沟槽功率器件及制作方法与流程

本发明涉及半导体设备领域，特别是涉及一种沟槽功率器件及制作方法。

背景技术：

功率器件可分为功率IC(集成电路)器件和功率分立器件两类，功率分立器件又包括功率MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管)、大功率晶体管和IGBT(绝缘栅双极型晶体管)等器件。早期功率器件均是基于平面工艺生产，但随着半导体技术的发展，小尺寸、大功率、高性能成为了主要的发展趋势。以平面工艺MOSFET器件为例，由于其本身体内JFET(结型场效应晶体管)寄生电阻的限制，单个原胞的面积减小有限，这样就使增加原胞密度变得很困难，很难使平面工艺MOSFET的导通电阻(RDSON)进一步减小。沟槽工艺由于将沟道从水平变成垂直，消除了平面结构寄生JFET电阻的影响，使元胞尺寸大大缩小，在此基础上可增加原胞密度，提高单位面积芯片内沟道的总宽度，就可以使得器件在单位硅片上的沟道宽长比增大从而使电流增大、导通电阻下降以及相关参数得到优化，实现了更小尺寸的管芯拥有更大功率和高性能的目标，因此沟槽工艺越来越多运用于新型功率器件中。

随着半导体技术的发展，为了实现更低的成本优势以及最小线宽持续变小，现有典型的沟槽功率器件中沟槽和接触孔的线宽变小，Pitch(节距)宽度同时压缩，使得接触孔和栅极沟槽间的间距变窄，此时如果接触孔的线宽做不到足够小，对偏精度就不能满足余量要求，进而出现对偏等工艺问题，将会直接导致器件的结构难以实现，进而导致Vth(阈值电压)、BVds(漏源击穿电压)、Rdson甚至GS短路(栅源短路)等参数异常，形成可靠性风险。

图1所示为现有技术中沟槽功率器件中MOSFET在光刻设备极限能力下容易出现的问题示意图。其中，A区域代表的是接触孔4的正常形貌，此时接触孔4在半导体衬底1表面形成的线宽为d1，接触孔4与其相邻的沟槽5的间距分别为a1和a2。当d1的宽度在光刻设备的能力范围内时，其接触孔4不会出现曝光不足、分辨率不佳等导致的形貌问题。当设备套刻能力较佳的情况下，a1和a2均能满足产品设计的对偏余量范围，︱a1-a2︱越小越好，当a1-a2＝0时，说明对准精度最佳，套刻能力最佳。

B区域代表的是当接触孔4的光刻线宽按设备极限能力设计但仍然不满足预定的线宽设计要求，最终使接触孔4和沟槽5内的栅氧3、多晶硅2将要接触甚至已经接触上时的异常形貌。此时接触孔4在半导体衬底1表面形成的线宽为d2，接触孔4与其相邻的沟槽5的间距分别为b1和b2。当b1和b2均小于产品允许的间距要求时，会出现Vth、BVds、Rdson等参数异常，存在可靠性风险。当b1和b2已经无限小甚至为负数时候，接触孔4已经和沟槽5内的栅氧3、多晶硅2接触，会出现GS短路等参数异常。这是典型的线宽偏大、设备能力不能满足产品更小尺寸加工的失效情况。

C区域代表的是当接触孔4的光刻线宽满足小线宽要求，但光刻设备套刻能力不能满足产品结构要求，最终使接触孔4不在左右沟槽5的中间导致参数异常的结构形貌。此时接触孔4在半导体衬底1表面形成的线宽为d3，接触孔4与其相邻的沟槽5的间距分别为c1和c2，其中，c1远大于产品设计的对偏余量范围，c2又小于产品设计的对偏余量范围甚至接触孔4无限接近沟槽5内的栅氧3、多晶硅2，也容易出现Vth、BVds、Rdson甚至GS短路等参数异常。这是典型的光刻设备线宽能力正常但套刻精度不能满足产品更小尺寸的失效情况。如果在C区域中，c1和c2均在产品设计的对偏范围内则可以避免各种失效。

