浅沟槽隔离结构及其形成方法、CMOS图像传感器与流程

技术特征：

1.一种浅沟槽隔离结构的形成方法，包括：

提供衬底，利用一掩膜版在所述衬底中形成第一浅沟槽；

在所述第一浅沟槽中形成一填充层，充满所述第一浅沟槽；

利用所述掩膜版在所述填充层中形成开口，暴露出所述第一浅沟槽的底壁，通过调节曝光参数使得所述开口的关键尺寸小于所述第一浅沟槽的关键尺寸；

刻蚀暴露出的所述第一浅沟槽的底壁，形成第二浅沟槽；

去除所述填充层，所述第一浅沟槽和第二浅沟槽共同形成浅沟槽；

在所述浅沟槽中形成隔离材料层。

2.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述第一浅沟槽的关键尺寸为200nm-300nm，深度为侧壁倾角为80°-83°。

3.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述第二浅沟槽的深度为

4.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述填充层的材料为底部抗反射涂层。

5.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述开口的关键尺寸比所述第一浅沟槽的关键尺寸小30nm-50nm。

6.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺刻蚀暴露出的第一浅沟槽的底壁，形成第二浅沟槽。

7.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述第一浅沟槽的侧壁及底壁上形成有第一衬氧化层，在形成开口后，形成第二浅沟槽前，将底壁上的第一衬氧化层去除；在去除所述填充层时，将侧壁上的衬氧化层去除。

8.如权利要求7所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，在形成浅沟槽之后，在所述浅沟槽中形成隔离材料层之前，还包括：在所述浅沟槽的侧壁和底部上形成第二衬氧化层。

9.利用如权利要求1-8中任意一项所述的浅沟槽隔离结构的形成方法制得的浅沟槽隔离结构，包括：位于衬底中的第一隔离部分和第二隔离部分，所述 第一隔离部分位于第二隔离部分上，所述第一隔离部分的关键尺寸大于第二隔离部分的关键尺寸。

10.一种CMOS图像传感器，包括：多个像素，相邻像素之间由如权利要求9所述的浅沟槽隔离结构隔离。