1.一种电子器件，包括：集成电路(IC)，包括至少一个集成结构(TRN)；以及加热装置(SC)，所述加热装置被电耦合至所述至少一个集成结构的有源区(S)的至少两个位点(ED1，ED2)，并且被配置成引起至少一个电流(I)在所述位点之间流通。
2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述至少一个集成结构为至少一个MOS晶体管(TRN)，并且所述有源区为所述至少一个晶体管的源极(S)半导电区域或漏极(D)半导电区域中的一个区域。
3.根据权利要求2所述的器件，其中，所述晶体管(TRN)为NMOS晶体管。
4.根据权利要求2或3所述的器件，其中，所述位点(ED1，ED2)位于实质上沿着在所述至少一个晶体管处的沟道的宽度(W)的方向延伸的直线上。
5.根据权利要求2至4中的任一项所述的器件，其中，所述位点(ED1，ED2)位于所述源极半导电区域(S)内。
6.根据前述权利要求中的任一项所述的器件，其中，所述位点的数量等于两个，并且所述两个位点(ED1、ED2)分别位于所述有源区的两个端部的邻近区域。
7.根据权利要求1至5中的任一项所述的器件，其中，所述位点的数量等于三个，第一位点(ED1)被包括在两个第二位点(ED2，ED3)之间，并且所述加热装置(SC)被配置成引起两个电流(I/2、I/2)分别在所述第一位点(ED1)与所述两个第二位点(ED2，ED3)之间流通。
8.根据权利要求7所述的器件，其中，所述两个第二位点(ED2，ED3)分别位于所述有源区的两个端部的邻近区域，并且所述第一位点(ED1)被定位成与所述两个第二位点(ED2，ED3)实质上等距。
9.根据前述权利要求中的任一项所述的器件，其中，所述加热装置包括：导电触头(CT1，CT2)，分别被电耦合至所述位点(ED1， ED2)；以及至少一个电流源(SC)，被配置成经由相应的触头而在所述位点中的一个位点处注入至少一个电流(I)，所产生的一个或多个电流通过相应的一个或多个导电触头而在另一个位点或其他位点处放电。
10.根据权利要求5和9所述的器件，其中，放电每个电流的所述一个或多个触头被联接至所述集成电路的接地线(GND)。
11.根据前述权利要求中的任一项所述的器件，其中，所述加热装置(SC)配置成引起至少一个电流以至少一个电流脉冲的形式流通。
12.根据前述权利要求中的任一项所述的器件，其中，所述加热装置(SC)是能控制的，并且所述器件进一步包括控制装置(MC)，所述控制装置适于在所述集成结构不操作时启动所述加热装置。
13.根据前述权利要求中的任一项所述的器件，其中，所述加热装置(SC)配置成引起至少一个电流经由金属线(MTL1，MTL2)而分别在多个集成结构中流通，所述金属线在所述结构之上延伸。
14.根据前述权利要求中的任一项所述的器件，其中，所述加热装置(SC)属于所述集成电路(IC)。