因此，如何在现有光刻设备条件下实现更小线宽，保证接触孔到槽栅结构的间距，从而使接触孔与沟槽套刻有足够的余量，从而实现更小线宽的器件结构的生产，同时使产品的参数和可靠性满足要求，是本技术领域人员所要研究的内容。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种沟槽功率器件及制作方法，保护槽栅结构，在现有光刻设备条件下使槽栅结构在加工工艺中不受到接触孔不稳定工艺的影响，实现更小线宽和更大的套刻余量产品的生产，使产品的参数和可靠性满足要求。

为解决上述技术问题，本发明提供一种沟槽功率器件的制作方法，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上依次形成第一阻止层、第二阻止层及第三阻止层；

刻蚀所述第三阻止层、第二阻止层、第一阻止层及部分半导体衬底以形成第一沟槽和第二沟槽；

在所述半导体衬底中所述第一沟槽和第二沟槽的侧壁和底壁上生长栅介电层；

在所述第一沟槽及第二沟槽中形成栅极材料层，去除第三阻止层，所述栅极材料层具有高于所述第二阻止层的一部分；

氧化栅极材料层，使得所述栅极材料层高于所述第二阻止层的一部分产生第二氧化层，且所述第二氧化层覆盖部分第二阻止层；

去除所述第二阻止层中未被所述第二氧化层覆盖的部分；

在所述半导体衬底中第一沟槽和第二沟槽两侧形成P阱；

在所述半导体衬底中第一沟槽和第二沟槽两侧所述P阱上形成N型区；

紧靠所述第二氧化层的侧壁及被所述第二氧化层覆盖的第二阻止层的侧壁形成侧墙；

在所述半导体衬底上形成覆盖介质层；

刻蚀所述覆盖介质层至所述半导体衬底中，形成接触孔，所述接触孔位于第一沟槽两侧和第二沟槽中；以及

在所述接触孔底部形成P型区。

可选的，对于所述的沟槽功率器件的制作方法，所述第一阻止层、第二阻止层及第三阻止层的材料为二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、多晶硅的一种或组合。

可选的，对于所述的沟槽功率器件的制作方法，所述第一阻止层的厚度为所述第二阻止层的厚度为所述第三阻止层的厚度为

可选的，对于所述的沟槽功率器件的制作方法，所述第一沟槽的宽度为0.05μm-1μm，深度为0.1μm-10μm；所述第二沟槽的宽度为0.5μm-5μm，深度为0.1μm-50μm。

可选的，对于所述的沟槽功率器件的制作方法，在形成第一沟槽和第二沟槽之后，在生长栅介电层之前，还包括：

在所述半导体衬底中所述第一沟槽和第二沟槽的侧壁和底壁形成第一氧化层；

去除所述第一氧化层。

可选的，对于所述的沟槽功率器件的制作方法，在所述第一沟槽及第二沟槽中形成栅极材料层之后，在去除第三阻止层之前，还包括：

去除淀积时产生在所述第三阻止层表面上的栅极材料层，使所述栅极材料层的上表面与所述第三阻止层的上表面齐平。

可选的，对于所述的沟槽功率器件的制作方法，采用湿法氧化工艺形成所述第二氧化层。

可选的，对于所述的沟槽功率器件的制作方法，所述第二氧化层厚度为

可选的，对于所述的沟槽功率器件的制作方法，所述紧靠所述第二氧化层的侧壁及被所述第二氧化层覆盖的第二阻止层的侧壁形成侧墙包括：

在所述第二氧化层及被所述第二氧化层覆盖的第二阻止层之间形成第四阻止层；

回刻所述第四阻止层，以形成所述侧墙。

可选的，对于所述的沟槽功率器件的制作方法，所述第四阻止层的材料为二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、多晶硅的一种或组合，所述第四阻止层的厚度为

