技术总结
本发明揭示了一种浅沟槽隔离结构及其形成方法、CMOS图像传感器。本发明提供的浅沟槽隔离结构的形成方法，利用同一掩膜版，通过关键尺寸的变动，分两次完成浅沟槽的制作。与现有技术相比，制作方法简单，成本低廉，并且能够有效增加浅沟槽的深度，进而使得以此获得的CMOS图像传感器的质量得到保证。
技术研发人员：陈福刚;陈文磊;茹捷
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
文档号码：201510571223
技术研发日：2015.09.08
技术公布日：2017.03.15