半导体装置的形成方法与流程

技术特征：

技术总结
一种半导体装置的形成方法，其包括形成鳍结构于基板之上，及形成绝缘层于鳍结构周围。半导体装置的形成方法更包括移除部分鳍结构以于绝缘层中形成一沟槽，并以半导体材料填充沟槽。半导体装置的形成方法更包括回流半导体材料以形成纳米线结构及空腔于纳米线结构之下。

技术研发人员：布莱戴恩·杜瑞茲;乔滋尔斯·凡里恩提斯
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2016.12.09
技术公布日：2017.09.15