用于加热例如MOS晶体管的集成结构的电子器件的制作方法

技术总结
本发明涉及一种电子器件，包括：集成电路(IC)，包括例如至少一个MOS晶体管(TRN)；以及加热装置(SC)，被电耦合至所述至少一个晶体管的源极(S)半导电区域或漏极(D)半导电区域中的一个的至少两个位点(ED1、ED2)并且被配置为引起至少一个电流(I)在所述位点之间流通。

技术研发人员：P·加利;S·阿萨纳西乌;J·里科兹;S·恩格尔斯
受保护的技术使用者：意法半导体有限公司
文档号码：201510846184
技术研发日：2015.11.26
技术公布日：2016.12.28