一种利用层压法来制备石墨烯顶电极的方法与流程

技术特征：

1.一种制备半导体器件石墨烯顶电极的方法，包括以下步骤：

1)利用湿法或干法转移方法，将石墨烯转移到聚二甲基硅氧烷上；

2)将转移到聚二甲基硅氧烷上的石墨烯连同聚二甲基硅氧烷层压到半导体器件的有机功能层上，聚二甲基硅氧烷上的石墨烯通过范德瓦尔斯力紧紧粘附在有机功能层上，作为器件的顶电极。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤1)进行多次转移，使转移到聚二甲基硅氧烷上的石墨烯达到需要的层数。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1)中将石墨烯转移到聚二甲基硅氧烷衬底上，或者是表面旋涂了聚二甲基硅氧烷的透明衬底上。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，旋涂的聚二甲基硅氧烷厚度为0.1mm。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1)在转移石墨烯之前，用空气等离子体处理聚二甲基硅氧烷表面。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1)通过化学气相沉积法在铜箔上生长石墨烯，然后进行湿法转移：先在生长于铜箔上的石墨烯表面旋涂聚对苯二甲酸乙二醇酯，再将其浸泡在氯化铁溶液使铜箔完全溶解，然后依次将附着在聚对苯二甲酸乙二醇酯上的石墨烯转移到稀盐酸和水中，最后用聚二甲基硅氧烷衬底或旋涂了聚二甲基硅氧烷的透明衬底捞起石墨烯，之后在丙酮溶液中浸泡去掉聚对苯二甲酸乙二醇酯涂层，然后用乙醇溶液和去离子水溶液进行清洗，用氮气枪吹干即可。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2)室温下在氮气手套箱中进行层压过程。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2)中所述半导体器件为发光二极管或太阳能电池。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述发光二极管的底电极材料是氧化铟锡，或者是用透明衬底转移的石墨烯。