1.一种半导体封装结构，其特征在于,包括芯片，所述芯片具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面，所述第一表面以及所述第二表面均设置有电极，所述第一表面与所述电极对应的位置覆盖有锡膏，其余位置覆盖有塑封材料，所述锡膏以及所述塑封材料的外表面形成封装表面，所述第二表面直接连接电连接件。
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一表面上覆盖的所述塑封材料与所述锡膏的厚度相同。
3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述芯片通过导电结合材与所述电连接件固定连接。
4.根据权利要求3所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一表面设置的电极为源极和栅极，所述第二表面设置的电极为漏极。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体封装结构，其特征在于，所述电连接件为引线框架，所述引线框架包括与所述芯片连接的框架本体，以及于所述芯片一侧向所述芯片方向翻折的框架折边，所述框架折边具有与所述封装表面位于同一平面的折边端面，所述框架折边与所述芯片之间设置有绝缘材料。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体封装结构，其特征在于，所述电连接件为PCB，所述PCB包括与所述芯片连接的PCB本体，以及于所述芯片一侧向所述芯片方向延伸的PCB凸台，所述PCB凸台具有与所述封装表面位于同一平面的凸台表面。
7.根据权利要求6所述的半导体封装结构，其特征在于，所述PCB中设置有用于导电的导电铜箔，所述导电铜箔由所述PCB本体延伸至所述PCB凸台，并外露于所述凸台表面。
8.根据权利要求7所述的半导体封装结构，其特征在于，所述PCB具有与用于安装所述芯片的上表面以及与所述上表面相对的下表面，所述上表面与所述下表面之间设置有导热铜箔以及用于散热的散热通孔。
9.一种权利要求1至8中任一项所述的半导体封装结构的加工方法，其特征在于，对芯片进行单面树脂封装，并在封装面电极对应的位置印刷锡膏，使所述锡膏与封装树脂共同构成封装表面，非封装表面焊接于电连接件上。
10.根据权利要求9所述的半导体封装结构及加工方法，其特征在于，具体包括以下步骤：
步骤S1、电极加工，在晶圆第一表面制作源极以及栅极，与所述第一表面相对的第二表面制作漏极；
步骤S2、印刷锡膏，在所述源极以及所述栅极的位置印刷锡膏，并通过回流焊使锡膏融化粘附于晶圆表面；
步骤S3、树脂封装，采用树脂材料对所述第一表面进行表面封装，使所述树脂材料覆盖整个第一表面并覆盖所述锡膏；
步骤S4、研磨，对完成所述树脂封装的第一表面进行研磨，使所述锡膏露出；
步骤S5、切割，将所述晶圆进行切割，形成若干芯片
步骤S6、焊接，将所述芯片的所述第二表面焊接在所述电连接件上；
步骤S7、绝缘处理，对所述第二表面以外的所述芯片的其余表面与所述电连接件之间进行绝缘处理。