Oled器件及其制备方法
【专利摘要】本发明公开了一种OLED器件及其制备方法，其中，该OLED器件包括OLED器件本体以及包覆在所述OLED器件本体外部的、用于封装所述OLED器件本体的保护层，所述保护层的化学式为SiOXCYHZ，其中X的取值范围为2.5～0.5，Y的取值范围为2.0～0.5，Z的取值范围为8～2。本发明通过在该OLED器件上形成SiOXCYHZ保护层从而使得该OLED器件具有隔离水汽的功能。
【专利说明】OLED器件及其制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种OLED器件及其制备方法，尤其涉及一种具有水汽隔离功能的OLED器件及其制备方法。
【背景技术】
[0002]近年来，有机发光显示器(organiclight emitting displaY, OLED)由于其简单的结构、极佳的亮度及显著的优势，逐渐成为目前市场主流的液晶显示器(liquidcrYstalline displaY, LCD)的替代产品。
[0003]然而，由于有机发光显示器是利用有机材料构成的发光元件作为显示发光光源，所以在制作有机发光显示器的过程中，对制程环境与使用场所的水汽隔离程度具有较高的要求。当水汽接触到有机发光元件时，将会使发光元件的阴极氧化，使得发光元件失去显示功能，从而出现降低产品质量。
[0004]因此，有机发光元件需要采用具有较低水汽穿透率的材料进行封装，以实现将有机发光元件与外界环境的水汽相隔离，进而提高产品质量。
【发明内容】
[0005]本发明的目的在于，针对现有技术中存在的OLED器件在制备过程中易接触到水汽的缺陷，提供一种具有水汽隔离功能的OLED器件及其制备方法。
[0006]本发明提供的一种OLED器件，包括OLED器件本体以及包覆在所述OLED器件本体外部的、用于封装所述OLED器件本体的保护层，所述保护层的化学式为SiOxCYHz，其中X的取值范围为2.5?0.5，Y的取值范围为2.0?0.5，Z的取值范围为8?2。
[0007]上述的OLED器件，所述保护层的厚度为300A?600A。
[0008]本发明还提供一种OLED器件的制备方法，包括:
[0009]提供OLED器件本体作为基体；
[0010]以铁氟龙和氧化硅为混合型靶材，采用磁控溅射镀膜法在所述基体上形成SiOxCYHz保护层，其中X的取值范围为2.5?0.5，Y的取值范围为2.0?0.5，Z的取值范围为8?2。
[0011]上述的制备方法，所述混合型靶材中铁氟龙与氧化硅的质量比为4:1?3:1。
[0012]上述的制备方法，磁控溅射镀SiOxCYHz保护层，对所述基体设置-300V?-500V的偏压，溅镀温度为150°C?420°C，以氩气为工作气体，氩气的流量为300sccm?500sccm，溅锻时间为20min?60min。
[0013]本发明还提供另一种OLED器件的制备方法，包括:
[0014]提供OLED器件本体作为基体；
[0015]以三甲基氯硅甲烷和六甲基二硅胺为混合气体，采用等离子体增强化学气相沉积法在所述基体上形成SiOxCYHz保护层，其中X的取值范围为2.5?0.5，Y的取值范围为2.0?0.5，Z的取值范围为8?2。[0016]上述的制备方法，所述混合气体中三甲基氯硅甲烷和六甲基二硅的质量比为1:1 ?4:1。
[0017]上述的制备方法，等离子体增强化学气相沉积SiOxCYHz保护层，反应室的压力保持在1200mT?1600mT，向所述混合气体施加5000w?7500w的高频交流电源，所述基体的温度保持在200°C?400°C。
[0018]实施本发明的有益效果在于:本发明通过在OLED器件外沉积一保护层以实现隔离水汽的目的。该保护层是由有机材料/无机材料构成的SiOxCYHz，其中X的取值范围为2.5?0.5，Y的取值范围为2.0?0.5，Z的取值范围为8?2。这种保护层能达到水汽穿透率保持在0.02g/m2/day以下。这个保护层在厚度为300A?600A时就能实现较佳的水汽隔离效果，这可以实现制备保护层的原材料的节约以及使整个OLED器件的结构简单。
[0019]进一步地，本发明提供的OLED器件的制备方法具有工艺简单、便于操作的优势。利用磁控溅射镀膜法或化学沉积法在该OLED器件本体上沉积该保护层，可以使得保护层与OLED器件的结合更加牢固，从而延长其使用寿命，提高OLED器件的质量。
【专利附图】
【附图说明】
[0020]下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说明，附图中:
[0021]图1为本发明提供的OLED器件的结构示意图。
【具体实施方式】
[0022]本发明通过在OLED器件外沉积一保护层以实现隔离水汽的目的。该保护层是由有机材料/无机材料构成的SiOxCYHz，其中X的取值范围为2.5?0.5，Y的取值范围为2.0?0.5，Z的取值范围为8?2。这种保护层能实现水汽穿透率保持在0.02g/m2/day以下。这个保护层在厚度为300A?600A时就能实现较佳的水汽隔离效果。本发明提供的OLED器件的制备方法具有工艺简单、便于操作的优势。利用磁控溅射镀膜法或化学沉积法在该OLED器件本体上沉积该保护层，可以使得保护层与OLED器件的结合更加牢固，从而延长其使用寿命，提高OLED器件的质量。
