发光二极管的制造方法
【专利摘要】一种发光二极管的制造方法，包括以下步骤：提供具有反射杯的基板及发光二极管晶粒，将发光二极管晶粒置于反射杯的通孔内；提供具有第一模穴及第一模道的第一模具，将第一模具设置在反射杯的顶端，使第一模穴对应反射杯的通孔；提供第一填料并将其填满第一模穴及第一模道，固化第一填料，使其形成一透光层后移除第一模具；提供具有第二模穴及第二模道的第二模具，将第二模具设置反射杯的顶端并使第二模具的第二模穴正对透光层收容于第一模具的第一模穴的部分、第二模道收容透光层收容于第一模具的第一模道的部分；提供第二填料，将第二填料填满第二模穴及第二模道，然后固化第二填料以形成荧光层并移除第二模具。
【专利说明】发光二极管的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种半导体元件的制造方法，特别涉及一种发光二极管的制造方法。【背景技术】
[0002] 传统的发光二极管的制造方法包括如下步骤：提供一表面凹陷有若干贯穿孔的基 板及若干发光二极管芯片，并将这些发光二极管芯片分别贴设在对应的贯穿孔中，然后通 过点胶的方式逐个的将这些贯穿孔填满胶体，最后固化这些胶体，从而使这些胶体形成围 设所述发光二极管芯片于其内的封装层。通常，这些胶体由透明胶混合荧光粉形成。为保 证发光二极管芯片能够被完全密封，贯穿孔通常深度较大，如此，填充于其内的胶体固化需 要经过较长的一段时间。因此，在胶体固化的过程中，在重力作用下，其内部的荧光粉容易 沉积到胶体底部，如此，导致发光二极管的性能达不到预期的要求。
【发明内容】
[0003] 有鉴于此，有必要提供一种够保障发光二极管的性能的发光二极管的制造方法。
[0004] 一种发光二极管的制造方法，包括以下步骤： 提供具有反射杯的基板及发光二极管晶粒，所述反射杯具有通孔，将发光二极管晶粒 设置于基板上对应的发射杯的通孔内； 提供具有第一模穴及连通所述第一模穴的第一模道的第一模具，将所述第一模具设置 在所述反射杯的顶端，使所述第一模穴对应所述反射杯的通孔； 提供第一填料，并将所述第一填料通过所述第一模道注入所述第一模穴中，直至完全 填满所述第一模穴及第一模道，然后固化所述第一填料，使其形成一透光层后移除所述第 一模具； 提供具有第二模穴及连通所述第二模穴的第二模道的第二模具，将所述第二模具设置 所述反射杯的顶端并使所述第二模具的第二模穴正对所述透光层收容于第一模具的第一 模穴的部分、第二模道收容所述透光层收容于第一模具的第一模道的部分； 提供第二填料，将所述第二填料自所述第二模具的第二模道注入第二模具直至填满 第二模具的第二模穴及第二模道，然后固化所述第二填料以形成荧光层并移除所述第二模 亘. ，N9 沿反射杯的杯体自上而下切割所述荧光层、透光层及反射杯而得到发光二极管。
[0005] 本发明中，因荧光层为仅设置在透光层的上方的一薄层，因此，其厚度相对传统 的突光层薄，其固化时间短，分布于其内的突光粉不易沉积而均勻分布，因此，发光二极管 晶粒发出的光线激发荧光粉后自均匀出射，从而保障了发光二极管具有均匀出光的良好性 能。
【专利附图】
【附图说明】
[0006] 图1至图12为本发明较佳实施例的发光二极管制造过程的示意图。
[0007] 主要元件符号说明
【权利要求】
1. 一种发光二极管的制造方法，包括以下步骤： 提供具有反射杯的基板及发光二极管晶粒，所述反射杯具有通孔，将发光二极管晶粒 设置于基板上对应的发射杯的通孔内； 提供具有第一模穴及连通所述第一模穴的第一模道的第一模具，将所述第一模具设置 在所述反射杯的顶端，使所述第一模穴对应所述反射杯的通孔； 提供第一填料，并将所述第一填料通过所述第一模道注入所述第一模穴中，直至完全 填满所述第一模穴及第一模道，然后固化所述第一填料，使其形成一透光层后移除所述第 一模具； 提供具有第二模穴及连通所述第二模穴的第二模道的第二模具，将所述第二模具设置 所述反射杯的顶端并使所述第二模具的第二模穴正对所述透光层收容于第一模具的第一 模穴的部分、第二模道收容所述透光层收容于第一模具的第一模道的部分； 提供第二填料，将所述第二填料自所述第二模具的第二模道注入第二模具直至填满 第二模具的第二模穴及第二模道，然后固化所述第二填料以形成荧光层并移除所述第二模 亘. V N 9 沿反射杯的杯体自上而下切割所述荧光层、透光层及反射杯而得到发光二极管。
2. 如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述第一模穴为自厚度 方向上贯穿所述第一模具的圆柱状通孔，所述第一模穴的孔径小于或等于所述反射杯的通 孔的孔径且正对所述通孔。
3. 如权利要求2所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述第一模道为自厚度 方向上贯穿所述第一模具且沿长度方向上连通所述第一模穴的一狭长通槽，所述第一模道 的长度等于所述第一模具的长度，所述第一模道的宽度远小于所述第一模穴的孔径。
4. 如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述第一填料为软性材 料，肖氏硬度为Shore A 20。
5. 如权利要求4所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述第一填料为未添加 荧光粉的纯硅胶或环氧树脂。
6. 如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述第二模穴为自厚度 方向上贯穿所述第二模具的圆柱状通孔，所述第二模道为自厚度方向上贯穿所述第二模具 且沿长度方向上连通所述第二模穴的一狭长通槽，所述第二模道的长度等于所述第二模具 的长度，所述第二模道的宽度远小于所述第二模穴的孔径。
7. 如权利要求6所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述第二模道的宽度较 第一模道的宽度大，第二模道的深度较第一模具的深度大、第二模穴的深度较第一模穴的 深度大，所述透光层超出反射杯的部分中，对应第一模具的第一模穴的部分收容在第二模 具的第二模穴底部，对应第一模具的第一模道的部分收容在第二模道的底端中部。
8. 如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述第二填料为掺杂有 荧光粉的硅胶或环氧树脂。
9. 如权利要求8所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述第二填料的肖氏硬 度为 Shore A 70 或 Shore D。
【文档编号】H01L33/48GK104425671SQ201310366437
【公开日】2015年3月18日 申请日期:2013年8月21日 优先权日:2013年8月21日
【发明者】罗杏芬, 陈隆欣, 张超雄, 陈滨全 申请人:展晶科技(深圳)有限公司, 荣创能源科技股份有限公司