技术特征：
技术总结
本发明涉及光电设备(30)，包括三维半导体元件(20)，其主要由从包括化合物III‑V、化合物II‑VI和化合物IV的组中选择的第一化合物制成。每个半导体元件可选地利用部分地覆盖所述半导体元件的绝缘部分对包括相对于彼此呈一定角度的邻接面的至少一个第一表面(34)定界。光电设备包括在各面之间的缝中的至少一些处的量子点(60)。量子点主要由第一化合物和额外元素的混合物制成并且适合于发射或接收在第一波长的第一电磁辐射。
技术研发人员：伊万-克里斯多夫·罗宾;阿梅莉·迪赛涅;居伊·弗耶;史蒂芬妮·戈日兰
受保护的技术使用者：原子能与替代能源委员会;艾利迪公司
技术研发日：2015.09.29
技术公布日：2017.08.18