[0023]参考图1，本发明提供的OLED器件包括OLED器件本体10和包覆在OLED器件本体10外部的、用于封装该器件本体10的保护层20。
[0024]该OLED器件本体10包括基板101以及沿基板101朝向远离该基板101的方向上依次层叠设置在基板101上的正极及TFT元件层102、传输层103、有机发光件层104、电子传输层105以及负极层106。保护层20沿着所述基板101的表面向远离该基板101的表面方向延伸并包覆该正极及TFT元件层102、传输层103、有机发光件层104、电子传输层105以及负极层106。该基板101是由玻璃或软质亚克力材料制成。该保护层是以磁控溅射镀膜法或化学气相沉积法形成。
[0025]该保护层的化学式为SiOxCYHz，其中X的取值范围为2.5?0.5，Y的取值范围为
2.0?0.5，Z的取值范围为8?2。这种保护层能实现水汽穿透率保持在0.02g/m2/day以下。
[0026]该保护层的厚度为300A?600A，该保护层在这个厚度时就能实现较佳的水汽隔离效果，这可以实现制备保护层的原材料的节约以及使整个OLED器件的结构简单。当然，在其他的实施例中，该保护层的厚度可以根据需要达到更大值或更小值。
[0027]本发明提供一种较佳实施方式的OLED器件的制备方法，包括以下步骤:
[0028]提供OLED器件本体作为基体，对基体进行前处理，该清洁前处理包括以下步骤:
[0029]依次用去离子水及无水乙醇对基体的表面进行擦拭；
[0030]将基体放入盛装有丙酮溶液的超声波清洗器中进行超声波清洗，以除去基体表面的杂质和油污等。
[0031]对经上述清洁前处理后的基体的表面进行等离子体清洗，以进一步去除基体表面的脏污，以及改善基体表面与后续镀层的结合力。
[0032]将基体放入磁控溅射镀膜机的镀膜室中，装入铁氟龙和氧化硅按质量比为4:1?3:1组成混合靶材，氧化硅为常用的SiOx。抽真空该镀膜室至本底真空度为3.0X 10_5Torr，然后通入流量为300SCCm?500sCCm(标准毫升每分)的工作气体氩气(纯度为99.999% ),并对基体施加-300V?-500V的偏压，使镀膜室中产生高频电压。加热镀膜室的温度至150°C?420°C (即溅镀温度为150°C?420°C)，以混合靶材为阴极，以基体为阳极，靶材附近的氩气产生弧光放电成Ar+离子，在电场加速下获得极高的能量并轰击混合靶材，靶材表面的原子被溅击出来，于基体的表面沉积SiOxCYHz保护层。该SiOxCYHz保护层厚度在300A?600A之间。沉积该SiOxCYHz保护层的时间可为20min?60min。
[0033]实施例1
[0034]溅镀SiOxCYHz保护层:氩气流量为320SCCm，基体的偏压为-400V，溅镀温度为2000C，溅镀时间为40min，混合靶材中铁氟龙和氧化硅的质量比为4:1，形成SiO1.5C2H6保护层，保护层厚度为500A。
[0035]按本实施例方法所制得的SiO1.5C2H6保护层的水汽穿透率保持在0.02g/m2/day以下。
[0036]实施例2
[0037]溅镀SiOxCYHz保护层:氩气流量为400SCCm，基体的偏压为-300V，溅镀温度为150°C，溅镀时间为20min，混合靶材中铁氟龙和氧化硅的质量比为3:1，形成SiO1C1H3的保护层，其厚度为300A。
[0038]按本实施例方法所制得的SiO1C1H3保护层的水汽穿透率保持在0.02g/m2/day以下。
[0039]实施例3
[0040]溅镀SiOxCYHz保护层:氩气流量为500SCCm，基体的偏压为-500V，溅镀温度为420°C，溅镀时间为60min，混合靶材中铁氟龙和氧化硅的质量比为3.5:1，形成Si02.5C2H8的保护层，其厚度为600A。
[0041]按本实施例方法所制得的Si02.5C2H8保护层的水汽穿透率保持在0.02g/m2/day以下。
[0042]实施例4
[0043]溅镀SiOxCYHz保护层:氩气流量为300SCCm，基体的偏压为-350V，溅镀温度为350°C，溅镀时间为50min，混合靶材中铁氟龙和氧化硅的质量比为3.8:1，形成SiOa5Ca5H2的保护层，其厚度为400A。
[0044]按本实施例方法所制得的SiOa5Ca5H2保护层的水汽穿透率保持在0.02g/m2/day以下。
[0045]本发明还提供另一种较佳实施方式的OLED器件的制备方法，包括以下步骤:
[0046]提供OLED器件本体作为基体，对基体进行前处理，该清洁前处理包括以下步骤:
[0047]依次用去离子水及无水乙醇对基体的表面进行擦拭；
[0048]将基体放入盛装有丙酮溶液的超声波清洗器中进行超声波清洗，以除去基体表面的杂质和油污等。
[0049]对经上述清洁前处理后的基体的表面进行等离子体清洗，以进一步去除基体表面的脏污，以及改善基体表面与后续镀层的结合力。
