专利名称：一种贴面封装二极管的制作方法
技术领域：
本实用新型属于电子技术领域，具体地说，特别涉及一种贴面封装二极管。
背景技术：
目前，贴面封装二极管的需求量和发展都非常迅速，随着产品线路板小型化发展，封装二极管产品小型化发展也成为趋势，特别是超薄型贴面封装二极管发展更为迅速。目前并联封装二极管一般使用两颗普通二极管产品并联后封装一起，但是这种结构受到两个二极管特性的差异性影响，使两个二极管上的正向压降不一致，造成两颗二极管上的电流分布不均匀，从而造成产品的并联失效。
实用新型内容本实用新型所要解决的技术问题在于提供一种实现双胞胎型肖特基硅芯片封装的贴面封装二极管。本实用新型的技术方案如下:一种贴面封装二极管，具有硅芯片(1)，该硅芯片
(I)为双胞胎型的肖特基硅芯片，在硅芯片(I)的上端面并排分布有两个输入点，硅芯片
(I)的底面为输出面，在所述硅芯片(I)上端面设置有一对薄片形的上料片(2)，该对上料片(2)的一端分别与硅芯片(I)上端面的两个输入点接触固定，在所述硅芯片(I)的下端面设置有一个薄片形的下料片(3)，该下料片(3)与硅芯片(I)底面的输出面固定；所述硅芯片(I)、上料片(2)及下料片(3)的外部注塑封装有扁平的胶体(4)，其中，硅芯片(I)、上料片(2)及下料片(3)的一端位于胶体(4)内部，上料片(2)及下料片(3)的另一端分别从封装胶体左右侧面的底端伸出。采用以上技术方案，通过将双胞胎型的肖特基硅芯片上端两个输入点分别与一对上料片接触固定，硅芯片的底面与下料片接触固定，并在硅芯片、上料片及下料片的外部注塑胶体，使上料片及下料片的另一端分别从胶体左右侧面的底端伸出，形成两个输入点和一个输出点，从而实现了双胞胎式的肖特基硅芯片封装，这样，就可以达到并联二极管上压降差低的，电流均匀的要求。并且封装后整体为扁平的实体结构，体积小，便于安装，也符合电子产品小型化的发展趋势。所述下料片(3)为长方形的铜片，在下料片(3)的一条短边上伸出有外触片(5)，在下料片(3)板面的中部设置有方形的标识框(6)，该标识框(6)的形状、大小与硅芯片(I)底面的形状、大小一致。在下料片的一条短边上设置外触片后，可以方便封装后的二极管与外部电路板等的连接安装，而在下料片的板面中部设置标识框可为硅芯片底面放置安装在下料片上提供一个引导和限制，使硅芯片的安装位置更加合理。所述上料片(2)为弯折形铜片，由上平段、斜段和下平段构成，在上料片(2)上平段的下端面一体凸出形成有圆形的安装点(7)，该安装点(7)与硅芯片(I)上端的输入点接触固定。上料片为弯折形的铜片，可使上料片的一端能与硅芯片的上端接触固定，又能使上料片的另一端从胶体侧面的底部伸出，方便安装。而由于硅芯片上端的接触点为圆形，所以上料片上平段上的安装点为凸出的圆形安装点，这样接触固定更合理，安装更牢靠。所述硅芯片(I)的底面通过锡焊(8 )焊接固定在下料片(3 )的标识框(6 )内，硅芯片(I)上端面的输入点通过锡焊(8)分别与两个上料片(2)的安装点(7)焊接固定。锡焊为普遍使用的电子元件固定方式，其既能固定又能导电，且容易实现。所述上料片(2)下平段的底面与下料片(3)的底面位于同一平面上，并且上料片(2 )下平段的底面与下料片(3 )的底面均露于胶体(4 )的底端，上料片(2 )下平段的外端伸出胶体(4)的侧面，下料片(2)的外触片(5)伸出胶体的另一侧面。上料片下平段的底面与下料片的底面均露于胶体的底端，这样的结构设计有利于上料片、下料片及硅芯片上热量的散发，延长电子元件的使用寿命。所述胶体(4)为环氧树脂。环氧树脂对金属和非金属材料的表面具有优异的粘接强度，介电性能良好，变定收缩率小，制品尺寸稳定性好，硬度高，柔韧性较好，对碱及大部分溶剂稳定，非常适合作为电子元件封装材料。本实用新型的有益效果如下:I)通过在双胞胎型的肖特基硅芯片的输入点与上料片接触固定，硅芯片的底面与下料片接触固定，并通过注塑封装，在胶体左右侧面的底端形成两个输入点和一个输出点，实现了双胞胎式的肖特基硅芯片封装，从而也使并联二极管上的压降差小，电流更均匀。2)封装后的整体为扁平的实体结构，体积小，节省安装空间，符合电子产品小型化的发展趋势。3)上料片下平段的底面与下料片的底面均露于胶体的下端，这样的结构设计有利于上料片、下料片及硅芯片上的热量的散发，延长电子元件的使用寿命。