可选的，对于所述的沟槽功率器件的制作方法，所述回刻为采用各项同性干法刻蚀。

可选的，对于所述的沟槽功率器件的制作方法，所述侧墙具有圆滑侧壁且呈上窄下宽状结构。

可选的，对于所述的沟槽功率器件的制作方法，所述覆盖介质层包括覆盖所述半导体衬底的第一介质层。

可选的，对于所述的沟槽功率器件的制作方法，所述覆盖介质层还包括覆盖所述第一介质层的第二介质层。

可选的，对于所述的沟槽功率器件的制作方法，所述第一介质层的材料为不掺杂的二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅的一种或多种组合；所述第二介质层的材料为硼磷硅玻璃。

可选的，对于所述的沟槽功率器件的制作方法，所述第一介质层和第二介质层皆由化学气相沉积工艺形成。

可选的，对于所述的沟槽功率器件的制作方法，形成所述第二介质层的反应源气包括SiH₄、B₂H₆和/或PH₃；所述第二介质层中硼的质量百分比为1～5％，磷的质量百分比为2～6％。

可选的，对于所述的沟槽功率器件的制作方法，所述第一介质层的厚度为所述第二介质层的厚度为

可选的，对于所述的沟槽功率器件的制作方法，所述接触孔的侧壁与底壁的延长线呈80°-89°角，所述接触孔的深度小于等于1μm。

可选的，对于所述的沟槽功率器件的制作方法，在所述接触孔底部形成P型区之后，还包括：

在所述覆盖介质层上形成金属层，所述金属层填充所述接触孔；以及

在所述金属层上形成钝化层。

本发明还提供一种沟槽功率器件，包括：

半导体衬底；

位于所述半导体衬底上的第一阻止层；

位于所述第一阻止层上的第二阻止层；

贯穿所述第二阻止层、第一阻止层并延伸至所述半导体衬底中的第一沟槽和第二沟槽；

位于所述半导体衬底中所述第一沟槽和第二沟槽的侧壁和底壁的栅介电层；

位于所述第一沟槽和第二沟槽中的栅极材料层；

位于所述第二阻止层及所述栅极材料层上的第二氧化层；

位于所述半导体衬底中第一沟槽和第二沟槽两侧的P阱；

位于所述半导体衬底中第一沟槽和第二沟槽两侧所述P阱上的N型区；

位于所述第一阻止层上、紧靠所述第二阻止层的侧壁及第二氧化层的侧壁的侧墙；

位于所述半导体衬底上的覆盖介质层；

接触孔，所述接触孔位于所述第一沟槽两侧贯穿所述覆盖介质层、第一阻止层并延伸至所述半导体衬底中，以及位于所述第二沟槽中延伸至所述栅极材料层中；

位于所述接触孔底部的P型区。

可选的，对于所述的沟槽功率器件，所述第一阻止层的厚度为所述第二阻止层的厚度为

可选的，对于所述的沟槽功率器件，所述第一阻止层及第二阻止层的材料为二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、多晶硅的一种或组合。

可选的，对于所述的沟槽功率器件，所述第一沟槽的宽度为0.05μm-1μm，深度为0.1μm-10μm；所述第二沟槽的宽度为0.5μm-5μm，深度为0.1μm-50μm。

可选的，对于所述的沟槽功率器件，所述第二氧化层厚度为

可选的，对于所述的沟槽功率器件，所述覆盖介质层包括覆盖所述半导体衬底的第一介质层。

可选的，对于所述的沟槽功率器件，所述覆盖介质层还包括覆盖所述第一介质层的第二介质层。

可选的，对于所述的沟槽功率器件，所述第一介质层的材料为不掺杂的二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅的一种或多种组合；所述第二介质层的材料为硼磷硅玻璃。

