技术特征：
技术总结
一种半导体器件，其具有增强的性能。半导体器件具有高速传输路径，该高速传输路径包括：第一耦合部，用于使半导体芯片与中介层电耦合；第二耦合部，用于使中介层与布线衬底耦合；以及外部端子，该外部端子形成在布线衬底的底面上。高速传输路径包括：第一传输部，该第一传输部位于中介层中以使第一和第二耦合部电耦合；以及第二传输部，该第二传输部位于布线衬底中以使第二耦合部与外部端子电耦合。高速传输路径与校正电路耦合，其中一个边缘与位于第二传输部中途的分支部耦合，并且另一个边缘与电容元件耦合，并且电容元件形成在中介层中。
技术研发人员：仮屋崎修一
受保护的技术使用者：瑞萨电子株式会社
技术研发日：2016.12.14
技术公布日：2017.08.11