Led封装结构的制作方法

文档序号:7031706阅读:161来源:国知局
Led封装结构的制作方法
【专利摘要】本申请公开了一种LED封装结构,包括:设置有内凹容置槽的绝缘基座;嵌设于所述绝缘基座底部的基板,所述基板的上表面外露于所述容置槽内;容置于所述容置槽内且固定于所述基板上表面的LED芯片;采用高反射材料喷涂于所述容置槽底部的高反射层,所述高反射层的上表面平行或低于所述LED芯片的上表面;以及填充于所述容置槽内并覆盖所述LED芯片上表面的荧光胶层。本申请的LED封装结构通过设置高反射层有效提高LED器件的光通量,增强LED器件的稳定性及其使用寿命。
【专利说明】LED封装结构
【技术领域】
[0001]本申请涉及LED封装【技术领域】,尤其涉及一种LED封装结构。
【背景技术】
[0002]发光二极管(Light Emitting Diode,简称LED)是一种可直接把电转化为可见光的固态的半导体器件,与同类产品相比,其因功耗低、寿命长、光效高、无辐射、体积小且响应时间短等优点而逐渐成为主流的光源器件。
[0003]现有LED的封装方式是采用固晶焊线工艺将LED芯片固定于设置有基板的LED支架上,并在LED芯片表面涂覆荧光胶,以最终形成LED器件。
[0004]发明人在具体实施过程中,发现现有技术的LED封装结构至少存在如下技术问题:
[0005]1、这种LED封装结构的光利用率较低,光效较差,影响LED的整体性能,限制了 LED的推广应用;
[0006]2、由于LED在点亮时温度高达125°C,基板受高温易被氧化,影响LED器件的稳定性及使用寿命。

【发明内容】

[0007]本申请提供一种LED封装结构,具有高光通量及高稳定性,且使用寿命长。
[0008]本申请提供一种LED封装结构,包括:
[0009]设置有内凹容置槽的绝缘基座;
[0010]嵌设于所述绝缘基座底部的基板,所述基板的上表面外露于所述容置槽内;
[0011]容置于所述容置槽内且固定于所述基板上表面的LED芯片;
[0012]采用高反射材料喷涂于所述容置槽底部的高反射层,所述高反射层的上表面平行或低于所述LED芯片的上表面;以及
[0013]填充于所述容置槽内并覆盖所述LED芯片上表面的荧光胶层。
[0014]进一步地,所述绝缘基座采用热固性材料。
[0015]进一步地,所述热固性材料为玻璃纤维、聚邻苯二甲酰胺、环氧树脂、硅胶或硅树脂。
[0016]进一步地,所述基板为金属基板。
[0017]进一步地,所述金属基板为镀银或镀金的高导热铜板,或者为镀银或镀金的合金铜板。
[0018]进一步地,所述LED芯片通过金线与所述基板的引脚相连。
[0019]本申请的有益效果是:
[0020]通过提供一种LED封装结构,于绝缘基座内喷涂高反射材料形成高反射层,一方面可利用高反射材料提高LED的整体光通量,另一方面还可利用高反射层保护基板不被氧化,进而有效提闻LED的稳定性及使用寿命。【专利附图】

【附图说明】
[0021]图1为本申请LED封装结构的结构示意图。
【具体实施方式】
[0022]下面通过【具体实施方式】结合附图对本申请作进一步详细说明。
[0023]实施例一:
[0024]请参考图1,本申请提供一种LED封装结构,包括绝缘基座10、基板20、LED芯片30、高反射层40,以及荧光胶层50。
[0025]所述绝缘基座10设置有内凹的容置槽以容置固定所述LED芯片30,本申请中,所述绝缘基座10采用热固性材料。所述热固性材料具体可为玻璃纤维、聚邻苯二甲酰胺(Polyphthalamide,简称PPA)、环氧树脂、娃胶或娃树脂。
[0026]所述基板20嵌设于所述绝缘基座10的底部,其上表面外露于所述容置槽内。本申请中,所述基板20优选设置为金属基板。所述金属基板具体可为镀银或镀金的高导热铜板,或者为镀银或镀金的合金铜板。
[0027]所述LED芯片30容置于所述容置槽内,其采用焊接等工艺固定于所述基板20的上表面,本申请中,所述LED芯片30通过金线60与所述基板20的引脚相连。
[0028]所述高反射层40为所述容置槽内于所述LED芯片30周围喷涂的高反射材料构成,所述高反射材料主要采用TiO2材料(二氧化钛,化学式=TiO2)混合于硅胶中,当然,所述高反射材料也可采用其他适用使用的材料。作为一种优选的实施方式,所述高反射层40的上表面低于所述LED芯片30的上表面。于所述容置槽的底部喷涂所述高反射材料,利用所述高反射材料的高漫反射性能,有效提高LED器件的光通量;同时,所述高反射材料覆盖所述基板20的上表面,可保护所述基板20的上表面不被氧化,进而有效提高LED器件的稳定性及其使用寿命。
[0029]所述荧光胶层50由填充于所述容置槽内的荧光胶构成,所述荧光胶层50覆盖所述LED芯片30的上表面。
[0030]实施例二:
[0031]本实施例与上述实施例区别主要在于:所述高反射层40的上表面平行于所述LED芯片30的上表面。
[0032]以上内容是结合具体的实施方式对本申请所作的进一步详细说明,不能认定本申请的具体实施只局限于这些说明。对于本申请所属【技术领域】的普通技术人员来说,在不脱离本申请构思的前提下,还可以做出若干简单推演或替换。
【权利要求】
1.一种LED封装结构,其特征在于,包括: 设置有内凹容置槽的绝缘基座; 嵌设于所述绝缘基座底部的基板,所述基板的上表面外露于所述容置槽内; 容置于所述容置槽内且固定于所述基板上表面的LED芯片; 采用高反射材料喷涂于所述容置槽底部的高反射层,所述高反射层的上表面平行或低于所述LED芯片的上表面;以及 填充于所述容置槽内并覆盖所述LED芯片上表面的荧光胶层。
2.如权利要求1所述的LED封装结构,其特征在于,所述绝缘基座采用热固性材料。
3.如权利要求2所述的LED封装结构,其特征在于,所述热固性材料为玻璃纤维、聚邻苯二甲酰胺、环氧树脂、硅胶或硅树脂。
4.如权利要求1所述的LED封装结构,其特征在于,所述基板为金属基板。
5.如权利要求4所述的LED封装结构,其特征在于,所述金属基板为镀银或镀金的高导热铜板,或者为镀银或镀金的合金铜板。
6.如权利要求1所述的LED封装结构,其特征在于,所述LED芯片通过金线与所述基板的引脚相连。
【文档编号】H01L33/60GK203617337SQ201320772529
【公开日】2014年5月28日 申请日期:2013年11月28日 优先权日:2013年11月28日
【发明者】张月强, 陈栋, 尹江涛 申请人:深圳市天电光电科技有限公司
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