可选的，对于所述的沟槽功率器件，所述第二介质层中硼的质量百分比为1～5％，磷的质量百分比为2～6％。

可选的，对于所述的沟槽功率器件，所述第一介质层的厚度为所述第二介质层的厚度为

可选的，对于所述的沟槽功率器件，所述侧墙具有圆滑侧壁且呈上窄下宽状结构。

可选的，对于所述的沟槽功率器件，所述接触孔的侧壁与底壁的延长线呈80°-89°角，所述接触孔位于所述半导体衬底中的深度小于等于1μm。

可选的，对于所述的沟槽功率器件，还包括：

位于所述覆盖介质层上的金属层，所述金属层填充所述接触孔；以及

位于所述金属层上的钝化层。

与现有技术相比，本发明提供的一种沟槽功率器件及制作方法，通过将沟槽中的所述栅极材料层具有高于第二阻止层的一部分并将这一部分氧化形成第二氧化层，且所述第二氧化层覆盖部分第二阻止层，再通过形成侧墙，从而使整个槽栅结构均被保护住，在现有光刻设备条件下使槽栅结构在加工工艺中不受到接触孔不稳定工艺的影响，实现更小线宽和更大的套刻余量产品的生产，使产品的参数和可靠性满足要求。

附图说明

图1为现有技术中沟槽功率器件中MOSFET在光刻设备极限能力下容易出现的问题示意图；

图2为本发明一实施例中的沟槽功率器件制作方法的流程图；

图3-12为本发明实施例一实施例中的沟槽功率器件的制作过程中的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合示意图对本发明的沟槽功率器件及制作方法进行更详细的描述，其中表示了本发明的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明，而仍然实现本发明的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本发明的限制。

在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本发明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

本发明提供一种沟槽功率器件及制作方法，所述沟槽功率器件的制作方法包括：

步骤S11、提供半导体衬底；

步骤S12、在所述半导体衬底上依次形成第一阻止层、第二阻止层及第三阻止层；

步骤S13、刻蚀所述第三阻止层、第二阻止层、第一阻止层及部分半导体衬底以形成第一沟槽和第二沟槽；

步骤S14、在所述半导体衬底中所述第一沟槽和第二沟槽的侧壁和底壁上生长栅介电层；

步骤S15、在所述第一沟槽及第二沟槽中形成栅极材料层，去除第三阻止层，所述栅极材料层具有高于所述第二阻止层的一部分；

步骤S16、氧化栅极材料层，使得所述栅极材料层高于所述第二阻止层的一部分产生第二氧化层，且所述第二氧化层覆盖部分第二阻止层；

步骤S17、去除所述第二阻止层中未被所述第二氧化层覆盖的部分；

步骤S18、在所述半导体衬底中第一沟槽和第二沟槽两侧形成P阱；

步骤S19、在所述半导体衬底中第一沟槽和第二沟槽两侧所述P阱上形成N型区；

步骤S20、紧靠所述第二氧化层的侧壁及被所述第二氧化层覆盖的第二阻止层的侧壁形成侧墙；

步骤S21、在所述半导体衬底上形成覆盖介质层；

步骤S22、刻蚀所述覆盖介质层至所述半导体衬底中，形成接触孔，所述接触孔位于第一沟槽两侧和第二沟槽中；以及

步骤S23、在所述接触孔底部形成P型区。

下面请结合图2及图3-12对本发明的沟槽功率器件及制作方法进行详细介绍。

首先，执行步骤S11，如图3所示，提供半导体衬底20。优选的，所述半导体衬底20可以是硅衬底、锗硅衬底、Ⅲ-Ⅴ族元素化合物衬底或本领域技术人员公知的其他半导体材料衬底，本实施例中采用的是硅衬底。进一步的，本实施例中采用的硅衬底可以形成有MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)、IGBT(绝缘栅场效应晶体管)、肖特基二极管等半导体器件。所述半导体衬底20还可以根据所需产品的特性进行一定杂质量的N型和P型掺杂。

接着，执行步骤S12，所述半导体衬底20上依次形成有第一阻止层21、第二阻止层22及第三阻止层23。所述在半导体衬底20上形成的第一阻止层21、第二阻止层22及第三阻止层23可采用氧化或淀积等手段形成。例如，所述第一阻止层21、第二阻止层22及第三阻止层23的材料可以为二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、多晶硅等的一种或多种组合。较佳的，所述第一阻止层的厚度为所述第二阻止层的厚度为所述第三阻止层的厚度为

