具有梯度注入区的半导体元件及其制造方法与流程

技术总结
本发明公开了一种具有梯度注入区的半导体元件及其制造方法。该半导体元件包括具有第一导电型的基板、设置于基板中并具有第二导电型的高压阱、设置于高压阱中并具有第一导电型的源极阱、设置于高压阱中并与源极阱分隔的漂移区，以及设置于高压阱中并介于源极阱与漂移区之间且具有第二导电型的梯度注入区。

技术研发人员：詹景琳;林正基
受保护的技术使用者：旺宏电子股份有限公司
文档号码：201510946975
技术研发日：2015.12.17
技术公布日：2017.06.27