圆饼状半导体封装结构及其与载盘的组合的制作方法

本发明是有关于一种半导体封装结构及半导体封装结构与载盘的组合，且特别是有关于一种圆饼状的半导体封装结构及圆饼状的半导体封装结构与载盘的组合。

背景技术：

在半导体产业中，积体电路(ic)的生产主要可分为三个阶段：积体电路的设计、积体电路的制作以及积体电路的封装。在晶圆的积体电路制作完成之后，晶圆的主动面配置有多个接垫。接着，预定切割线切割晶圆以得到多个芯片。接着，这些芯片可通过接垫电性连接于承载器(carrier)。通常而言，承载器可为导线架(leadframe)或基板(substrate)，而这些芯片可通过打线接合(wirebonding)或覆晶接合(flipchipbonding)等方式电性连接于承载器。接着，进行封胶步骤，使封装胶体形成于承载器上，并覆盖这些芯片。之后，进行单体化制程，以得到多个芯片封装体。

在供货至客户端或进行后续制程，例如：测试或smt上板时，这些芯片封装体会分别置放到载盘上，以避免于运送过程中造成芯片封装体的损伤。因此，如何使设置于载盘上的这些芯片封装体不会任意地相对于载盘移动或转动，进而避免芯片封装体的方位无法辨识而影响后续制程的效率的情况发生，便成为当前亟待解决的问题之一。

技术实现要素：

本发明提供一种圆饼状半导体封装结构及圆饼状半导体封装结构与载盘的组合，有助于固定圆饼状半导体封装结构于载盘中的方位，以提高后续制程(例如：测试或smt上板)的效率。

本发明的一种圆饼状半导体封装结构，包括圆饼状线路基板、芯片及圆饼状封装胶体。圆饼状线路基板包括相对的第一表面及第二表面、连接第一表面与第二表面的侧壁、多个外接点及导磁部。这些外接点位于第二表面，导磁部设置于圆饼状线路基板内且邻近侧壁，导磁部对应其中一个外接点。芯片设置于第一表面上且电性连接圆饼状线路基板。圆饼状封装胶体设置于第一表面上且覆盖芯片。

在本发明的一实施例中，上述的导磁部外露于侧壁。

在本发明的一实施例中，上述的圆饼状线路基板具有位于第一表面的基板凹槽，导磁部位于基板凹槽内。

在本发明的一实施例中，上述的导磁部外露于第一表面。

在本发明的一实施例中，上述的圆饼状线路基板还包括保护层，保护层设置于基板凹槽内且覆盖导磁部。

在本发明的一实施例中，上述的导磁部包括磁性金属镀层。

在本发明的一实施例中，上述的导磁部的厚度介于圆饼状线路基板的厚度的1/3至2/3之间。

本发明的一种圆饼状半导体封装结构与载盘的组合包括圆饼状半导体封装结构及载盘。圆饼状半导体封装结构包括圆饼状线路基板、芯片及圆饼状封装胶体。圆饼状线路基板包括相对的第一表面及第二表面、连接第一表面与第二表面的侧壁、多个外接点及导磁部。这些外接点位于第二表面，导磁部设置于圆饼状线路基板内且邻近侧壁，导磁部对应其中一个外接点。芯片设置于第一表面上且电性连接圆饼状线路基板。圆饼状封装胶体设置于第一表面上且覆盖芯片。载盘包括至少一载盘凹槽以及位于至少一载盘凹槽旁的至少一磁吸件。圆饼状半导体封装结构设置于载盘凹槽内，且载盘的磁吸件吸引圆饼状线路基板的导磁部。

在本发明的一实施例中，上述的导磁部外露于侧壁。

在本发明的一实施例中，上述的圆饼状线路基板具有位于第一表面的基板凹槽，导磁部位于基板凹槽内。

在本发明的一实施例中，上述的导磁部外露于第一表面。

在本发明的一实施例中，上述的圆饼状线路基板还包括一保护层，保护层设置于基板凹槽内且覆盖导磁部。

在本发明的一实施例中，上述的导磁部包括磁性金属镀层。

在本发明的一实施例中，上述的导磁部的厚度介于圆饼状线路基板的厚度的1/3至2/3之间。

基于上述，本发明的圆饼状半导体封装结构与载盘的组合通过于圆饼状半导体封装结构的圆饼状线路基板内邻近其侧壁处且对应其中一个外接点的位置设置导磁部，以及于载盘的载盘凹槽旁配置磁吸件，当圆饼状半导体封装结构设置于载盘凹槽内时，载盘的磁吸件吸引圆饼状线路基板的导磁部，使得圆饼状半导体封装结构不会在载盘的载盘凹槽内任意地移动或转动，避免圆饼状半导体封装结构与载盘碰撞而产生损伤。此外，由于本发明的圆饼状半导体封装结构的导磁部可对应特定外接点，因此设置于载盘中的圆饼状半导体封装结构的方位为固定的。如此一来，相关的技术人员或机台在后续制程中可快速地判断圆饼状半导体封装结构中的电性接点的位置，有助于提高后续制程(例如：测试或smt上板)的效率。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1是依照本发明的一实施例的一种圆饼状半导体封装结构的示意图；

