半导体元件及其制作方法与流程

技术特征：

技术总结
本发明公开半导体元件及其制作方法。该制作半导体元件的方法为，首先提供一基底，然后形成一第一栅极结构于基底上以及一第一间隙壁于第一栅极结构旁，形成一第一外延层于第一栅极结构旁的基底内，形成一第一硬掩模层于第一栅极结构上，去除部分第一硬掩模层并形成一保护层于第一外延层上以及去除剩余的第一硬掩模层。

技术研发人员：游峻伟;丁煦;刘厥扬;王俞仁;陈广修
受保护的技术使用者：联华电子股份有限公司
技术研发日：2015.12.25
技术公布日：2017.07.04