1.一种栅极结构，其特征在于，包括：
一基板；
一第一介电层，沿该基板配置；
一第一导电层，沿该第一介电层配置；以及
一第二介电层，沿该第一导电层配置，
其中该第一导电层包括多个p型掺杂物及多个n型掺杂物，且其中该些p型掺杂物形成一p型掺杂物区域，且该些n型掺杂物形成一n型掺杂物区域。
2.根据权利要求1所述的栅极结构，其中该p型掺杂物区域是在该n型掺杂物区域之上形成层。
3.根据权利要求1所述的栅极结构，其中该p型掺杂物区域物理性接触于该n型掺杂物区域。
4.根据权利要求1所述的栅极结构，其中该第二介电层沿该第一导电层的侧壁配置。
5.根据权利要求1所述的栅极结构，其特征在于，还包括一第三介电层，该第三介电层沿该第一导电层的侧壁配置。
6.根据权利要求1所述的栅极结构，其中该p型掺杂物区域的厚度对于该n型掺杂物区域的厚度的比值由1∶3至3∶1。
7.根据权利要求1所述的栅极结构，其中该第二介电层包括一氧化物-氮化物-氧化物层。
8.根据权利要求1所述的栅极结构，其中该第一导电层包括多晶硅。
9.根据权利要求1所述的栅极结构，还包括一第二导电层，该第二导电层沿该第二介电层配置。
10.一种栅极结构的制造方法，其特征在于，包括：
提供一基板；
形成一第一介电层于该基板之上；
形成一第一导电层于该第一介电层之上；
形成一n型掺杂物区域于该第一导电层中；
形成一p型掺杂物区域于该第一导电层中；
形成一第二介电层于该第一导电层之上，其中该p型掺杂物区域于该n型掺杂物区域之上形成层。
11.根据权利要求10所述的方法，其中在形成该p型掺杂物区域于该第一导电层中的步骤之前进行形成该n型掺杂物区域于该第一导电层中的步骤。
12.根据权利要求10所述的方法，其中该p型掺杂物区域的厚度对于该n型掺杂物区域的厚度的比值由1∶3至3∶1。
13.根据权利要求10所述的方法，其中形成该第二介电层的步骤包括沿该栅极结构形成一平面的第二介电层。
14.根据权利要求10所述的方法，其中该n型掺杂物区域及该p型掺杂物区域物理性接触于该第一导电层。
15.根据权利要求10所述的方法，其中该n型掺杂物区域通过离子注入、原位形成、或其的组合的方式所形成。
16.根据权利要求10所述的方法，其中该p型掺杂物区域通过离子注入、原位形成、或其的组合的方式所形成。
17.根据权利要求10所述的方法，其中该第二介电层包括一氧化物-氮化物-氧化物层。
18.根据权利要求10所述的方法，其中该第一导电层包括多晶硅。
19.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，还包括形成一第二导电层于该第二介电层之上。