[0050]等离子体增强化学气相沉积SiOxCYHz保护层:将基体放入反应室中，加热使基体的温度保持在200°C~400°C。然后向反应室中通入质量比为1:1~4:1的三甲基氯硅甲烷和六甲基二硅的混合气体。反应室的压力保持在1200mT~1600mT，向混合气体施加5000w~7500?的高频交流电源以提供高频振荡电子，电子与气体分子产生碰撞并使混合气体形成等离子体，这些等离子体相互反应或与基体表面材料反应形成该保护层。
[0051]实施例5
[0052]等离子体增强化学气相沉积SiOxCYHz保护层:反应室的压力保持在1200mT，通过5000?的高频交流电源提供高频振荡电子，电子与质量比为1:1的三甲基氯硅甲烷和六甲基二硅的混合气体的气体分子碰撞，然后在温度为200°C的基体上形成SiOa5Ca5H2的保护层，其厚度为400A。按本实施例方法所制得的SiOxCYHz保护层的水汽穿透率保持在0.02g/m2/day 以下。
[0053]实施例6
[0054]等离子体增强化学气相沉积SiOxCYHz保护层:反应室的压力保持在1600mT，通过7000w的高频交流电源提供高频振荡电子，电子与质量比为3:1的三甲基氯硅甲烷和六甲基二硅的混合气体的气体分子碰撞，然后在温度为400°C的基体上形成SiOuC2H6的保护层，其厚度为600A。按本实施例方法所制得的SiOh2C2H6保护层的水汽穿透率保持在0.02g/m2/day 以下。
[0055]实施例7
[0056]等离子体增强化学气相沉积SiOxCYHz保护层:反应室的压力保持在1300mT，通过6000w的高频交流电源提供高频振荡电子，电子与质量比为4:1的三甲基氯硅甲烷和六甲基二硅的混合气体的气体分子碰撞，然后在温度为300°C的基体上形成Si02.5C2H8的保护层，其厚度为500A。按本实施例方法所制得的SiO2.5C2H8保护层的水汽穿透率保持在0.02g/m2/day 以下。
[0057]实施例8
[0058]等离子体增强化学气相沉积SiOxCYHz保护层:反应室的压力保持在1250mT，通过5500w的高频交流电源提供高频振荡电子，电子与质量比为3:1的三甲基氯硅甲烷和六甲基二硅的混合气体的气体分子碰撞，然后在温度为250°C的基体上形成SiO1C1H3的保护层，其厚度为300A。按本实施例方法所制得的SiO1C1H3保护层的水汽穿透率保持在0.02g/m2/day以下。
[0059]应当理解的是，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，而所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。
【权利要求】
1.一种OLED器件，包括OLED器件本体以及包覆在所述OLED器件本体外部的、用于封装所述OLED器件本体的保护层，其特征在于，所述保护层的化学式为SiOxCYHz，其中X的取值范围为2.5?0.5，Y的取值范围为2.0?0.5，Z的取值范围为8?2。
2.根据权利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述保护层的厚度为300A?600A。
3.—种OLED器件的制备方法，其特征在于，包括: 提供OLED器件本体作为基体； 以铁氟龙和氧化硅为混合型靶材，采用磁控溅射镀膜法在所述基体上形成SiOxCYHz保护层，其中X的取值范围为2.5?0.5,Y的取值范围为2.0?0.5，Z的取值范围为8?2。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述混合型靶材中铁氟龙与氧化硅的质量比为4:1?3:1。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，磁控溅射镀SiOxCYHz保护层，对所述基体设置-300V?-500V的偏压，溅镀温度为150°C?420°C，以氩气为工作气体，氩气的流量为300sccm?500sccm,灘锻时间为20min?60min。
6.—种OLED器件的制备方法,其特征在于,包括: 提供OLED器件本体作为基体； 以三甲基氯硅甲烷和六甲基二硅胺为混合气体，采用等离子体增强化学气相沉积法在所述基体上形成SiOxCYHz保护层，其中X的取值范围为2.5?0.5，Y的取值范围为2.0?0.5，Z的取值范围为8?2。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述混合气体中三甲基氯硅甲烷和六甲基二硅的质量比为1:1?4:1。
8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，等离子体增强化学气相沉积SiOxCYHz保护层，反应室的压力保持在1200mT?1600mT，向所述混合气体施加5000w?7500w的高频交流电源，所述基体的温度保持在200°C?400°C。
【文档编号】H01L51/54GK103943789SQ201410157528
【公开日】2014年7月23日 申请日期:2014年4月18日 优先权日:2014年4月18日
【发明者】赵国 申请人:深圳市华星光电技术有限公司