接着，执行步骤S13，刻蚀所述第三阻止层23、第二阻止层22、第一阻止层21及部分半导体衬底20，即刻蚀刻蚀所述第三阻止层23至所述半导体衬底20中，以形成第一沟槽241和第二沟槽242。请参考图4，第一沟槽241所在区域为第一窗口区24a，第二沟槽242所在区域为第二窗口区24b。所述第一窗口区24a指的是功率器件的原胞区，第二窗口区24b指的是功率器件的终端区。

本步骤S13通过光刻选择性打开窗口，采用光刻胶做掩蔽，将打开的窗口区从上往下刻蚀尽所述第三阻止层23、第二阻止层21及第一阻止层21后，再继续深入刻蚀半导体衬底20，以形成具有一定宽度和深度的第一沟槽241和第二沟槽242。其中，所述第一沟槽241和第二沟槽242的布局可依据产品结构而设计，所述第一沟槽241和第二沟槽242的宽度可根据产品结构和工艺能力来确定，深度可根据产品的耐压等参数来确定。

进一步的，在本实施例中，形成的第一沟槽241和第二沟槽242的宽度均在0.05μm-5μm之间，深度均在0.1μm-50μm之间。具体的，对于第一窗口区24a中的第一沟槽241，其宽度L1可根据产品导通密度决定，最小线宽可大于等于设备的极限能力，L1可以为0.05μm-1μm；深度h1可根据产品的耐压等参数来确定，h1可以为0.1-10μm。对于第二窗口区24b中的第二沟槽242，考虑到其槽内将填充多晶硅，宽度需要满足承载高压、大电流的需求，因此宽度较宽，部分结构上还需要在之后槽内填充的多晶硅上设置引线孔，因此第二沟槽242的宽度L2较第一沟槽221要宽，L2可以为0.5μm-5μm；在宽度较宽的情况下，根据刻蚀负载效应，相同的刻蚀程序对大线宽区域刻蚀深度较深，因此正常情况下h2>h1，h2可以为0.1μm-50μm。需要说明的是，并不能够简单的依据附图而得出第一沟槽241与第二沟槽242深度宽度一致的结论。

紧接着，执行步骤S131，在1000℃-1200℃温度下氧化所述半导体衬底20中所述第一沟槽241和第二沟槽242的侧壁和底壁形成第一氧化层(图中未示出)，以对所述第一沟槽241和第二沟槽242的侧壁和底壁进行修复。所述第一氧化层的厚度范围为

然后执行步骤S132，去除所述第一氧化层。可以采用BOE腐蚀液或DHF(稀释的氢氟酸)来进行去除。

然后，执行步骤S14，如图5所示，本实施例中，在所述半导体衬底20中所述第一沟槽241和第二沟槽242的侧壁和底壁上生长栅氧25。具体的，所述栅氧25采用的掺氯氧化(即含有氯、氧的氛围下进行氧化)形成，在温度范围为1000℃-1200℃进行生长，以获得厚度范围为的栅氧25。所述栅氧25的生长温度越高质量越好，掺氯氧化可以有效减少栅氧25中的杂质，提高栅氧25的质量。

然后，执行步骤S15，在所述第一沟槽241及第二沟槽242中形成栅极材料层26，去除第三阻止层，所述栅极材料层26具有高于所述第二阻止层22的一部分。请参考图6，例如，所述栅极材料层26可以为掺杂多晶硅层。可以先淀积不掺杂多晶硅，后采用离子注入对不掺杂多晶硅进行掺杂；或者，先淀积不掺杂多晶硅，后采用磷预淀积工艺对其进行掺杂；再或者，采用边淀积多晶硅边掺杂的原位掺杂方式。

