一种基于柔性基板的倒置oled器件结构的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种基于柔性基板的倒置OLED器件结构，包括透明的柔性基板，所述柔性基板上设置有使柔性基板表面平整化的高分子导电聚合物的防短路层，所述防短路层上由下及上依次沉积有阴极薄膜，金属氧化物薄膜，所述金属氧化物薄膜上由下至上依次蒸镀有n型掺杂的电子传输层，电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极。本实用新型的优点是：使基板表面平整化，防止短路点的产生，倒置OLED器件结构具有高效率长寿命性。
【专利说明】—种基于柔性基板的倒置OLED器件结构
【技术领域】
[0001]本实用新型属于有机电致发光器件领域，特别是涉及一种基于柔性基板的倒置OLED器件结构。
【背景技术】
[0002]研究表明:选择柔性衬底作为OLED的基板时，由于选择柔性衬底作为OLED的基板时，由于衬底本身的性质，给器件和制作过程带来了很多问题。(I)平整性较差:通常柔性衬底的平整性要比玻璃衬底差，这不符合表面要求。大部分淀积技术是共形的，制备的薄膜会复制衬底的表面形态，使得衬底的各层都凹凸不平，这会造成器件的短路，引起器件损坏；(2)熔点低:柔性衬底的熔点很低，而OLED基板的工艺温度却很高，所以，在制作过程中柔性衬底会变形甚熔化。即使温度较低的环境中，柔性衬底尺寸也不稳定，这给多层结构的OLED制作在精确地整齐排列上带来了很大的困难；(3 )寿命短:0LED对水蒸汽和氧气都比较敏感，而大部分柔性衬底的水、氧透过率均比较高。当水汽和氧气进入到器件内部时，会影响阴极与发光层之间的粘附性、使有机膜层内发生化学反应。这些都会导致器件的光电特性急剧衰退，造成器件迅速老化、失效。与玻璃衬底相比，塑料衬底对水汽和氧气的隔离及对器件防老化的保护作用都不够理想，无法满足显示器连续工作超过1000小时的寿命要求。
实用新型内容
[0003]本实用新型目的是提供一种基于柔性基板的倒置OLED器件结构。
[0004]本实用新型的技术方案是:
[0005]一种基于柔性基板的倒置OLED器件结构，包括透明的柔性基板，所述柔性基板上旋涂有使柔性基板表面平整化的高分子导电聚合物的防短路层，所述防短路层上由下及上依次沉积有阴极薄膜，金属氧化物薄膜，所述金属氧化物薄膜上由下至上依次蒸镀有η型掺杂的电子传输层，电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极。
[0006]优选地，所述防短路层为PEDOT:PSS为高分子导电聚合物，厚度为100-300 nm。防短路层的厚度必须保证在一两百纳米以上，这样才能有效的保证柔性基地表面粗糙表面能够很好被遮覆，保证器件不会因为基底粗糙造成短路，该厚度增强了器件的稳定性。
[0007]优选地，所述阴极薄膜为纳米银线，石墨烯，金属薄层，ΙΤ0，碳纳米管的一种，厚度为 15?60nm。
[0008]优选地，所述阳极为半透明或全反射的电极薄膜。
[0009]优选地，所述金属氧化物薄膜为WO3 (氧化钨)，Mo03(氧化钥)，V2O5 (五氧化二钒)，ReO3 (氧化铼)，的厚度为1-15 nm。
[0010]优选地，所述η型掺杂的电子传输层中η型掺杂剂为Li或铯的氧化物或氮化物，如 LiH, Li2CO3, Cs2CO30
[0011]优选地，所述阳极为金属电极薄膜，透明金属氧化物薄膜或复合阳极薄膜。
[0012]本实用新型的优点是:使基板表面平整化，防止短路点的产生，倒置OLED器件结构具有高效率长寿命性。
【专利附图】
【附图说明】
[0013]下面结合附图及实施例对本实用新型作进一步描述:
[0014]图1为本实用新型的结构示意图；
[0015]具体实施
[0016]一种基于柔性基板的倒置OLED器件结构，是在柔性基板上旋涂一层200 nm厚的PEDOT: PSS (高分子导电聚合物)，其次是30 nm的石墨烯，接着是10 nm的Mo03，然后是55 nm的Bphen: Li，其它功能层的蒸镀顺序自下而上依次为20 nm TmPyPB电子传输层，20 nm CBP:1r (ppy) 3发光层，40 nm的TAPC空穴传输层，10 nm HAT-CN空穴注入层，100nm招金属阳极。
[0017]本实用新型的PED0T:PSS (高分子导电聚合物)使基板表面平整化，防止短路点的产生，倒置OLED器件结构具有高效率长寿命性。
[0018]上述实施例只为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人能够了解本实用新型的内容并据以实施，并不能以此限制本实用新型的保护范围。凡根据本实用新型主要技术方案的精神实质所做的等效变换或修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种基于柔性基板的倒置OLED器件结构，其特征在于:包括透明的柔性基板，所述柔性基板上设置有使柔性基板表面平整化的高分子导电聚合物的防短路层，所述防短路层上由下及上依次沉积有阴极薄膜，金属氧化物薄膜，所述金属氧化物薄膜上由下至上依次蒸镀有η型掺杂的电子传输层，电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极。
2.根据权利要求1所述的一种基于柔性基板的倒置0LED器件结构，其特征在于:所述防短路层厚度为100-300 nm。
3.根据权利要求1所述的一种基于柔性基板的倒置0LED器件结构，其特征在于:所述阴极薄膜为厚度为15飞Onm。
4.根据权利要求1所述的一种基于柔性基板的倒置0LED器件结构，其特征在于:所述金属氧化物薄膜的厚度为1-15 nm。
5.根据权利要求1所述的一种基于柔性基板的倒置0LED器件结构，其特征在于:所述阳极为半透明或全反射的电极薄膜。
6.根据权利要求1所述的一种基于柔性基板的倒置0LED器件结构，其特征在于:所述阳极为金属电极薄膜，透明金属氧化物薄膜或复合阳极薄膜。
【文档编号】H01L51/50GK204088384SQ201420461006
【公开日】2015年1月7日 申请日期:2014年8月15日 优先权日:2014年8月15日
【发明者】丁磊, 冯亚青, 徐杰, 杨玲, 冯敏强, 廖良生 申请人:苏州方昇光电装备技术有限公司