半导体器件的制作方法

技术特征：

技术总结
本发明的实施例提供了半导体器件。半导体器件包括衬底、位于衬底上方的第一III‑V化合物层、位于第一III‑V化合物层上的第一钝化层、源极区和漏极区。源极区穿过第一钝化层以电接触第一III‑V化合物层。漏极区穿过第一钝化层以电接触第一III‑V化合物层。与源极区接触的第一钝化层的侧壁包括阶梯状。

技术研发人员：刘圣得;周仲彦;刘世昌
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2016.12.26
技术公布日：2017.09.15