具体的，在本步骤S15中，待淀积完成后，还需去除淀积时产生在所述第三阻止层表面上的栅极材料层26，并使所述第一沟槽241和第二沟槽242中的栅极材料层26与所述第三阻止层表面齐平，这一过程可以采用具有各项同性的干法刻蚀来完成。然后采用湿法刻蚀漂尽第三阻止层，使所述第一沟槽241和第二沟槽242中的栅极材料层26具有高于所述第二阻止层22的一部分，其高度h3小于等于步骤S12中第三阻止层的厚度。

然后，执行步骤S16，氧化栅极材料层26，使得所述栅极材料层26高于所述第二阻止层22的一部分产生第二氧化层27，且所述第二氧化层27覆盖部分第二阻止层22。如图7所示，采用湿法氧化工艺，使得所述栅极材料层26高于所述第二阻止层22的一部分产生第二氧化层27，具体的，所述湿法氧化的温度为800℃-1000℃，所述第二氧化层27为氧化硅层，厚度为

之后，执行步骤S17，去除所述第二阻止层22中未被所述第二氧化层27覆盖的部分。请参考图8，采用干法刻蚀，将步骤S16中形成的第二氧化层27未覆盖的第二阻止层22刻尽，露出第一阻止层21。

紧接着，执行步骤S18，请继续参考图8，在所述半导体衬底20中第一沟槽241和第二沟槽242两侧形成P阱28a。具体的，在所述半导体衬底20中第一沟槽241两侧和第二沟槽242两侧进行第一次离子注入和退火，形成P阱28a，所述P阱28a的结深深度小于第一沟槽241的深度。所述第一次离子注入和退火为采用硼(B)离子零度角注入，注入能量为60KeV-150KeV，注入剂量1E13/cm²-1E15/cm²，退火温度为1000℃-1200℃。

之后，执行步骤S19，请继续参考图8所示，在所述半导体衬底20中第一沟槽241和第二沟槽242两侧所述P阱28a上形成N型区28b。具体的，可以是在所述半导体衬底20中第一沟槽241两侧和第二沟槽242两侧进行第二次离子注入和退火，形成N型区28b，所述N型区28b的结深深度h4为0.1μm-0.5μm。所述第二次离子注入和退火为采用磷(P)离子或砷(As)离子零度角注入，注入能量为60KeV-150Kev，注入剂量1E14/cm²-1E16/cm²，退火温度800℃-1100℃。由步骤S18和步骤S19的注入剂量可知，形成的N型区28b的掺杂浓度大于P阱28a的掺杂浓度，因此所述N型区28b即为N型重掺杂区。

之后，执行步骤S20，紧靠所述第二氧化层27的侧壁及被所述第二氧化层27覆盖的第二阻止层22的侧壁形成侧墙29。请参考图9，本步骤S16可以具体包括：

步骤S201，在各个所述第二氧化层27及被所述第二氧化层27覆盖的第二阻止层22之间形成第四阻止层。优选的，所述第四阻止层的材料为二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、多晶硅的一种或组合。在较佳选择中，所述第四阻止层的厚度为

步骤S202，回刻所述第四阻止层，以形成所述侧墙29。所述回刻可以是采用各项同性干法刻蚀进行，利用刻蚀阴影效应，获得具有圆滑侧壁且呈上窄下宽状结构的侧墙29。

由图9可见，所述步骤S20完成后，第一沟槽241和第二沟槽242中栅极材料层26露出半导体衬底20表面的侧壁被第二阻止层22、第二氧化层27和侧墙29保护，同时顶部亦被第二氧化层27保护住。由此，槽栅结构获得了保护，有利于提高产品的性能和可靠性。

