多区域的功率半导体器件的制作方法

技术特征：

技术总结
本发明公开一种多区域的功率半导体器件。一种功率半导体器件由具有相似结构的多个区域构成。所述区域中的每个可通过在切换到非导通状态期间的开关损耗来表征。所述器件被构造为使得开关损耗在所述区域中的至少两个区域之间不同。此外，所述器件被构造为使得具有较大的开关损耗的区域在具有较小的开关损耗的区域之前切换到非导通状态。

技术研发人员：苏明
受保护的技术使用者：福特全球技术公司
技术研发日：2016.10.13
技术公布日：2017.07.04