图1为本实用新型的结构示意图。图2为上料片的结构示意图。图3为下料下的结构示意图。图4国图1中A—A截面的首I]视图。图5为上、下料片和硅芯片的安装示意图。
具体实施方式
以下结合附图和实施例对本实用新型作进一步说明:如图1、图3、图4和图5所示，本实用新型由硅芯片1、上料片2、下料片3、胶体4、外触片5、标识框6、安装点7和锡焊8构成。其中，硅芯片I为双胞胎型的肖特基硅芯片，硅芯片I的形状为长方体形。在硅芯片I的底面设置有下料片3，该下料片3为长方形的铜片，在下料片3的一条短边上伸出有外触片5，外触片5较下料片3窄。在下料片3板面的中部设置有方形的标识框6，该标识框6的形状、大小均与硅芯片I底面的形状、大小一致。所述硅芯片I的底面放置在下料片3的标识框6中，并且与下料片3通过锡焊焊接固定。在所述硅芯片I的上端面设置有两个输入接触点，并且两个输入接触点为并前后排分布的圆形接触点；硅芯片I的底面为输出接触面。如图1-图5所示，在硅芯片I的上端面设置有一对薄片形的上料片2，该对上料片2为弯折形的铜片，并且上料片2由上平段、斜段和下平段三段连接一体构成，在上料片2上平段的下端面一体凸出形成有圆形的安装点7，该安装点7与硅芯片I上端的输入点之间通过锡焊焊接固定。所述上料片2下平段的底面与下料片3的底面位于同一平面上。在所述硅芯片1、上料片2及下料片3的外部注塑封装有胶体4，该胶体4为环氧树脂，封装后的胶体4为扁平的长方体形，其中，硅芯片1、上料片2及下料片3的一端位于胶体4内部，上料片2下平段的外端伸出胶体4的侧面，下料片2的外触片5伸出胶体的另一侧面，并且上料片2下平段的底面与下料片3的底面均露于胶体4的底端。
权利要求1.一种贴面封装_■极管，具有娃芯片(I )，该娃芯片(I)为双胞胎型的肖特基娃芯片，在硅芯片(I)的上端面并排分布有两个输入点，硅芯片(I)的底面为输出面，其特征在于:在所述硅芯片(I)上端面设置有一对薄片形的上料片(2)，该对上料片(2)的一端分别与硅芯片(I)上端面的两个输入点接触固定，在所述硅芯片(I)的下端面设置有一个薄片形的下料片(3)，该下料片(3)与硅芯片(I)底面的输出面固定；所述硅芯片(I)、上料片(2)及下料片(3)的外部注塑封装有扁平的胶体(4)，其中，硅芯片(I)、上料片(2)及下料片(3)的一端位于胶体(4)内部，上料片(2)及下料片(3)的另一端分别从封装胶体左右侧面的底端伸出。
2.如权利要求1所述的贴面封装二极管，其特征在于:所述下料片(3)为长方形的铜片，在下料片(3)的一条短边上伸出有外触片(5)，在下料片(3)板面的中部设置有方形的标识框(6)，该标识框(6)的形状、大小与硅芯片(I)底面的形状、大小一致。
3.如权利要求1所述的贴面封装二极管，其特征在于:所述上料片(2)为弯折形铜片，由上平段、斜段和下平段构成，在上料片(2)上平段的下端面一体凸出形成有圆形的安装点(7)，该安装点(7)与硅芯片(I)上端的输入点接触固定。
4.如权利要求2或3所述的贴面封装二极管，其特征在于:所述硅芯片(I)的底面通过锡焊(8)焊接固定在下料片(3)的标识框(6)内，硅芯片(I)上端面的输入点通过锡焊(8)分别与两个上料片(2)的安装点(7)焊接固定。
5.如权利要求2或3所述的贴面封装二极管，其特征在于:所述上料片(2)下平段的底面与下料片(3)的底面位于同一平面上，并且上料片(2)下平段的底面与下料片(3)的底面均露于胶体(4)的底端，上料片(2)下平段的外端伸出胶体(4)的侧面，下料片(2)的外触片(5)伸出胶体的另一侧面。
6.如权利要求5所述 的贴面封装二极管，其特征在于:所述胶体(4)为环氧树脂。
专利摘要本实用新型公开了一种贴面封装二极管，具有硅芯片(1)，该硅芯片(1)为双胞胎型的肖特基硅芯片，在所述硅芯片(1)上端面设置有一对薄片形的上料片(2),在所述硅芯片(1)的下端面设置有一个薄片形的下料片(3)；所述硅芯片(1)、上料片(2)及下料片(3)的外部通过注塑封装，上料片(2)及下料片(3)的一端分别从封装胶体左右侧面伸出。本实用新型通过双胞胎型的肖特基硅芯片注塑封装，以双胞胎型的肖特基硅芯片为芯片的封装二极管使并联二极管上的压降差小，电流更均匀。
文档编号H01L29/872GK203038929SQ20132002541
公开日2013年7月3日 申请日期2013年1月17日 优先权日2013年1月17日
发明者张力, 安国星 申请人:重庆平伟实业股份有限公司