图2是图1的圆饼状半导体封装结构的仰视示意图；

图3是图1的圆饼状半导体封装结构的圆饼状线路基板的侧视示意图；

图4是图1的圆饼状半导体封装结构与其中一种载盘的组合的示意图；

图5是图1的圆饼状半导体封装结构与其中一种载盘的组合的示意图；

图6与图7分别是依照本发明的其他实施例的多种圆饼状半导体封装结构的圆饼状线路基板的示意图。

附图标记说明：

10、10a：载盘；

12：载盘凹槽；

14：磁吸件；

100：圆饼状半导体封装结构；

110、110a、110b：圆饼状线路基板；

112：第一表面；

113a、113b：基板凹槽；

114：第二表面；

115b：保护层；

116：侧壁；

118：外接点；

119、119a、119b：导磁部；

120：芯片；

130：圆饼状封装胶体。

具体实施方式

图1是依照本发明的一实施例的一种圆饼状半导体封装结构的示意图。图2是图1的圆饼状半导体封装结构的仰视示意图。图3是图1的圆饼状半导体封装结构的圆饼状线路基板的侧视示意图。请参阅图1至图3，本实施例的圆饼状半导体封装结构100包括圆饼状线路基板110、芯片120及圆饼状封装胶体130。

圆饼状线路基板110可以是由硬式基材或可挠性基材所构成。圆饼状线路基板110包括相对的第一表面112及第二表面114、连接第一表面112与第二表面114的侧壁116、多个外接点118及导磁部119。

导磁部119设置于圆饼状线路基板110内且邻近侧壁116，在本实施例中，导磁部119外露于侧壁116，当然，在其他实施例中，导磁部119也可以是接近但不外露于侧壁116。导磁部119包括磁性金属镀层，例如是铁或是镍等金属镀层，但导磁部119的种类并不以上述为限制。导磁部119可以是在制作圆饼状线路基板110的线路(未示出)的时候一起被制作、在线路(未示出)已被形成于圆饼状线路基板110之后另外以类似制程(例如：电镀)形成于圆饼状线路基板110内，或者导磁部119也可以是额外被制作后放入圆饼状线路基板110内。此外，导磁部119的厚度介于圆饼状线路基板110的厚度的1/3至2/3之间，以具有足够的导磁能力。如图2所示，圆饼状线路基板110的这些外接点118位于第二表面114，且导磁部119在第二表面114的投影位置对应其中一个外接点118的位置。

芯片120设置于第一表面112上且电性连接圆饼状线路基板110。详细而言，芯片120可通过打线方式或覆晶接合方式以焊线或凸块电性连接位于圆饼状线路基板110的第一表面112上的接垫(未示出)。圆饼状封装胶体130设置于第一表面112上且覆盖芯片120。圆饼状封装胶体130可为环氧树脂，用以避免芯片120与电性接点受到外界水气或异物的影响。

图4是图1的圆饼状半导体封装结构与其中一种载盘的组合示意图。请参阅图4，图1的圆饼状半导体封装结构100被放置入载盘10中。载盘10包括至少一载盘凹槽12以及位于至少一载盘凹槽12旁的至少一磁吸件14。磁吸件14例如是永久磁铁。当圆饼状半导体封装结构100设置于载盘凹槽12内时，载盘10的磁吸件14会吸引圆饼状线路基板110的导磁部119，而使得圆饼状半导体封装结构100在载盘凹槽12内的位置固定，不会在载盘10的载盘凹槽12内任意地移动或转动，避免圆饼状半导体封装结构100与载盘10碰撞而产生损伤。值得一提的是，载盘凹槽12的形状不限制是方形，在其他实施例中，载盘凹槽12也可为圆型或其他适合的形状，磁吸件14也可以是电磁铁等其他种磁铁。

并且，由于圆饼状半导体封装结构100的圆饼状线路基板110的导磁部119对应到特定的外接点118(例如是pin1)，而使得圆饼状半导体封装结构100的外接点118在载盘凹槽12内的位置固定，相关的技术人员或机台在后续制程中可快速地判断圆饼状半导体封装结构100中的电性接点的方向及位置，有助于提高后续制程(例如：测试或smt上板)的效率。

