半导体器件的制作方法

技术特征：

技术总结
本发明实施例公开半导体器件、鳍式场效晶体管器件及其形成方法。一种半导体器件包括衬底、在衬底上方的栅极以及在栅极与衬底之间的栅介电层。栅介电层包括具有大于约8的介电常数且处于非晶态的氧化物抑制层。

技术研发人员：纪良臻;王锦焜;蔡家铭;陈敏璋;王唯诚
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2016.12.27
技术公布日：2017.08.08