1.一种基于Al2O3纳米颗粒的薄膜封装方法，包括以下步骤：
提供全氟癸基膦酸和/或全氟癸基羧酸，将其溶解后形成有机修饰分子溶液；
在所述有机修饰分子溶液中加入Al2O3纳米颗粒，超声混匀后得到Al2O3纳米颗粒自组装混合液；
提供待封装的金属层，在所述金属层表面沉积Al2O3纳米颗粒自组装混合液，干燥得到封装层。
2.如权利要求1所述的基于Al2O3纳米颗粒的薄膜封装方法，其特征在于，所述有机修饰分子溶液的浓度为5-10mmol/L；和/或
所述Al2O3纳米颗粒自组装混合液中Al2O3的浓度为0.5-1g/ml。
3.如权利要求1所述的基于Al2O3纳米颗粒的薄膜封装方法，其特征在于，所述Al2O3纳米颗粒的粒径为10-30nm。
4.一种发光二极管的制备方法，包括以下步骤：
提供基板，并按照权利要求1所述方法制备Al2O3纳米颗粒自组装混合液；
在所述基板上依次沉积阳极、发光功能层和金属阴极；
在所述金属阴极上沉积Al2O3纳米颗粒自组装混合液，干燥得到封装层。
5.如权利要求4所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述有机修饰分子溶液的浓度为5-10mmol/L；和/或
所述Al2O3纳米颗粒自组装混合液中Al2O3的浓度为0.5-1g/ml。
6.如权利要求4所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述Al2O3纳米颗粒的粒径为10-30nm。
7.如权利要求4-6任一所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述发光二极管为量子点发光二极管或有机发光二极管。
8.如权利要求4-6任一所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述发光二极管为量子点发光二极管，所述发光功能层为量子点发光层。
9.如权利要求8所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述发光功能层还包括空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、电子传输层中的至少一层。
10.一种量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光二极管由权利要求4-6、8-9任一所述方法制成。