技术总结
一种切割具有多个IC的基板的方法。一种方法包括形成多层掩模，该多层掩模包含位于半导体基板上的可溶于溶剂中的第一掩模材料层及位于该第一掩模材料层上的不溶于该溶剂中的第二掩模材料层。使用激光划线工艺对该多层掩模进行图案化以提供具有间隙的图案化掩模。图案化暴露基板介于IC之间的区域。随后，利用第二掩模材料层保护第一掩模材料层免受至少一部分等离子体蚀刻，对该基板进行等离子体蚀刻至贯穿图案化掩模中的间隙，以单体化IC。在单体化之后溶解可溶材料层以去除多层掩模。
技术研发人员：J·M·霍尔登;W-S·类;B·伊顿;T·伊根;S·辛格
受保护的技术使用者：应用材料公司
文档号码：201610625703
技术研发日：2012.05.23
技术公布日：2016.12.14