[0007]为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图，作详细说明如下:

【专利附图】

【附图说明】
[0008]图1绘示依照本发明一实施例的半导体封装件的剖视图。
[0009]图2A至2H绘示图1的半导体封装件的制造过程图。
[0010]主要元件符号说明:
[0011]100:半导体封装件
[0012]110:基板
[0013]IlOa:封装单元区
[0014]110b、141b:下表面
[0015]110s、140s:外侧面
[0016]110u、130u、141u:上表面
[0017]120:芯片
[0018]121:焊球
[0019]130:包覆材料
[0020]130sl:第一外侧面
[0021]130s2:第二外侧面
[0022]140:散热片
[0023]141:铜层
[0024]141s:第三外侧面
[0025]1411、1421:毛边
[0026]142:金属层
[0027]150:电性接点
[0028]Pl:第一切割道
[0029]P2:第二切割道
[0030]Tl:第一刀具
[0031]T2:第二刀具
[0032]W1、W2:宽度

【具体实施方式】
[0033]请参照图1，其绘示依照本发明一实施例的半导体封装件的剖视图。半导体封装件100包括基板110、芯片120、包覆材料130、散热片140及电性接点150。
[0034]芯片120是以其主动面朝下方位设于基板110上并透过至少一凸块121电性连接于基板110，此种电性连接芯片120与基板110的方式称为覆晶技术。另一例中，芯片120可以其主动面朝上方位设于基板110上并透过至少一焊线电性连接于基板110。
[0035]包覆材料130覆盖基板110的上表面IlOu且包覆芯片120。包覆材料130具有上表面130u及外侧面，其中外侧面包含第一外侧面130sl及第二外侧面130s2。由于第一外侧面130sl及第二外侧面130s2分别于二道不同切割工艺形成，因此第一外侧面130sl与第二外侧面130s2之间形成一横向段差。本例中，第一外侧面130sl相对第二外侧面130s2内缩。此外，由于第二外侧面130s2与基板110的外侧面IlOs于同一道切割工艺形成，因此第二外侧面130s2与基板110的外侧面IlOs实质上对齐，如齐平。
[0036]包覆材料130可包括酌.醒基树脂(Novolac-based resin)、环氧基树脂(epoxy-based resin)、娃基树脂(silicone-based resin)或其他适当的包覆剂。包覆材料130亦可包括适当的填充剂，例如是粉状的二氧化硅。可利用数种封装技术形成包覆材料，例如是压缩成型(compress1n molding)、液态封装(liquid encapsulat1n)、注射成型(inject1n molding)或转注成型(transfer molding)。
[0037]散热片140设于包覆材料130的上表面130u且具有外侧面140s。透过蚀刻移除散热片140的侧面材料，可使散热片140的蚀刻后的外侧面140s相对包覆材料130的第一外侧面130sl内缩。此外，透过蚀刻也可减少因为切割散热片140所导致的毛边量，最小可获得3英丝(mil)以下的毛边量。当毛边量控制在3英丝以下时，用手几乎感觉不到毛边。
[0038]散热片140包含铜层141及金属层142，其中金属层142形成于铜层141的上表面141u。在蚀刻散热片140工艺中，蚀刻液会移除铜层141的材料，使铜层141形成一第三外侧面141s，第三外侧面141s是内凹曲面；由于蚀刻液对金属层142不会产生作用或仅产生微小作用，因此于蚀刻后，金属层142几乎完整地覆盖铜层141的上表面141u，以保护铜层141。金属层142可以是单层或多层结构。以多层结构来说，金属层142可包含镍层及铬层，其中镍层形成于铜层141与铬层之间，作为铬层电镀于铜层上的介质，其中铬层为高硬度材料，具有耐磨及防刮特性。另一实施例中，金属层142的材料不限于镍及铬。另一例中，铜层141的上表面141u及下表面141b可分别形成有金属层142。
[0039]电性接点150例如是焊球、接垫、导电柱或凸块，本例是以焊球为例说明。电性接点150形成于基板110的下表面110b。芯片120可透过基板110及电性接点150电性连接一外部电路元件，如电路板、芯片或半导体封装件。