需说明的是，在图4中仅是示意性地示出具有一个载盘凹槽12的载盘10，在一未示出的实施例中，载盘10可能会有多个阵列排列的载盘凹槽12，这些磁吸件14也以阵列的形式排列在这些载盘凹槽12旁，也就是说，各载盘凹槽12与其对应的磁吸件14之间的相对位置固定。当放入载盘10中的这些圆饼状半导体封装结构100的导磁部119皆是位在对应于相同编号的外接点118(例如是pin1)的位置，则这些圆饼状半导体封装结构100在放入载盘10中的这些载盘凹槽12时，这些导磁部119便会被载盘10中的这些磁吸件14吸引，而使这些圆饼状半导体封装结构100中的这些外接点118相对于载盘凹槽12的位置一致，以方便相关的技术人员或机台在后续制程中可快速地判断圆饼状半导体封装结构100中的电性接点的位置。

此外，虽然在图4中磁吸件14是位在载盘凹槽12的其中一个边旁的位置，但磁吸件14在载盘凹槽12旁的相对位置并不以图4为限制。图5是图1的圆饼状半导体封装结构与另一种载盘的组合示意图。在图5的实施例中与图4的实施例相同或相似的元件以相同或相似的编号表示，不再多加赘述。请参阅图5，载盘10a的磁吸件14也可以位在载盘凹槽12的角落，磁吸件14在载盘凹槽12旁的相对位置并不以上述为限制。

此外，导磁部119相对于圆饼状线路基板110的位置并不以图1的实施例为限制。图6与图7分别是依照本发明的其他实施例的一种圆饼状半导体封装结构的圆饼状线路基板的示意图。需说明的是，图6与图7的实施例中，与图3中相同或相似的元件以相同或相似的编号表示，不再多加赘述。

请先参阅图6，图6的圆饼状线路基板110a与图3的圆饼状线路基板110的主要差异在于，在图3中，导磁部119并未外露于圆饼状线路基板110的第一表面112。在本实施例中，圆饼状线路基板110a具有位于第一表面112的一基板凹槽113a，导磁部119a位于基板凹槽113a内且外露于第一表面112。在本实施例中，导磁部119a的制作可以不与圆饼状线路基板110a的线路(未示出)同时进行，而是在线路(未示出)已被形成于圆饼状线路基板110a之后另外以类似制程形成于基板凹槽113a内。

当然，导磁部119a在圆饼状线路基板110a的相对位置并不限制，只要导磁部119a的位置对应于其中一个外接点118即可。此外，在本实施例中，基板凹槽113a也被侧壁116所暴露出，使得导磁部119a外露于侧壁116，然而，在其他实施例中，基板凹槽113a也可不被侧壁116暴露出，使得导磁部119a接近但不外露于侧壁116。

请参阅图7，图7的圆饼状线路基板110b与图6的圆饼状线路基板110a的主要差异在于，在本实施例中，圆饼状线路基板110b还包括保护层115b，保护层115b设置于基板凹槽113b内且覆盖导磁部119b，而使导磁部119b不外露于第一表面112。制作上，可以是在圆饼状线路基板110b上先制作出基板凹槽113b，再形成导磁部119b于基板凹槽113b，接着再形成保护层115b在导磁部119b上。导磁部119b上的保护层115b与圆饼状线路基板110b上的介电层可以是一起制作或是分开制作，且导磁部119b上的保护层115b可与第一表面112齐平。当然，在其他实施例中，导磁部119b上的保护层115b也可略高或略低于第一表面112。

综上所述，本发明的圆饼状半导体封装结构与载盘的组合通过于圆饼状半导体封装结构的圆饼状线路基板内邻近其侧壁处且对应其中一个外接点的位置设置导磁部，以及于载盘的载盘凹槽旁配置磁吸件，当圆饼状半导体封装结构设置于载盘凹槽内时，载盘的磁吸件吸引圆饼状线路基板的导磁部，使得圆饼状半导体封装结构不会在载盘的载盘凹槽内任意地移动或转动，避免圆饼状半导体封装结构与载盘碰撞而产生损伤。此外，由于本发明的圆饼状半导体封装结构的导磁部可对应特定外接点，因此设置于载盘中的圆饼状半导体封装结构的方位为固定的。如此一来，相关的技术人员或机台在后续制程中可快速地判断圆饼状半导体封装结构中的电性接点的位置，有助于提高后续制程(例如：测试或smt上板)的效率。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。