之后，执行步骤S21，在所述半导体衬底20上形成覆盖介质层。请参考图10，具体的，在本实施例中，所述覆盖介质层包括覆盖所述第一阻止层21、侧墙29及第二氧化层27的第一介质层30a及覆盖所述第一介质层30a的第二介质层30b。所述第一介质层30a的材料为不掺杂的二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅的一种或其组合，采用CVD等工艺形成。所述第一介质层30a的厚度可以为所述第二介质层30b的材料为BPSG(硼磷硅玻璃)，厚度可以为同样可以采用CVD工艺形成。具体的，所述第二介质层30b的反应源气包括SiH₄、B₂H₆和/或PH₃等。具体的，在所述第二介质层30b中，B的质量百分比为1～5％，P的质量百分比为2～6％。

进一步的，也可以是所述覆盖介质层仅为覆盖所述第一阻止层21、侧墙29及第二氧化层27的第一介质层30a。

进一步的，如果所述第一介质层30a采用氮化硅，可以在后续的接触孔制作中利用第一介质层30a、第三介质层30b及硅的选择比不同，使沟槽区域能够得到保护，进一步在现有光刻设备条件下实现更小线宽和更大的套刻余量，从而实现更小线宽的器件结构的生产。

之后，执行步骤S22、刻蚀所述覆盖介质层至所述半导体衬底20中，形成接触孔31，所述接触孔31位于第一沟槽241两侧和第二沟槽242中。请参考图11，刻蚀出的接触孔31大致为倒梯形，即上宽下窄状，接触孔31底部的宽度为L5，顶部开口宽度为L4，L5<L4，从而实现更小线宽的器件结构的生产中介质层的填充。其中，所述接触孔31的侧壁与底壁延长线的夹角θ为80°～89°，所述接触孔31位于所述半导体衬底20中深度h5小于等于1μm。在接触孔31形成后，在原胞区形成第三窗口区31a，在终端区形成第四窗口区31b。

本步骤S22具体为依次刻蚀第二介质层30b，第一介质层30a及第一阻止层21后，继续刻蚀半导体衬底20，获得一定深度的台阶，从而将已经掺杂成N型的半导体衬底刻蚀掉一部分，使后续的P型注入能够穿透N型区。可以理解的是，在刻蚀时也可以刻蚀掉侧墙29的部分宽度。

具体的，所述第三窗口区31a中开有接触孔31的区域为槽与槽间的源区，作为原胞区的源端连接金属；所述第四窗口区31b中开有接触孔31的区域作为器件的耐压环或栅极(Gate-PAD)端连接金属。

更具体的，结合图1、图3和图11，图11中所示原胞区第二介质层30b顶部宽度为L3，其宽度大于图3中第一沟槽241的宽度L1，可以使第一沟槽241的顶部受到介质层的保护，不容易产生GS漏电等问题。

更具体的，图11中所示原胞区中接触孔31顶部开口宽度为L4，通常这个宽度代表着接触孔31光刻的极限宽度。

进一步的，执行步骤S23，请继续参考图11，在所述接触孔31底部形成P型区31c。具体的，进行第三次离子注入和退火，形成所述P型区(P+区，相对P阱28a有着更大的掺杂浓度)31c。所述第三次离子注入为采用零度角注入B11或BF₂，可以先注入B11再注入BF₂，注入能量为20KeV-100KeV，注入剂量为1E14/cm²-1E16/cm²；采用炉管或快速退火在500℃-1000℃下进行退火。由步骤S18和步骤S23的注入剂量可知，形成的P型区31c的掺杂浓度大于P阱28a的掺杂浓度，因此所述P型区31c即为P型重掺杂区。

进一步的，执行步骤S24，请参考图12，在上述覆盖介质层上形成金属层32，所述金属层32填充所述接触孔31。具体的，所述金属层32的材料可以为钛(Ti)、氮化钛(TiN)、硅化钛(TiSi)、钨(W)、铝(Al)、硅化铝(AlSi)、铜硅铝合金(AlSiCu)、铜(Cu)或镍(Ni)等金属或金属的化合物，其厚度可以为1μm-8μm。在金属层32形成后，执行一步刻蚀工艺，例如采用干法刻蚀，获得原胞区的第五窗口区32a和终端区的第六窗口区32b。