[0040]请参照图2A至2H，其绘示图1的半导体封装件的制造过程图。
[0041]如图2A所不,提供基板110,其中基板110例如是长条基板,具有上表面IlOu,且定义多个封装单元区IlOa在上表面IlOu上。
[0042]如图2B所示，以例如是覆晶技术，设置至少一芯片120于基板110的上表面IlOu上，其中芯片120位于对应的封装单元区IlOa上。
[0043]如图2C所示，并列设置基板110与散热片140于下模具10的模穴1a内，其中基板110与散热片140是相对。模穴1a包括第一子模穴1al及第二子模穴10a2，第一子模穴1al的宽度大于第二子模穴10a2,使第一子模穴1al形成一承载面10u。基板110设于承载面1u上，而散热片140设于第二子模穴10a2的底面1b上。
[0044]下模具10具有数个吸气道11，其连通一真空源，可吸住散热片140，避免散热片140轻易位移。下模具10具有至少一第一定位件12，例如是定位销，而基板110具有至少一第二定位件111，例如是定位孔。基板110透过第二定位件111与第一定位件12的结合而定位于下模具10上。
[0045]本例中，散热片140是多层结构，其包括铜层141及金属层142，金属层142形成于铜层141的上表面141u上。另一例中，散热片140包括铜层141及二金属层142，其中二金属层142分别形成于铜层141的上表面141u与下表面141b ;或者,散热片140的所有外表面都可形成有金属层142。
[0046]如图2C所示，合模一上模具20与下模具10，以将基板110抵压于上模具20与下模具10之间。上模具20抵压在基板110上，可避免基板110脱离下模具10。此外，上模具20具有数个吸气道21，其连通一真空源，可吸住基板110，避免基板110轻易位移。
[0047]如图2D所示，形成包覆材料130于基板110与散热片140之间的空间，其中包覆材料130包覆芯片120。
[0048]然后，分离上模具20与下模具10，以露出散热片140及基板110，以利后续的切割步骤。
[0049]如图2E所示，形成至少一第一切割道Pl依序经过散热片140及包覆材料130的部分厚度(即不切断包覆材料130)，其中散热片140及包覆材料130分别形成外侧面140s及第一外侧面130sl。本例中，第一切割道Pl是以由刀具Tl切割形成为例说明。由于刀具切割的因素，散热片140的铜层141及金属层142分别产生毛边1411及1421，此时的毛边量很大(大于20英丝)，用手可明显感觉出毛边。刀具Tl例如是圆巨(saw)，其以旋转方式进行切割。此外，切割前，可先转置基板110，使散热片140朝上，以利刀具的进刀。
[0050]如图2F所示，蚀刻散热片140。由于蚀刻液会侵蚀散热片140的铜层141，使铜层141的外侧面相对包覆材料130的第一外侧面130sl内缩,而形成第三外侧面141s,连带地也移除掉铜层141的毛边1411。本例中，铜层141的第三外侧面141s被蚀刻成内凹曲面。由于铜层141的毛边1411被移除，使金属层142的毛边1421失去支撑基础而悬空，因此在外力稍微作用下很容易脱离散热片140。
[0051]如图2G所示，形成至少一电性接点150于基板110的下表面110b。此外，形成电性接点150前，可先转置基板110，使基板110朝上，进而使电性接点150容易形成。
[0052]如图2H所示，可采用刀具或激光，形成至少一第二切割道P2经过整个基板110及包覆材料130的其余厚度，以切断基板110及包覆材料130，而形成至少一如图1所示的半导体封装件100。本实施例是以第二刀具T2完成切割。由于上述转置步骤，使第二刀具T2可依序经过基板110及包覆材料130而形成半导体封装件100。
[0053]在形成第二切割道P2过程中，毛边1421可能因为刀具的切割力作用而脱离散热片140。当毛边1421脱离散热片140后，散热片140的毛边量可降至3英丝以下，用手几乎感觉不到毛边
[0054]一实施例中，在形成第二切割道P2时可以液体(例如是水或冷却液)清洗，除了可以冷却切割所增加的温度外，亦可让毛边1421脱离散热片140。进一步地说，由于金属层142的毛边1421悬空而薄弱，故在液体冲洗下便脱离散热片140，藉以降低散热片140的毛边量，使散热片140的毛边量可降至3英丝以下，用手几乎感觉不到毛边。
