1.一种半导体功率器件框架，其特征在于，所述框架上方设置有散热片，且散热片与框架衔接处开设有结合孔；所述框架的外表面上设置有加固齿，加固齿设置在框架的左右侧面上，且加固齿为并排设置，加固齿为V型齿；所述散热片上方连接有边带，且边带上开设有定位孔；位于框架的下方设置有4个引线脚，4个引线脚均为空管脚，且4个引线脚分别为输入脚、控制脚、备用脚和输出脚，且输入脚与框架连接。
2.根据权利要求1所述的半导体功率器件框架，其特征在于，所述输入脚与控制脚之间的间距大于控制脚与备用脚之间的间距，且控制脚与参照脚之间的间距等于备用脚与输出脚之间的间距。
3.根据权利要求1所述的半导体功率器件框架，其特征在于，所述结合孔为长腰孔。
4.根据权利要求1所述的半导体功率器件框架，其特征在于，所述引线脚的上部具有倾斜外伸端。