进一步的，还可以根据产品的需要增加钝化层保护，完成器件正面结构的加工，并经过减薄、背金、划片等一系列后道工艺完成最终的器件结构。

结合图3-图12可见，本发明获得的沟槽功率器件，包括：

半导体衬底20；

位于所述半导体衬底20上的第一阻止层21；

位于所述第一阻止层21上的第二阻止层22；较佳的，所述第一阻止层21的厚度为所述第二阻止层22的厚度为所述第一阻止层21及第二阻止层22的材料为二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、多晶硅的一种或组合；

贯穿所述第二阻止层22、第一阻止层21并延伸至所述半导体衬底20中的第一沟槽241和第二沟槽242；较佳的，所述第一沟槽241的宽度为0.05μm-1μm，深度为0.1μm-10μm；所述第二沟槽242的宽度为0.5μm-5μm，深度为0.1μm-50μm；

位于所述半导体衬底20中所述第一沟槽241和第二沟槽242的侧壁和底壁上的栅氧25；所述栅氧25的厚度为

位于所述第一沟槽241和第二沟槽242中的栅极材料层26；

位于所述第二阻止层22及所述栅极材料层26上的第二氧化层27，较佳的，所述第二氧化层厚度为

位于所述半导体衬底20中第一沟槽241和第二沟槽242两侧的P阱28a；

位于所述半导体衬底20中第一沟槽241和第二沟槽242两侧所述P阱28a上的N型区28b；所述N型区28b的结深深度小于所述P阱28a的深度，例如，所述N型区28b的结深深度为0.1μm-0.5μm；

位于所述第一阻止层21上、紧靠所述第二阻止层22的侧壁及第二氧化层27的侧壁的侧墙29，所述侧墙29具有圆滑侧壁且呈上窄下宽状结构；

位于所述侧墙29及第二氧化层27上的覆盖介质层，所述覆盖介质层包括覆盖所述第一阻止层21、侧墙29及第二氧化层27的第一介质层30a及覆盖所述第一介质层30a的第二介质层30b；所述第一介质层30a的材料为不掺杂的二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅的一种或其组合，所述第二介质层30b的材料为硼磷硅玻璃，所述第二介质层30b中硼的质量百分比为1～5％，磷的质量百分比为2～6％，较佳的，所述第一介质层30a的厚度为所述第二介质层30b的厚度为当然，所述覆盖介质层也可以仅是第二介质层29a；

接触孔31，所述接触孔31位于所述第一沟槽241两侧贯穿所述覆盖介质层、第一阻止层21并延伸至所述半导体衬底20中，以及位于所述第二沟槽242中延伸至所述栅极材料层26中，所述接触孔31呈上宽下窄状，所述接触孔31的侧壁与底壁的延长线呈80°-89°角，所述接触孔31位于所述半导体衬底20中的深度小于等于1μm；

位于所述接触孔31底部的P型区31c；

位于所述覆盖介质层上的金属层32，所述金属层32填充所述接触孔31；较佳的，所述金属层32的材料为钛(Ti)、氮化钛(TiN)、硅化钛(TiSi)、钨(W)、铝(Al)、硅化铝(AlSi)、铜硅铝合金(AlSiCu)、铜(Cu)或镍(Ni)等金属或金属的化合物；以及

位于所述金属层32上的钝化层。

由此，本发明提供的一种沟槽功率器件及制作方法，通过将沟槽中的所述栅极材料层具有高于第二阻止层的一部分并将这一部分氧化产生第二氧化层，且所述第二氧化层覆盖部分第二阻止层，再通过形成侧墙，从而使整个槽栅结构均被保护住，在现有光刻设备条件下使槽栅结构在加工工艺中不受到接触孔不稳定工艺的影响，实现更小线宽和更大的套刻余量产品的生产，使产品的参数和可靠性满足要求。

进一步的，本发明的一种沟槽功率器件结构及制作方法，可以运用在包括但不限于CMOS、BCD、功率MOSFET、大功率晶体管、IGBT和肖特基等产品中。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。