[0055]本发明实施例的毛边的脱落方式不限于切割及/或清洗。由于金属层142的毛边1421因悬空而薄弱，因此只要稍加施以外力，毛边1421即可脱离散热片140。此处的外力可产生自切割、液体作用、气体作用(如喷气)、磨削(如砂纸、挫刀或其它合适的磨削工具)、加热、振动与压力中一者或其组合。
[0056]第二切割道P2形成后，基板110与包覆材料130分别形成外侧面IlOs及第二外侧面130s2，其中外侧面IlOs与第二外侧面130s2大致上对齐，如齐平。由于第二刀具T2的宽度W2小于第一刀具Tl的宽度Wl (图2E)，使第二切割道P2形成后，包覆材料130的第一外侧面130sl相对第二外侧面130s2是内缩。一例中，第二刀具T2的宽度W2约0.25毫米，而第一刀具Tl的宽度Wl (图2E)约0.5毫米。
[0057]综上所述，虽然本发明已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明。本发明所属【技术领域】中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰。因此，本发明的保护范围当视权利要求书所界定者为准。
【权利要求】
1.一种半导体封装件，包括: 一基板，具有一外侧面； 一芯片，设于该基板上； 一包覆材料，包覆该芯片且具有一上表面及一第一外侧面，该包覆材料的该第一外侧面相对该基板的该外侧面内缩；以及 一散热片，设于该包覆材料的该上表面上且具有一外侧面，该散热片的该外侧面相对该包覆材料的该第一外侧面内缩。
2.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该包覆材料更包括一第二外侧面，其中该包覆材料的该第一外侧面相对该包覆材料的该第二外侧面内缩，而该第二外侧面与该基板的该外侧面对齐。
3.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该散热片包括: 一铜层，设于该包覆材料的该上表面上且具有一上表面；以及 一金属层，形成于该铜层的该上表面。
4.如权利要求3所述的半导体封装件，其特征在于，该铜层具有一第三外侧面，该铜层的该第三外侧面是一内凹曲面。
5.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该散热片包括: 一铜层，具有相对的一上表面与一下表面；以及 二金属层，分别形成于该铜层的该上表面与该下表面。
6.一种半导体封装件的制造方法，包括: 设置一芯片于一基板上； 并列设置一散热片对应于该基板； 形成一包覆材料于该散热片及该基板之间，其中该包覆材料包覆该芯片，且具有一上表面； 形成一第一切割道依序经过该散热片及该包覆材料的一部分，其中该散热片形成一外侧面,而该包覆材料形成一第一外侧面； 蚀刻该散热片，使该散热片的该外侧面相对该包覆材料的该第一外侧面内缩；以及形成一第二切割道经过该基板及该包覆材料的其余部分，其中该基板形成一外侧面，且该包覆材料的该第一外侧面相对该基板的该外侧面内缩。
7.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，于形成该第一切割道依序经过该散热片及该包覆材料的该部分的步骤后，该散热片形成一毛边； 于蚀刻该散热片的步骤中，该毛边被移除。
8.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，于并列设置该散热片对应于该基板的步骤中，该散热片包括一铜层及一金属层，其中该铜层设于该包覆材料的该上表面上且具有一上表面，而该金属层形成于该铜层的该上表面上； 于形成该第一切割道依序经过该散热片及该包覆材料的该部分的步骤后，该铜层及该金属层各形成一毛边；于蚀刻该散热片的步骤中，该铜层的该毛边被移除；于形成该第二切割道经过该基板及该包覆材料的其余部分的过程中，该金属层的该毛边脱落。
9.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于，该铜层具有一第三外侧面，该铜层的该第三外侧面是一内凹曲面。
10.如权利要求6所述的制造方法,其特征在于，该第一切割道具有一第一宽度，该第二切割道具有一第二宽度，其中该第一宽度大于该第二宽度。
【文档编号】H01L21/56GK104377179SQ201310357681
【公开日】2015年2月25日 申请日期:2013年8月15日 优先权日:2013年8月15日
【发明者】翁承谊 申请人:日月光半导体制造股份有限公司