技术特征：
技术总结
本发明提供一种VDMOS器件的制作方法，包括：在半导体基底上自下而上依次形成N层阻挡层，第M层的阻挡层的宽度小于下方相邻的第M‑1层的阻挡层的宽度，其中N为大于或等于2的正整数，M大于或等于2且小于或等于N；在各阻挡层上形成具有图案的掩膜层；以所述掩膜层为掩膜，刻蚀各所述阻挡层以及各阻挡层下方的半导体基底，以在所述半导体基底中形成不同深度的沟槽。根据本发明，通过一次刻蚀就能够在半导体基底上形成不同深度的沟槽，大大简化了VDMOS器件的制作工艺，减少了清洗操作，进而能够尽量避免沟槽的形貌遭到破坏，保证VDMOS器件的良品率。
技术研发人员：赵圣哲;马万里
受保护的技术使用者：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
技术研发日：2016.04.12
技术公布日：2017.10.24